專利名稱：一種平面壓接式的二極管封裝用引線框架的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及二極管框架結(jié)構技術領域，具體指一種平面壓接式的二極管器件用引線框架。
背景技術：
—般二極管的封裝引線結(jié)構有兩種，一種為直插式結(jié)構，一種是表面貼裝結(jié)構。此兩種封裝一般適用于焊接方式連接，而對于要求用壓接方式連接的器件來說，直插式結(jié)構或表面貼裝式結(jié)構會產(chǎn)生壓接電阻從而產(chǎn)生熱阻，長期使用會由于溫升而損壞器件。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術問題在于針對上述現(xiàn)有技術所存在的不足而提供一 種平面壓接式的二極管器件用引線框架。本實用新型所要解決的技術問題可以通過以下技術方案來實現(xiàn)一種平面壓接式的二極管器件用引線框架，包括上、下引線框架，在所述上引線框架上沖切有若干個上引線，每一上引線的末端具有一向上突出的上被封裝部，所述上被封裝部具有一向下突出的與芯片焊接的焊接凸臺；在所述下引線框架上沖切有若干個下引線，每一下引線的末端具有一向上突出的下被封裝部，下被封裝部的上表面與所述芯片焊接。所述上、下引線與芯片焊接并被塑料封裝后，其露出塑料封裝體外的部分分別構成上、下壓接部，所述上、下壓接部的底面處于同一平面上。由于采用了如上的技術方案，本實用新型的平面壓接式的二極管器件用引線框架中上、下引線與芯片焊接并被塑料封裝后能夠適合壓接方式連接，其壓接部壓接后壓接電阻小，熱阻小，使用壽命長。

圖I為本實用新型上引線框架的結(jié)構示意圖。圖2為圖I的A-A剖視放大圖。圖3為本實用新型下引線框架的結(jié)構示意圖。圖4為圖3的A-A剖視放大圖。圖5為本實用新型上、下引線框架與芯片焊接后的結(jié)構示意圖。圖6為圖5的A-A剖視放大圖。圖7為本實用新型上、下引線與芯片焊接并封裝后的結(jié)構示意圖。圖8為圖7的側(cè)視圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
來進一步描述本實用新型。[0017]本實用新型的一種平面壓接式的二極管器件用引線框架，包括上、下引線框架
100,200ο參見圖I和圖2，在上引線框架100上沖切有若干個上引線110，每一上引線110的末端具有一向上突出的上被封裝部111，上被封裝部111具有一向下突出的與芯片焊接的焊接凸臺111a。參見圖3和圖4，在下引線框架200上沖切有若干個下引線210，每一下引線210的末端具有一向上突出的下被封裝部211，下被封裝部211的上表面與芯片焊接。上、下引線框架100、200采用O. 25mm厚度的C19210合金銅帶沖切而成。焊接時，首先經(jīng)下引線框架200的下被封裝部211上點錫膠-芯片300裝配-芯片300點錫膠-裝配上引線框架100-燒結(jié)(參見圖5和圖6)-環(huán)氧封裝-后固化-掛鍍 錫-切割分離-測試-至完成產(chǎn)品(參見圖7和圖8)。上、下引線110、210與芯片300焊接并被塑料封裝后，其露出塑料封裝體400外的部分分別構成上、下壓接部112、212，上、下壓接部112、212的底面處于同一平面上。
權利要求1.一種平面壓接式的二極管器件用引線框架，其特征在于，包括上、下引線框架，在所述上引線框架上沖切有若干個上引線，每一上引線的末端具有一向上突出的上被封裝部，所述上被封裝部具有一向下突出的與芯片焊接的焊接凸臺；在所述下引線框架上沖切有若干個下引線，每一下引線的末端具有一向上突出的下被封裝部，下被封裝部的上表面與所述芯片焊接。
2.如權利要求I所述的平面壓接式的二極管器件用引線框架，其特征在于，所述上、下引線與芯片焊接并被塑料封裝后，其露出塑料封裝體外的部分分別構成上、下壓接部，所述上、下壓接部的底面處于同一平面上。
專利摘要本實用新型公開的一種平面壓接式的二極管器件用引線框架，包括上、下引線框架，在所述上引線框架上沖切有若干個上引線，每一上引線的末端具有一向上突出的上被封裝部，所述上被封裝部具有一向下突出的與芯片焊接的焊接凸臺；在所述下引線框架上沖切有若干個下引線，每一下引線的末端具有一向上突出的下被封裝部，下被封裝部的上表面與所述芯片焊接。本實用新型的平面壓接式的二極管器件用引線框架中上、下引線與芯片焊接并被塑料封裝后能夠適合壓接方式連接，其壓接部壓接后壓接電阻小，熱阻小，使用壽命長。
文檔編號H01L23/495GK202712171SQ20122034968
公開日2013年1月30日 申請日期2012年7月18日 優(yōu)先權日2012年7月18日
發(fā)明者陳建中, 丁嗣彬, 潘文正, 李偉亮 申請人:上海同福矽晶有限公司