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測(cè)試用的薄膜探針的制作方法

文檔序號(hào):6067037閱讀:591來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:測(cè)試用的薄膜探針的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種薄膜探針,特別是一種可測(cè)試任何有金手指狀接點(diǎn)的光電產(chǎn)品的測(cè)試用的薄膜探針。
背景技術(shù)
隨著科技發(fā)展,故許多的電子設(shè)備都必須使用存儲(chǔ)器來(lái)存取資料,而存儲(chǔ)器通過(guò)金手指的接點(diǎn)與存儲(chǔ)器插槽(dual in-line memory module,DIMM)接觸來(lái)傳遞訊號(hào),當(dāng)其中一個(gè)金手指接點(diǎn)因過(guò)度氧化造成接觸不良或接點(diǎn)掉落,就會(huì)使得存儲(chǔ)器無(wú)法正常運(yùn)作,且當(dāng)存儲(chǔ)器模塊在插拔時(shí),大多會(huì)在金手指上留下刮痕,即使是全新的存儲(chǔ)器模塊,雖于出廠時(shí)已先做過(guò)品檢,然金手指仍會(huì)留下插拔的痕跡,因此金手指的測(cè)試對(duì)于存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō)是非常重要的。
存儲(chǔ)器內(nèi)的電路板為了與系統(tǒng)連接,因此在電路板邊緣設(shè)計(jì)有連接器圖形,此連接器圖形即為金手指,完成的電路板要經(jīng)過(guò)測(cè)試,以保證電路布線無(wú)斷路或是布線間有無(wú)短路現(xiàn)象,然以往測(cè)試探針容易損壞金手指或在金手指上留下刮痕,且測(cè)試探針的穩(wěn)定性不高,因此對(duì)于金手指的測(cè)試可信度不高,且因容易損壞,刮傷金手指,而使得成本提高。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的主要目的是提供一種測(cè)試用的薄膜探針,利用撓性性質(zhì)構(gòu)成薄膜結(jié)構(gòu),使得測(cè)試用的薄膜探針可視金手指狀接點(diǎn)的位置而任意彎曲,因此提升導(dǎo)電部與金手指狀接點(diǎn)接觸效果,從而降低成本。
本實(shí)用新型的另一目的是提供一種測(cè)試用的薄膜探針,其導(dǎo)電部可視欲測(cè)試的金手指狀接點(diǎn)任意設(shè)置于薄膜結(jié)構(gòu)上,且導(dǎo)電部較密且較小。
本實(shí)用新型的上述目的是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種測(cè)試用的薄膜探針,其特征在于包括一薄膜結(jié)構(gòu);數(shù)個(gè)導(dǎo)電條,其設(shè)置于該薄膜結(jié)構(gòu)表面上,以連接外部測(cè)試信號(hào);數(shù)個(gè)導(dǎo)電區(qū),其設(shè)置于該薄膜結(jié)構(gòu)表面上,且每二個(gè)導(dǎo)電區(qū)分別相對(duì)設(shè)置于每一該導(dǎo)電條的二端,每一該導(dǎo)電區(qū)包含數(shù)個(gè)導(dǎo)電部,這些導(dǎo)電部與該這些導(dǎo)電條形成電連接且通過(guò)這些導(dǎo)電條輸入外部測(cè)試信號(hào)并與電子產(chǎn)品的該金手指狀接點(diǎn)相接觸。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。


圖1是本實(shí)用新型的測(cè)試用的薄膜探針的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本實(shí)用新型的測(cè)試用的薄膜探針的部分結(jié)構(gòu)放大示意圖;圖3是本實(shí)用新型的測(cè)試用的薄膜探針應(yīng)用于測(cè)試金手指的示意圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明20測(cè)試用的薄膜探針;202薄膜結(jié)構(gòu);204導(dǎo)電條;205導(dǎo)電區(qū);206導(dǎo)電部;208定位部;210定位孔洞;212定位環(huán);302存儲(chǔ)器模塊;304金手指;306治具。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提出一種測(cè)試用的薄膜探針,其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,圖2示出了測(cè)試用的薄膜探針的部分結(jié)構(gòu)放大圖,測(cè)試用的薄膜探針可測(cè)試任何有金手指狀接點(diǎn),如金手指或電路板、液晶顯示器(LCD)的電極(ITO)的光電產(chǎn)品,如雙倍率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dual Date Rate SDRSM,DDRSDRAM)或印刷電路板(PCB),測(cè)試用的薄膜探針20包括可撓性性質(zhì)的薄膜結(jié)構(gòu)202,其材質(zhì)為高分子材料(Polymer),并有數(shù)個(gè)設(shè)置于薄膜結(jié)構(gòu)202表面上的導(dǎo)電條204,其由金屬材質(zhì),如銅(Cu)構(gòu)成,以連接外部測(cè)試信號(hào),另有數(shù)個(gè)導(dǎo)電區(qū)205設(shè)置于薄膜結(jié)構(gòu)202表面上,且每二導(dǎo)電區(qū)205分別相對(duì)設(shè)置于每一導(dǎo)電條204的二端,每一導(dǎo)電區(qū)205包含數(shù)個(gè)凸起狀或凹陷狀且任意分布并可長(zhǎng)的較小較密的導(dǎo)電部206,其材質(zhì)為鎳(Ni)合金,導(dǎo)電區(qū)205上的導(dǎo)電部206與導(dǎo)電條204形成電連接,且導(dǎo)電部206通過(guò)導(dǎo)電條204輸入外部測(cè)試信號(hào)并與光電產(chǎn)品的金手指狀接點(diǎn)相接觸,以達(dá)到測(cè)試金手指狀接點(diǎn)的效果;且在薄膜結(jié)構(gòu)202上的兩側(cè)設(shè)置有二定位部208,定位部208上開(kāi)設(shè)有定位孔洞210,以提供治具定位;且薄膜結(jié)構(gòu)202上設(shè)置有數(shù)個(gè)定位環(huán)212,其設(shè)置于部分導(dǎo)電區(qū)205外側(cè)及部分導(dǎo)電條204一側(cè),以供治具定位。
圖3是測(cè)試用的薄膜探針應(yīng)用于測(cè)試金手指的結(jié)構(gòu)示意圖,存儲(chǔ)器模塊302或液晶顯示器面板(LCD panel)上設(shè)置有金手指304,將測(cè)試用的薄膜探針20設(shè)置于治具306上,因測(cè)試用的薄膜探針20為可撓性性質(zhì),故可彎曲設(shè)置于治具306上,于金手指304左右兩側(cè)各設(shè)置一治具306,薄膜結(jié)構(gòu)202安裝在治具306上,如圖3所示,且測(cè)試用的薄膜探針20上導(dǎo)電部206設(shè)置的位置對(duì)應(yīng)金手指304部位,藉由左右二治具306向金手指304靠攏,使得測(cè)試用的薄膜探針20上的導(dǎo)電部206通過(guò)導(dǎo)電條204輸入測(cè)試信號(hào)并與金手指304相接觸而進(jìn)行測(cè)試。
本實(shí)用新型使用撓性性質(zhì)構(gòu)成薄膜結(jié)構(gòu),使得測(cè)試用的薄膜探針可彎曲,并可視金手指狀接點(diǎn)的位置而任意設(shè)置導(dǎo)電部的位置,且導(dǎo)電部設(shè)置為較密且較小,藉此提升導(dǎo)電部與金手指狀接點(diǎn)接觸效果,進(jìn)而降低成本。
以上所述利用實(shí)施例說(shuō)明本實(shí)用新型的特點(diǎn),其目的是使本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員能了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施,而非限定本實(shí)用新型的范圍,因此凡其它未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神而完成的等效修飾或修改,仍應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種測(cè)試用的薄膜探針,其特征在于包括一薄膜結(jié)構(gòu);數(shù)個(gè)導(dǎo)電條,其設(shè)置于該薄膜結(jié)構(gòu)表面上,以連接外部測(cè)試信號(hào);以及數(shù)個(gè)導(dǎo)電區(qū),其設(shè)置于該薄膜結(jié)構(gòu)表面上,且每二個(gè)導(dǎo)電區(qū)分別相對(duì)設(shè)置于每一該導(dǎo)電條的二端,每一該導(dǎo)電區(qū)包含數(shù)個(gè)導(dǎo)電部,這些導(dǎo)電部與該這些導(dǎo)電條形成電連接且通過(guò)這些導(dǎo)電條輸入外部測(cè)試信號(hào)并與電子產(chǎn)品的該金手指狀接點(diǎn)相接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試用的薄膜探針,其特征在于,薄膜結(jié)構(gòu)為撓性結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試用的薄膜探針,其特征在于,薄膜結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為高分子材料。
4.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試用的薄膜探針,其特征在于,導(dǎo)電條由金屬材質(zhì)構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求4所述的測(cè)試用的薄膜探針,其特征在于,金屬材質(zhì)為銅。
6.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試用的薄膜探針,其特征在于,導(dǎo)電部的材質(zhì)為鎳合金。
7.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試用的薄膜探針,其特征在于,導(dǎo)電部為凸起狀。
8.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試用的薄膜探針,其特征在于,導(dǎo)電部為凹陷狀。
9.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試用的薄膜探針,其特征在于,薄膜結(jié)構(gòu)上的兩側(cè)設(shè)置二定位部,每一該定位部開(kāi)設(shè)有至少一定位孔洞,以供至少一治具定位。
10.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試用的薄膜探針,其特征在于,還包括數(shù)個(gè)定位環(huán),其設(shè)置于部分該導(dǎo)電區(qū)外側(cè),且每一該定位環(huán)設(shè)置于部分導(dǎo)電條的一側(cè)且位于該薄膜結(jié)構(gòu)上,以供至少一治具定位。
11.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試用的薄膜探針,其特征在于,電子產(chǎn)品為雙倍率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及印刷電路板其中之一。
專利摘要本實(shí)用新型是一種測(cè)試用的薄膜探針,包括一薄膜結(jié)構(gòu);數(shù)個(gè)導(dǎo)電條,其設(shè)置于該薄膜結(jié)構(gòu)表面上,以連接外部測(cè)試信號(hào);數(shù)個(gè)導(dǎo)電區(qū),其設(shè)置于該薄膜結(jié)構(gòu)表面上,且每二個(gè)導(dǎo)電區(qū)分別相對(duì)設(shè)置于每一該導(dǎo)電條的二端,每一該導(dǎo)電區(qū)包含數(shù)個(gè)導(dǎo)電部,這些導(dǎo)電部與該這些導(dǎo)電條形成電連接且通過(guò)這些導(dǎo)電條輸入外部測(cè)試信號(hào)并與電子產(chǎn)品的該金手指狀接點(diǎn)相接觸。導(dǎo)電部通過(guò)導(dǎo)電條輸入外部測(cè)試信號(hào)并與金手指狀接點(diǎn)相接觸以達(dá)到測(cè)試效果。
文檔編號(hào)G01R1/067GK2762143SQ20042012223
公開(kāi)日2006年3月1日 申請(qǐng)日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者鄭秋雄 申請(qǐng)人:環(huán)國(guó)科技股份有限公司
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