存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的制造方法【專利摘要】本發(fā)明提供用于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的一種存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置。所述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)裝置。此方法包括劃分多個(gè)邏輯單元為映射至第一裝置的實(shí)體抹除單元的第一邏輯單元組與映射至第二裝置的實(shí)體抹除單元的第二邏輯單元組；從主機(jī)系統(tǒng)接收存儲(chǔ)至第一邏輯單元組中的至少一第一邏輯單元的第一數(shù)據(jù)，并且將第一數(shù)據(jù)寫入至映射至至少一第一邏輯單元的第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元；記錄每一裝置的磨損程度值。所述方法還包括倘若此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合預(yù)定條件，執(zhí)行對(duì)應(yīng)預(yù)定條件的重新映射操作。【專利說明】存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置
技術(shù)領(lǐng)域：
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲(chǔ)器管理方法，且特別是有關(guān)于一種用于管理具有多個(gè)裝置的可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)目.0【
背景技術(shù)：
】[0002]數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)與MP3在這幾年來的成長(zhǎng)十分迅速，使得消費(fèi)者對(duì)存儲(chǔ)媒體的需求也急速增加。由于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器(rewritablenon-volatilememory)具有數(shù)據(jù)非易失性、省電、體積小、無機(jī)械結(jié)構(gòu)、讀寫速度快等特性，最適于便攜式電子產(chǎn)品，例如筆記本電腦。固態(tài)硬盤就是一種以快閃存儲(chǔ)器做為存儲(chǔ)媒體的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置。因此，近年快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成為電子產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)熱門的一環(huán)。[0003]—般來說，在對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊寫入文件的過程中，文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)(例如，文件配置表，F(xiàn)ileAllocat1nTable，簡(jiǎn)稱FAT)和使用者數(shù)據(jù)(例如，使用者的文件數(shù)據(jù)、圖像數(shù)據(jù)等…)會(huì)交錯(cuò)寫入至固態(tài)硬盤中。由于文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)的讀寫頻率相較于使用者數(shù)據(jù)的讀寫頻率高，因此頻繁地更新文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)會(huì)導(dǎo)致對(duì)應(yīng)文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)的實(shí)體抹除單元與其所屬的裝置的磨損程度快速增加。因此，用以存儲(chǔ)文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)的實(shí)體抹除單元與其所屬的裝置的磨損程度會(huì)高于沒有存儲(chǔ)文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)的實(shí)體抹除單元與其所屬的裝置的磨損程度，進(jìn)而造成可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器中的多個(gè)裝置的磨損程度會(huì)有明顯的差異?；谏鲜?，如何平均可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器中的多個(gè)裝置的磨損程度，以避免特定的裝置過度磨損所造成的整個(gè)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的毀損，為本領(lǐng)域人員所致力的目標(biāo)?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0004]本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其可通過均衡可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的裝置的磨損程度來延長(zhǎng)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的使用壽命O[0005]本發(fā)明的一范例實(shí)施例提供用于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的一種存儲(chǔ)器管理方法。所述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)裝置，并且每一裝置具有多個(gè)實(shí)體抹除單元。所述存儲(chǔ)器管理方法包括配置多個(gè)邏輯單元，其中此些邏輯單元至少被分為第一邏輯單元組與第二邏輯單元組；將第一邏輯單元組的邏輯單元映射至此些裝置之中的第一裝置的實(shí)體抹除單元并且將第二邏輯單元組的邏輯單元映射至此些裝置之中的第二裝置的實(shí)體抹除單元；從主機(jī)系統(tǒng)接收存儲(chǔ)至第一邏輯單元組中的至少一第一邏輯單元的第一數(shù)據(jù)，并且將第一數(shù)據(jù)寫入至映射至至少一第一邏輯單元的第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元。所述存儲(chǔ)器管理方法還包括倘若此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合預(yù)定條件，執(zhí)行對(duì)應(yīng)預(yù)定條件的重新映射操作。[0006]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，其中上述倘若此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合預(yù)定條件，執(zhí)行對(duì)應(yīng)預(yù)定條件的重新映射操作的步驟包括記錄每一裝置的磨損程度值；倘若通過第一裝置的磨損程度值減去第二裝置的磨損程度值所獲得的差值大于預(yù)定磨損門檻值時(shí)，判定此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第一預(yù)定條件，并且執(zhí)行對(duì)應(yīng)第一預(yù)定條件的第一重新映射操作。所述第一重新映射操作包括將第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元，并且將第一邏輯單元組的至少一第一邏輯單元重新映射至第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元。[0007]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，其中上述執(zhí)行第一重新映射操作的步驟是在第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元已被寫滿且從主機(jī)系統(tǒng)接收到更新第一數(shù)據(jù)的寫入指令時(shí)被執(zhí)行。[0008]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，其中上述倘若此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合預(yù)定條件，執(zhí)行對(duì)應(yīng)預(yù)定條件的重新映射操作的步驟包括倘若從主機(jī)系統(tǒng)接收到格式化指令或清除所有數(shù)據(jù)指令，判定此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第二預(yù)定條件，并且執(zhí)行對(duì)應(yīng)第二預(yù)定條件的第二重新映射操作。所述第二重新映射操作包括將第一邏輯單元組的至少一第一邏輯單元重新映射至第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元，將第一邏輯單元組的其他邏輯單元重新映射至第二裝置的其他實(shí)體抹除單元，并且將第二邏輯單元組的邏輯單元重新映射至第一裝置的實(shí)體抹除單元。[0009]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器管理方法還包括記錄每一裝置的磨損程度值，并且所述第二裝置的磨損程度值小于此些裝置之中其他裝置的磨損程度值。[0010]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，所述重新映射操作還包括依據(jù)第二裝置的每一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)選擇第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元，其中第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)小于第二裝置的其他實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)。[0011]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述記錄每一裝置的磨損程度值的步驟包括:記錄每一裝置的每一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)；依據(jù)每一裝置的每一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)來計(jì)算每一裝置的平均抹除次數(shù)；以及將每一裝置的平均抹除次數(shù)做為每一裝置的磨損程度值。[0012]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，所述第一數(shù)據(jù)的更新頻率大于第二數(shù)據(jù)的更新頻率。所述第二數(shù)據(jù)是被存儲(chǔ)在此些實(shí)體抹除單元中非存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)的其他實(shí)體抹除單元的數(shù)據(jù)。[0013]本發(fā)明的一范例實(shí)施例提供用于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的一種存儲(chǔ)器控制電路單元，其中可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)裝置，并且每一裝置具有多個(gè)實(shí)體抹除單元。所述存儲(chǔ)器控制電路單元包括:主機(jī)接口、存儲(chǔ)器接口與存儲(chǔ)器管理電路。主機(jī)接口電性連接至主機(jī)系統(tǒng)。存儲(chǔ)器接口電性連接至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。存儲(chǔ)器管理電路電性連接至主機(jī)接口與存儲(chǔ)器接口。存儲(chǔ)器管理電路用以配置多個(gè)邏輯單元，其中此些邏輯單元包括第一邏輯單元組與第二邏輯單元組。存儲(chǔ)器管理電路還用以將第一邏輯單元組的邏輯單元映射至此些裝置之中的第一裝置的實(shí)體抹除單元并且將第二邏輯單元組的邏輯單元映射至此些裝置之中的第二裝置的實(shí)體抹除單元，其中存儲(chǔ)器管理電路更用以從主機(jī)系統(tǒng)接收存儲(chǔ)至第一邏輯單元組中的至少一第一邏輯單元的第一數(shù)據(jù)，并且將第一數(shù)據(jù)寫入至映射至至少一第一邏輯單元的第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元。以及，倘若此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合預(yù)定條件，存儲(chǔ)器管理電路還用以執(zhí)行對(duì)應(yīng)預(yù)定條件的重新映射操作。[0014]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路記錄每一裝置的磨損程度值。倘若通過第一裝置的磨損程度值減去第二裝置的磨損程度值所獲得的差值大于預(yù)定磨損門檻值時(shí)，存儲(chǔ)器管理電路判定此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第一預(yù)定條件，并且執(zhí)行對(duì)應(yīng)第一預(yù)定條件的第一重新映射操作。所述第一重新映射操作包括將第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元，并且將第一邏輯單元組的至少一第一邏輯單元重新映射至第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元。[0015]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，其中上述存儲(chǔ)器管理電路執(zhí)行第一重新映射操作的運(yùn)作是在第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元已被寫滿且存儲(chǔ)器管理電路從主機(jī)系統(tǒng)接收到更新第一數(shù)據(jù)的寫入指令時(shí)被執(zhí)行。[0016]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，倘若存儲(chǔ)器管理電路從主機(jī)系統(tǒng)接收到格式化指令或清除所有數(shù)據(jù)指令，存儲(chǔ)器管理電路判定此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第二預(yù)定條件，并且執(zhí)行對(duì)應(yīng)第二預(yù)定條件的第二重新映射操作。所述第二重新映射操作包括存儲(chǔ)器管理電路將第一邏輯單元組的至少一第一邏輯單元重新映射至第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元，將第一邏輯單元組的其他邏輯單元重新映射至第二裝置的其他實(shí)體抹除單元，并且將第二邏輯單元組的邏輯單元重新映射至第一裝置的實(shí)體抹除單元。[0017]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，在上述存儲(chǔ)器管理電路還用以執(zhí)行第二重新映射操作的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路依據(jù)第二裝置的每一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)選擇第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元，其中第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)小于第二裝置的其他實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)。[0018]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，在上述存儲(chǔ)器管理電路還用以記錄每一裝置的磨損程度值的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路記錄每一裝置的每一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)，依據(jù)每一裝置的每一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)來計(jì)算每一裝置的平均抹除次數(shù)，并且將每一裝置的平均抹除次數(shù)做為每一裝置的磨損程度值。[0019]本發(fā)明的一范例實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其包括:連接接口單元、可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊與存儲(chǔ)器控制電路單元。連接接口單元電性連接至主機(jī)系統(tǒng)。可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)裝置，其中每一裝置具有多個(gè)實(shí)體抹除單元。存儲(chǔ)器控制電路單元電性連接至連接接口單元與可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。存儲(chǔ)器控制電路單元用以配置多個(gè)邏輯單元，其中此些邏輯單元包括第一邏輯單元組與第二邏輯單元組。存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將第一邏輯單元組的邏輯單元映射至此些裝置之中的第一裝置的實(shí)體抹除單元并且將第二邏輯單元組的邏輯單元映射至此些裝置之中的第二裝置的實(shí)體抹除單元，其中存儲(chǔ)器控制電路單元還用以從主機(jī)系統(tǒng)接收存儲(chǔ)至第一邏輯單元組中的至少一第一邏輯單元的第一數(shù)據(jù)，并且將第一數(shù)據(jù)寫入至映射至至少一第一邏輯單元的第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元。以及，倘若此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合預(yù)定條件，存儲(chǔ)器控制電路單元還用以執(zhí)行對(duì)應(yīng)預(yù)定條件的重新映射操作。[0020]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元記錄每一裝置的磨損程度值。倘若通過第一裝置的磨損程度值減去第二裝置的磨損程度值所獲得的差值大于預(yù)定磨損門檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制電路單元判定此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第一預(yù)定條件，并且執(zhí)行對(duì)應(yīng)第一預(yù)定條件的第一重新映射操作。所述第一重新映射操作包括將第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元，并且將第一邏輯單元組的至少一第一邏輯單元重新映射至第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元。[0021]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，其中上述存儲(chǔ)器控制電路單元執(zhí)行第一重新映射操作的運(yùn)作是在第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元已被寫滿且存儲(chǔ)器控制電路單元從主機(jī)系統(tǒng)接收到更新第一數(shù)據(jù)的寫入指令時(shí)被執(zhí)行。[0022]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，倘若存儲(chǔ)器控制電路單元從主機(jī)系統(tǒng)接收到格式化指令或清除所有數(shù)據(jù)指令，存儲(chǔ)器控制電路單元判定此些裝置的操作狀態(tài)符合第二預(yù)定條件，并且執(zhí)行對(duì)應(yīng)第二預(yù)定條件的第二重新映射操作。所述第二重新映射操作包括存儲(chǔ)器控制電路單元將第一邏輯單元組的至少一第一邏輯單元重新映射至第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元，將第一邏輯單元組的其他邏輯單元重新映射至第二裝置的其他實(shí)體抹除單元，并且將第二邏輯單元組的邏輯單元重新映射至第一裝置的實(shí)體抹除單元。[0023]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，在上述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以執(zhí)行第二重新映射操作的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制電路單元依據(jù)第二裝置的每一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)選擇第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元，其中第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)小于第二裝置的其他實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)。[0024]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，在上述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以記錄每一裝置的磨損程度值的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制電路單元記錄每一裝置的每一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)，依據(jù)每一裝置的每一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)來計(jì)算每一裝置的平均抹除次數(shù)，并且將每一裝置的平均抹除次數(shù)做為每一裝置的磨損程度值。[0025]基于上述，本發(fā)明的范例實(shí)施例所提供的存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置可記錄可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器的每一裝置的磨損程度值，并且當(dāng)一裝置的磨損程度與另一裝置的磨損程度差異過大時(shí)，會(huì)將頻繁更新或存取的數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的邏輯單元從磨損程度較大的裝置的實(shí)體抹除單元重新映射至磨損程度較低的裝置的實(shí)體抹除單元。另外，本發(fā)明的范例實(shí)施例所提供的存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置還會(huì)在對(duì)存儲(chǔ)在每一裝置的全部數(shù)據(jù)進(jìn)行抹除操作后或是對(duì)每一裝置進(jìn)行格式化操作后，將原本映射至每一裝置的實(shí)體抹除單元的邏輯單元互相調(diào)換。如此一來，本發(fā)明的范例實(shí)施例所提供的存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置可有效地平均可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器中每一裝置的磨損程度，進(jìn)而延長(zhǎng)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的壽命O[0026]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下?！靖綀D說明】[0027]圖1是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的范例示意圖；[0028]圖2是根據(jù)一范例實(shí)施例所示出的電腦、輸入/輸出裝置與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的范例示意圖；[0029]圖3是根據(jù)一范例實(shí)施例所示出的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的范例示意圖；[0030]圖4是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的概要方塊圖；[0031]圖5是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器控制電路單元的概要方塊圖；[0032]圖6是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的管理可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的示意圖；[0033]圖7是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的邏輯單元組與裝置之間的映射關(guān)系的示意圖；[0034]圖8是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的管理可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的裝置的不意圖；[0035]圖9與圖10是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的管理邏輯單元組與裝置之間的映射的不意圖；[0036]圖11是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的存儲(chǔ)器管理方法的流程圖；[0037]圖12是根據(jù)第二范例實(shí)施例所示出的管理邏輯單元組與裝置之間的映射的示意圖；[0038]圖13是根據(jù)第二范例實(shí)施例所示出的存儲(chǔ)器管理方法的流程圖。[0039]附圖標(biāo)記說明:[0040]11:主機(jī)系統(tǒng)；[0041]12:電腦；[0042]122:微處理器；[0043]124:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器；[0044]13:輸入/輸出裝置；[0045]126:系統(tǒng)總線；[0046]128:數(shù)據(jù)傳輸接口；[0047]21:鼠標(biāo)；[0048]22:鍵盤；[0049]23:顯示器；[0050]24:打印機(jī)；[0051]25:U盤；[0052]26:存儲(chǔ)卡；[0053]27:固態(tài)硬盤；[0054]31:數(shù)碼相機(jī)；[0055]32:SD卡；[0056]33:MMC卡；[0057]34:存儲(chǔ)棒；[0058]35:CF卡；[0059]36:嵌入式存儲(chǔ)裝置；[0060]10:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置；[0061]402:連接接口單元；[0062]404:存儲(chǔ)器控制電路單元；[0063]406:可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊；[0064]410(0)?410(N)、411(0)~411(6):實(shí)體抹除單元;[0065]420(0)?420(N-1):裝置；[0066]502:存儲(chǔ)器管理電路；[0067]504:主機(jī)接口；[0068]506:存儲(chǔ)器接口；[0069]508:緩沖存儲(chǔ)器；[0070]510:電源管理電路；[0071]512:錯(cuò)誤檢查與校正電路；[0072]602(0):數(shù)據(jù)區(qū)；[0073]604(0):閑置區(qū)；[0074]606(0):系統(tǒng)區(qū)；[0075]608(0):取代區(qū)；[0076]440(O)?440(N-1):邏輯單元組；[0077]430(0)?430(Z-1):邏輯單元；[0078]450⑹、450⑴:邏輯-實(shí)體單元映射表；[0079]SllOUS1103、S1105、S1107、S1109、S1301、S1303、S1305、S1307、S1309:步驟?！揪唧w實(shí)施方式】[0080]—般而言，存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置(也稱，存儲(chǔ)器存儲(chǔ)系統(tǒng))包括可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊與控制器(也稱，控制電路單元)。通常存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置是與主機(jī)系統(tǒng)一起使用，以使主機(jī)系統(tǒng)可將數(shù)據(jù)寫入至存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置或從存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置中讀取數(shù)據(jù)。[0081][第一范例實(shí)施例][0082]圖1是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的范例示意圖。圖2是根據(jù)一范例實(shí)施例所示出的電腦、輸入/輸出裝置與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的范例示意圖。[0083]請(qǐng)參照?qǐng)D1，主機(jī)系統(tǒng)11一般包括電腦12與輸入/輸出(input/output，簡(jiǎn)稱I/O)裝置13。電腦12包括微處理器122、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(randomaccessmemory,簡(jiǎn)稱RAM)124、系統(tǒng)總線126與數(shù)據(jù)傳輸接口128。輸入/輸出裝置13例如包括如圖2的鼠標(biāo)21、鍵盤22、顯示器23與打印機(jī)24。必須了解的是，圖2所示的裝置非限制輸入/輸出裝置13，輸入/輸出裝置13可還包括其他裝置。[0084]在一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置10是通過數(shù)據(jù)傳輸接口128與主機(jī)系統(tǒng)11的其他元件電性連接。通過微處理器122、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器124與輸入/輸出裝置13的運(yùn)作可將數(shù)據(jù)寫入至存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置10或從存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置10中讀取數(shù)據(jù)。例如，存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置10可以是如圖2所示的U盤25、存儲(chǔ)卡26或固態(tài)硬盤(SolidStateDrive，簡(jiǎn)稱SSD)27等的可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置。[0085]圖3是根據(jù)一范例實(shí)施例所示出的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的范例示意圖。[0086]—般而言，主機(jī)系統(tǒng)11為可實(shí)質(zhì)地與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置10配合以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的任意系統(tǒng)。雖然在本范例實(shí)施例中，主機(jī)系統(tǒng)11是以電腦系統(tǒng)來作說明，然而，另一范例實(shí)施例中，主機(jī)系統(tǒng)11可以是數(shù)碼相機(jī)、攝影機(jī)、通信裝置、音頻播放器或視頻播放器等系統(tǒng)。例如，在主機(jī)系統(tǒng)為數(shù)碼相機(jī)(攝影機(jī))31時(shí)，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置則為其所使用的SD卡32、MMC卡33、存儲(chǔ)棒(memorystick)34、CF卡35或嵌入式存儲(chǔ)裝置36(如圖3所示)。嵌入式存儲(chǔ)裝置36包括嵌入式多媒體卡(EmbeddedMMC,簡(jiǎn)稱eMMC)。值得一提的是，嵌入式多媒體卡是直接電性連接于主機(jī)系統(tǒng)的基板上。[0087]圖4是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的概要方塊圖。[0088]請(qǐng)參照?qǐng)D4，存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置10包括連接接口單元402、存儲(chǔ)器控制電路單元404與可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406。[0089]在本范例實(shí)施例中，連接接口單元402是兼容于串行高級(jí)技術(shù)附件(SerialAdvancedTechnologyAttachment,簡(jiǎn)稱SATA)標(biāo)準(zhǔn)。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，連接接口單元402也可以是符合并行高級(jí)技術(shù)附件(ParallelAdvancedTechnologyAttachment,簡(jiǎn)稱PATA)標(biāo)準(zhǔn)、電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(InstituteofElectricalandElectronicEngineers,簡(jiǎn)稱IEEE)1394標(biāo)準(zhǔn)、高速周邊零件連接接口(PeripheralComponentInterconnectExpress,簡(jiǎn)稱PCIExpress)標(biāo)準(zhǔn)、通用串行總線(UniversalSerialBus,簡(jiǎn)稱USB)標(biāo)準(zhǔn)、安全數(shù)字(SecureDigital,簡(jiǎn)稱SD)接口標(biāo)準(zhǔn)、超高速一代(UltraHighSpeed-1，簡(jiǎn)稱UHS-1)接口標(biāo)準(zhǔn)、超高速二代(UltraHighSpeed-1I,flj稱UHS-1I)接口標(biāo)準(zhǔn)、存儲(chǔ)棒(MemoryStick,簡(jiǎn)稱MS)接口標(biāo)準(zhǔn)、多媒體存儲(chǔ)卡(MultiMediaCard,簡(jiǎn)稱MMC)接口標(biāo)準(zhǔn)、嵌入式多媒體存儲(chǔ)卡(EmbeddedMultimediaCard，簡(jiǎn)稱eMMC)接口標(biāo)準(zhǔn)、通用快閃存儲(chǔ)器(UniversalFlashStorage，簡(jiǎn)稱UFS)接口標(biāo)準(zhǔn)、小型快閃(CompactFlash,簡(jiǎn)稱CF)接口標(biāo)準(zhǔn)、集成驅(qū)動(dòng)電子接口(IntegratedDeviceElectronics,簡(jiǎn)稱IDE)標(biāo)準(zhǔn)或其他適合的標(biāo)準(zhǔn)。[0090]存儲(chǔ)器控制電路單元404用以執(zhí)行以硬件形式或固件形式作為的多個(gè)邏輯閘或控制指令，并且根據(jù)主機(jī)系統(tǒng)11的指令在可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406中進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運(yùn)作。連接接口單元402可與存儲(chǔ)器控制電路單元404封裝在一個(gè)芯片中，或者連接接口單元402是布設(shè)于一包含存儲(chǔ)器控制電路單元404的芯片外。[0091]可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406是電性連接至存儲(chǔ)器控制電路單元404，并且用以存儲(chǔ)主機(jī)系統(tǒng)11所寫入的數(shù)據(jù)?？蓮?fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406可以是單層單元(SingleLevelCell,簡(jiǎn)稱SLC)NAND型快閃存儲(chǔ)器模塊、多層單元(MultiLevelCell,簡(jiǎn)稱MLC)NAND型快閃存儲(chǔ)器模塊(即，一個(gè)單元中可存儲(chǔ)2個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)的快閃存儲(chǔ)器模塊)、三級(jí)單元(TripleLevelCell，TLC)NAND型快閃存儲(chǔ)器模塊(即，一個(gè)單元中可存儲(chǔ)3個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)的快閃存儲(chǔ)器模塊)、其他快閃存儲(chǔ)器模塊或其他具有相同特性的存儲(chǔ)器模塊。特別是，在本范例實(shí)施例中，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406具有多個(gè)裝置(device)。例如，如圖4所示出，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406包括裝置420(0)?420(N-1))，其中此些裝置的數(shù)量可為2個(gè)或是多于2個(gè)。每個(gè)裝置具有多個(gè)實(shí)體抹除單元，例如，第一裝置420(0)具有多個(gè)實(shí)體抹除單元410(0)?410(N)，第二裝置420(I)具有多個(gè)實(shí)體抹除單元411(0)?411(N)，依此類推。應(yīng)注意的是，本發(fā)明并不限定每個(gè)裝置的實(shí)體抹除單元的數(shù)量。[0092]值得一提的是，在本范例實(shí)施例中，上述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的裝置是依據(jù)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的存儲(chǔ)器晶粒(die)中的存儲(chǔ)器平面(plane)所劃分的。具體來說，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406可具有I個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器晶粒，每一存儲(chǔ)器晶粒具有I個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器平面，并且每一存儲(chǔ)器平面會(huì)有多個(gè)實(shí)體抹除單元。在出廠時(shí)，廠商會(huì)根據(jù)其需求將I個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器平面劃分為I個(gè)裝置。藉此，廠商可依裝置為單位來管理整個(gè)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406。本發(fā)明并不限定每一裝置所包含的存儲(chǔ)器平面的數(shù)量。[0093]圖5是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器控制電路單元的概要方塊圖。[0094]請(qǐng)參照?qǐng)D5，存儲(chǔ)器控制電路單元404包括存儲(chǔ)器管理電路502、主機(jī)接口504、存儲(chǔ)器接口506、緩沖存儲(chǔ)器508、電源管理電路510與錯(cuò)誤檢查與校正電路512。[0095]存儲(chǔ)器管理電路502用以控制存儲(chǔ)器控制電路單元404的整體運(yùn)作。具體來說，存儲(chǔ)器管理電路502具有多個(gè)控制指令，并且在存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置100運(yùn)作時(shí)，此些控制指令會(huì)被執(zhí)行以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運(yùn)作。以下說明存儲(chǔ)器管理電路502的操作時(shí)，等同于說明存儲(chǔ)器控制電路單元404的操作，以下并不再贅述。[0096]在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路502的控制指令是以固件型式來實(shí)作。例如，存儲(chǔ)器管理電路502具有微處理器單元(未示出)與只讀存儲(chǔ)器(未示出)，并且此些控制指令是被燒錄至此只讀存儲(chǔ)器中。當(dāng)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置10運(yùn)作時(shí)，此些控制指令會(huì)由微處理器單元來執(zhí)行以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運(yùn)作。[0097]在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路502的控制指令也可以程序碼形式存儲(chǔ)于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的特定區(qū)域(例如，存儲(chǔ)器模塊中專用于存放系統(tǒng)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)區(qū))中。此外，存儲(chǔ)器管理電路502具有微處理器單元(未示出)、只讀存儲(chǔ)器(未示出)及隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(未示出)。特別是，此只讀存儲(chǔ)器具有驅(qū)動(dòng)碼，并且當(dāng)存儲(chǔ)器控制電路單元404被觸發(fā)時(shí)，微處理器單元會(huì)先執(zhí)行此驅(qū)動(dòng)碼段來將存儲(chǔ)于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406中的控制指令載入至存儲(chǔ)器管理電路502的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中。之后，微處理器單元會(huì)運(yùn)轉(zhuǎn)此些控制指令以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運(yùn)作。[0098]此外，在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路502的控制指令也可以一硬件形式來實(shí)作。例如，存儲(chǔ)器管理電路502包括微控制器、存儲(chǔ)單元管理電路、存儲(chǔ)器寫入電路、存儲(chǔ)器讀取電路、存儲(chǔ)器抹除電路與數(shù)據(jù)處理電路。存儲(chǔ)單元管理電路、存儲(chǔ)器寫入電路、存儲(chǔ)器讀取電路、存儲(chǔ)器抹除電路與數(shù)據(jù)處理電路是電性連接至微控制器。其中，存儲(chǔ)單元管理電路用以管理可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的實(shí)體抹除單元；存儲(chǔ)器寫入電路用以對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406下達(dá)寫入指令以將數(shù)據(jù)寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406中；存儲(chǔ)器讀取電路用以對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406下達(dá)讀取指令以從可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406中讀取數(shù)據(jù)；存儲(chǔ)器抹除電路用以對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406下達(dá)抹除指令以將數(shù)據(jù)從可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406中抹除；而數(shù)據(jù)處理電路用以處理欲寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的數(shù)據(jù)以及從可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406中讀取的數(shù)據(jù)。[0099]主機(jī)接口504是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路502并且用以接收與識(shí)別主機(jī)系統(tǒng)11所傳送的指令與數(shù)據(jù)。也就是說，主機(jī)系統(tǒng)11所傳送的指令與數(shù)據(jù)會(huì)通過主機(jī)接口504來傳送至存儲(chǔ)器管理電路502。在本范例實(shí)施例中，主機(jī)接口504是兼容于SATA標(biāo)準(zhǔn)。然而，必須了解的是本發(fā)明不限于此，主機(jī)接口504也可以是兼容于PATA標(biāo)準(zhǔn)、IEEE1394標(biāo)準(zhǔn)、PCIExpress標(biāo)準(zhǔn)、USB標(biāo)準(zhǔn)、UHS-1接口標(biāo)準(zhǔn)、UHS-1I接口標(biāo)準(zhǔn)、MS標(biāo)準(zhǔn)、MMC標(biāo)準(zhǔn)、CF標(biāo)準(zhǔn)、IDE標(biāo)準(zhǔn)或其他適合的數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn)。[0100]存儲(chǔ)器接口506是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路502并且用以存取可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406。也就是說，欲寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的數(shù)據(jù)會(huì)通過存儲(chǔ)器接口506轉(zhuǎn)換為可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406所能接受的格式。具體來說，若存儲(chǔ)器管理電路502要存取可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406時(shí)，存儲(chǔ)器接口506會(huì)傳送對(duì)應(yīng)的指令序列。這些指令序列可包括一或多個(gè)信號(hào)，或是在總線上的數(shù)據(jù)。例如，在讀取指令序列中，會(huì)包括讀取的辨識(shí)碼、存儲(chǔ)器地址等信息。[0101]緩沖存儲(chǔ)器508是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路502并且用以暫存來自于主機(jī)系統(tǒng)11的數(shù)據(jù)與指令或來自于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器控制電路單元404在緩沖存儲(chǔ)器508中規(guī)劃暫存來自于主機(jī)系統(tǒng)11的數(shù)據(jù)或來自于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的數(shù)據(jù)，以使數(shù)據(jù)組織成預(yù)定單位大小或是成為傳輸單元大小，并寫入到可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406或是回傳到主機(jī)系統(tǒng)。此外，緩沖存儲(chǔ)器508還可暫存存儲(chǔ)器控制電路單元404所使用的系統(tǒng)管理數(shù)據(jù)，例如，文件配置表或是邏輯-實(shí)體單元映射表等等。[0102]電源管理電路510是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路502并且用以控制存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置10的電源。[0103]錯(cuò)誤檢查與校正電路512是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路502并且用以執(zhí)行錯(cuò)誤檢查與校正程序以確保數(shù)據(jù)的正確性。具體來說，當(dāng)存儲(chǔ)器管理電路502從主機(jī)系統(tǒng)11中接收到寫入指令時(shí)，錯(cuò)誤檢查與校正電路512會(huì)為對(duì)應(yīng)此寫入指令的數(shù)據(jù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤更正碼(errorcorrectingcode,簡(jiǎn)稱ECCcode)及/或錯(cuò)誤檢查碼(errordetectingcode,簡(jiǎn)稱EDC)，并且存儲(chǔ)器管理電路502會(huì)將對(duì)應(yīng)此寫入指令的數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤更正碼或錯(cuò)誤檢查碼寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406中。之后，當(dāng)存儲(chǔ)器管理電路502從可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406中讀取數(shù)據(jù)時(shí)會(huì)同時(shí)讀取此數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤更正碼及/或錯(cuò)誤檢查碼，并且錯(cuò)誤檢查與校正電路512會(huì)依據(jù)此錯(cuò)誤更正碼及/或錯(cuò)誤檢查碼對(duì)所讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢查與校正程序。[0104]圖6是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的管理可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的示意圖。[0105]必須了解的是，在此描述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的運(yùn)作時(shí)，“選擇”、“分組”、“劃分”、“關(guān)聯(lián)”等詞是邏輯上的概念。也就是說，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的實(shí)體抹除單元的實(shí)際位置并未更動(dòng)，而是邏輯上對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的實(shí)體抹除單元進(jìn)行操作。以下配合圖6針對(duì)第一裝置420(0)來說明可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的裝置的管理架構(gòu)，此管理架構(gòu)也適用于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的其他裝置，不再贅述于此。[0106]請(qǐng)參照?qǐng)D6，可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的第一裝置420(0)具有多個(gè)實(shí)體抹除單元410(0)?410(N)，每一實(shí)體抹除單元具有多個(gè)實(shí)體程序化單元。在本范例實(shí)施例中，實(shí)體程序化單元為程序化的最小單元。S卩，實(shí)體程序化單元為寫入數(shù)據(jù)的最小單元。例如，實(shí)體程序化單元為實(shí)體頁面或是實(shí)體扇(sector)。若實(shí)體程序化單元為實(shí)體頁面，則每一個(gè)實(shí)體程序化單元通常包括數(shù)據(jù)比特區(qū)與冗余比特區(qū)。數(shù)據(jù)比特區(qū)包含多個(gè)實(shí)體扇，用以存儲(chǔ)使用者的數(shù)據(jù)，而冗余比特區(qū)用以存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)(例如，錯(cuò)誤更正碼)。另一方面，實(shí)體抹除單元為抹除的最小單位。也即，每一實(shí)體抹除單元含有最小數(shù)目之一并被抹除的存儲(chǔ)單元。例如，實(shí)體抹除單元為實(shí)體區(qū)塊。[0107]存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將第一裝置420(0)的實(shí)體抹除單元410(O)?410(N)邏輯地分組為數(shù)據(jù)區(qū)602(0)、閑置區(qū)604(0)、系統(tǒng)區(qū)606(O)與取代區(qū)608(O)。[0108]邏輯上屬于數(shù)據(jù)區(qū)602(O)與閑置區(qū)604(0)的實(shí)體抹除單元是用以存儲(chǔ)來自于主機(jī)系統(tǒng)11的數(shù)據(jù)，并且在數(shù)據(jù)區(qū)602(0)與閑置區(qū)604(0)的實(shí)體抹除單元可被映射至主機(jī)系統(tǒng)11的多個(gè)邏輯單元。具體來說，數(shù)據(jù)區(qū)602(O)的實(shí)體抹除單元是被視為已存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的實(shí)體抹除單元，而閑置區(qū)604(0)的實(shí)體抹除單元是用以替換數(shù)據(jù)區(qū)602(0)的實(shí)體抹除單元。也就是說，假設(shè)存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)從主機(jī)系統(tǒng)11接收到寫入指令與對(duì)應(yīng)此寫入指令的欲寫入的數(shù)據(jù)。所述寫入指令指示將欲寫入存儲(chǔ)至至少一第一邏輯單元。反應(yīng)此寫入指令，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將此欲寫入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至映射至至少一第一邏輯單元的第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元?；蛘?，若數(shù)據(jù)區(qū)602(0)沒有任何已映射至至少一第一邏輯單元的實(shí)體抹除單元，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)從閑置區(qū)604(0)中選擇至少一實(shí)體抹除單元做為至少一第一實(shí)體抹除單元，再將數(shù)據(jù)寫入至所選擇的至少一第一實(shí)體抹除單元，以替換第一裝置420(O)的數(shù)據(jù)區(qū)602(0)的實(shí)體抹除單元。[0109]邏輯上屬于系統(tǒng)區(qū)606(O)的實(shí)體抹除單元是用以記錄關(guān)于第一裝置420(O)的系統(tǒng)數(shù)據(jù)。例如，系統(tǒng)數(shù)據(jù)包括關(guān)于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的制造商與型號(hào)、第一裝置420(0)所屬的存儲(chǔ)器晶粒編號(hào)、第一裝置420(O)的實(shí)體抹除單元數(shù)、每一實(shí)體抹除單元的實(shí)體程序化單元數(shù)等。[0110]邏輯上屬于取代區(qū)608(0)中的實(shí)體抹除單元是用于壞實(shí)體抹除單元取代程序，以取代位于第一裝置420(O)的損壞的實(shí)體抹除單元。具體來說，倘若取代區(qū)608(0)中仍存有正常的實(shí)體抹除單元并且數(shù)據(jù)區(qū)602(0)的實(shí)體抹除單元損壞時(shí)，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)從取代區(qū)608(0)中選擇正常的實(shí)體抹除單元來更換損壞的實(shí)體抹除單元。[0111]特別是，第一裝置420(O)的數(shù)據(jù)區(qū)602(0)、閑置區(qū)604(0)、系統(tǒng)區(qū)606(O)與取代區(qū)608(0)的實(shí)體抹除單元的數(shù)量會(huì)依據(jù)不同的存儲(chǔ)器規(guī)格而有所不同。此外，必須了解的是，在存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置10的運(yùn)作中，實(shí)體抹除單元關(guān)聯(lián)至數(shù)據(jù)區(qū)602(0)、閑置區(qū)604(0)、系統(tǒng)區(qū)606(0)與取代區(qū)608(0)的分組關(guān)系會(huì)動(dòng)態(tài)地變動(dòng)。例如，當(dāng)閑置區(qū)604(0)中的實(shí)體抹除單元損壞而被取代區(qū)608(0)的實(shí)體抹除單元取代時(shí)，則原本取代區(qū)608(0)的實(shí)體抹除單元會(huì)被關(guān)聯(lián)至閑置區(qū)604(O)。或是，從閑置區(qū)604(O)選擇實(shí)體抹除單元來存儲(chǔ)寫入數(shù)據(jù)之后，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將此實(shí)體抹除單元關(guān)聯(lián)至數(shù)據(jù)區(qū)602(0)并且將對(duì)應(yīng)所寫入的數(shù)據(jù)的邏輯單元映射至此實(shí)體抹除單元。[0112]圖7是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的邏輯單元組與裝置之間的映射關(guān)系的示意圖。[0113]在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)依可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406中的裝置為單位來管理主機(jī)系統(tǒng)所存取的多個(gè)邏輯單元。具體來說，請(qǐng)參照?qǐng)D7，假設(shè)主機(jī)系統(tǒng)所存取的連續(xù)邏輯單元為邏輯單元430(O)?430(Z-1)，并且存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將此些邏輯單元依序分組成多個(gè)邏輯單元組。例如，如圖7所示出，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將邏輯單元430(O)?430(Z-1)分組為第一邏輯單元組440(0)、第二邏輯單元組440(1)等等…(N為等于2或是大于2的正整數(shù))。在本范例實(shí)施例中，每個(gè)邏輯單元組中的邏輯單元的數(shù)量是根據(jù)每個(gè)邏輯單元組所對(duì)應(yīng)的裝置的數(shù)量來決定的。換言之，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)根據(jù)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的裝置的數(shù)量對(duì)邏輯單元430(O)?430(Z-1)作分組。[0114]舉例來說，假設(shè)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406具有N個(gè)裝置(例如，如圖7所示出的裝置420(O)?420(N-1))，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將邏輯單元430(0)?430(Z-1)分為N個(gè)邏輯單元組(例如，如圖7所示出的邏輯單元組440(0)?440(N-1))。此外，存儲(chǔ)器管理電路502會(huì)配置第一邏輯單元組440(O)的邏輯單元430(O)?430(F-1)以映射至第一裝置420(O)的實(shí)體抹除單元。依此類推，第二邏輯單元組440(I)的邏輯單元430(F)?430(G-1)被映射至第二裝置420(I)的實(shí)體抹除單元；第N邏輯單元組440(N-1)的邏輯單元430(Y)?430(Z-1)被映射至第N裝置420(N-1)的實(shí)體抹除單元。值得一提的是，在圖1的例子中，每個(gè)邏輯單元組中的邏輯單元映射至相同的裝置的實(shí)體抹除單元，但本發(fā)明不限于此。例如，在其他范例實(shí)施例中，每個(gè)邏輯單元組中的邏輯單元也可映射至不同的裝置的實(shí)體抹除單元。[0115]圖8是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的管理可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的裝置的示意圖。以下配合圖6、圖8以及第一邏輯單元組440(O)與第一裝置420(0)間的映射關(guān)系來說明可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的裝置的管理架構(gòu)，此管理架構(gòu)也適用于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的其他裝置，不再贅述于此。[0116]請(qǐng)參照?qǐng)D8，假設(shè)存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)已配置第一邏輯單元組440(O)的邏輯單元430(O)?430(F-1)來映射第一裝置420(O)的數(shù)據(jù)區(qū)602(O)的實(shí)體抹除單元410(O)?410(F-1)，由此主機(jī)系統(tǒng)11是通過邏輯單元430(O)?430(F-1)來存取數(shù)據(jù)區(qū)602(0)中的數(shù)據(jù)。在此，每一個(gè)邏輯單元430(O)?430(F-1)可以是由一或多個(gè)邏輯地址組成，一個(gè)邏輯單元可以是映射至一或多個(gè)實(shí)體單元，并且一個(gè)實(shí)體單元可以是一或多個(gè)實(shí)體地址、一或多個(gè)實(shí)體扇、一或多個(gè)實(shí)體程序化單元或者一或多個(gè)實(shí)體抹除單元。在本范例實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)每一裝置，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)建立邏輯-實(shí)體映射表(logical-physicalmappingtable)，以記錄邏輯單元與每一裝置的實(shí)體抹除單元之間的映射關(guān)系。換言之，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)對(duì)應(yīng)每個(gè)裝置來使用對(duì)應(yīng)每一裝置的邏輯-實(shí)體映射表以管理每一裝置的實(shí)體抹除單元與映射至此些實(shí)體抹除單元的邏輯單元的映射關(guān)系。舉例來說，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)建立第一邏輯-實(shí)體映射表來管理第一裝置420(O)的實(shí)體抹除單元與其所映射的邏輯單元的映射關(guān)系。[0117]在本范例實(shí)施例中，當(dāng)主機(jī)系統(tǒng)11欲寫入一筆數(shù)據(jù)至邏輯單元430(0)?430(F-1)的一個(gè)邏輯單元或更新存儲(chǔ)于邏輯單元430(O)?430(F-1)的一個(gè)邏輯單元中的數(shù)據(jù)時(shí)，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將此數(shù)據(jù)寫入已映射至此邏輯單元的實(shí)體抹除單元，或是存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)從第一裝置420(O)的閑置區(qū)604(0)中選擇一個(gè)實(shí)體抹除單元并且將此數(shù)據(jù)寫入至此實(shí)體抹除單元。特別是，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將第一邏輯-實(shí)體映射表從可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406載入至緩沖存儲(chǔ)器508，并將此邏輯單元與用以存儲(chǔ)屬于此邏輯單元的數(shù)據(jù)的實(shí)體抹除單元之間的映射關(guān)系更新至第一邏輯-實(shí)體映射表中。而后，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)即可根據(jù)第一邏輯-實(shí)體映射表來找到對(duì)應(yīng)的實(shí)體抹除單元并且可從此實(shí)體抹除單元中讀取數(shù)據(jù)。[0118]例如，在欲寫入第一數(shù)據(jù)至第一邏輯單元組440(0)的邏輯單元430(0)?430(F-1)中的一個(gè)邏輯單元(也稱第一邏輯單元)的例子中，倘若第一邏輯單元是映射至第一裝置420(O)的數(shù)據(jù)區(qū)602(0)中的一個(gè)實(shí)體抹除單元(也稱第一實(shí)體抹除單元)時(shí)，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)根據(jù)記錄此映射關(guān)系的第一邏輯-實(shí)體映射表選擇第一實(shí)體抹除單元來存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)。[0119]此外，在另一范例中，倘若第一邏輯單元尚未映射至任何實(shí)體抹除單元時(shí)，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)可從第一裝置420(O)的閑置區(qū)604(0)中選擇一個(gè)實(shí)體抹除單元(也稱第一實(shí)體抹除單元)來存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)。并且，在寫入第一數(shù)據(jù)至第一實(shí)體抹除單元后，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將第一實(shí)體抹除單元關(guān)聯(lián)至第一裝置420(0)的數(shù)據(jù)區(qū)602(0)，將第一邏輯單元映射至第一實(shí)體抹除單元，并且對(duì)應(yīng)更新第一實(shí)體抹除單元所屬的第一裝置420(O)的第一邏輯-實(shí)體映射表。[0120]在本范例實(shí)施例中，當(dāng)存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)欲將數(shù)據(jù)寫入至一個(gè)實(shí)體抹除單元時(shí)，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)判斷此實(shí)體抹除單元是否已經(jīng)或即將被寫滿。若此實(shí)體抹除單元已經(jīng)或即將被寫滿，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)從閑置區(qū)604(0)中選擇另一個(gè)實(shí)體抹除單元做為目前使用的實(shí)體抹除單元，以繼續(xù)寫入數(shù)據(jù)至此目前使用的實(shí)體抹除單元。此外，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)可對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)602(0)中的一或多個(gè)存儲(chǔ)有有效數(shù)據(jù)的實(shí)體抹除單元執(zhí)行數(shù)據(jù)合并(merging)程序或無用信息回收(garbagecollect1n)程序，以釋放出一或多個(gè)實(shí)體抹除單元并將其關(guān)聯(lián)至閑置區(qū)604(0)。例如，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將屬于一個(gè)邏輯單元的數(shù)據(jù)寫入至從閑置區(qū)604(O)選擇的一個(gè)實(shí)體抹除單元并且將數(shù)據(jù)區(qū)602(O)中原先映射至此邏輯單元的一個(gè)實(shí)體抹除單元的部分?jǐn)?shù)據(jù)標(biāo)示為無效數(shù)據(jù)。然后，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)可將此原先映射至此邏輯單元的實(shí)體抹除單元中剩余的有效數(shù)據(jù)復(fù)制到此從閑置區(qū)604(0)所選擇的實(shí)體抹除單元并且將此原先映射至此邏輯單元的一個(gè)實(shí)體抹除單元關(guān)聯(lián)至閑置區(qū)604(0)。藉此，完成一次的數(shù)據(jù)合并程序。在無用信息回收程序中，數(shù)據(jù)區(qū)602(0)中的一或多個(gè)實(shí)體程序化單元所存儲(chǔ)的有效數(shù)據(jù)會(huì)被復(fù)制到從閑置區(qū)604(0)中選擇的一或多個(gè)實(shí)體抹除單元并且所存儲(chǔ)的有效數(shù)據(jù)都已被復(fù)制的實(shí)體抹除單元會(huì)被關(guān)聯(lián)至閑置區(qū)604(0)。被關(guān)聯(lián)至閑置區(qū)604(0)的實(shí)體抹除單元可在被抹除后再關(guān)聯(lián)至閑置區(qū)604(O)或關(guān)聯(lián)至閑置區(qū)604(0)后再抹除，在此不限制抹除的時(shí)間點(diǎn)。[0121]圖9與圖10是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的管理邏輯單元組與裝置之間的映射的示意圖。[0122]為了便于說明，以下將簡(jiǎn)化主機(jī)系統(tǒng)可存取的邏輯單元與可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的架構(gòu)。在本范例實(shí)施例中，請(qǐng)參照?qǐng)D9，假設(shè)主機(jī)系統(tǒng)11可存取10個(gè)邏輯單元430(0)?430(9)，并且可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406具有2個(gè)裝置420(O)?420(1)，其中第一裝置420(0)具有7個(gè)實(shí)體抹除單元410(O)?410出)，且第二裝置420(1)具有7個(gè)實(shí)體抹除單元411(O)?411(6)。邏輯單元430(0)?430(9)根據(jù)裝置的數(shù)目被劃分為2個(gè)邏輯單元組，其中第一邏輯單元組440(O)包含邏輯單元430(O)?430(4)，并且第二邏輯單元組440(I)包含邏輯單元430(5)?430(9)。第一邏輯單元組440(O)的邏輯單元430(0)?430(4)被映射至第一裝置420(O)的實(shí)體抹除單元410(O)?410(4)，其中實(shí)體抹除單元410(O)?410(4)被關(guān)聯(lián)至第一裝置420(O)的數(shù)據(jù)區(qū)602(O)。第二邏輯單元組440(1)的邏輯單元430(5)?430(9)被映射至第二裝置420(I)的實(shí)體抹除單元411(O)?411(4)，其中實(shí)體抹除單元411(O)-411(4)被關(guān)聯(lián)至第二裝置420(I)的數(shù)據(jù)區(qū)602(I)。此外，第一裝置420(O)的實(shí)體抹除單元410(5)?410(6)被關(guān)聯(lián)至第一裝置420(O)的閑置區(qū)604(0)，并且第二裝置420(I)的實(shí)體抹除單元411(5)?411(6)被關(guān)聯(lián)至第二裝置420(1)的閑置區(qū)604(1)。[0123]在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)根據(jù)邏輯單元與每一裝置的實(shí)體抹除單元間的映射關(guān)系。例如，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)建立第一邏輯-實(shí)體映射表450(O)來記錄并管理對(duì)應(yīng)第一裝置420(O)的實(shí)體抹除單元410(0)?410(6)的映射關(guān)系。如圖9所示出，邏輯單元430(O)是映射至實(shí)體抹除單元420(O)，因此，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)在第一邏輯-實(shí)體映射表450(O)記錄“430(O)—410(O)”以表示邏輯單元430(O)映射至實(shí)體抹除單元410(O)。依此類推，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)也建立第二邏輯-實(shí)體映射表450(I)來管理第二裝置420(I)的實(shí)體抹除單元411(O)?411(6)與其所映射的邏輯單元間的映射關(guān)系。值得一提的是，在圖9中的邏輯單元、邏輯-實(shí)體映射表與可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的裝置的架構(gòu)也相似于圖10與圖13，以下不再贅述。[0124]在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)以裝置為單位，計(jì)算每一裝置的磨損程度值。具體來說，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)記錄每一裝置的每個(gè)實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)，根據(jù)每一裝置的每個(gè)實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)來計(jì)算每一裝置的平均抹除次數(shù)，并且以每一裝置的平均抹除次數(shù)來做為每一裝置的磨損程度值。例如，如圖9所示出，第一裝置420(0)的實(shí)體抹除單元410(0)?410(6)的抹除次數(shù)各為Ix次，并且第二裝置420(I)的實(shí)體抹除單元411(O)?411(6)的抹除次數(shù)都為O次。基此，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)獲得第一裝置420(0)的平均抹除次數(shù)為Ix次，且第二裝置420(1)的平均抹除次數(shù)為O次。此外，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將每一裝置的平均抹除次數(shù)做為對(duì)應(yīng)每一裝置的磨損程度值。依照上述的例子，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)辨識(shí)第一裝置420(O)的磨損程度值為lx，且第二裝置420(I)的磨損程度值為O。[0125]在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)還會(huì)以裝置為單位，對(duì)每一裝置中的實(shí)體抹除單元執(zhí)行磨損平衡(wear-leveling)操作。舉例來說，若主機(jī)系統(tǒng)指示將大小等于I個(gè)邏輯單元的容量的第一數(shù)據(jù)寫入至第一邏輯單元組440(0)中的第一邏輯單元430(0)，且主機(jī)系統(tǒng)對(duì)第一數(shù)據(jù)更新了7x次，則對(duì)應(yīng)更新7x次的第一數(shù)據(jù)，第一邏輯單元430(O)會(huì)被更新(寫入)7x次。由于磨損平衡操作是以裝置為單位，針對(duì)同一裝置內(nèi)的實(shí)體抹除單元來執(zhí)行。因此，經(jīng)過對(duì)第一裝置420(O)的磨損平衡操作之后，在對(duì)應(yīng)第一邏輯單元430(O)的寫入次數(shù)7x且其他邏輯單元430(I)?430(9)都未被寫入的情況下，第一裝置420(O)的實(shí)體抹除單元410(O)?410(6)會(huì)各被抹除Ix次。也就是說，通過對(duì)第一裝置420(O)的磨損平衡操作，存儲(chǔ)器管理電路502會(huì)將對(duì)于I個(gè)實(shí)體抹除單元來說是7x次的抹除次數(shù)平均分配至第一裝置420(O)中的7個(gè)實(shí)體抹除單元，以使每個(gè)實(shí)體抹除單元僅需被抹除Ix次。此外，對(duì)于第一裝置420(O)的實(shí)體抹除單元410(0)?410(6)的磨損平衡操作也不會(huì)影響第二裝置420(I)的實(shí)體抹除單元411(O)?411(6)。第二裝置420(I)的實(shí)體抹除單元411(O)?411(6)的抹除次數(shù)依然保持O次。因此，第一裝置420(0)的磨損程度值會(huì)因?yàn)橛成渲恋谝谎b置420(O)的實(shí)體抹除單元的第一邏輯單元430(O)的頻繁更新而高于第二裝置420(I)的磨損程度值。[0126]特別是，在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)通過執(zhí)行重新映射操作來避免可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406中的每一裝置的磨損程度差異過大的現(xiàn)象。具體來說，如上所述，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)記錄每一裝置的磨損程度值，判斷此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)是否符合某個(gè)預(yù)定條件，進(jìn)而執(zhí)行對(duì)應(yīng)判斷結(jié)果的重新映射操作。[0127]舉例來說，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)判斷每一裝置間的磨損程度值的差值是否大于預(yù)定磨損門檻值。倘若每一裝置間的磨損程度值的差值大于預(yù)定磨損門檻值，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)判定此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合一個(gè)預(yù)定條件(也稱第一預(yù)定條件)，并且對(duì)應(yīng)此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第一預(yù)定條件的判斷結(jié)果來執(zhí)行重新映射操作(也稱第一重新映射操作)。一般來說，經(jīng)常存儲(chǔ)頻繁更新的數(shù)據(jù)(也稱第一數(shù)據(jù))的裝置的磨損程度值會(huì)較高。倘若通過一裝置(也稱第一裝置)的磨損程度值減去另一裝置(也稱第二裝置)的磨損程度值所獲得的差值大于預(yù)定磨損門檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)執(zhí)行第一重新映射操作，以將第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至第二裝置的至少一實(shí)體抹除單元(也稱第一實(shí)體抹除單元)，并且將第一數(shù)據(jù)所屬的第一邏輯單元組的至少一邏輯單元(也稱第一邏輯單元)重新映射至第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元。[0128]舉例來說，請(qǐng)參照?qǐng)D9，假設(shè)預(yù)設(shè)磨損門檻值為“l(fā)x-1”，由于第一裝置420(0)的磨損程度值(即，“l(fā)x”)減去第二裝置420(1)的磨損程度值(即，“O”)的差值(即，“l(fā)x”)大于預(yù)設(shè)磨損門檻值(即，“l(fā)x-Ι”)，因此，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)執(zhí)行第一重新映射操作。請(qǐng)參照?qǐng)D10，在第一重新映射操作中，存儲(chǔ)器管理電路502會(huì)從第二裝置420(1)的閑置區(qū)604(0)中選擇一個(gè)實(shí)體抹除單元411(5)(也稱第一實(shí)體抹除單元)，將第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至所選擇的第二裝置420(I)的第一實(shí)體抹除單元411(5)，并且將主機(jī)系統(tǒng)指示用以存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)的第一邏輯單元430(O)重新映射至第二裝置420(I)的第一實(shí)體抹除單元411(5)，其中第一實(shí)體抹除單元411(5)也會(huì)被關(guān)聯(lián)至第二裝置420(I)的數(shù)據(jù)區(qū)602(0)。此外，如圖10所示出，第一邏輯-實(shí)體單元映射表450(0)與第二邏輯-實(shí)體映射表也會(huì)在執(zhí)行完第一重新映射操作之后，一并被更新。例如，如圖10所示出，第二邏輯-實(shí)體映射表450(1)會(huì)記錄“430(0)—411(5)”。應(yīng)提醒的是，上述在第一邏輯-實(shí)體映射表450(O)與第二邏輯-實(shí)體映射表450(I)所記錄的映射關(guān)系的格式僅為說明本發(fā)明之用，本發(fā)明不限定于此。[0129]應(yīng)注意的是，在本范例實(shí)施例中，倘若每一裝置間的磨損程度值的差值大于預(yù)定磨損門檻值，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)判定此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第一預(yù)定條件，并且對(duì)應(yīng)此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第一預(yù)定條件的判斷結(jié)果來執(zhí)行第一重新映射操作，但本發(fā)明不限于此。廠商可自行設(shè)定其他適合的判斷方式來判斷此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)是否符合第一預(yù)定條件。例如，在另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)判斷每一裝置間的磨損程度值是否大于預(yù)定磨損門檻值。倘若此些裝置中的一裝置(也稱，第一裝置)的磨損程度值大于預(yù)定磨損門檻值，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)判定此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第一預(yù)定條件，并且對(duì)應(yīng)此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第一預(yù)定條件的判斷結(jié)果來執(zhí)行第一重新映射操作。特別是，在此另一范例實(shí)施例中，預(yù)定磨損門檻值會(huì)隨著此些裝置整體的磨損程度的增加來對(duì)應(yīng)提尚。[0130]舉例來說，假設(shè)一開始所有裝置的磨損程度值為“0”，并且預(yù)定磨損門檻值被設(shè)定為“1000”。當(dāng)?shù)谝谎b置的磨損程度值到達(dá)“1001”(大于預(yù)定磨損門檻值)時(shí)，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)執(zhí)行第一重新映射操作。第一重新操作的運(yùn)作相似于上述的例子，不贅述于此。應(yīng)注意的是，在一實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)還會(huì)選擇磨損程度值較第一裝置的磨損程度值小的裝置來作為第二裝置，以執(zhí)行第一重新映射操作。此外，當(dāng)存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)判定每一裝置的磨損程度值都大于預(yù)定磨損門檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)調(diào)高預(yù)定磨損門檻值。例如，當(dāng)每一裝置的磨損程度值都大于預(yù)定磨損門檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)還會(huì)將預(yù)定磨損門檻值從原本的“1000”調(diào)整為“2000”。也就是說，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)也會(huì)根據(jù)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的整體磨損程度來動(dòng)態(tài)調(diào)整預(yù)定磨損門檻，以持續(xù)對(duì)每一裝置執(zhí)行重新映射操作，進(jìn)而平均每一裝置的磨損程度。[0131]值得一提的是，在另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)更會(huì)從第二裝置420(I)的閑置區(qū)604(0)的所有實(shí)體抹除單元411(5)?411(6)中，根據(jù)此些實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)，從閑置區(qū)604(O)的實(shí)體抹除單元411(5)?411(6)中選擇一個(gè)抹除次數(shù)最低的實(shí)體抹除單元來做為第一實(shí)體抹除單元以存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)。也就是說，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)從閑置區(qū)中選擇最年輕的實(shí)體抹除區(qū)塊(例如，抹除次數(shù)最少的實(shí)體抹除單元)來使用。[0132]此外，在另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)執(zhí)行第一重新映射操作的運(yùn)作會(huì)在第一裝置的第一實(shí)體抹除單元已被寫滿且從主機(jī)系統(tǒng)接收到更新第一數(shù)據(jù)的寫入指令時(shí)被執(zhí)行。也就是說，當(dāng)存儲(chǔ)器管理電路502判定第一裝置420(0)的磨損程度值減去第二裝置420(I)的磨損程度值的差值大于預(yù)設(shè)磨損門檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)不會(huì)馬上執(zhí)行第一重新映射操作，而是會(huì)在原來存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)的第一實(shí)體抹除單元已被寫滿且被更新的第一數(shù)據(jù)欲寫入至另一空白的實(shí)體抹除單元之前來執(zhí)行第一重新映射操作，以將已更新的第一數(shù)據(jù)寫入至第二裝置的第一實(shí)體抹除單元且重新映射第一邏輯單元至第二裝置的第一實(shí)體抹除單元。[0133]在本范例實(shí)施例中，上述被頻繁更新的數(shù)據(jù)(也稱第一數(shù)據(jù))，其更新頻率會(huì)大于存儲(chǔ)在沒有存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)的其他實(shí)體抹除單元的數(shù)據(jù)(也稱第二數(shù)據(jù))的更新頻率。第一數(shù)據(jù)例如是文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)，第二數(shù)據(jù)例如是更新頻率較第一數(shù)據(jù)低的使用者數(shù)據(jù)。文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)例如是文件配置表(FileAllocat1nTable，簡(jiǎn)稱FAT)、增強(qiáng)型文件系統(tǒng)(NewTechnologyFileSystem，簡(jiǎn)稱NTFS)、延伸文件配置表(ExtendedFileAllocat1nTable，簡(jiǎn)稱exFAT)、文件系統(tǒng)表(FileSystemTable)、目錄(Directory)、主開機(jī)記錄(MasterBootRecord，簡(jiǎn)稱MBR)、GUID磁碟分割表(GUIDPartit1nTable，簡(jiǎn)稱GPT)等其他會(huì)被頻繁更新的文件系統(tǒng)數(shù)據(jù)，但本發(fā)明不限于此。[0134]例如，在另一實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)還可根據(jù)邏輯單元的忙碌程度來判斷此邏輯數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)此邏輯單元的數(shù)據(jù)的性質(zhì)。例如，在另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)還可記錄每一邏輯單元被更新的次數(shù)，將最頻繁更新的邏輯單元所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)視為第一數(shù)據(jù)，并且將存儲(chǔ)此第一數(shù)據(jù)的邏輯單元視為第一邏輯單元。接著，在執(zhí)行重新映射操作的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)對(duì)此第一數(shù)據(jù)以及此第一邏輯單元進(jìn)行重新映射。應(yīng)注意的是，在一些情況下，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)存儲(chǔ)更新頻率高的使用者數(shù)據(jù)或是其他型態(tài)的數(shù)據(jù)，而此些更新頻率高的數(shù)據(jù)也可視為第一數(shù)據(jù)。[0135]值得一提的是，在上述的例子中，在存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)執(zhí)行完第一重新映射操作之后，假設(shè)用以存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)的第一邏輯單元430(0)再被更新(寫入)7y次(第一邏輯單元430(0)的寫入次數(shù)為7x+7y次)時(shí)，如上述，由于第一邏輯單元已被重新映射至第二裝置420(1)的第一實(shí)體抹除單元411(5)，經(jīng)過對(duì)于第二裝置420(I)的磨損平衡操作之后，原本第二裝置420(I)的每一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)會(huì)從O次成為Iy次。也就是說，通過執(zhí)行第一重新映射操作，存儲(chǔ)器管理電路502會(huì)使用磨損程度值較低的裝置來存儲(chǔ)(頻繁更新的)第一數(shù)據(jù)，進(jìn)而使可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的每一裝置之間磨損程度的差異降低，達(dá)到均衡損耗的效果。[0136]圖11是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的存儲(chǔ)器管理方法的流程圖。[0137]在步驟SllOl中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)配置多個(gè)邏輯單元，其中此些邏輯單元包括第一邏輯單元組與第二邏輯單元組。[0138]在步驟SI103中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)將第一邏輯單元組的邏輯單元映射至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的多個(gè)裝置之中的第一裝置的實(shí)體抹除單元并且將第二邏輯單元組的邏輯單元映射至此些裝置之中的第二裝置的實(shí)體抹除單元，其中主機(jī)系統(tǒng)指示將第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至第一邏輯單元組中的至少一第一邏輯單元，并且第一數(shù)據(jù)被寫入至映射至至少一第一邏輯單元的第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單JLο[0139]在步驟SI105中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)記錄每一裝置的磨損程度值。[0140]在步驟S1107中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)判斷通過第一裝置的磨損程度值減去第二裝置的磨損程度值所獲得的差值是否大于預(yù)定磨損門檻值。[0141]倘若通過第一裝置的磨損程度值減去第二裝置的磨損程度值所獲得的差值非大于預(yù)定磨損門檻值時(shí)，圖11的流程會(huì)被結(jié)束。[0142]倘若存儲(chǔ)器管理電路502判定通過第一裝置的磨損程度值減去第二裝置的磨損程度值所獲得的差值大于預(yù)定磨損門檻值時(shí)，在步驟S1309中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)將第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元，并且將第一邏輯單元組的至少一第一邏輯單元重新映射至第二裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元。接著，圖11的流程會(huì)被結(jié)束。[0143][第二范例實(shí)施例][0144]第二范例實(shí)施例在硬件架構(gòu)上相似于第一范例實(shí)施例，而第二范例實(shí)施例與第一范例實(shí)施例不同的地方在于，第一范例實(shí)施例是在第一裝置與第二裝置間的磨損程度差異過大時(shí)，將原來存儲(chǔ)在第一裝置的第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至第二裝置并且將第一邏輯單元重新映射至第二裝置。而第二范例實(shí)施例是當(dāng)完成對(duì)于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器的格式化操作或清除所有數(shù)據(jù)操作后，將映射至每一裝置的邏輯單元組互相調(diào)換，以使每一邏輯單元組所映射的裝置會(huì)與原本的不同。換言之，在第二范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)判定此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合另一個(gè)預(yù)定條件(也稱第二預(yù)定條件)后，執(zhí)行另一種重新映射操作(也稱第二重新映射操作)。以下將利用第一范例實(shí)施例的元件編號(hào)配合圖9與圖12詳細(xì)說明此第二范例實(shí)施例的另一種重新映射操作的方法與執(zhí)行此另一種重新映射操作的時(shí)機(jī)。[0145]圖12是根據(jù)第二范例實(shí)施例所示出的管理邏輯單元組與裝置之間的映射的示意圖。[0146]在第二范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)判斷是否從主機(jī)系統(tǒng)11接收到格式化指令或清除所有數(shù)據(jù)指令，并且對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的所有裝置(例如，圖12中的第一裝置420(O)與第二裝置420(I))的實(shí)體抹除單元執(zhí)行抹除操作。倘若所有裝置的實(shí)體抹除單元因?yàn)閬碜灾鳈C(jī)系統(tǒng)11的格式化指令或清除所有數(shù)據(jù)指令，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)判定此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第二預(yù)定條件，并且對(duì)應(yīng)此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第二預(yù)定條件的判斷結(jié)果來執(zhí)行第二重新映射操作。換言之，存儲(chǔ)器管理電路502會(huì)在從主機(jī)系統(tǒng)11接收到格式化指令或清除所有數(shù)據(jù)指令后，執(zhí)行第二重新映射操作。應(yīng)注意的是，在另一實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路502會(huì)在從主機(jī)系統(tǒng)11接收到格式化指令或清除所有數(shù)據(jù)指令并且對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的所有裝置(例如，圖12中的第一裝置420(0)與第二裝置420(I))的實(shí)體抹除單元執(zhí)行抹除操作之后才執(zhí)行第二重新映射操作。[0147]具體來說，請(qǐng)參照?qǐng)D9，假設(shè)存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)從主機(jī)系統(tǒng)11接收到格式化指令或清除所有數(shù)據(jù)指令，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)判定此些裝置的運(yùn)作狀態(tài)符合第二預(yù)定條件并且執(zhí)行第二重新映射操作。其中，在第二重新映射操作的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)除了將第一邏輯單元組440(O)的第一邏輯單元430(O)重新映射至第二裝置420(I)的第一實(shí)體抹除單元411(I)之外，請(qǐng)參照?qǐng)D12，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)還會(huì)將第一邏輯單元組的其他邏輯單元430(1)?430(4)重新映射至第二裝置420(I)的其他實(shí)體抹除單元411(0)、411(2)?411(4)。也就是說，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將第一邏輯單元組440(O)的所有邏輯單元430(O)?430(4)重新映射至第二裝置420(I)的實(shí)體抹除單元411(O)?411(4)。相對(duì)地，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將第二邏輯單元組440(I)的所有邏輯單元430(5)?430(9)重新映射至第一裝置420(O)的實(shí)體抹除單元410(O)?410(4)。換言之，在第二范例實(shí)施例中，在接收到格式化指令或清除所有數(shù)據(jù)的指令下，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)執(zhí)行第二重新映射操作，以將每一邏輯單元組的邏輯單元原本所映射的裝置的實(shí)體抹除單元換為其他裝置的實(shí)體抹除單元。應(yīng)注意的是，所述第二重新映射操作可以在完成對(duì)應(yīng)格式化指令或清除所有數(shù)據(jù)的指令的抹除操作之前或是完成對(duì)應(yīng)格式化指令或清除所有數(shù)據(jù)的指令的抹除操作之后被執(zhí)行。[0148]同樣地，在第二重新映射操作執(zhí)行完后，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)也會(huì)對(duì)應(yīng)更新第一邏輯-實(shí)體單元映射表與第二邏輯-實(shí)體單元映射表。應(yīng)注意的是，相似于上述對(duì)于圖10的說明，在圖12中，由于第一邏輯單元430(O)已被重新映射至第二裝置420(I)的第一實(shí)體抹除單元411(1)，因此經(jīng)過對(duì)于第二裝置420(I)的磨損平衡操作之后，原本第二裝置420(I)的每一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)會(huì)從O次成為Iy次。也就是說，在經(jīng)過第二范例實(shí)施例所提供的重新映射操作之后，每一裝置間的磨損程度的差異也會(huì)因此而減小。[0149]值得一提的是，在第二范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)根據(jù)每一裝置的磨損程度值來選擇磨損程度值最小的裝置以進(jìn)行第二重新映射操作。舉例來說，請(qǐng)參照?qǐng)D9，第一裝置420(0)的磨損程度值為lx，第二裝置420(I)的磨損程度值為0，第二裝置420(I)的磨損程度值是可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406的所有裝置(第一裝置420(0)與第二裝置420(1))的磨損程度值中最小的。當(dāng)存儲(chǔ)器管理電路502執(zhí)行第二重新映射操作時(shí)，存儲(chǔ)器管理電路502會(huì)選擇第二裝置420(1)來進(jìn)行第二重新映射操作。也就是說，在此情況下，如圖12所示出，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)將第一邏輯單元組440(O)的邏輯單元430(O)?430(4)映射至第二裝置420(I)的實(shí)體抹除單元411(O)?411(4)，并將第二邏輯單元組440(I)的邏輯單元430(5)?430(9)映射至第一裝置420(O)的實(shí)體抹除單元410(O)?410(4)。必須了解的是，圖9是以可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406具有兩個(gè)裝置來說明，因此，在執(zhí)行第二重新映射操作時(shí)，第一裝置與第二裝置的映射會(huì)彼此交換，然而，本發(fā)明不限于此。例如，在可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊406具有三個(gè)裝置的例子中，根據(jù)每一裝置的磨損程度值，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)可能會(huì)選擇第一與第二裝置來進(jìn)行上述第二重新映射操作；或者選擇第一與第三裝置來進(jìn)行上述第二重新映射操作；或者選擇第二與第三裝置來進(jìn)行上述第二重新映射操作。[0150]圖13是根據(jù)第二范例實(shí)施例所示出的存儲(chǔ)器管理方法的流程圖。[0151]在步驟S1301中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)會(huì)配置多個(gè)邏輯單元，其中此些邏輯單元包括第一邏輯單元組與第二邏輯單元組。[0152]在步驟S1303中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)將第一邏輯單元組的邏輯單元映射至此些裝置之中的第一裝置的實(shí)體抹除單元并且將第二邏輯單元組的邏輯單元映射至此些裝置之中的第二裝置的實(shí)體抹除單元，其中主機(jī)系統(tǒng)指示將第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至第一邏輯單元組中的至少一第一邏輯單元，并且第一數(shù)據(jù)被寫入至映射至至少一第一邏輯單元的第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元。[0153]在步驟S1305中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)從主機(jī)系統(tǒng)接收到格式化指令或清除所有數(shù)據(jù)指令。[0154]在步驟S1307中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)對(duì)可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的裝置的實(shí)體抹除單元執(zhí)行抹除操作。[0155]在步驟S1309中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)將第一邏輯單元組的邏輯單元重新映射至第二裝置的實(shí)體抹除單元，以及將第二邏輯單元組的邏輯單元重新映射至第一裝置的實(shí)體抹除單元。之后，圖13的流程會(huì)被結(jié)束。[0156]值得一提的是，如上所述，在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制電路單元404(或存儲(chǔ)器管理電路502)還可記錄每一裝置的磨損程度值。藉此，在步驟S1309中，存儲(chǔ)器管理電路502可選擇此些裝置中磨損程度值最小的第二裝置的實(shí)體抹除單元來被第一邏輯單元組的邏輯單元重新映射，并且將原本映射至第二裝置的實(shí)體抹除單元的第二邏輯單元組的邏輯單元重新映射至第一裝置的實(shí)體抹除單元。[0157]值得一提的是，在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)的第一實(shí)體抹除單元的數(shù)目為I個(gè)，但本發(fā)明不限于此。例如，在其他范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)的第一實(shí)體抹除單元的數(shù)目為2個(gè)或是2個(gè)以上。同樣地，主機(jī)系統(tǒng)11指示存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)的第一邏輯單元的數(shù)目也可以是I個(gè)或是多于I個(gè)的數(shù)目。[0158]此外，在上述的范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路502會(huì)根據(jù)每一裝置的平均抹除次數(shù)來做為每一裝置的磨損程度值，但本發(fā)明不限于此。例如，在另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路502可根據(jù)每一裝置的平均寫入次數(shù)，或是每一裝置的平均抹除次數(shù)的倍數(shù)與每一裝置的平均寫入次數(shù)的另一倍數(shù)的總和來做為每一裝置的磨損程度值。此外，在另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路502也可根據(jù)每一裝置的平均錯(cuò)誤比特?cái)?shù)目或其他與裝置的磨損程度有關(guān)的信息或其組合來計(jì)算每一裝置的磨損程度值。[0159]綜上所述，本范例實(shí)施例所提供的存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置會(huì)記錄可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器的每一裝置的磨損程度值，并且當(dāng)一裝置的磨損程度與另一裝置的磨損程度差異過大時(shí)，執(zhí)行重新映射操作，以將頻繁更新或存取的數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的邏輯單元從磨損程度較大的裝置的實(shí)體抹除單元重新映射至磨損程度較低的裝置的實(shí)體抹除單元。另外，本發(fā)明的范例實(shí)施例所提供的存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置還會(huì)在對(duì)存儲(chǔ)在每一裝置的全部數(shù)據(jù)進(jìn)行抹除操作后或是對(duì)每一裝置進(jìn)行格式化操作后，將原本映射至每一裝置的實(shí)體抹除單元的邏輯單元互相調(diào)換。如此一來，本范例實(shí)施例所提供的存儲(chǔ)器管理方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置可有效地平均可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器中每一裝置的磨損程度，進(jìn)而延長(zhǎng)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的壽命。[0160]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍?！局鳈?quán)項(xiàng)】1.一種存儲(chǔ)器管理方法，用于一可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其特征在于，該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)裝置，并且每一該些裝置具有多個(gè)實(shí)體抹除單元，該存儲(chǔ)器管理方法包括:配置多個(gè)邏輯單元，其中該些邏輯單元至少被分為一第一邏輯單元組與一第二邏輯單元組;將該第一邏輯單元組的邏輯單元映射至該些裝置之中的一第一裝置的實(shí)體抹除單元并且將該第二邏輯單元組的邏輯單元映射至該些裝置之中的一第二裝置的實(shí)體抹除單元;從一主機(jī)系統(tǒng)接收存儲(chǔ)至該第一邏輯單元組中的至少一第一邏輯單元的一第一數(shù)據(jù)，并且將該第一數(shù)據(jù)寫入至映射至該至少一第一邏輯單元的該第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元；以及倘若該些裝置的一操作狀態(tài)符合一預(yù)定條件，執(zhí)行對(duì)應(yīng)該預(yù)定條件的一重新映射操作。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，上述倘若該些裝置的該運(yùn)作狀態(tài)符合該預(yù)定條件，執(zhí)行對(duì)應(yīng)該預(yù)定條件的該重新映射操作的步驟包括:記錄每一該些裝置的一磨損程度值；以及倘若該第一裝置的該磨損程度值大于一預(yù)定磨損門檻值時(shí)，判定該些裝置的該操作狀態(tài)符合一第一預(yù)定條件，并且執(zhí)行對(duì)應(yīng)該第一預(yù)定條件的一第一重新映射操作，其中該第一重新映射操作包括將該第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元，并且將該第一邏輯單元組的該至少一第一邏輯單元重新映射至該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，上述執(zhí)行該第一重新映射操作的步驟是在該第一裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元已被寫滿且從該主機(jī)系統(tǒng)接收到更新該第一數(shù)據(jù)的一寫入指令時(shí)被執(zhí)行。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，上述倘若該些裝置的該運(yùn)作狀態(tài)符合該預(yù)定條件，執(zhí)行對(duì)應(yīng)該預(yù)定條件的該重新映射操作的步驟包括:倘若從該主機(jī)系統(tǒng)接收到一格式化指令或一清除所有數(shù)據(jù)指令，判定該些裝置的該運(yùn)作狀態(tài)符合一第二預(yù)定條件，并且執(zhí)行對(duì)應(yīng)該第二預(yù)定條件的一第二重新映射操作，其中該第二重新映射操作包括將該第一邏輯單元組的該至少一第一邏輯單元重新映射至該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元，將該第一邏輯單元組的其他邏輯單元重新映射至該第二裝置的其他實(shí)體抹除單元，并且將該第二邏輯單元組的邏輯單元重新映射至該第一裝置的實(shí)體抹除單元。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，還包括:記錄每一該些裝置的一磨損程度值，其中該第二裝置的該磨損程度值小于該些裝置之中其他裝置的磨損程度值。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，該重新映射操作還包括依據(jù)該第二裝置的每一該些實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)選擇該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元，其中該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)小于該第二裝置的其他實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)的一更新頻率大于一第二數(shù)據(jù)的該更新頻率，其中該第二數(shù)據(jù)是被存儲(chǔ)在該些實(shí)體抹除單元中非存儲(chǔ)該第一數(shù)據(jù)的其他實(shí)體抹除單元的數(shù)據(jù)。8.一種存儲(chǔ)器控制電路單元，用于一可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其特征在于，該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)裝置，并且每一該些裝置具有多個(gè)實(shí)體抹除單元，該存儲(chǔ)器控制電路單元包括:一主機(jī)接口，用以電性連接至一主機(jī)系統(tǒng)；一存儲(chǔ)器接口，用以電性連接至該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊；一存儲(chǔ)器管理電路，電性連接至該主機(jī)接口與該存儲(chǔ)器接口，并且用以配置多個(gè)邏輯單元，其中該些邏輯單元包括一第一邏輯單元組與一第二邏輯單元組，其中該存儲(chǔ)器管理電路還用以將該第一邏輯單元組的邏輯單元映射至該些裝置之中的一第一裝置的實(shí)體抹除單元并且將該第二邏輯單元組的邏輯單元映射至該些裝置之中的一第二裝置的實(shí)體抹除單元，其中該存儲(chǔ)器管理電路還用以從一主機(jī)系統(tǒng)接收存儲(chǔ)至該第一邏輯單元組中的至少一第一邏輯單元的一第一數(shù)據(jù)，并且將該第一數(shù)據(jù)寫入至映射至該至少一第一邏輯單元的該第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元，其中倘若該些裝置的一運(yùn)作狀態(tài)符合一預(yù)定條件，該存儲(chǔ)器管理電路還用以執(zhí)行對(duì)應(yīng)該預(yù)定條件的一重新映射操作。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，在上述倘若該些裝置的該運(yùn)作狀態(tài)符合該預(yù)定條件，該存儲(chǔ)器管理電路還用以執(zhí)行對(duì)應(yīng)該預(yù)定條件的該重新映射操作的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器管理電路記錄每一該些裝置的一磨損程度值，其中倘若通過該第一裝置的該磨損程度值減去該第二裝置的該磨損程度值所獲得的一差值大于一預(yù)定磨損門檻值時(shí)，該存儲(chǔ)器管理電路判定該些裝置的該運(yùn)作狀態(tài)符合一第一預(yù)定條件，并且執(zhí)行對(duì)應(yīng)該第一預(yù)定條件的一第一重新映射操作，其中該第一重新映射操作包括將該第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元，并且將該第一邏輯單元組的該至少一第一邏輯單元重新映射至該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，上述存儲(chǔ)器管理電路執(zhí)行該第一重新映射操作的運(yùn)作是在該第一裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元已被寫滿且存儲(chǔ)器管理電路從該主機(jī)系統(tǒng)接收到更新該第一數(shù)據(jù)的一寫入指令時(shí)被執(zhí)行。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，在上述倘若該些裝置的該運(yùn)作狀態(tài)符合該預(yù)定條件，該存儲(chǔ)器管理電路還用以執(zhí)行對(duì)應(yīng)該預(yù)定條件的該重新映射操作的運(yùn)作中，倘若該存儲(chǔ)器管理電路從該主機(jī)系統(tǒng)接收到一格式化指令或一清除所有數(shù)據(jù)指令，該存儲(chǔ)器管理電路判定該些裝置的該運(yùn)作狀態(tài)符合一第二預(yù)定條件，并且執(zhí)行對(duì)應(yīng)該第二預(yù)定條件的一第二重新映射操作，其中該第二重新映射操作包括該存儲(chǔ)器管理電路將該第一邏輯單元組的該至少一第一邏輯單元重新映射至該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元，將該第一邏輯單元組的其他邏輯單元重新映射至該第二裝置的其他實(shí)體抹除單元，并且將該第二邏輯單元組的邏輯單元重新映射至該第一裝置的實(shí)體抹除單元。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，該存儲(chǔ)器管理電路記錄每一該些裝置的一磨損程度值，并且該第二裝置的該磨損程度值小于該些裝置之中其他裝置的磨損程度值。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，在上述該存儲(chǔ)器管理電路還用以執(zhí)行該第二重新映射操作的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器管理電路依據(jù)該第二裝置的每一該些實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)選擇該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元，其中該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)小于該第二裝置的其他實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)的一更新頻率大于一第二數(shù)據(jù)的該更新頻率，其中該第二數(shù)據(jù)是被存儲(chǔ)在該些實(shí)體抹除單元中非存儲(chǔ)該第一數(shù)據(jù)的其他實(shí)體抹除單元的數(shù)據(jù)。15.一種存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括:一連接接口單元，用以電性連接至一主機(jī)系統(tǒng)；一可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，具有多個(gè)裝置，其中每一該些裝置具有多個(gè)實(shí)體抹除單元；一存儲(chǔ)器控制電路單元，電性連接至該連接接口單元與該可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其中該存儲(chǔ)器控制電路單元用以配置多個(gè)邏輯單元，其中該些邏輯單元包括一第一邏輯單元組與一第二邏輯單元組，其中該存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將該第一邏輯單元組的邏輯單元映射至該些裝置之中的一第一裝置的實(shí)體抹除單元并且將該第二邏輯單元組的邏輯單元映射至該些裝置之中的一第二裝置的實(shí)體抹除單元，其中該存儲(chǔ)器控制電路單元還用以從一主機(jī)系統(tǒng)接收存儲(chǔ)至該第一邏輯單元組中的至少一第一邏輯單元的一第一數(shù)據(jù)，并且將該第一數(shù)據(jù)寫入至映射至該至少一第一邏輯單元的該第一裝置的至少一第一實(shí)體抹除單元，其中倘若該些裝置的一運(yùn)作狀態(tài)符合一預(yù)定條件，該存儲(chǔ)器控制電路單元還用以執(zhí)行對(duì)應(yīng)該預(yù)定條件的一重新映射操作。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其特征在于，在上述倘若該些裝置的該運(yùn)作狀態(tài)符合該預(yù)定條件，該存儲(chǔ)器控制電路單元還用以執(zhí)行對(duì)應(yīng)該預(yù)定條件的該重新映射操作的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器控制電路單元記錄每一該些裝置的一磨損程度值，其中倘若通過該第一裝置的該磨損程度值減去該第二裝置的該磨損程度值所獲得的一差值大于一預(yù)定磨損門檻值時(shí)，該存儲(chǔ)器控制電路單元判定該些裝置的該運(yùn)作狀態(tài)符合一第一預(yù)定條件，并且執(zhí)行對(duì)應(yīng)該第一預(yù)定條件的一第一重新映射操作，其中該第一重新映射操作包括將該第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元，并且將該第一邏輯單元組的該至少一第一邏輯單元重新映射至該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其特征在于，上述存儲(chǔ)器控制電路單元執(zhí)行該第一重新映射操作的運(yùn)作是在該第一裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元已被寫滿且存儲(chǔ)器控制電路單元從該主機(jī)系統(tǒng)接收到更新該第一數(shù)據(jù)的一寫入指令時(shí)被執(zhí)行。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其特征在于，在上述倘若該些裝置的該運(yùn)作狀態(tài)符合該預(yù)定條件，該存儲(chǔ)器控制電路單元還用以執(zhí)行對(duì)應(yīng)該預(yù)定條件的該重新映射操作的運(yùn)作中，倘若該存儲(chǔ)器控制電路單元從該主機(jī)系統(tǒng)接收到一格式化指令或一清除所有數(shù)據(jù)指令，該存儲(chǔ)器控制電路單元判定該些裝置的該操作狀態(tài)符合一第二預(yù)定條件，并且執(zhí)行對(duì)應(yīng)該第二預(yù)定條件的一第二重新映射操作，其中該第二重新映射操作包括該存儲(chǔ)器控制電路單元將該第一邏輯單元組的該至少一第一邏輯單元重新映射至該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元，將該第一邏輯單元組的其他邏輯單元重新映射至該第二裝置的其他實(shí)體抹除單元，并且將該第二邏輯單元組的邏輯單元重新映射至該第一裝置的實(shí)體抹除單元。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該存儲(chǔ)器控制電路單元記錄每一該些裝置的一磨損程度值，并且該第二裝置的該磨損程度值小于該些裝置之中其他裝置的磨損程度值。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其特征在于，在上述該存儲(chǔ)器控制電路單元還用以執(zhí)行該第二重新映射操作的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器控制電路單元依據(jù)該第二裝置的每一該些實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)選擇該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元，其中該第二裝置的該至少一第一實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)小于該第二裝置的其他實(shí)體抹除單元的抹除次數(shù)。21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)的一更新頻率大于一第二數(shù)據(jù)的該更新頻率，其中該第二數(shù)據(jù)是被存儲(chǔ)在該些實(shí)體抹除單元中非存儲(chǔ)該第一數(shù)據(jù)的其他實(shí)體抹除單元的數(shù)據(jù)。【文檔編號(hào)】G11C16/06GK105988950SQ201510054969【公開日】2016年10月5日【申請(qǐng)日】2015年2月3日【發(fā)明人】陳建謀【申請(qǐng)人】群聯(lián)電子股份有限公司