專利名稱：N溝道功率mos管驅(qū)動芯片中電流模式電平轉(zhuǎn)換電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種N溝道功率MOS管驅(qū)動芯片，尤其涉及該芯片中電平 轉(zhuǎn)換電路。
技術(shù)背景雙電壓供電式接口電路中，往往需要電平轉(zhuǎn)換電路。 由圖1可見在電平信號轉(zhuǎn)換中，輸入信號是在VDD1和GND1之間 變化，而輸出信號是在VDD2和GND2之間變化。由于在實際應(yīng)用中，對 于VDD2>VDD1, GND2>GND1的情況，傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路往往要求 MOS管P2、 N2的耐壓要達到VDD2，原因是L2點會被拉到GND1 ，這 樣加在MOS管P2柵極上的電壓就等于VDD2-GND1，加在MOS管N2柵 極的電壓為GND2-GND1，這樣對MOS管的柵耐壓要求就會較高，柵極的 厚度就會加厚，從而影響信號的速度和性能。圖中IV1代表了前級驅(qū)動 的反相器，它的電平是在VDD1和GND1間變化，電阻R1、第一NMOS 管N1組成了電平轉(zhuǎn)換的電路。當IN電平為低(GND1)時，Ll被拉高 (VDD1 )，這樣，第一 NMOS管Nl就被打開，L2點就被Nl拉到GND1 點，這時候，第二NMOS管N2被關(guān)斷，PMOS管P2被打開，OUT點 就被拉到VDD2。反之，當IN為高電平時，Ll被拉低(GND1)，這樣， 第一NMOS管N1就被關(guān)斷，L2點就被電阻R1拉至U VDD2點，這時候，第 二NMOS管N2被打開，PMOS管P2被關(guān)斷，OUT點就被拉到GND2。 這樣數(shù)字信號就從VDD1和GND1間變化被轉(zhuǎn)換到VDD2和GND2間變化。 在這個過程中，PMOS管P2要承受VDD2-GND1的壓差，第二 NOMS管N2的刪極要承受GND2-GND1的壓差，這就要求工藝中的MOS管刪極能 抗高壓，帶來的結(jié)果就是刪要做厚，這樣，MOS管的速度就變慢，同時 工藝成本將極大的增加。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題是提供了一種芯片中電流模式電平轉(zhuǎn)換電 路，旨在解決上述的問題。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的本發(fā)明包括第零NMOS管和第零PMOS管的柵極連在一起連到輸入 端，第零PMOS管的源極接到VDD1，第零PMOS管的漏極接第一電阻的 一端，第零NM0S管的源接地GND1，第零NMOS管的漏極和第一NMOS 管的漏極和柵極、第二 NMOS管的柵極以及第一電阻的另一端連在一起， 第一 NMOS管和第二 NMOS管的源極接地GND1 ，第二 NMOS管的漏極、 第一 PMOS管的柵極和漏極以及第二 PMOS管的柵極連在一起，第一 PMOS管和第二 PMOS管的源極連到VDD2，第二 NMOS管的漏極與第二 電阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的柵極連在一起，第二電阻 的另一端和第三NMOS管的源極連接到GND2上，第三PMOS管的源極連 到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏極連到輸出端OUT。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是有效的解決了傳統(tǒng)電平轉(zhuǎn)換 電路中存在的對柵耐壓要求較高的問題。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中電平轉(zhuǎn)換電路線路示意圖； 圖2是本發(fā)明線路示意圖；具體實施方式
下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細描述由圖2可見本發(fā)明包括第零NMOS管N0和第零PMOS管P0的柵極連在一起連到輸入端IN，第零PMOS管P0的源極接到VDDl，第零 PMOS管P0的漏極接第一電阻Rl的一端，第零NMOS管NO的源接地 GND1,第零NMOS管的漏極和第一 NMOS管Nl的漏極和柵極、第二 NMOS管N2的柵極以及第一電阻Rl的另一端連在一起L3，第一 NMOS 管Nl和第二 NMOS管N2的源極接地GND1 ，第二 NMOS管N2的漏極、 第一 PMOS管PI的柵極和漏極以及第二 PMOS管P2的柵極連在一起Ll， 第一 PMOS管PI和第二 PMOS管P2的源極連到VDD2，第二 NMOS管 P2的漏極與第二電阻R2的一端以及第三PMOS管P3和第三NMOS管N3 的柵極連在一起L2，第二電阻R2的另一端和第三NMOS管N3的源極連 接到GND2上，第三PMOS管P3的源極連到VDD2上，第三PMOS管P3 和第三NMOS管N3的漏極連到輸出端OUT。本發(fā)明的工作原理是當輸入IN為低電平時(GND1) ， MOS管NO 關(guān)斷，P0打開，Nl管打開，這樣R1與N1管產(chǎn)生一路電流I!，該電流通 過N1 (I,)與N2 (I2)的電流鏡像，以及P1 (I2)與P2 (I3)的電流鏡像 復(fù)制被放大到P2管，P2管有足夠的驅(qū)動力將L2點拉成高電平(VDD2)， 經(jīng)過P3和N3組成的反向器將OUT電平拉到GND2;當輸入IN為高電平 (VDDO時，N0打開，L3被拉到GND1， P0， Nl, N2被關(guān)斷，這樣就 沒有電流通路流過N2，從而P1， P2就被關(guān)斷，P2就沒有電流流過，從而 R2上無電流，L2被R2拉到GND2，再經(jīng)過P3和N3組成的反向器將OUT 電平拉到VDD2。由上分析可知，線路在工作時，Ll， L2兩點電平始終被 鉗制在VDD2與GND2之間變化，這樣對MOS管Pl， P2， P3， N3的柵極 耐壓要求(VDD2-GND2)就要比現(xiàn)有技術(shù)中圖1低的多，從而有效的解決 了傳統(tǒng)電平轉(zhuǎn)換電路中存在的對柵耐壓要求較高的問題，使電平轉(zhuǎn)換的線 路的性能得到很大的提高。
權(quán)利要求
1.一種N溝道功率MOS管驅(qū)動芯片中電流模式電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于包括第零NMOS管和第零PMOS管的柵極連在一起連到輸入端，第零PMOS管的源極接到VDD1，第零PMOS管的漏極接第一電阻的一端，第零NMOS管的源接地GND1，第零NMOS管的漏極和第一NMOS管的漏極和柵極、第二NMOS管的柵極以及第一電阻的另一端連在一起，第一NMOS管和第二NMOS管的源極接地GND1，第二NMOS管的漏極、第一PMOS管的柵極和漏極以及第二PMOS管的柵極連在一起，第一PMOS管和第二PMOS管的源極連到VDD2，第二NMOS管的漏極與第二電阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的柵極連在一起，第二電阻的另一端和第三NMOS管的源極連接到GND2上，第三PMOS管的源極連到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏極連到輸出端OUT。
全文摘要
本發(fā)明涉及N溝道功率MOS管驅(qū)動芯片中電流模式電平轉(zhuǎn)換電路，包括第零NMOS管和第零PMOS管的柵極連在一起連到輸入端，第零PMOS管的源極接到VDD1，第零PMOS管的漏極接第一電阻的一端，第零NMOS管的源接地GND1，第零NMOS管的漏極和第一NMOS管的漏極和柵極、第二NMOS管的柵極以及第一電阻的另一端連在一起，第一NMOS管和第二NMOS管的源極接地GND1，第二NMOS管的漏極、第一PMOS管的柵極和漏極以及第二PMOS管的柵極連在一起，第一PMOS管和第二PMOS管的源極連到VDD2，第二NMOS管的漏極與第二電阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的柵極連在一起，第二電阻的另一端和第三NMOS管的源極連接到GND2上，第三PMOS管的源極連到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏極連到輸出端；解決對柵耐壓要求較高的問題。
文檔編號H03K19/0185GK101594136SQ20081003809
公開日2009年12月2日 申請日期2008年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月27日
發(fā)明者戴忠偉 申請人:上海廣晶電子科技有限公司