專利名稱：過壓保護(hù)控制電路和過壓保護(hù)控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種過壓保護(hù)控制電路和過壓保護(hù)控制方法，所述過壓保護(hù)控制電路可以形成在芯片的內(nèi)部，從而可以減小芯片的單價和/或尺寸(例如，芯片版圖面積)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的過壓保護(hù)控制電路用于抑制和/或防止當(dāng)大于特定閾值的電壓施加到芯片內(nèi)的數(shù)字邏輯電路時導(dǎo)致的數(shù)字電路可靠性降低。通常，當(dāng)施加大約6V或更大的電壓時，數(shù)字邏輯電路的可靠性會劣化。下面，大約6V或更大的電壓將稱為“過壓”。
圖1是示出包括傳統(tǒng)的過壓保護(hù)控制電路的系統(tǒng)的示意圖。參照圖1，過壓保護(hù)控制電路10可以確定電源電壓USB的過壓。當(dāng)電源電壓沒有處于過壓時，過壓保護(hù)控制電路10可以向片上系統(tǒng)(SOC)20施加電源電壓。由與SOC 20分離的芯片形成的傳統(tǒng)的過壓保護(hù)控制電路10會增加所得系統(tǒng)和/或芯片的成本和/或大小。由單獨的芯片形成的過壓保護(hù)控制電路也會限制尺寸減小和/或系統(tǒng)的集成。

發(fā)明內(nèi)容
示例性實施例涉及過壓保護(hù)控制電路，例如，用于確定過壓的在片上系統(tǒng)(SOC)構(gòu)造中包括BJT二極管和電阻(或電阻器)梯的過壓保護(hù)控制電路。示例性實施例還涉及過壓保護(hù)控制方法。
至少一個示例性實施例提供了一種過壓保護(hù)控制電路，其可以減小芯片的單價和/或片上系統(tǒng)(SOC)的版圖面積。至少一個其他示例性實施例提供了一種過壓保護(hù)控制方法，其可以減小芯片的單價和/或SOC的版圖面積。
至少一個示例性實施例提供了一種過壓保護(hù)控制電路，包括電壓轉(zhuǎn)換電路、電壓比較電路和開關(guān)電路。電壓轉(zhuǎn)換電路可以將電源電壓轉(zhuǎn)換成第一電壓和第二電壓。電壓比較電路可以通過比較第一電壓和第二電壓產(chǎn)生控制信號。開關(guān)電路可以響應(yīng)控制信號確定是否向芯片施加電源電壓。
根據(jù)至少一些示例性實施例，電壓轉(zhuǎn)換電路可以形成在芯片的內(nèi)部，并且可以包括第一電壓發(fā)生器和第二電壓發(fā)生器。第一電壓發(fā)生器可以將電源電壓轉(zhuǎn)換成第一電壓。第二電壓發(fā)生器可以將電源電壓轉(zhuǎn)換成第二電壓。第一電壓發(fā)生器可以包括與第一電壓的電平相對應(yīng)的多個BJT二極管。根據(jù)至少一個示例性實施例，第一電壓發(fā)生器可以包括兩個BJT二極管。第二電壓發(fā)生器可以包括多個電阻器。例如，第二電壓發(fā)生器可以包括由串聯(lián)連接的兩個電阻器形成的電阻梯。第二電壓發(fā)生器可以通過分配電源電壓來產(chǎn)生第二電壓。
根據(jù)至少一些示例性實施例，電壓比較電路可以形成在芯片的內(nèi)部，并且可以包括比較器和反相器。比較器可以輸出比較第一電壓和第二電壓的比較結(jié)果。反相器可以通過使比較結(jié)果的邏輯電平反相產(chǎn)生控制信號。當(dāng)?shù)诙妷捍笥诘谝浑妷簳r，電壓比較電路可以產(chǎn)生為邏輯低L的控制信號。第二電壓可以用作電壓比較電路的操作電源。
根據(jù)至少一些示例性實施例，開關(guān)電路可以包括至少兩個晶體管和一個電阻器。例如，開關(guān)電路可以包括NMOS晶體管、電阻器和PMOS晶體管?？刂菩盘柨梢杂米髦辽僖粋€晶體管(例如，NMOS晶體管)的柵電壓。電阻器可以使電源電壓降低期望的量。期望的降低了的電源電壓可以用作所述至少兩個晶體管中的另一個(例如，PMOS晶體管)的柵電壓。當(dāng)?shù)诙妷捍笥诘谝浑妷簳r，具有期望的降低了的電源電壓作為柵電壓的晶體管(例如，PMOS晶體管)可以截止。
至少一個其他示例性實施例提供了一種過壓保護(hù)控制方法。至少根據(jù)這個示例性實施例，電源電壓可以轉(zhuǎn)換成第一電壓，并且電源電壓可以轉(zhuǎn)換成第二電壓?？梢员容^第一電壓和第二電壓，并且可以基于比較第一電壓和第二電壓的比較結(jié)果確定是否向芯片施加電源電壓。
根據(jù)至少一些示例性實施例，當(dāng)確定第二電壓大于第一電壓時，可以不向芯片施加電源電壓。可以通過與第一電壓的電平相對應(yīng)的多個BJT二極管來執(zhí)行電源電壓向第一電壓的轉(zhuǎn)換。所述多個BJT二極管可以形成在芯片的內(nèi)部。可以通過基于由串聯(lián)連接的兩個電阻器形成的電阻梯的比例分配電源電壓，來執(zhí)行電源電壓向第二電壓的轉(zhuǎn)換。電阻梯可以形成在芯片的內(nèi)部。根據(jù)至少一些示例性實施例，第一電壓可第二電壓的比較可以包括在比較第一電壓和第二電壓之后產(chǎn)生比較結(jié)果。可以使用第二電壓作為操作電壓來執(zhí)行第一電壓和第二電壓的比較。
至少一個其他示例性實施例提供了一種過壓保護(hù)控制電路。過壓保護(hù)控制電路可以包括電壓轉(zhuǎn)換電路、電壓比較電路和開關(guān)電路。電壓轉(zhuǎn)換電路可以被構(gòu)造成基于電源電壓產(chǎn)生第一電壓和第二電壓。電壓比較電路可以被構(gòu)造成基于第一電壓和第二電壓的比較產(chǎn)生控制信號。開關(guān)電路可以被構(gòu)造成響應(yīng)控制信號確定是否向芯片施加電源電壓。
根據(jù)至少一些示例性實施例，第二電壓發(fā)生器可以包括多個電阻器，并可以被構(gòu)造成通過分配電源電壓來產(chǎn)生第二電壓。第一電壓發(fā)生器可以包括被構(gòu)造成將電源電壓轉(zhuǎn)換成第一電壓的多個二極管。電壓轉(zhuǎn)換電路和電壓比較電路可以形成在芯片上。
至少一個其他示例性實施例提供了一種過壓保護(hù)控制方法。至少根據(jù)這個方法，可以基于電源電壓產(chǎn)生第一電壓和第二電壓，并可以比較第一電壓和第二電壓?？梢曰诘谝浑妷汉偷诙妷旱谋容^結(jié)果來確定是否向芯片施加電源電壓。


通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施例，本發(fā)明將變得更加清楚，附圖中圖1是包括傳統(tǒng)的過壓保護(hù)控制電路的系統(tǒng)的示意圖；圖2是根據(jù)示例性實施例的過壓保護(hù)控制電路的示圖；圖3是示出圖2的過壓保護(hù)控制電路中的每個電壓電平的曲線圖；圖4是示出由圖2的過壓保護(hù)控制電路施加到芯片的電壓范圍的曲線圖；圖5是示出根據(jù)示例性實施例的過壓保護(hù)控制方法的流程圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更全面地描述本發(fā)明的多個示例性實施例，附圖中示出了本發(fā)明的一些示例性實施例。在附圖中，為了清晰起見，放大了層和區(qū)域的厚度。
這里公開了本發(fā)明的詳細(xì)的說明性實施例。然而，這里公開的具體結(jié)構(gòu)和功能上的細(xì)節(jié)只代表用于描述本發(fā)明的示例性實施例的目的。而本發(fā)明可以以多種可選的形式實施，并不應(yīng)理解為只限于這里闡述的實施例。
因此，雖然本發(fā)明的示例性實施例能夠有各種修改和可選形式，但是在附圖中以示例的方式示出其實施例，并且將在這里詳細(xì)描述其實施例。然而，應(yīng)該理解，沒有意圖將本發(fā)明的示例性實施例限制于所公開的特定形式，恰恰相反，本發(fā)明的示例性實施例將覆蓋落入本發(fā)明范圍的所有修改、等同物和替換。整個附圖描述中，相同的標(biāo)號表示相同的元件。
應(yīng)該理解，雖然這里可使用第一、第二等術(shù)語來描述各個元件，但是這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只是用來將一個元件與另一元件相區(qū)分。例如，在不脫離本發(fā)明示例性實施例的范圍的情況下，第一元件可被描述為第二元件，相似地，第二元件可以被描述為第一元件。這里所使用的術(shù)語“和/或”包括一個或多個所列出的相關(guān)術(shù)語的任意組合及所有組合。
應(yīng)該理解，當(dāng)元件被稱為“連接到”或“結(jié)合到”另一元件時，該元件可以直接連接到或結(jié)合到另一元件，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一元件時，不存在中間元件。應(yīng)該以相似的方式來理解用于描述元件間關(guān)系的其他詞語(例如，“在...之間”相對于“直接在...之間”，“相鄰”相對于“直接相鄰”等)。
這里所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例，并不是為了限制本發(fā)明的示例性實施例。如這里所使用的單數(shù)形式意在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文明確指出不包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)明白，當(dāng)這里使用術(shù)語“包括”時，指定存在所述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組。
還應(yīng)指出的是，在一些可選實施方式中，所指出的功能/作用的次序會與附圖中指出的次序不同。例如，取決于所包含的功能/作用，連續(xù)示出的兩幅圖實際上可以基本上同時被執(zhí)行，或者有時可以以相反的次序執(zhí)行。
圖2是根據(jù)示例性實施例的過壓保護(hù)控制電路的示圖。參照圖2，過壓保護(hù)控制電路可以包括電壓轉(zhuǎn)換單元120、電壓比較單元160和開關(guān)單元140。電壓轉(zhuǎn)換單元120、電壓比較單元160和開關(guān)單元140也可以被稱為電壓轉(zhuǎn)換電路120、電壓比較電路160和開關(guān)電路140。但是，為了清晰起見，將相對于電壓轉(zhuǎn)換單元120、電壓比較單元160和開關(guān)單元140來描述示例性實施例?；陔娫措妷篣SB，電壓轉(zhuǎn)換單元120可以產(chǎn)生第一電壓V1和第二電壓V2。在至少一個示例性實施例中，電壓轉(zhuǎn)換單元120可以將電源電壓USB轉(zhuǎn)換成第一電壓V1和第二電壓V2。電壓轉(zhuǎn)換單元120可以形成在芯片180的內(nèi)部。至少在這個實施例中，芯片180可以是片上系統(tǒng)(SOC)。電壓轉(zhuǎn)換單元120可以包括第一電壓發(fā)生器122和第二電壓發(fā)生器124。
仍參照圖2，第一電壓發(fā)生器122可以將電源電壓USB轉(zhuǎn)換成第一電壓V1。第一電壓發(fā)生器122可以包括與第一電壓V1的電平相對應(yīng)的多個雙極型晶體管(BJT)二極管。例如，BJT二極管的數(shù)目可以與第一電壓V1的期望電平相對應(yīng)。至少根據(jù)這個示例性實施例，如圖2所示，第一電壓發(fā)生器122可以包括兩個電阻器和兩個BJT二極管。
第二電壓發(fā)生器124可以將電源電壓USB轉(zhuǎn)換成第二電壓V2。第二電壓發(fā)生器124可以包括多個電阻器。例如，在圖2中，第二電壓發(fā)生器124可以包括由兩個串聯(lián)連接的電阻器形成的電阻梯。通過分配電源電壓USB，第二電壓發(fā)生器124可以產(chǎn)生第二電壓V2。
在示例性操作中，可以小于或等于大約15V的電源電壓USB可以通過壓焊塊施加到芯片180的內(nèi)部。因此，芯片180內(nèi)部的第一電壓發(fā)生器122和第二電壓發(fā)生器124可以接收電源電壓USB。
圖3是示出圖2的過壓保護(hù)控制電路中的每個電壓電平的曲線圖。參照圖2和圖3，施加到第一電壓發(fā)生器122和第二電壓發(fā)生器124的電源電壓USB可以具有在大約0V和大約15V之間的電壓電平(包括大約0V和大約15V)?；贐JT二極管或二極管的特性，當(dāng)電源電壓USB大于或等于參考電壓Vx時，第一電壓發(fā)生器122可以用電源電壓USB使第一電壓V1飽和。
在這個實施例中，可以通過二極管堆疊的數(shù)目來調(diào)節(jié)飽和的第一電壓V1。如圖2所示，第一電壓發(fā)生器122可以包括兩個堆疊的二極管。因此，飽和的第一電壓V1可以為大約1.4V。
第二電壓發(fā)生器124可以產(chǎn)生第二電壓V2，其中，圖3中第二電壓V2的斜率由電阻梯中串聯(lián)的兩個電阻器之比確定。在這個實施例中，當(dāng)電源電壓USB等于參考電壓Vx時，第一電壓V1的圖示與第二電壓V2的圖示相交。例如，當(dāng)電源電壓USB小于參考電壓Vx時，第二電壓V2可小于第一電壓V1，而當(dāng)電源電壓USB大于參考電壓Vx時，第二電壓V2可大于第一電壓V1。
因為第一電壓V1可以由二極管堆疊的數(shù)目確定，第二電壓V2可以由電阻器之比確定，所以可以通過調(diào)節(jié)二極管堆疊的數(shù)目或電阻梯的比來確定參考電壓Vx。為了使參考電壓Vx用來確定電源電壓USB的過壓，參考電壓Vx可以為大約6V。
再次參照圖2，電壓比較單元160可以比較第一電壓V1和第二電壓V2，以產(chǎn)生控制信號XCON。電壓比較單元160也可以形成在芯片180的內(nèi)部。例如，電壓轉(zhuǎn)換單元120和電壓比較單元160可以共同位于單個芯片(如SOC)上。
電壓比較單元160可以包括比較器162和反相器164。比較器162可以接收并比較第一電壓V1和第二電壓V2，并基于所述比較輸出一個或多個結(jié)果(例如，比較結(jié)果)。
當(dāng)?shù)诙妷篤2大于第一電壓V1時(例如，當(dāng)電源電壓USB大于參考電壓Vx時)，比較器162可以輸出具有邏輯高H的比較結(jié)果。另一方面，當(dāng)?shù)诙妷篤2小于第一電壓V1時(例如，當(dāng)電源電壓USB小于參考電壓Vx時)，比較器162可以輸出具有邏輯低L的比較結(jié)果。
反相器164可以將比較結(jié)果的邏輯電平反相，以產(chǎn)生控制信號XCON。因此，當(dāng)電源電壓USB處于過壓時(例如，當(dāng)電源電壓USB大于參考電壓Vx時)，可以產(chǎn)生為邏輯低L的控制信號XCON。
在這個實施例中，電壓比較單元160可以使用第二電壓V2作為電源電壓。因為模擬比較器162只需要輸出高邏輯電平或低邏輯電平，所以第二電壓V2可以用作電壓比較單元160的操作電源。例如，因為比較器162不需要執(zhí)行更高或較高速的操作，所以比較器162可以不受操作電源電壓改變的影響。
當(dāng)?shù)诙妷篤2用作電壓比較單元160的操作電源時，可以不需要單獨的電源來操作電壓比較單元160。因此，可以抑制和/或防止內(nèi)壓問題。
參照圖2，開關(guān)單元140可以響應(yīng)控制信號XCON確定是否將電源電壓USB施加到芯片。至少根據(jù)這個示例性實施例，開關(guān)單元140可以形成在芯片180的外部，并與電壓轉(zhuǎn)換單元120和電壓比較單元160分離。開關(guān)單元140可以由可使用例如特殊FET工藝制成的器件形成，因而可以不集成到芯片180的內(nèi)部。
開關(guān)單元140可以包括第一晶體管N1、電阻器R1和第二晶體管P1。至少根據(jù)這個示例性實施例，第一晶體管N1可以為NMOS晶體管，第二晶體管P1可以為PMOS晶體管，但是，可以使用任何合適的晶體管或開關(guān)器件。第一晶體管N1可以采用控制信號XCON作為柵電壓。因此，當(dāng)電源電壓USB未處于過壓時(例如，當(dāng)控制信號XCON被施加為邏輯高H時)，第一晶體管N1可以導(dǎo)通。
當(dāng)?shù)谝痪w管N1導(dǎo)通時，電流流至電阻器R1，電阻器R1可以將電源電壓USB減小期望的、具體的或特定的量。電阻器R1可以具有在大約10KΩ和大約100KΩ之間的電阻(包括大約10KΩ和大約100KΩ)。
在第二晶體管P1中，可以采用減小的電源電壓USB作為柵電壓。因此，第二晶體管P1可以導(dǎo)通。當(dāng)?shù)诙w管P1導(dǎo)通時，電源電壓USB可以施加到芯片180中的數(shù)字邏輯電路。然而，當(dāng)電源電壓USB處于過壓時(例如，當(dāng)控制信號XCON被施加為邏輯低L時)，第一晶體管N1可以截止。當(dāng)?shù)谝痪w管N1截止時，電流不能流至電阻器R1。因此，第二晶體管P1可以截止。當(dāng)?shù)诙w管P1截止時，電源電壓USB可以不施加到芯片180中的數(shù)字邏輯電路。
圖4是示出由圖2的過壓保護(hù)控制電路施加到芯片180的電壓范圍的曲線圖。參照圖4，圖2中的過壓保護(hù)控制電路可以在可不影響器件可靠性的范圍內(nèi)向芯片180施加電壓。例如，在至少根據(jù)這個示例性實施例的過壓保護(hù)控制電路中，即使當(dāng)較高的電壓施加到芯片180時，也可以通過調(diào)節(jié)BJT二極管堆疊的數(shù)目或電阻梯的比來減小電源電壓USB。
圖5是示出根據(jù)示例性實施例的過壓保護(hù)控制方法500的流程圖。參照圖5，在過壓保護(hù)控制方法500中，在S510，電源電壓可以轉(zhuǎn)換成第一電壓，在S520，電源電壓可以轉(zhuǎn)換成第二電壓。在S530，可以比較第一電壓和第二電壓，在S540，基于比較第一電壓和第二電壓的結(jié)果(例如，比較結(jié)果)，可以確定是否向芯片施加電源電壓。
在S540確定是否向芯片施加電源電壓的過程中，當(dāng)?shù)诙妷捍笥诘谝浑妷簳r，可以不向芯片施加電源電壓。至少根據(jù)這個示例性實施例的過壓保護(hù)控制方法可以被執(zhí)行，因而以與上面對于圖2所述的過壓保護(hù)控制電路相同或基本相同的方式操作。因此，為了簡潔起見，將省略對過壓保護(hù)控制方法的詳細(xì)描述。
通過采用示例性實施例，過壓保護(hù)控制電路可以形成在芯片的內(nèi)部，這可以減小芯片的單價和/或尺寸(例如，芯片版圖面積)。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體地示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離如權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，可對其在形式和細(xì)節(jié)上作出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種過壓保護(hù)控制電路，包括電壓轉(zhuǎn)換電路，被構(gòu)造成基于電源電壓產(chǎn)生第一電壓和第二電壓；電壓比較電路，被構(gòu)造成基于第一電壓和第二電壓的比較來產(chǎn)生控制信號；開關(guān)電路，被構(gòu)造成響應(yīng)控制信號確定是否向芯片施加電源電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，所述電壓轉(zhuǎn)換電路布置在芯片上。
3.如權(quán)利要求1所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，所述電壓轉(zhuǎn)換電路包括第一電壓發(fā)生器，被構(gòu)造成將電源電壓轉(zhuǎn)換成第一電壓，第二電壓發(fā)生器，被構(gòu)造成將電源電壓轉(zhuǎn)換成第二電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，所述第二電壓發(fā)生器包括多個電阻器，所述第二電壓發(fā)生器被構(gòu)造成通過分配電源電壓來產(chǎn)生第二電壓。
5.如權(quán)利要求4所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，所述多個電阻器包括串聯(lián)連接的至少兩個電阻器。
6.如權(quán)利要求1所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，所述第一電壓發(fā)生器包括多個二極管，被構(gòu)造成將電源電壓轉(zhuǎn)換成第一電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，所述多個二極管包括兩個二極管。
8.如權(quán)利要求1所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，所述電壓比較電路布置在芯片上。
9.如權(quán)利要求1所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，所述電壓比較電路包括比較器，被構(gòu)造成基于第一電壓和第二電壓的比較來輸出比較結(jié)果；反相器，被構(gòu)造成通過使比較結(jié)果的邏輯電平反相來產(chǎn)生控制信號。
10.如權(quán)利要求1所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，所述電壓比較電路被構(gòu)造成當(dāng)?shù)诙妷捍笥诘谝浑妷簳r，產(chǎn)生邏輯低L作為控制信號。
11.如權(quán)利要求1所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，第二電壓被用作所述電壓比較電路的操作電源。
12.如權(quán)利要求1所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，所述開關(guān)電路包括第一晶體管，接收控制信號作為柵電壓；電阻器，被構(gòu)造成將電源電壓減小第一量；第二晶體管，接收減小的電源電壓作為柵電壓。
13.如權(quán)利要求12所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，當(dāng)?shù)诙妷捍笥诘谝浑妷簳r，所述第二晶體管截止。
14.如權(quán)利要求1所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，所述芯片是片上系統(tǒng)。
15.如權(quán)利要求1所述的過壓保護(hù)控制電路，其中，所述電壓轉(zhuǎn)換電路和所述電壓比較電路布置在芯片上。
16.一種過壓保護(hù)控制方法，包括基于電源電壓產(chǎn)生第一電壓和第二電壓；比較第一電壓和第二電壓；基于第一電壓和第二電壓的比較結(jié)果確定是否向芯片施加電源電壓。
17.如權(quán)利要求16所述的過壓保護(hù)控制方法，其中，當(dāng)?shù)诙妷捍笥诘谝浑妷簳r，不向芯片施加電源電壓。
18.如權(quán)利要求16所述的過壓保護(hù)控制方法，其中，通過多個二極管來執(zhí)行第一電壓的產(chǎn)生。
19.如權(quán)利要求18所述的過壓保護(hù)控制方法，其中，所述多個二極管形成在芯片上。
20.如權(quán)利要求16所述的過壓保護(hù)控制方法，其中，通過基于由串聯(lián)連接的至少兩個電阻器形成的電阻梯的比例分配電源電壓，來執(zhí)行第二電壓的產(chǎn)生。
21.如權(quán)利要求20所述的過壓保護(hù)控制方法，其中，所述電阻梯形成在芯片上。
22.如權(quán)利要求16所述的過壓保護(hù)控制方法，其中，所述比較第一電壓和第二電壓的步驟包括在比較第一電壓和第二電壓之后產(chǎn)生至少一個比較結(jié)果。
23.如權(quán)利要求22所述的過壓保護(hù)控制方法，其中，使用第二電壓作為操作電壓來執(zhí)行第一電壓和第二電壓的比較。
24.如權(quán)利要求16所述的過壓保護(hù)控制方法，其中，所述芯片是片上系統(tǒng)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種過壓保護(hù)控制電路，包括電壓轉(zhuǎn)換電路、電壓比較電路和開關(guān)電路。電壓轉(zhuǎn)換電路基于電源電壓產(chǎn)生第一電壓和第二電壓。電壓比較電路基于第一電壓和第二電壓之間的比較產(chǎn)生控制信號。開關(guān)電路響應(yīng)控制信號確定是否向芯片施加電源電壓。過壓保護(hù)控制電路形成在芯片的內(nèi)部。
文檔編號H02H3/20GK101047313SQ20071009220
公開日2007年10月3日 申請日期2007年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日
發(fā)明者金大容 申請人:三星電子株式會社