技術(shù)總結(jié)
常規(guī)雙向ESD防護(hù)二極管的芯片電極一個從正面引出，一個從背面引出，DFN封裝時，芯片背面和框架用銀膠連接，正面打金屬線連接，常規(guī)結(jié)構(gòu)的局限性是芯片尺寸要小于框架尺寸，芯片需要減薄至150微米以下，且背面需要金屬化，此發(fā)明所使用的雙向ESD防護(hù)二極管的芯片，其兩個電極可以都從正面引出，兩個電極都通過銀膠和框架連接，芯片只需要使用單晶片制造，不再用外延片，降低成本；芯片厚度只需做到200微米，降低碎片率；背面無需金屬化，減少工藝；芯片尺寸可以是原來的1.5?2倍，給超低電容芯片、更強(qiáng)抗浪涌能力芯片提供了更多的設(shè)計空間。

技術(shù)研發(fā)人員：薛維平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海芯石微電子有限公司
文檔號碼：201611097226
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.02
技術(shù)公布日：2017.02.15