化學(xué)機械拋光方法及芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種化學(xué)機械拋光方法及芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法，包括：將芯片版圖劃分成多個窗格，提取各個窗格的特征參數(shù)；以各個窗格的特征參數(shù)為索引，查詢預(yù)設(shè)類型號，判斷各個窗格的類型號，并將相同類型號的窗格定義為同一集群；對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，提取預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，所述預(yù)設(shè)區(qū)域覆蓋所述窗格i，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積大于所述窗格i的面積；利用所述窗格i的特征參數(shù)及所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，計算所述窗格i的等效特征參數(shù)，提高了利用CMP模型對芯片表面形貌進行預(yù)測的方法的精度，提高集成電路的良率。
【專利說明】化學(xué)機械拋光方法及芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及化學(xué)機械拋光【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法，以及包括該芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法的化學(xué)機械拋光方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路(Integrated Circuit, IC)的制造過程中，金屬、電介質(zhì)和其他材料被米用如物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積在內(nèi)的各種方法，施加到娃片表面，從而在所述娃片表面形成分層的金屬結(jié)構(gòu)。集成電路通常包括多層金屬結(jié)構(gòu)，相鄰層金屬結(jié)構(gòu)之間形成有介質(zhì)層，而不同層金屬結(jié)構(gòu)之間又通過多個金屬填充的通孔相連，從而將所述集成電路中的多層金屬結(jié)構(gòu)電連接，使得所述集成電路具有很高的復(fù)雜性和電路密度。因此，在集成電路的制造過程中，一個關(guān)鍵的步驟在于金屬結(jié)構(gòu)的形成。
[0003]由于金屬層表面平整度會影響光刻中所要求的聚焦深度和互連結(jié)構(gòu)的應(yīng)力分布。因此，為了獲得制作多層電路所必需的平整度，通常使用化學(xué)機械拋光工藝，來對相鄰金屬結(jié)構(gòu)之間的介質(zhì)層的形貌進行平坦化。其中，化學(xué)機械拋光(Chemical MechanicalPolishing, CMP)工藝,作為超大規(guī)模集成電路階段最好的材料全局平坦化方法,是借助拋光液的化學(xué)腐蝕作用以及超微粒子的研磨作用，在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦的表面。
[0004]在具體制作過程中，CMP過程后的芯片表面形貌主要依賴于芯片的版圖特征，且在CMP過程中，不同研磨液的選取，會使得不同材料的去除率不同，從而使得CMP過程中以及CMP之后的芯片表面并非完全平坦，而是存在拓?fù)淦鸱?。而?jīng)常用來描述芯片表面拓?fù)湫蚊驳母拍畎ń饘俚魏徒橘|(zhì)侵蝕。其中，金屬碟形是指有圖形區(qū)域介質(zhì)層厚度與金屬層厚度之差；介質(zhì)侵蝕是指無圖形區(qū)域的介質(zhì)層厚度與有圖形區(qū)域的介質(zhì)層厚度之差。
[0005]CMP工藝后，芯片表面形貌的拓?fù)淦鸱缃饘俚魏徒橘|(zhì)侵蝕，不僅會影響后續(xù)光刻工藝的焦深，還會影響互連線的電阻等電特性，從而影響集成電路的互連線延時，進而降低芯片的良率，因此，在CMP設(shè)計和工藝過程中，需要控制這一表面形貌在可接受的范圍內(nèi)。
[0006]因此，在集成電路的設(shè)計制作過程中，為了提高集成電路的生產(chǎn)良率，降低生產(chǎn)成本，需要提前預(yù)知其CMP工藝后的芯片表面形貌，從而對該表面形貌是否會對后續(xù)光刻工藝等產(chǎn)生影像進行評估?，F(xiàn)有技術(shù)中通常采用CMP模型根據(jù)芯片的版圖特征參數(shù)，對該芯片CMP后的表面形貌進行預(yù)測，一般該預(yù)測過程主要包括以下步驟:版圖劃分、特征參數(shù)提取、CMP模擬和結(jié)果輸出。其中，版圖劃分是指將待要模擬的版圖劃分成連續(xù)的窗格，然后針對每個窗格進行后續(xù)步驟；特征參數(shù)提取是指提取每個窗格中各版圖結(jié)構(gòu)的等效線寬、等效間距、等效密度等特征參數(shù)；CMP模擬是指利用已有的CMP模型，根據(jù)所提取的各窗格特征參數(shù)，對每個窗格進行模擬，得到表面高度、金屬碟形和介質(zhì)侵蝕等；結(jié)果輸出是指將CMP模擬得到的表面高度、金屬碟形和介質(zhì)侵蝕等輸出到其他軟件(如熱點分析工具和寄生參數(shù)提取工具等)進行后續(xù)處理。
[0007]但是，現(xiàn)有技術(shù)中利用CMP模型對芯片表面形貌進行預(yù)測的方法精度較低，導(dǎo)致集成電路的良率較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種化學(xué)機械拋光方法及芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法，以提高利用CMP模型對芯片表面形貌進行預(yù)測的方法的精度，提高集成電路的良率。
[0009]為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了如下技術(shù)方案:
[0010]一種芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法，包括:
[0011]將芯片版圖劃分成多個窗格，提取各個窗格的特征參數(shù)；
[0012]以各個窗格的特征參數(shù)為索引，查詢預(yù)設(shè)類型號，判斷各個窗格的類型號，并將相同類型號的窗格定義為同一集群；
[0013]對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，提取預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，所述預(yù)設(shè)區(qū)域覆蓋所述窗格i，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積大于所述窗格i的面積；
[0014]利用所述窗格i的特征參數(shù)及所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，計算所述窗格i的等效特征參數(shù)。
[0015]優(yōu)選的，將芯片版圖劃分成多個窗格，提取各個窗格的特征參數(shù)包括:
[0016]采用預(yù)設(shè)大小的窗格對芯片版圖進行劃分，形成多個窗格；
[0017]提取各個窗格的特征參數(shù)。
[0018]優(yōu)選的，所述特征參數(shù)包括密度和線寬；所述等效特征參數(shù)包括:等效密度和等效線寬。
[0019]優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)類型號的設(shè)置方法包括:
[0020]統(tǒng)計所述芯片版圖中各個窗格的密度，獲得所述芯片版圖的密度范圍；
[0021]將所述芯片版圖的密度范圍劃分為多個密度區(qū)間；
[0022]統(tǒng)計所述芯片版圖中各個窗格的線寬，獲得所述芯片版圖的線寬范圍；
[0023]將所述芯片版圖的線寬范圍劃分為多個線寬區(qū)間；
[0024]將所述多個密度區(qū)間與所述多個線寬區(qū)間進行組合，獲得所述預(yù)設(shè)類型號。
[0025]優(yōu)選的，對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，提取預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)包括:
[0026]對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，篩選所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的窗格；
[0027]提取所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)。
[0028]優(yōu)選的，利用所述窗格i的特征參數(shù)及所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，計算所述窗格i的等效特征參數(shù)包括:
[0029]將所述窗格i的特征參數(shù)及所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)取平均，獲得所述窗格i的等效特征參數(shù)。
[0030]優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)區(qū)域覆蓋所述窗格i，包括:所述預(yù)設(shè)區(qū)域以所述窗格i為中心。
[0031]優(yōu)選的，所述窗格的預(yù)設(shè)大小為4μL?*4μπ?或5μL?*5μπ?。
[0032]優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積大于所述窗格i的面積包括:
[0033]所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積為所述窗格i面積的49-100倍。
[0034]一種化學(xué)機械拋光模擬方法，包括上述任一項所述芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法。
[0035]與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
[0036]本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，包括:將芯片版圖劃分成多個窗格，提取各個窗格的特征參數(shù)；以各個窗格的特征參數(shù)為索引，查詢預(yù)設(shè)類型號，判斷各個窗格的類型號，并將相同類型號的窗格定義為同一集群；對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，提取預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，所述預(yù)設(shè)區(qū)域覆蓋所述窗格i，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積大于所述窗格i的面積；利用所述窗格i的特征參數(shù)及與所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，計算所述窗格i的等效特征參數(shù)。
[0037]由此可見，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，先根據(jù)窗格的特征參數(shù)，將多個窗格劃分成不同的集群，再對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，提取預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，從而利用所述窗格i的特征參數(shù)及與所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，計算所述芯片版圖內(nèi)任一窗格i的等效特征參數(shù)，從而對于所述芯片版圖內(nèi)任一窗格i，既考慮了一定區(qū)域內(nèi)其周圍窗格對其的影響，又避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于簡單平均而導(dǎo)致模擬結(jié)果精度較低的問題，提高了利用CMP模型對芯片表面形貌進行預(yù)測的方法的精度，提高集成電路的良率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0039]圖1為本發(fā)明實施例所提供的芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法流程示意圖；
[0040]圖2為本發(fā)明一個實施例所提供的芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法中，集群定義示意圖；
[0041]圖3為本發(fā)明一個實施例所提供的芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法中，等效特征參數(shù)計算示意圖。

【具體實施方式】
[0042]正如【背景技術(shù)】部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中利用CMP模型對芯片表面形貌進行預(yù)測的方法精度較低，導(dǎo)致集成電路的良率較低。
[0043]在CMP模擬過程中，版圖劃分和特征參數(shù)提取是非常重要的步驟，后續(xù)的所有模擬過程都是基于劃分的窗格和所提取的特征參數(shù)進行，而不同的版圖劃分方法和不同的特征參數(shù)提取方法，會導(dǎo)致不同的CMP模擬結(jié)果。如果采用不合理的版圖劃分方法和特征參數(shù)提取方法，將會增加后續(xù)CMP模擬過程的復(fù)雜度，并降低CMP模擬結(jié)果的精度。
[0044]現(xiàn)有技術(shù)中的版圖劃分和特征參數(shù)提取方法為:首先，從版圖的起點開始，采用固定大小的窗格(或為了適應(yīng)版圖大小，在某些位置對窗格的大小稍作調(diào)整)，對芯片表面的版圖進行順序劃分；其次，將窗格中的所有結(jié)構(gòu)等效為矩形，特別是一些非矩形的互連結(jié)構(gòu)；然后，根據(jù)窗格中的所有等效矩形，計算出該窗格中的等效密度和等效線寬等參數(shù)；最后，結(jié)合當(dāng)前窗格的等效密度、等效線寬等參數(shù)，以及位于當(dāng)前窗格周圍的窗格的等效密度、等效線寬等參數(shù)，計算平均等效密度和等效線寬等參數(shù)，作為當(dāng)前窗格的等效密度和等效線寬輸入到CMP模型中進行模擬。如在圖1中，對于當(dāng)前窗格i，考慮其本身以及其周圍8個窗格，對它們的等效密度和等效線寬進行平均，作為當(dāng)前窗格i的等效密度和等效線寬。
[0045]但是，上述版圖劃分和特征參數(shù)提取方法中，在對當(dāng)前窗格的等效密度、等效線寬及其周圍的窗格的等效密度、等效線寬進行平均時，容易將大密度區(qū)域和小密度區(qū)域、大線寬區(qū)域和小線寬區(qū)域進行混合，從而降低CMP模型對集成電路芯片表面形貌的預(yù)測精度。
[0046]如:若窗格A的等效密度為90%，窗格B的等效密度為10%，則平均后窗格A和窗格B的等效密度均為50% ;若窗格A的等效線寬為5 μ m，窗格B的等效線寬為0.5 μ m，則平均后窗格A和窗格B的等效線寬均為2.75 μ m。由此可見，現(xiàn)有技術(shù)中的版圖劃分和特征參數(shù)提取方法完全背離了真實情況，導(dǎo)致CMP模擬結(jié)果的精度較低。但是，若在計算當(dāng)前窗格的等效密度和等效線寬時，不對當(dāng)前窗格的等效密度、等效線寬及其周圍窗格的等效密度、等效線寬進行平均，又會忽略位于當(dāng)前窗格周圍的窗格對其的影響，降低CMP模擬結(jié)果的精度。
[0047]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法，包括:
[0048]將芯片版圖劃分成多個窗格，提取各個窗格的特征參數(shù)；
[0049]以各個窗格的特征參數(shù)為索引，查詢預(yù)設(shè)類型號，判斷各個窗格的類型號，并將相同類型號的窗格定義為同一集群；
[0050]對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，提取預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，所述預(yù)設(shè)區(qū)域覆蓋所述窗格i，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積大于所述窗格i的面積；
[0051]利用所述窗格i的特征參數(shù)及與所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，計算所述窗格i的等效特征參數(shù)。
[0052]相應(yīng)的，本發(fā)明實施例還提供了一種化學(xué)機械拋光模擬方法，包括上述任一項所述芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法。
[0053]本發(fā)明實施例所提供的化學(xué)機械拋光方法及芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法，先根據(jù)窗格的特征參數(shù)，將多個窗格劃分成不同的集群，再對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，提取預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，從而利用所述窗格i的特征參數(shù)及與所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，計算所述芯片版圖內(nèi)任一窗格i的等效特征參數(shù)，從而對于所述芯片版圖內(nèi)任一窗格i，既考慮了一定區(qū)域內(nèi)其周圍窗格對其的影響，又避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于簡單平均而導(dǎo)致模擬結(jié)果精度較低的問題，提高了利用CMP模型對芯片表面形貌進行預(yù)測的方法的精度，提高集成電路的良率。
[0054]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細(xì)的說明。
[0055]在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0056]如圖1所示，本發(fā)明實施例提供了一種芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法，包括:
[0057]步驟1:將芯片版圖劃分成多個窗格，提取各個窗格的特征參數(shù)。
[0058]在本發(fā)明的一個實施例中，將芯片版圖劃分成多個窗格，提取各個窗格的特征參數(shù)包括:
[0059]采用預(yù)設(shè)大小的窗格對芯片版圖進行劃分，形成多個窗格；提取各個窗格的特征參數(shù)。
[0060]需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，所述特征參數(shù)包括密度和線寬，即各個窗格的特征參數(shù)為各個窗格密度和線寬，相應(yīng)的，所述等效特征參數(shù)包括等效密度和等效線寬，即各個窗格的等效特征參數(shù)為各個窗格的等效密度和等效線寬。下面以所述特征參數(shù)為密度和線寬，所述等效特征參數(shù)包括等效密度和等效線寬為例，對本發(fā)明實施例所提供的芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法進行詳細(xì)介紹，但本發(fā)明所提供的提取方法并不僅限于此，在本發(fā)明其他實施例中，所述特征參數(shù)還可以為芯片版圖圖形的其他參數(shù)，具體視情況而定。
[0061]步驟2:以各個窗格的特征參數(shù)為索引，查詢預(yù)設(shè)類型號，判斷各個窗格的類型號，并將相同類型號的窗格定義為同一集群。
[0062]繼續(xù)以所述特征參數(shù)為密度和線寬為例，在該實施例中，所述類型號由密度范圍劃分成的各密度區(qū)間和線寬范圍劃分成的各線寬區(qū)間進行組合后形成。
[0063]具體的，在本發(fā)明的一個實施例中，所述預(yù)設(shè)類型號的設(shè)置方法包括:
[0064]統(tǒng)計所述芯片版圖中各個窗格的密度，獲得所述芯片版圖的密度范圍；
[0065]將所述芯片版圖的密度范圍劃分為多個密度區(qū)間；
[0066]統(tǒng)計所述芯片版圖中各個窗格的線寬，獲得所述芯片版圖的線寬范圍；
[0067]將所述芯片版圖的線寬范圍劃分為多個線寬區(qū)間；
[0068]將所述多個密度區(qū)間與所述多個線寬區(qū)間進行組合，獲得所述預(yù)設(shè)類型號。
[0069]在本發(fā)明的一個具體實施例中，所述芯片版圖的密度范圍為0% _100%，將所述芯片版圖的密度范圍劃分為:0%、(0%,5%]> (5%,30%], (30%,60%], (60%,90%],(90%, 100% )、100%七個密度區(qū)間；所述芯片版圖的線寬范圍主要集中在O之間-ΙΟμπι之間，將所述芯片版圖的線寬范圍劃分為:【0μL?，0.1μL?)、【0.1μL?，0.5μL?)、【0.5μL?，
1.5 μ m)、【1.5 μ m, 3 μ m)、【3 μ m, 5 μ m)、【5 μ m, 10 μ m)、【10 μ m, + 00 )七個線寬區(qū)間，則將所述七個密度區(qū)間和七個線寬區(qū)間兩兩組合，可得到49個類型。如若所述芯片版圖中，某一窗格的密度為2%，線寬為0.09 μ m，其該窗格的類型號為2，另一個窗格的密度為75%，線寬為6 μ m，則該窗格的類型號為40，剩余窗格以此類推，本發(fā)明不再一一贅述。
[0070]需要說明的是，上述密度區(qū)間和線寬區(qū)間的劃分只是示例性說明，本發(fā)明對密度區(qū)間和線寬區(qū)間的數(shù)量并不做限定，可以根據(jù)具體情況劃分為更多的密度區(qū)間和線寬區(qū)間，或更少的密度區(qū)間和線寬區(qū)間，具體視情況而定。
[0071]將所述芯片版圖內(nèi)所有窗格的類型號判斷完畢后，將屬于同一類型號的窗格定義為同一集群。
[0072]具體的，在本發(fā)明的一個實施例中，如圖2所示，對所述芯片版圖內(nèi)的所有窗格采用從下往上，再從左往右的順序，對于窗格i，考慮斜線的四個窗格(假設(shè)該芯片版圖中只對這四個窗格進行了集群定義，別的窗格尚未處理)，將窗格i的類型號依次與這四個斜線的窗格對比:如果窗格i與其中的窗格k類型號相同,則將該窗格i的集群號置為窗格k的集群號，即將所述窗格i和窗格k定義為同一集群；如果窗格i的類型號與這四個窗格的類型號均不相同，則在當(dāng)前已有集群數(shù)的基礎(chǔ)上，將窗格i定義為一個新的集群(如當(dāng)前已經(jīng)到集群200，則建立集群201，并將窗格i加入到集群201中)。需要說明的是，本實施例只是示例性說明集群的定義，并不對本發(fā)明實施例所提供的等效特征參數(shù)提取方法進行限定，具體可視情況而定。
[0073]步驟3:將芯片版圖中所有窗格所屬的集群定義完畢后，對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，提取預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，其中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域覆蓋所述窗格i，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積大于所述窗格i的面積。
[0074]在本發(fā)明的一個實施例中，對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，提取預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)包括:
[0075]對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，篩選所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的窗格；
[0076]提取所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)。
[0077]在本實施例的一個具體實施例中，如圖3所示，所述預(yù)設(shè)區(qū)域為以窗格Ii為中心，半徑為一個窗格的區(qū)域，即以窗格i為中心，各方向均延伸一個窗格所形成的九個窗格構(gòu)成的斜線區(qū)域，在該預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)，對于窗格i，篩選出與該預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)所有與所述窗格i屬于同一集群的窗格，例如本實施例中與窗格i屬于同一集群的窗格有窗格j、窗格k、窗格m和窗格η ;提取所述窗格j、窗格k、窗格m和窗格η的特征參數(shù)。
[0078]需要說明的是，在本發(fā)明的一個實施例中，所述窗格的預(yù)設(shè)大小可以為4 μ m*4 μ m,在本發(fā)明的另一個實施例中，所述窗格的預(yù)設(shè)大小也可以為5 μ m*5 μ m,本發(fā)明對所述窗格的大小并不做限定，具體視情況而定。
[0079]同理，本發(fā)明對所述預(yù)設(shè)區(qū)域的大小也不做限定，只要對于窗格i，所述預(yù)設(shè)區(qū)域覆蓋所述窗格i，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積大小大于所述窗格i的面積大小即可。優(yōu)選的，在本發(fā)明的一個實施例中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域覆蓋所述窗格i，包括:所述預(yù)設(shè)區(qū)域以所述窗格i為中心。更優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積大于所述窗格i的面積包括:所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積為所述窗格i面積的49-100倍。
[0080]具體的，在本實施例的一個實施例中，當(dāng)所述窗格的預(yù)設(shè)大小為4μπι*4μπι時，所述預(yù)設(shè)區(qū)域的大小可以為40 μ m*40 μ m ;在本發(fā)明的另一個實施例中，如圖3所示，所述窗格的預(yù)設(shè)大小為5 μ m*5 μ m時,所述預(yù)設(shè)區(qū)域的大小可以為35 μ m*35 μ m。
[0081]步驟4:利用所述窗格i的特征參數(shù)及所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，計算所述窗格i的等效特征參數(shù)。
[0082]在本發(fā)明的一個實施例中，利用所述窗格i的特征參數(shù)及所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，計算所述窗格i的等效特征參數(shù)包括:
[0083]將所述窗格i的特征參數(shù)及與所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)取平均，獲得所述窗格i的等效特征參數(shù)。
[0084]具體的，在本實施例的一個實施例中，所述窗格i等效密度的計算公式為:

【權(quán)利要求】
1.一種芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法，其特征在于，包括: 將芯片版圖劃分成多個窗格，提取各個窗格的特征參數(shù)； 以各個窗格的特征參數(shù)為索引，查詢預(yù)設(shè)類型號，判斷各個窗格的類型號，并將相同類型號的窗格定義為同一集群； 對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，提取預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，所述預(yù)設(shè)區(qū)域覆蓋所述窗格i，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積大于所述窗格i的面積； 利用所述窗格i的特征參數(shù)及所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，計算所述窗格i的等效特征參數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提取方法，其特征在于，將芯片版圖劃分成多個窗格，提取各個窗格的特征參數(shù)包括: 采用預(yù)設(shè)大小的窗格對芯片版圖進行劃分，形成多個窗格； 提取各個窗格的特征參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提取方法，其特征在于，所述特征參數(shù)包括密度和線寬；所述等效特征參數(shù)包括:等效密度和等效線寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提取方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)類型號的設(shè)置方法包括: 統(tǒng)計所述芯片版圖中各個窗格的密度，獲得所述芯片版圖的密度范圍； 將所述芯片版圖的密度范圍劃分為多個密度區(qū)間； 統(tǒng)計所述芯片版圖中各個窗格的線寬，獲得所述芯片版圖的線寬范圍； 將所述芯片版圖的線寬范圍劃分為多個線寬區(qū)間； 將所述多個密度區(qū)間與所述多個線寬區(qū)間進行組合，獲得所述預(yù)設(shè)類型號。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提取方法，其特征在于，對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，提取預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)包括: 對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i，篩選所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的窗格； 提取所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提取方法，其特征在于，利用所述窗格i的特征參數(shù)及所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)，計算所述窗格i的等效特征參數(shù)包括: 將所述窗格i的特征參數(shù)及所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù)取平均，獲得所述窗格i的等效特征參數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提取方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)區(qū)域覆蓋所述窗格i，包括:所述預(yù)設(shè)區(qū)域以所述窗格i為中心。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的提取方法，其特征在于，所述窗格的預(yù)設(shè)大小為4 μ m氺 4 μ m 5 μ m*5 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提取方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積大于所述窗格i的面積包括: 所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積為所述窗格i面積的49-100倍。
10.一種化學(xué)機械拋光模擬方法，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一項所述芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法。
【文檔編號】G06F9/455GK104077460SQ201410344708
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月18日
【發(fā)明者】陳嵐, 馬天宇, 孫艷 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所