專(zhuān)利名稱(chēng)：膜型探針單元及其制造方法
膜型探針單元及其制造方法
背景技術(shù)：
1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及膜型探針單元及其制造方法，更具體地，涉及包括以與待測(cè)試對(duì)象的電極相同的間距單獨(dú)形成的探針板并且即使在電極具有微米尺度間距時(shí)仍表現(xiàn)出極好的接觸性能的膜型探針單元及其制造方法。2.現(xiàn)有技術(shù)一般，制造平板顯示裝置或半導(dǎo)體裝置的過(guò)程涉及若干電測(cè)試。對(duì)于平板顯示裝置，該過(guò)程包括在薄膜晶體管(TFT)襯底和濾色器襯底之間注入液晶的元件過(guò)程、將帶式自動(dòng)接合(TAB)集成電路(IC)和驅(qū)動(dòng)芯片附連至元件的模塊過(guò)程以及將框架安裝在模塊上的安置過(guò)程，其中在模塊過(guò)程之前對(duì)元件進(jìn)行電測(cè)試。更具體地，在將TAB IC附連到元件(即待測(cè)試對(duì)象)的焊盤(pán)上形成的電極的過(guò)程之前，通過(guò)將測(cè)試信號(hào)施加到臨時(shí)電連接到TAB IC的元件的電極來(lái)進(jìn)行測(cè)試，并且如果元件通過(guò)測(cè)試則進(jìn)行模塊過(guò)程。探針單元用于執(zhí)行這種電測(cè)試。常規(guī)的探針單元包括主體塊、連接元件的電極和 TAB IC的電極的片、電連接至片的TAB IC、柔性電路板、電連接到柔性電路板的印刷電路板寸。具體地，常規(guī)的探針單元將電信號(hào)施加到臨時(shí)夾設(shè)于待測(cè)試對(duì)象的電極和TAB IC 之間的片，待測(cè)試對(duì)象和TAB IC最終將相互連接。夾設(shè)的片可提高接觸性能，但往往導(dǎo)致電信號(hào)的損耗，使得所施加的電信號(hào)可能不能完全傳送至電極。此外，在制造方面的問(wèn)題是必須單獨(dú)制造片并且片具有微米尺度間距。為了克服這種問(wèn)題，本發(fā)明的申請(qǐng)人提出韓國(guó)專(zhuān)利No. 720378。參考

圖1，改進(jìn)的探針單元1包括主體塊10、TAB IC 20和柔性電路板40。支承構(gòu)件30附連至TAB IC 20的一面，使得TAB IC 20—面上的觸點(diǎn)可彈性地壓向待測(cè)試對(duì)象的電極。印刷電路板(未示出)電連接至柔性電路板40的一端。因而，探針單元1不具有片。換言之，使TAB IC 20 與待測(cè)試對(duì)象的電極直接接觸。結(jié)果，有可能克服上述問(wèn)題。參考圖2，TAB IC 20具有形成在絕緣膜21上的圖案化引線23，并且一些圖案化引線23用作將與待測(cè)試對(duì)象的電極接觸的觸點(diǎn)23a。柔性電路板設(shè)置有用于電連接的連接器M和驅(qū)動(dòng)芯片22。顯然，觸點(diǎn)23a和電極一對(duì)一地相互接觸。圖3示出與待測(cè)試對(duì)象L的焊盤(pán)50接觸的TAB IC 20的觸點(diǎn)23a。如圖所示，可以看出，在接觸區(qū)的中間，每個(gè)觸點(diǎn)23a都基本精確地接觸焊盤(pán)50的電極51 (參見(jiàn)放大圓)。然而，在接觸區(qū)的右部，觸點(diǎn)23a不精確地接觸電極51的中間并且偏向電極51的左側(cè)(參見(jiàn)右部的放大圓)。同樣，在接觸區(qū)的左部，觸點(diǎn)23a不精確地接觸電極51的中間并且偏向電極51的右側(cè)(參見(jiàn)左部的放大圓)。這背后的原因是TAB IC的觸點(diǎn)23a的間距Pl小于待測(cè)試對(duì)象的焊盤(pán)50的電極的間距 P2(P2 > Pl)。
這種現(xiàn)象不可避免地發(fā)生。當(dāng)測(cè)試完成并實(shí)施模塊過(guò)程時(shí)，TAB IC的觸點(diǎn)通過(guò)與位于焊盤(pán)上的觸點(diǎn)進(jìn)行熱壓而電連接至焊盤(pán)。在這種情況下，在施加熱后觸點(diǎn)的間距膨脹。 因此，如果觸點(diǎn)的間距最初與焊盤(pán)的電極間距相同，則觸點(diǎn)的間距由于為連接施加的熱而膨脹，使得觸點(diǎn)的間距偏離焊盤(pán)的電極間距?？紤]到電極間距的膨脹，使觸點(diǎn)的間距形成為小于焊盤(pán)的電極間距。因而，當(dāng)使具有小的電極間距的TAB IC與待測(cè)試對(duì)象的焊盤(pán)直接接觸時(shí)，在接觸性能方面存在問(wèn)題。即，因?yàn)樗纬傻腡AB IC的觸點(diǎn)的間距與待測(cè)試對(duì)象的焊盤(pán)電極的間距不同，所以接觸性能劣化，使得難以實(shí)現(xiàn)TAB IC的觸點(diǎn)與焊盤(pán)電極之間的一對(duì)一接觸。為了解決這個(gè)問(wèn)題，提出了有意膨脹TAB IC的電極間距的方法。例如，參考圖4， 通過(guò)夾子G在具有觸點(diǎn)123a的絕緣膜相對(duì)的兩側(cè)夾緊該絕緣膜并向外拉以使觸點(diǎn)123a擴(kuò)張。如果有意擴(kuò)張TAB IC的電極間距，則擴(kuò)張觸點(diǎn)123a的間距P3以在焊盤(pán)上一對(duì)一接觸(參見(jiàn)圖幻。即，不僅在接觸區(qū)中間而且在其右側(cè)和左側(cè)，每個(gè)觸點(diǎn)123a都與焊盤(pán)的電極51的中心接觸(參見(jiàn)放大圓)。換言之，觸點(diǎn)123a的間距被擴(kuò)張，使得焊盤(pán)的電極間距P2能夠變得與觸點(diǎn)的間距 P3相同或基本相同(P2 = P3)。然而，仍然存在的問(wèn)題是難以獲得TAB IC的觸點(diǎn)間距至期望間距的精確擴(kuò)張。

發(fā)明內(nèi)容
構(gòu)思本發(fā)明以解決上述問(wèn)題，且本發(fā)明的一個(gè)方面提供膜型探針單元及其制造方法，其包括以與待測(cè)試對(duì)象的電極相同的間距單獨(dú)形成的探針板并且即使在電極具有微米尺度間距時(shí)仍表現(xiàn)出極好的接觸性能。根據(jù)一個(gè)方面，膜型探針單元包括探針板，其具有形成在絕緣膜上的圖案化引線以允許一些圖案化引線用作觸點(diǎn)來(lái)與對(duì)測(cè)試對(duì)象接觸；以及主體塊，該探針板設(shè)置在該主體塊的底部。觸點(diǎn)形成為兩行或更多行。各行觸點(diǎn)可交替形成。觸點(diǎn)的面積可比圖案化引線的其它區(qū)域的面積大以提高與對(duì)象的接觸性能。圖案化引線除觸點(diǎn)外的其它區(qū)域可以是絕緣的。絕緣膜的一面可設(shè)置有用于驅(qū)動(dòng)對(duì)象的驅(qū)動(dòng)芯片。驅(qū)動(dòng)芯片可安裝在將附連到對(duì)象的成品的TAB IC上。一些圖案化引線可形成在觸點(diǎn)形成于其上的一面的背面以免在觸點(diǎn)之間經(jīng)過(guò)。形成在背面的圖案化引線可經(jīng)由穿過(guò)絕緣膜形成的孔連接至觸點(diǎn)。根據(jù)另一個(gè)方面，制造膜型探針單元的方法包括在絕緣膜上形成圖案化引線； 使除要與待測(cè)試對(duì)象的電極接觸的觸點(diǎn)以外的圖案化引線絕緣；通過(guò)將用于驅(qū)動(dòng)對(duì)象的驅(qū)動(dòng)芯片安裝在絕緣膜上來(lái)制造探針板；以及將探針板固定在主體塊上。驅(qū)動(dòng)芯片可安裝在將附連到對(duì)象的成品的TAB IC上。觸點(diǎn)的間距可與對(duì)象的電極的間距相同。觸點(diǎn)可形成為兩行或更多行。各行觸點(diǎn)可交替形成。
一些圖案化引線可形成在觸點(diǎn)形成于其上的一面的背面以免在觸點(diǎn)之間經(jīng)過(guò)。形成在背面的圖案化引線可經(jīng)由穿過(guò)絕緣膜形成的孔連接至觸點(diǎn)。附圖簡(jiǎn)述根據(jù)結(jié)合所附附圖給出的示例性實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的以上和其它方面、 特征以及優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)，其中圖1至5示出常規(guī)膜型探針單元及其制造方法；以及圖6至10示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的膜型探針單元及其制造方法。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考附圖對(duì)發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行描述。參考圖6，根據(jù)示例性實(shí)施例的膜型探針單元包括探針板，該探針板專(zhuān)用于測(cè)試且單獨(dú)制造而不是后處理(例如，擴(kuò)張等)附連至待測(cè)試對(duì)象的成品的帶式自動(dòng)接合(TAB) 集成電路(IC)。制造探針板220的方法包括在絕緣膜221上形成圖案化引線222，其中一些圖案化引線222用作觸點(diǎn)22 以與待測(cè)試對(duì)象的焊盤(pán)50接觸。在該實(shí)施例中，圖案化引線222 的每個(gè)頂端用作觸點(diǎn)22加。當(dāng)然，將觸點(diǎn)22 形成為具有與對(duì)象的電極51a相同的間距。 然后，使除觸點(diǎn)22 外的圖案化引線222絕緣。最后，將探針板220固定到主體塊10 (參見(jiàn)圖1)。為了提高接觸性能，觸點(diǎn)22 的面積比圖案化引線222的其它區(qū)域大。此外，探針板220可具有將安裝到嵌入的TAB IC上的驅(qū)動(dòng)芯片，或者安裝有驅(qū)動(dòng)芯片的TAB IC可連接至探針板220的后端。參考圖7和8，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的探針板320可具有形成為兩行的觸點(diǎn)323a、 32北。在這種情況下，觸點(diǎn)323a、32!3b交替地排列，使得將連接至第一行觸點(diǎn)323a的引線圖案323不干擾第二行觸點(diǎn)32北。或者，根據(jù)該實(shí)施例的探針板可具有形成為三行或更多行的觸點(diǎn)。因此使待測(cè)試對(duì)象的第一行電極51a和第二行電極51b分別與探針板320的第一行觸點(diǎn)323a和第二行觸點(diǎn)32 接觸。在這種狀態(tài)下，通過(guò)向其施加測(cè)試信號(hào)來(lái)電學(xué)測(cè)試對(duì)象。參考圖9和10，如果探針板420的觸點(diǎn)42h、423a被形成為兩行，則形成第一行觸點(diǎn)423a的圖案化引線423可在第二行觸點(diǎn)42 之間經(jīng)過(guò)，從而引起短路。為了防止短路， 一些圖案化引線42 形成在第二行觸點(diǎn)42 形成于其上的一面的背面上，以免在第二行觸點(diǎn)42 之間經(jīng)過(guò)。具體地，形成第一行觸點(diǎn)423a的圖案化引線423分成在絕緣膜421的一面上的引線圖案423c和在絕緣膜421的另一面上的引線圖案42北，這些引線圖案經(jīng)由穿過(guò)絕緣膜 421形成的孔111和112相互電連接。根據(jù)實(shí)施例，即使當(dāng)待測(cè)試對(duì)象的電極具有微米尺度間距時(shí)，也能提高接觸性能。此外，單獨(dú)制造與待測(cè)試對(duì)象的電極間距相同的探針板，從而提高接觸性能。此外，即使當(dāng)待測(cè)試對(duì)象的電極具有微米尺度間距時(shí)，測(cè)試信號(hào)也能充分地施加于此而不短路。雖然已在本公開(kāi)中描述了一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言以說(shuō)明方式給出這些實(shí)施例，且可作出各種修改和改變而不背離本發(fā)明的精神和范圍是顯而易見(jiàn)的。 本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)僅由所附權(quán)利要求和其等效方案來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種膜型探針單元，包括探針板，具有形成在絕緣膜上的圖案化引線以允許一些圖案化引線用作觸點(diǎn)來(lái)與待測(cè)試對(duì)象接觸，所述觸點(diǎn)形成為兩行或更多行；以及主體塊，所述探針板設(shè)置在所述主體塊的底部。
2.如權(quán)利要求1所述的膜型探針單元，其特征在于，所述各行觸點(diǎn)交替地形成。
3.如權(quán)利要求1所述的膜型探針單元，其特征在于，所述觸點(diǎn)的面積比圖案化引線的其它區(qū)域的面積大以提高與所述對(duì)象的接觸性能。
4.如權(quán)利要求1所述的膜型探針單元，其特征在于，所述圖案化引線除所述觸點(diǎn)外的其它區(qū)域是絕緣的。
5.如權(quán)利要求2所述的膜型探針單元，其特征在于，所述絕緣膜的一面設(shè)置有用于驅(qū)動(dòng)所述對(duì)象的驅(qū)動(dòng)芯片。
6.如權(quán)利要求1所述的膜型探針單元，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)芯片安裝在將附連到所述對(duì)象的成品的帶式自動(dòng)接合(TAB)集成電路(IC)上。
7.如權(quán)利要求2所述的膜型探針單元，其特征在于，一些圖案化引線形成在所述觸點(diǎn)形成于其上的一面的背面以免在所述觸點(diǎn)之間經(jīng)過(guò)。
8.如權(quán)利要求7所述的膜型探針單元，其特征在于，形成在所述背面的圖案化引線經(jīng)由穿過(guò)所述絕緣膜形成的孔連接至所述觸點(diǎn)。
9.一種制造膜型探針單元的方法，所述方法包括在絕緣膜上形成圖案化引線；使除要與待測(cè)試對(duì)象的電極接觸的觸點(diǎn)以外的圖案化引線絕緣；通過(guò)將用于驅(qū)動(dòng)所述對(duì)象的驅(qū)動(dòng)芯片安裝在所述絕緣膜上來(lái)制造探針板；以及將所述探針板固定在主體塊上。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)芯片安裝在將附連到成品的帶式自動(dòng)接合(TAB)集成電路(IC)上。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述觸點(diǎn)的間距與所述對(duì)象的電極的間距相同。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述觸點(diǎn)形成為兩行或更多行。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述各行觸點(diǎn)交替地形成。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，一些圖案化引線形成在所述觸點(diǎn)形成于其上的一面的背面以免在所述觸點(diǎn)之間經(jīng)過(guò)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，形成在所述背面的圖案化引線經(jīng)由穿過(guò)所述絕緣膜形成的孔連接至所述觸點(diǎn)。
全文摘要
本發(fā)明涉及膜型探針單元及其制造方法，更具體地，涉及包括以與待測(cè)試對(duì)象的電極相同的節(jié)距單獨(dú)形成的探針板并且即使在電極具有微米尺度間距時(shí)仍表現(xiàn)出極好的接觸性能的膜型探針單元及其制造方法。該膜型探針單元包括探針板，其具有形成在絕緣膜上的圖案化引線以允許一些圖案化引線用作觸點(diǎn)來(lái)與對(duì)測(cè)試對(duì)象接觸；以及主體塊，該探針板設(shè)置在該主體塊的底部。觸點(diǎn)形成為兩行或更多行。
文檔編號(hào)G01R31/00GK102193010SQ20111003099
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月22日
發(fā)明者金憲敏 申請(qǐng)人:寇地斯股份有限公司