獲取能夠成功地校正所讀取的數(shù)據(jù)的電壓(以下稱為第一可用讀取電壓VVA)。也就是說，施予第一可用讀取電壓至第一字符線上所讀取的數(shù)據(jù)能夠成功地被錯誤檢查與校正電路208來校正。特別是，成功校正通過第一可用讀取電壓VVA所讀取的數(shù)據(jù)(以下稱為第一頁數(shù)據(jù))后，存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)會判斷所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA的第一差值DV是否大于第一預設門檻值。當?shù)谝徊钪礑V大于第一預設門檻值時，存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)會發(fā)送一指令序列，指示可復寫式非易失性存儲器模塊，將第一頁數(shù)據(jù)程序化到另一字符線所連接的多個存儲單元所形成的一個實體程序化單元中(例如，第二字符線所連接的多個存儲單元所形成的第一實體程序化單元中)。而在完成對于第一頁數(shù)據(jù)的程序化操作之后，第一頁數(shù)據(jù)所屬的邏輯子單元(以下稱為第一邏輯子單元)會被重新映射到上述第二字符線的第一實體程序化單元。而上述根據(jù)判斷所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA的第一差值DV是否大于第一預設門檻值的結果，以將第一頁數(shù)據(jù)程序化到另一字符線所連接的多個存儲單元所形成的一個實體程序化單元中的操作，也可稱為讀取干擾保護操作(Read disturbprotect1n)。
[0173]值得一提的是，在本范例實施例中，是通過比對第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA之間的第一差值DV是否大于第一預設門檻值來判斷是否執(zhí)行讀取干擾保護操作，然而，本發(fā)明不限于此。例如，在本發(fā)明一范例實施例中，在讀取數(shù)據(jù)時，存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)會通過重讀表來獲取第一可用讀取電壓。因此，在本發(fā)明另一范例實施例中，存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)也可根據(jù)執(zhí)行重讀的次數(shù)來判斷是否執(zhí)行讀取干擾保護操作。
[0174]圖15為根據(jù)本范例實施例所示出的重讀表的示意圖。
[0175]請參考圖15，為了便于說明，圖15為一個簡化過的重讀表1501 (Retry table)，其記錄對一條字符線的存儲單元內(nèi)的LSB進行重讀時每次調(diào)整的電壓，并且僅定義十次的重讀操作。必須了解的是，在其他范例實施例中，重讀表可以儲存用于更多次數(shù)的重讀操作所需的調(diào)整電壓，并且記錄用于存儲單元內(nèi)其他比特(例如，MSB、CSB)的重讀的調(diào)整電壓。
[0176]在圖15的重讀表1501中，重讀操作次數(shù)字段1503是記錄重讀次數(shù)，并且調(diào)整電壓字段1505是記錄對應的重讀次數(shù)所調(diào)整的電壓值(以下稱第一讀取電壓調(diào)整值)，其單位為伏特(Voltage)。例如，# I為進行第一次重讀,而所對應的調(diào)整電壓為_0.3V,以此類推，# 2為第二次重讀，且所對應的調(diào)整電壓為-0.5V。舉例來說，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)使用第一預設讀取電壓VA從第一字符線中讀出的頁數(shù)據(jù)(以下稱為第一頁數(shù)據(jù))無法被錯誤校正時，存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)會指示可復寫式非易失性存儲器模塊106依據(jù)重讀表1501進行重讀操作，即，在進行第一次的重讀操作時，使用重讀表1501中的第一讀取電壓調(diào)整值來調(diào)整第一預設讀取電壓VA。若是使用第一預設讀取電壓VA加上第一讀取電壓調(diào)整值后的電壓值(例如:VA+(-0.3))進行讀取操作，所讀取出的第一頁數(shù)據(jù)，可以被錯誤檢查與校正電路208正確地校正，則此電壓值就為第一可用讀取電壓。但是，存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)并不一定會在進行第一次重讀操作的時候，所使用的第一讀取調(diào)整電壓就會讓第一頁數(shù)據(jù)正確地被校正，此時存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)就會根據(jù)重讀表1501，進行第二次重讀操作# 2、第三次重讀操作# 3或是第四次重讀操作# 4，以此類推，直到第一頁數(shù)據(jù)可以被正確地校正。當所使用的電壓可以讓第一頁數(shù)據(jù)被正確地校正，則此時所使用的電壓即為第一可用讀取電壓VVA，也就是說，存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)會根據(jù)重讀表1501來進行重讀操作，以獲取第一可用讀取電壓VVA。值得一提的是，當使用第一預設讀取電壓可以正確地讀出第一頁數(shù)據(jù)時，則不用進行重讀操作，此時的第一預設讀取電壓即為第一可用讀取電壓VVA。
[0177]在此范例實施例中，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)可根據(jù)已經(jīng)進行重讀操作的次數(shù)來判斷所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA的第一差值DV是否大于第一預設門檻值。舉例來說，請參照圖15，在圖15中，第四次重讀操作# 4的第四讀取調(diào)整電壓為-1V，第五次重讀操作# 5的第五讀取調(diào)整電壓為-1.3V，也就是說，在第五次重讀操作# 5內(nèi)所進行的重讀操作的電壓調(diào)整是根據(jù)第一預設讀取電壓做相減，隨著重讀次數(shù)增多，相減的電壓值會越大，此時所調(diào)整后的電壓值與第一預設讀取電壓的差值便會越大。另一方面，在第六次重讀操作# 6至第十次重讀操作# 10所進行的重讀操作的電壓調(diào)整是根據(jù)第一預設讀取電壓做相加，并隨著重讀次數(shù)增多，相加的電壓值會越大，此時所調(diào)整后的電壓值與第一預設讀取電壓的差值便會越大。而存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)，如上述例子，可預先定義，當進行重讀操作以獲取第一可用讀取電壓的次數(shù)大于三并小于等于五時，或是大于八并小于等于十時，此時存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)便會辨識所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA的第一差值DV大于第一預設門檻值。反之，若是存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)進行重讀操作以獲取第一可用讀取電壓的次數(shù)為小于等于三，或是此次數(shù)大于五并小于等于八時，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)便會識別所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA的第一差值DV非大于第一預設門檻值。
[0178]也就是說，在本范例實施例中，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)會識別執(zhí)行重讀的次數(shù)是否介于某兩個預設次數(shù)(以下稱為第一預設次數(shù)與第二預設次數(shù))之間，并且若是，則識別所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA的第一差值DV非大于第一預設門檻值。
[0179]除了根據(jù)重讀次數(shù)來識別第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA之間的偏移范圍之外，在另一范例實施例中，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)也可以根據(jù)臨界電壓分布來判斷所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA的第一差值DV是否大于第一預設門檻值。
[0180]圖16為根據(jù)另一范例實施例所示出的臨界電壓分布的示意圖。
[0181]具體來說，請參照圖16，在此另一范例實施例中，存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)會搜尋所建立的臨界電壓分布中的其中一個峰值P與和此峰值P所相鄰的一個谷值Q，并計算谷值Q除以峰值P所獲得的比率。當所計算出的比率大于一預定比率時，則存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)會識別判斷所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA的第一差值DV大于第一預設門檻值。
[0182]舉例來說，當存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)建立對于第一字符線的臨界電壓分布時，會接著比較峰值P和相鄰的谷值Q的比率。例如，若谷值Q除以峰值P所得到的比率超過預定比率時，則存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)會辨識所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA的第一差值DV大于第一預設門檻值。接著，存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)會執(zhí)行讀取干擾保護，即將第一頁面重新寫入至另一個實體程序化單元的步驟。例如，在此預定比率可以設定為5%，但本發(fā)明不限于此。
[0183]再者，在另一范例實施例中，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)也可記錄在不同的掃描電壓中所讀取的數(shù)據(jù)的錯誤比特數(shù)目，并且計算最少錯誤比特數(shù)目與最大錯誤比特數(shù)目的比值(即將最少錯誤比特數(shù)目除以最大錯誤比特數(shù)目所計算出的一個比率)。并且，當此比率大于預定比率時，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)便辨識所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA的第一差值DV大于第一預設門檻值。
[0184]圖17是根據(jù)本范例實施例所示出的數(shù)據(jù)儲存方法的流程圖，其中是以存儲單元中的LSB為例進行說明。
[0185]請參照圖17，在步驟S1701中，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)會從主機系統(tǒng)接收讀取指令(以下稱第一讀取指令)。
[0186]之后，在步驟S1703中，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)會根據(jù)第一讀取指令識別對應的字符線(以下稱為第一字符線)并且根據(jù)用于第一字符線的第一預設讀取電壓VA來獲取第一可用讀取電壓VVA。
[0187]接著，在步驟S1705中，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)使用第一可用讀取電壓VVA對第一字符線進行讀取操作，以獲取第一頁數(shù)據(jù)。在此，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)可順利地校正以第一可用讀取電壓VVA所讀取的第一頁數(shù)據(jù)并且根據(jù)第一讀取指令將校正后的數(shù)據(jù)回傳給主機系統(tǒng)。
[0188]接著，在步驟S1707中，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)會判斷所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA之間的第一差值DV是否大于第一預設門檻值。
[0189]若所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA的第一差值DV大于第一預設門檻值時，在步驟S1709中，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)會將第一頁數(shù)據(jù)程序化至第二字符線的第一實體程序化單元中，并將第一頁數(shù)據(jù)所屬的第一邏輯子單元重新映射到第二字符線的第一實體程序化單元。即，進行上述的讀取干擾保護操作。
[0190]若所使用的第一可用讀取電壓VVA與第一預設讀取電壓VA的第一差值DV非大于第一預設門檻值，則存儲器控制電路單元104(或存儲器管理電路202)不會對第一頁數(shù)據(jù)做讀取干擾保護操作。
[0191]必須了解的是，盡管圖17是示出讀取以MLC NAND快閃存儲器的存儲單元內(nèi)的LSB所構成的下實體程序化單元為例進行說明，然而此方法也可應用于讀取MLC NAND快閃存儲器的存儲單元內(nèi)的MSB所構成的上實體程序化單元或是TLC NAND快閃存儲器的存儲單元內(nèi)的CSB所構成的中實體程序化單元。例如，在讀取儲存于MLC NAND快閃存儲器的上實體程序化單元的第二頁數(shù)據(jù)的例子中，若通過施予第二讀取電壓VB與第三讀取電壓VC所獲取的比特數(shù)據(jù)無法被解碼而獲取對應的第二頁數(shù)據(jù)時，存儲器控制電路單元104 (或存儲器管理電路202)會使用對應第二讀取電壓VB的讀取電壓調(diào)整值與對應第三讀取電壓VC的讀取電壓調(diào)整值來分別調(diào)整第二預設讀取電壓VB與第三預設讀取電壓VC，并且以調(diào)整后的讀取電壓(即，第二可用讀取電壓與第三可用讀取電壓)來從上實體程序化單元中獲取可錯誤校正的第二頁數(shù)據(jù)。接著從判斷第二可用讀取電壓與第三可用讀取電壓是否偏離第二預設讀取電壓以及第三預設讀取電壓至一定范圍之外，來辨識是否要對儲存于上實體程序化單元的第二頁數(shù)據(jù)進行讀取干擾保護操作。
[0192]綜上所述，上述的范例實施例的數(shù)據(jù)儲存方法、存儲器控制電路單元與存儲器儲存裝置是在判斷存儲單元的臨界電壓分布已經(jīng)偏移超過一范圍時，對儲存于此存儲單元的數(shù)據(jù)進行有效率的保護操作，由此可有效地避免數(shù)據(jù)遺失。此外，上述的范例實施例的數(shù)據(jù)儲存方法、存儲器控制電路單元與存儲器儲存裝置是在臨界電壓分布確實已偏移過多下才執(zhí)行讀取保護操作，由此減少進行讀取保護操作的次數(shù)并減少可復寫式非易失性存儲器模塊損耗。因此，可復寫式非易失性存儲器模塊的使用壽命可有效地被延長。
[0193]最后應說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。
【主權項】
1.一種