專利名稱：一種可識(shí)別芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可識(shí)別芯片，屬于芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
芯片的制作是晶圓廠通過(guò)逐個(gè)使用不同的掩膜版在硅片上進(jìn)行光刻、氧化、離子注入、刻蝕等工藝制造而成的。它主要分為前道工藝和后道工藝。前道工藝主要是制作器件，后道工藝是金屬線互連。用于制造芯片的掩膜版是依據(jù)芯片版圖設(shè)計(jì)者提供的版圖數(shù)據(jù)文件制作的而成的。芯片版圖設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)版圖時(shí)，需要晶圓廠提供的一系列的設(shè)計(jì)文件。在這些文件中，晶圓廠根據(jù)自己的工藝情況，會(huì)提供不同的層給芯片版圖設(shè)計(jì)時(shí)使用，版圖設(shè)計(jì)者通過(guò)使用這些層進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)，最后得到芯片版圖。版圖設(shè)計(jì)者所使用的層中，某一層或某幾層的組合被用于制作掩膜版。而某些層并不用于制作掩膜版，它們?cè)诎鎴D設(shè)計(jì)過(guò)程中或用于進(jìn)行版圖的各種檢查驗(yàn)證；或用于寄生數(shù)據(jù)的提??；或用于信號(hào)線的標(biāo)示等。通常芯片在制作完成后，會(huì)對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，根據(jù)測(cè)試結(jié)果對(duì)芯片進(jìn)行改進(jìn)或優(yōu)化。這就需要改進(jìn)或優(yōu)化芯片的版圖設(shè)計(jì)，重新制作芯片再測(cè)試驗(yàn)證、優(yōu)化或改進(jìn)芯片。直至所生產(chǎn)的芯片達(dá)到要求為止。在這個(gè)不斷改進(jìn)或優(yōu)化芯片的設(shè)計(jì)過(guò)程中必然會(huì)得到不同版本的版圖和版圖所對(duì)應(yīng)的芯片?，F(xiàn)有技術(shù)中不同版本版圖中使用的層無(wú)任何區(qū)別，這樣會(huì)導(dǎo)致在不同版圖和芯片中很難對(duì)不同版本版圖進(jìn)行區(qū)分。通常為了在新改進(jìn)或優(yōu)化的版圖中找出與更改前舊版本版圖的區(qū)別，需要使用專門的分析工具對(duì)新舊版本的版圖的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析比較才能得到，但該做法費(fèi)時(shí)費(fèi)力。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種可識(shí)別芯片，主要解決了現(xiàn)有芯片的版圖設(shè)計(jì)以及在最后制造的芯片中，不能識(shí)別芯片不同版本中新添加圖形或需要使用專門的分析工具的問(wèn)題。本發(fā)明的具體技術(shù)解決方案如下:該可識(shí)別芯片包括多個(gè)電阻，所述各電阻之間第一層連線為第一金屬線層，各電阻之間第二層連線為第二金屬線層，各電阻之間第N層連線為第N金屬線層，所述各金屬線層均不同。上述各金屬層材質(zhì)均不同，根據(jù)實(shí)際工作情況考慮，金屬層可以采用材質(zhì)不同、顏色不同或進(jìn)行不同標(biāo)記等差異化處理，即保證不同。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明通過(guò)在芯片版圖設(shè)計(jì)中，新加入只用于添加圖形使用的層。通過(guò)使用這些層所得到的新版本的版圖以及芯片，無(wú)需使用專門的分析工具，可以很容易直接的辨別新版本版圖中哪些是新加入的圖形。
圖1為層選擇窗口的圖；圖2a為添加圖形前電路原理圖；圖2b為第一版添加圖形電路原理圖；圖2c為第二版添加圖形電路原理圖；圖3a為添加圖形前芯片版圖；圖3b為第一版添加圖形芯片版圖；圖3c為第二版添加圖形芯片版具體實(shí)施方式
在芯片的設(shè)計(jì)生產(chǎn)中通常考慮成本和時(shí)間的前提下，芯片的改進(jìn)和優(yōu)化中以金屬互連(后道工藝)的改變居多。下述例子以芯片制造中的金屬互連為例。(這里只是特例，所新加入的層可以為芯片設(shè)計(jì)制作中所有的層，不僅限于后道工藝中的層)版圖設(shè)計(jì)中用到的所有的層都可在在層選擇窗口(如圖1 (添加)中進(jìn)行選擇使用，這里只顯示了例子中所要用到的層。添加圖形具體舉例如下:如圖1所示，在原來(lái)層選擇窗口基礎(chǔ)上新增加了只用于版圖添加圖形的層。MX這里的X=0、l、2..., 分別代表金屬O層,金屬I層,金屬2層..。MX原始是原始版本中的層。MX第一版添加、MX第二版添加是在原始版本上改進(jìn)的第一版用到的MX層、第二版用到的MX層。根據(jù)芯片版本的增加再可以加入新版本的層。這些層可以是金屬的繪畫層(用于制作后續(xù)的掩膜版)，也可以是金屬的其他輔助層，如標(biāo)記層、引腳層等，具體可根據(jù)需要設(shè)定。這里所添加的層僅用于區(qū)別芯片版圖后續(xù)版本中添加圖形。某芯片的原始的設(shè)計(jì)中，一個(gè)三個(gè)電阻串聯(lián)的結(jié)構(gòu)電路原理圖如圖2_a所示，圖3_a為相應(yīng)的版圖。在對(duì)原始芯片的測(cè)試后發(fā)現(xiàn)，需要對(duì)這三個(gè)電阻的串聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，改進(jìn)的版本I電路原理圖如圖2-b所示，圖3-b為相應(yīng)的版圖。后續(xù)，根據(jù)測(cè)試結(jié)果，又對(duì)這三個(gè)電阻的串聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，由此可以得到版本2，電路原理圖如圖2-c所示，圖3-c為相應(yīng)的版圖。在新版本的版圖中，通過(guò)使用層選擇窗口中新添加的層MX就可以很容易的區(qū)分新版本的版圖的新添加的圖形，并且根據(jù)所使用的層的信息可以知道這個(gè)圖形是在哪一個(gè)版本的改動(dòng)中添加的。注意這里需要用到的是金屬的繪畫層，如果在芯片版圖的優(yōu)化中，新添加的金屬與舊版本的金屬不同，這樣的添加不僅在芯片版圖中可以很容易看到，也可在制作完成的芯片中很看到區(qū)別。
權(quán)利要求1.一種可識(shí)別芯片包括多個(gè)電阻，其特征在于:所述各電阻之間第一層連線為第一金屬線層，各電阻之間第二層連線為第二金屬線層，各電阻之間第N層連線為第N金屬線層，所述各金屬線層均不同。
2.根據(jù)權(quán)利 要求1所述的可識(shí)別芯片包括多個(gè)電阻，其特征在于:所述各金屬層材質(zhì)均不同。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種可識(shí)別芯片，主要解決了現(xiàn)有芯片的版圖設(shè)計(jì)以及在最后制造的芯片中，不能識(shí)別芯片不同版本中新添加圖形或需要使用專門的分析工具的問(wèn)題。該可識(shí)別芯片包括多個(gè)電阻，各電阻之間第一層連線為第一金屬線層，各電阻之間第二層連線為第二金屬線層，各電阻之間第N層連線為第N金屬線層，所述各金屬線層均不同。本實(shí)用新型通過(guò)在芯片版圖設(shè)計(jì)中，新加入只用于添加圖形使用的層。通過(guò)使用這些層所得到的新版本的版圖以及芯片，無(wú)需使用專門的分析工具，可以很容易直接的辨別新版本版圖中哪些是新加入的圖形。
文檔編號(hào)H01L23/544GK203085531SQ20122071666
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月21日
發(fā)明者李曉駿 申請(qǐng)人:西安華芯半導(dǎo)體有限公司