專利名稱：薄型大功率、低正向貼面封裝二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種貼面封裝二極管，尤其涉及一種薄型大功率、低正向貼面封裝二極管?！?br> 背景技術(shù)：
目前，大功率貼面封裝二極管的需求量和發(fā)展是當(dāng)今熱點并會非常迅速，隨著產(chǎn)品線路板小型化而使產(chǎn)品小型化的發(fā)展趨勢，特別是對大功率小型化貼面封裝二極管發(fā)展更為迅速。但目前的貼面封裝二極管在逐漸減小體積的同時，存在多種問題為了保證大功率，故采用面積較大的硅芯片來降低二極管的正向壓降，但由于封裝外形較小而不利于應(yīng)用，同時會因為受到封裝應(yīng)力的影響而致性能低下；另外，因保持大功率并盡量縮小體積而致發(fā)熱量增加，而傳統(tǒng)貼面封裝二極管的接線端多為條形，無法有效散熱，所以溫升較大。為此個別廠家采用了連接片(jumper)，但連接片小且不規(guī)則，致使人工操作較難，效率低下；近來出現(xiàn)個別外資企業(yè)用Clip bonder自動設(shè)備操作,但效率更低且成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就在于為了解決上述問題而提供一種散熱效果好并便于加工的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管。為了達到上述目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案
本發(fā)明所述薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封裝環(huán)氧樹脂，所述肖特基硅芯片通過焊料焊裝于所述上料片的下段側(cè)表面與所述下料片的下段側(cè)表面之間，所述封裝環(huán)氧樹脂封裝于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、所述下料片的下端片和所述下料片的外表面均置于所述封裝環(huán)氧樹脂外。肖特基硅芯片是一種熱載流子芯片，是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時間極短，可以小到幾納秒。為了增強上料片的抗拉能力，所述上料片的中部兩側(cè)分別設(shè)有向兩側(cè)外延的凸塊，所述上料片的中部兩側(cè)與所述凸塊相接的位置分別設(shè)有向中間內(nèi)縮的凹槽。所述凸塊為方形，其寬度為0. 5至0. 8mm,其外延長度為0. 2至0. 5mm ;所述凹槽為方形，其寬度為0. 3至0. 6mm,其內(nèi)縮長度為0. 2至0. 5mm。為了增強下料片的抗拉能力，所述下料片的下端片的引出位置設(shè)有向上內(nèi)縮的凹口。所述凹口為半圓形，其直徑為0.3mm。為了阻擋焊料流出，所述下料片的中部用于與所述肖特基硅芯片焊接的位置設(shè)有用于阻擋焊料流出至邊緣的環(huán)形防流沉槽。所述環(huán)形防流沉槽的環(huán)形框為方形；所述環(huán)形防流沉槽為“V”形沉槽，其深度為0. 02至0. 07mm，其槽口寬度為0. 2mm。所述上料片與所述下料片均為銅片。本發(fā)明的有益效果在于
本發(fā)明所述貼面封裝二極管采用肖特基硅芯片，在不增加硅芯片面積的情況下達到降低正向壓降的目的，電流IOA測試可達0. 44V以下；通過采用片狀式料片，減小了二極管的厚度，實現(xiàn)了外形薄、體積小的目的，并通過大面積的端片外露，使其具有良好的散熱能力，實現(xiàn)了功率大、散熱好的目的，并便于貼裝；通過在料片上設(shè)置凸塊、凹槽和凹口，增強了料片的抗壓、抗拉能力，從而增強了二極管的抗機械應(yīng)力能力；通過在下料片上設(shè)置環(huán)形防流沉槽，有效克服了因焊料流出至料片外引起的肖特基硅芯片性能下降的問題。本發(fā)明所述貼面封裝二極管的雙料片結(jié)構(gòu)使其加工更加方便，即可采用雙料片加工同時進行的工藝，其效率高、成本低，解決了單片矩陣式料片用連接片焊接存在的效率低、成本高、連接片不易定位等問題，使貼面封裝二極管更能適應(yīng)大功率、小體積的發(fā)展趨勢。


圖1是本發(fā)明所述貼面封裝二極管被分割前所在的矩陣式組件的主 視結(jié)構(gòu)示意 圖2是本發(fā)明所述貼面封裝二極管被分割前所在的矩陣式組件的后視結(jié)構(gòu)示意 圖3是本發(fā)明所述上料片的主視 圖4是本發(fā)明所述下料片的主視 圖5是圖4中的A-A剖視 圖6是本發(fā)明所述貼面封裝二極管的主視結(jié)構(gòu)示意 圖7是本發(fā)明所述貼面封裝二極管的后視結(jié)構(gòu)示意 圖8是本發(fā)明所述貼面封裝二極管的右視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步具體描述
如圖3-圖8所示，為了示出其它部件，所以圖中對封裝環(huán)氧樹脂作了透明處理。本發(fā)明所述薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，包括肖特基硅芯片8、上銅片3、下銅片2和封裝環(huán)氧樹脂，肖特基硅芯片8通過焊料9焊裝于上銅片3的下段側(cè)表面與下銅片2的下段側(cè)表面之間，封裝環(huán)氧樹脂封裝于肖特基硅芯片8、上銅片3和下銅片2的外面，上銅片3的上端片10、下銅片2的下端片11和下銅片2的外表面均置于封裝環(huán)氧樹脂外。如圖3所示，為了增強上銅片3的抗拉能力，上料片3的中部兩側(cè)分別設(shè)有向兩側(cè)外延的凸塊7,上料片的中部兩側(cè)與凸塊7相接的位置分別設(shè)有向中間內(nèi)縮的凹槽6 ;凸塊7為方形，其寬度為0. 8mm,其外延長度為0. 3mm ;凹槽6為方形，其寬度為0. 4mm,其內(nèi)縮長度為0. 3mm。凸塊7和凹槽6的具體尺寸可以在上述發(fā)明內(nèi)容中的對應(yīng)范圍中變化，根據(jù)實際加工的二極管尺寸而定。如圖4和圖5所示，為了增強下銅片2的抗拉能力，下銅片2的下端片11的引出位置設(shè)有向上內(nèi)縮的半圓形凹口 4，其直徑為0.3mm。為了阻擋焊料9 (焊料9見圖8)流出，下銅片2的中部用于與肖特基硅芯片8 (肖特基硅芯片8見圖8)焊接的位置設(shè)有用于阻擋焊料9流出至邊緣的環(huán)形防流沉槽5 ;環(huán)形防流沉槽5的環(huán)形框為方形；環(huán)形防流沉槽5為“V”形沉槽，其深度為0. 05mm，其槽口寬度為0. 2mm。環(huán)形防流沉槽5的具體尺寸可以在上述發(fā)明內(nèi)容中的對應(yīng)范圍中變化，根據(jù)實際加工的二極管尺寸而定。
結(jié)合圖1、圖2和圖8所示，生產(chǎn)時，將200個上銅片3分別用焊料9焊接于200個肖特基硅芯片8的其中一面，將200個下銅片2分別用焊料9焊接于200個肖特基硅芯片8的另一面，焊接好后用封裝環(huán)氧樹脂進行塑封成型包裹，形成包含200個貼面封裝二極管的矩陣式組件1，批量加工效率提高，并保護上銅片3、下銅片2、肖特基硅芯片8不會受 到外來機械應(yīng)力的影響。上述過程中，將上銅片3和下銅片2分別排列為矩陣，最后形成的200個貼面封裝二極管也呈矩陣排列，便于分割。分割時，將矩陣式組件I在縱橫方向分別切割，即得到200個獨立的貼面封裝二極管，每一個貼面封裝二極管的結(jié)構(gòu)如上所述，整個加工過程效率高、成本低。
權(quán)利要求
1.一種薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封裝環(huán)氧樹脂，所述肖特基硅芯片通過焊料焊裝于所述上料片的下段側(cè)表面與所述下料片的下段側(cè)表面之間，所述封裝環(huán)氧樹脂封裝于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、所述下料片的下端片和所述下料片的外表面均置于所述封裝環(huán)氧樹脂外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于所述上料片的中部兩側(cè)分別設(shè)有向兩側(cè)外延的凸塊，所述上料片的中部兩側(cè)與所述凸塊相接的位置分別設(shè)有向中間內(nèi)縮的凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于所述凸塊為方形，其寬度為O. 5至O. 8mm，其外延長度為O. 2至O. 5mm ;所述凹槽為方形，其寬度為O. 3 至O. 6mm,其內(nèi)縮長度為O. 2至O. 5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于所述下料片的下端片的引出位置設(shè)有向上內(nèi)縮的凹口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于所述凹口為半圓形，其直徑為O. 3mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、4或5所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于所述下料片的中部用于與所述肖特基硅芯片焊接的位置設(shè)有用于阻擋焊料流出至邊緣的環(huán)形防流沉槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于所述環(huán)形防流沉槽的環(huán)形框為方形；所述環(huán)形防流沉槽為“V”形沉槽，其深度為O. 02至O. 07mm,其槽口寬度為O. 2mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任何一項所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于所述上料片與所述下料片均為銅片。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封裝環(huán)氧樹脂，所述肖特基硅芯片通過焊料焊裝于所述上料片的下段側(cè)表面與所述下料片的下段側(cè)表面之間，所述封裝環(huán)氧樹脂封裝于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、下料片的下端片和下料片的外表面均置于所述封裝環(huán)氧樹脂外。本發(fā)明所述貼面封裝二極管采用肖特基硅芯片，在不增加硅芯片面積的情況下達到降低正向壓降的目的，電流10A測試可達0.44V以下；通過采用片狀式料片，減小了二極管的厚度，實現(xiàn)了外形薄、體積小的目的，并通過大面積的端片外露，使其具有良好的散熱能力，實現(xiàn)了功率大、散熱好的目的，并便于貼裝。
文檔編號H01L23/488GK103000699SQ201210541068
公開日2013年3月27日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月14日
發(fā)明者安國星, 李述洲 申請人:重慶平偉實業(yè)股份有限公司