專利名稱：具有dbr型電流阻擋層的led芯片及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LED芯片及其制作方法，特別是涉及一種具有DBR型電流阻擋層的LED芯片及其制作方法。
背景技術(shù)：
LED芯片的設(shè)計(jì)及制造中，在LED芯片中的P_pad正下面直接加入電流阻擋層(CBL, current blocking layer)可以將原本由P_pad流入P-GaN層的電流截?cái)?使電流全部先流入透明導(dǎo)電層(TCL, Transparent contact layer),然后再通過透明導(dǎo)電層流入該透明導(dǎo)電層正下方的P-GaN層；當(dāng)不加電流阻擋層時(shí)，電流一部分先由P-pad流入透明導(dǎo)電 層再流入透明導(dǎo)電層正下方的P-GaN層，一部分直接流入P-pad正下方的P-GaN層和量子阱發(fā)光，P-pad正下方的量子阱發(fā)出的光基本上會(huì)被P電極擋住，這部分光會(huì)被反射或者被吸收，而被反射的部分在芯片內(nèi)部經(jīng)過多次反射后也有相當(dāng)大的一部分會(huì)被吸收，最后能射出芯片的少之又少，不加電流阻擋層導(dǎo)致有效發(fā)光區(qū)的電流密度減少，從而降低了芯片的亮度，而加入電流阻擋層后，直接流入P-pad正下方的P-GaN層的電流被截?cái)?，電流全部直接通過透明導(dǎo)電層擴(kuò)散至有效發(fā)光區(qū)，從而提高了有效發(fā)光區(qū)的電流密度，提高了電流的利用率，進(jìn)而提聞了芯片的売度。目前，在LED芯片中添加電流阻擋層的實(shí)現(xiàn)方式主要有兩種一種直接在P電極和P-GaN層之間加入高絕緣性的材料將原本由P_pad流入P-GaN層的電流截?cái)?，在藍(lán)光LED芯片中常用SiO2作為電流阻擋層的材料，此時(shí)在電流阻擋層上直接蒸鍍Cr/Au電極或者蒸鍍高反光電極,導(dǎo)致如下問題一、直接蒸鍍Cr/Au電極因?yàn)镃r對藍(lán)光的反射率很低，致使芯片內(nèi)部反射至P-pad下的光或被吸收或被反射，而被反射的光在芯片內(nèi)部經(jīng)過多次反射之后，相當(dāng)大的部分被吸收了，能射出LED芯片的很少，從而降低了出光效率；二、目前比較常用的高反光電極一般是Al或者Ag或者相關(guān)合金，使用高反光電極時(shí)，電流阻擋層與高反光電極之間的粘附性弱，易于脫落。因此，一般只在P電極和P-GaN層之間的一部分區(qū)域加入電流阻擋層，另外不加入電流阻擋層的區(qū)域使高反光電極與GaN直接接觸來增強(qiáng)粘附性，這樣部分區(qū)域型的電流阻擋層相較全部區(qū)域的電流阻擋層提升芯片亮度的效果就很不明顯了，且高反光電極與芯片之間的粘附性仍然很差，致使無法量產(chǎn)。另外一種在LED芯片中添加電流阻擋層的實(shí)現(xiàn)方式是先將P-pad下面的量子阱蝕刻掉使Ρ-pad下方不能發(fā)光，將高絕緣性的材料作為電流阻擋層鋪在蝕刻出來的側(cè)壁和底部起到絕緣作用，然后在電流阻擋層上鍍上P電極，通過P-pad邊緣下壓透明導(dǎo)電層的辦法使電流全部先流入透明導(dǎo)電層，然后再通過透明導(dǎo)電層流入透明導(dǎo)電層正下方的P-GaN層。在藍(lán)光LED芯片中常用SiO2作為電流阻擋層的材料，此時(shí)在電流阻擋層上直接蒸鍍Cr/Au電極或者蒸鍍高反光電極，仍會(huì)導(dǎo)致如下問題一、直接蒸鍍Cr/Au電極因?yàn)镃r對藍(lán)光的反射率很低，致使芯片內(nèi)部反射至P電極下的光或被吸收或被反射，而被反射的光在芯片內(nèi)部經(jīng)過多次反射之后，相當(dāng)大的部分被吸收了，能射出LED芯片的很少，從而降低了出光效率；二、當(dāng)使用高反光電極時(shí)，為了使高反光電極與蝕刻出來的側(cè)壁和底部之間絕緣，電流阻擋層必須鋪滿整個(gè)蝕刻出來的側(cè)壁和底部，但是電流阻擋層與高反光電極之間的粘附性弱，易于脫落，致使無法量產(chǎn)。因此，如何提出一種LED芯片及其制作方法，以消除上述粘附性差、P電極吸光、電流利用率低的問題，實(shí)已成為本領(lǐng)域從業(yè)者欲以解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種，以解決現(xiàn)有技術(shù)中電流阻擋層與高反光電極之間的粘附性弱，易脫落、以及LED芯片的P電極吸光、電流利用率低等問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種具有DBR型電流阻擋層的LED芯片及其制作方法，其中，所述具有DBR型電流阻擋層的LED芯片的制作方法，其特征在于， 所述制作方法至少包括以下步驟1)提供一藍(lán)寶石襯底，并于所述藍(lán)寶石襯底的上表面形成發(fā)光外延層；2)于所述發(fā)光外延層上分別定義出P-pad區(qū)及N區(qū)，交替使用刻蝕氣體和鈍化氣體將所述P-pad區(qū)蝕刻成具有波浪形側(cè)壁及平整底面的凹槽；3)于所述凹槽的表面蒸鍍出一介質(zhì)型DBR，使其形成順應(yīng)該凹槽形狀的電流阻擋層，以使所述電流阻擋層形成為具有平整底面及波浪紋側(cè)壁的凹陷結(jié)構(gòu)；4)于所述發(fā)光外延層及凹陷結(jié)構(gòu)上形成透明導(dǎo)電層，并蝕刻所述透明導(dǎo)電層，以使所述凹陷結(jié)構(gòu)及N區(qū)外露于所述透明導(dǎo)電層；以及5)于所述凹陷結(jié)構(gòu)上制作出P-pad,以及于所述N區(qū)上制作出N-pad。本發(fā)明制作方法的步驟3)中，所述介質(zhì)型DBR為至少兩種透明絕緣性薄膜交替層疊的組合結(jié)構(gòu)，具體地，所述透明絕緣性薄膜為TiO2材料以及SiO2材料,所述交替層疊的組合結(jié)構(gòu)的頂層和底層均為TiO2材料。本發(fā)明制作方法的步驟5)中，所述P-pad的底部接置于所述凹陷結(jié)構(gòu)的平整底面上并與所述波浪形側(cè)壁相咬合。本發(fā)明還提供一種具有DBR型電流阻擋層的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片至少包括藍(lán)寶石襯底；發(fā)光外延層，形成于所述藍(lán)寶石襯底的上表面，具有P-pad區(qū)及N區(qū)，且所述P-pad區(qū)具有凹槽，且所述凹槽具有平整底面及波浪紋側(cè)壁，所述N區(qū)設(shè)置有N-pad ；電流阻擋層，形成于所述凹槽的表面上，為一層順應(yīng)所述凹槽形狀的凹陷結(jié)構(gòu)，且所述凹陷結(jié)構(gòu)具有平整底面及波浪紋側(cè)壁，所述電流阻擋層為介質(zhì)型DBR，所述凹陷結(jié)構(gòu)上設(shè)置有Ρ-pad ；以及透明導(dǎo)電層，形成于所述發(fā)光外延層及電流阻擋層上，并外露出所述P-pad 及 N 區(qū)。在本發(fā)明的LED芯片中，所述介質(zhì)型DBR為至少兩種透明絕緣性薄膜交替層疊的組合結(jié)構(gòu)，具體地，所述透明絕緣性薄膜為TiO2材料以及SiO2材料，所述交替層疊的組合結(jié)構(gòu)的頂層和底層均為TiO2材料。所述p-pad的底部接置于所述凹陷結(jié)構(gòu)的平整底面上并與所述波浪形側(cè)壁相咬合。如上所述，本發(fā)明的LED芯片及其制作方法，具有以下有益技術(shù)效果一、介質(zhì)型DBR通常具備非常良好的粘附性，介質(zhì)型DBR與藍(lán)光波段高反射率金屬或者合金之間粘附力很強(qiáng)，保證了蒸鍍的電極不會(huì)脫落，克服了用SiO2作為電流阻擋層會(huì)導(dǎo)致高反光電極易于脫落的缺點(diǎn)。且介質(zhì)型DBR能鋪滿整個(gè)P電極與發(fā)光外延層之間的區(qū)域，避免了使用高反光電極時(shí)，為了增加粘附性只能在部分區(qū)域鋪設(shè)SiO2的缺點(diǎn)。二、介質(zhì)型DBR的絕緣性良好，完全能作為用以截?cái)郟電極與發(fā)光外延層之間電流的電流阻擋層的作用，提高電流利用率。三、TiO2和SiO2交替疊合一層或者更多層組成的介質(zhì)型DBR對藍(lán)光具有極高反射率(> 99% )的特性，有效地減少了 Cr/Au電極對藍(lán)光的吸收，從而提高了芯片的出光效
率。 四、波浪形的側(cè)壁能將射向側(cè)壁被介質(zhì)型DBR反射的光向四面八方各個(gè)方向進(jìn)行反射，克服了平滑的側(cè)壁配合介質(zhì)型DBR時(shí)形成直向型反射鏡使絕大部分的反射光因?yàn)檠刂孔于逅幤矫娴姆较蚍瓷涠罅勘晃盏娜秉c(diǎn)。五、波浪形的側(cè)壁使鋪設(shè)在側(cè)壁的介質(zhì)型DBR也呈現(xiàn)波浪形，而波浪形的介質(zhì)型DBR因?yàn)檩^高的粗糙度較平面型的介質(zhì)型DBR對高反射率金屬具有更高的粘附性，從而在一定程度上克服了高反光電極粘附性弱的缺點(diǎn)。


圖I至圖5顯示為本發(fā)明的制作方法中依據(jù)各步驟呈現(xiàn)的LED芯片截面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上表面”、“下表面”、“左”、“右”、“中間”、“二”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。請參閱圖I至圖5，顯示為本發(fā)明的中依據(jù)各步驟呈現(xiàn)的LED芯片截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本發(fā)明提供一種具有DBR型電流阻擋層的LED芯片的制作方法，所述制作方法至少包括以下步驟如圖I所示，首先執(zhí)行步驟1，提供一藍(lán)寶石襯底11，并于所述藍(lán)寶石襯底11的上表面形成發(fā)光外延層12。接著執(zhí)行步驟2。如圖I及圖2所示，在步驟2中，于所述發(fā)光外延層12上分別定義出P-pad區(qū)(圖示中箭頭P所示之區(qū)域)及N區(qū)(圖示中箭頭N所示之區(qū)域)，交替使用刻蝕氣體和鈍化氣體將所述P-pad區(qū)蝕刻成具有平整底面1211及波浪形側(cè)壁1212的凹槽121。所述凹槽121的波浪形側(cè)壁1212能將射向側(cè)壁被高反光電極反射的光向四面八方各個(gè)方向漫反射，進(jìn)而克服了現(xiàn)有技術(shù)中平滑的側(cè)壁配合高反光電極時(shí)，形成直向型反射鏡使相當(dāng)大部分的反射光因?yàn)檠刂孔于逅幤矫娴姆较蚍瓷涠罅勘晃盏娜秉c(diǎn)。接著執(zhí)行步驟3。如圖3所示，在步驟3中，于所述凹槽121的表面蒸鍍一介質(zhì)型DBR(分布式布拉格反射鏡，Distributed Bragg Ref lector),使所述介質(zhì)型DBR形成順應(yīng)該凹槽121形狀的電流阻擋層13 (CBL, current blocking layer),以使所述電流阻擋層13形成為具有平整底面1311及波浪紋側(cè)壁1312的凹陷結(jié)構(gòu)131。于本實(shí)施例中，所述介質(zhì)型DBR為至少兩種透明絕緣性薄膜交替層疊的組合結(jié)構(gòu)，即所述介質(zhì)型DBR是由兩種或多種折射率不同的透明絕緣性薄膜交替疊合形成在較寬的波段范圍內(nèi)擁有高達(dá)98%以上正向反射率的直向型反射鏡，具體地，所述透明絕緣性薄膜為TiO2材料以及SiO2材料或者其他兩種或者多種折射率不同的透明絕緣薄膜，處于最上層和最下層的絕緣介質(zhì)薄膜都選用粘附性很強(qiáng)的材料，例如所述交替層疊的組合結(jié)構(gòu)的頂層和底層均為TiO2材料。所述介質(zhì)型DBR可以覆蓋藍(lán)光和綠光波段反射率高達(dá)99%以上。接著執(zhí)行步驟4。如圖4所示，在步驟4中，于所述發(fā)光外延層12及凹陷結(jié)構(gòu)131上形成透明導(dǎo)電層14(TCL, Transparent contact layer),并蝕刻所述透明導(dǎo)電層14,以使所述凹陷結(jié)構(gòu)131及N區(qū)外露于所述透明導(dǎo)電層14，以便于后續(xù)的制程中在所述凹陷結(jié)構(gòu)131上形成P-pad，在所述N區(qū)上制作N-pad。接著執(zhí)行步驟5。
如圖5所示，在步驟5中，于所述凹陷結(jié)構(gòu)131上制作出P_padl5，以及于所述N區(qū)上制作出N-padl6，如此，即制作出了具有DBR型電流阻擋層13的LED芯片I。于本實(shí)施例中，經(jīng)蝕刻出的P_padl5的底部接置于所述凹陷結(jié)構(gòu)131的平整底面1311上并與所述波浪紋側(cè)壁1312相咬合，如此便可將所述P_padl5牢固地設(shè)置于所述Ρ-pad區(qū)，進(jìn)而解決了現(xiàn)有技術(shù)中電極容易脫落的問題。本發(fā)明還提供一種具有DBR型電流阻擋層的LED芯片，所述LED芯片I至少包括藍(lán)寶石襯底11，發(fā)光外延層12,電流阻擋層(CBL, current blocking layer) 13,以及透明導(dǎo)電層(TCL, Transparent contact layer) 140為便于理解，敬請?jiān)賲㈤唸DI至圖5，如圖所示，所述發(fā)光外延層12形成于所述藍(lán)寶石襯底11的上表面，具有p-pad區(qū)(圖示中箭頭P所示之區(qū)域)及N區(qū)(圖示中箭頭N所示之區(qū)域)，且所述P-pad區(qū)上具有凹槽121，且所述凹槽121具有平整底面及波浪紋側(cè)壁，所述N區(qū)設(shè)置有N-padl6。所述P-padl5的底部接置于所述凹陷結(jié)構(gòu)131的平整底面1311上并與所述波浪形側(cè)壁1312相咬合。所述凹槽121的波浪形側(cè)壁能1212將射向側(cè)壁被高反光電極反射的光向四面八方各個(gè)方向漫反射，進(jìn)而克服了現(xiàn)有技術(shù)中平滑的側(cè)壁配合高反光電極時(shí)，形成直向型反射鏡使相當(dāng)大部分的反射光因?yàn)檠刂孔于逅幤矫娴姆较蚍瓷涠罅勘晃盏娜秉c(diǎn)。所述電流阻擋層13形成于所述凹槽121的表面上，為一層順應(yīng)所述凹槽121形狀的凹陷結(jié)構(gòu)131，且所述凹陷結(jié)構(gòu)131具有平整底面1311及波浪紋側(cè)壁1312，所述電流阻擋層13為介質(zhì)型DBR，所述凹陷結(jié)構(gòu)131上設(shè)置有P_padl5。于本實(shí)施例中，所述介質(zhì)型DBR為至少兩種透明絕緣性薄膜交替層疊的組合結(jié)構(gòu)，即所述介質(zhì)型DBR是由兩種或多種折射率不同的透明絕緣性薄膜交替疊合形成在較寬的波段范圍內(nèi)擁有高達(dá)98 %以上正向反射率的直向型反射鏡，具體地，所述透明絕緣性薄膜為TiO2材料以及SiO2材料或者其他兩種或者多種折射率不同的透明絕緣薄膜，處于最上層和最下層的絕緣介質(zhì)薄膜都選用粘附性很強(qiáng)的材料，例如所述交替層疊的組合結(jié)構(gòu)的頂層和底層均為TiO2材料。所述介質(zhì)型DBR可以覆蓋藍(lán)光和綠光波段反射率高達(dá)99 %以上。所述透明導(dǎo)電層14形成于所述發(fā)光外延層12及電流阻擋層13上，并外露出所述P-padl5 及 N 區(qū)。本發(fā)明的具有DBR型電流阻擋層的LED芯片及其制作方法，采用具備粘附性的介質(zhì)型DBR作為電流阻擋層，不但保證了在蒸鍍電極使電極不會(huì)脫落，而且質(zhì)型DBR的絕緣性良好，能完全截?cái)唳?pad與P-GaN之間電流，提高了電流利用率；而且，本發(fā)明利用質(zhì)型DBR對藍(lán)光具有極高反射率(> 99% )的特性，有效地減少了 Cr/Au電極對藍(lán)光的吸收，從而提高了芯片的出光效率；再者，波浪形的側(cè)壁能將射向側(cè)壁被介質(zhì)型DBR反射的光向四面八方各個(gè)方向進(jìn)行反射，克服了平滑的側(cè)壁配合介質(zhì)型DBR時(shí)形成直向型反射鏡使絕大部分的反射光因?yàn)檠刂孔于逅幤矫娴姆较蚍瓷涠罅勘晃盏娜秉c(diǎn)，更優(yōu)的是，波浪形的側(cè)壁使鋪設(shè)在側(cè)壁的介質(zhì)型DBR也呈現(xiàn)波浪形，而波浪形的介質(zhì)型DBR因?yàn)檩^高的粗糙度較平面型的介質(zhì)型DBR對高反射率金屬具有更高的粘附性，從而在一定程度上克服了高反光電極粘附性弱的缺點(diǎn)。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因 此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種具有DBR型電流阻擋層的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步驟 1)提供一藍(lán)寶石襯底，并于所述藍(lán)寶石襯底的上表面形成發(fā)光外延層； 2)于所述發(fā)光外延層上分別定義出P-pad區(qū)及N區(qū)，交替使用刻蝕氣體和鈍化氣體將所述P-pad區(qū)蝕刻成具有波浪形側(cè)壁及平整底面的凹槽； 3)于所述凹槽的表面蒸鍍出一介質(zhì)型DBR，使其形成順應(yīng)該凹槽形狀的電流阻擋層，以使所述電流阻擋層形成為具有平整底面及波浪紋側(cè)壁的凹陷結(jié)構(gòu)； 4)于所述發(fā)光外延層及凹陷結(jié)構(gòu)上形成透明導(dǎo)電層，并蝕刻所述透明導(dǎo)電層，以使所述凹陷結(jié)構(gòu)及N區(qū)外露于所述透明導(dǎo)電層；以及 5)于所述凹陷結(jié)構(gòu)上制作出P-pad，以及于所述N區(qū)上制作出N-pad。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有DBR型電流阻擋層的LED芯片的制作方法，其特征在于于所述步驟3)中，所述介質(zhì)型DBR為至少兩種透明絕緣性薄膜交替層疊的組合結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有DBR型電流阻擋層的LED芯片的制作方法，其特征在于所述透明絕緣性薄膜為TiO2材料以及SiO2材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有DBR型電流阻擋層的LED芯片的制作方法，其特征在于所述交替層疊的組合結(jié)構(gòu)的頂層和底層均為TiO2材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有DBR型電流阻擋層的LED芯片的制作方法，其特征在于于所述步驟5)中，所述P-pad的底部接置于所述凹陷結(jié)構(gòu)的平整底面上并與所述波浪形側(cè)壁相咬合。
6.一種具有DBR型電流阻擋層的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片至少包括 藍(lán)寶石襯底； 發(fā)光外延層，形成于所述藍(lán)寶石襯底的上表面，具有P-pad區(qū)及N區(qū)，且所述P-pad區(qū)具有凹槽，且所述凹槽具有平整底面及波浪紋側(cè)壁，所述N區(qū)設(shè)置有N-pad ； 電流阻擋層，形成于所述凹槽的表面上，為一層順應(yīng)所述凹槽形狀的凹陷結(jié)構(gòu)，且所述凹陷結(jié)構(gòu)具有平整底面及波浪紋側(cè)壁，所述電流阻擋層為介質(zhì)型DBR，所述凹陷結(jié)構(gòu)上設(shè)置有P-pad ；以及 透明導(dǎo)電層，形成于所述發(fā)光外延層及電流阻擋層上，并外露出所述P-pad及N區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有DBR型電流阻擋層的LED芯片，其特征在于所述介質(zhì)型DBR為至少兩種透明絕緣性薄膜交替層疊的組合結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有DBR型電流阻擋層的LED芯片，其特征在于所述透明絕緣性薄膜為TiO2材料以及SiO2材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有DBR型電流阻擋層的LED芯片，其特征在于所述交替層疊的組合結(jié)構(gòu)的頂層和底層均為TiO2材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有DBR型電流阻擋層的LED芯片，其特征在于所述P-pad的底部接置于所述凹陷結(jié)構(gòu)的平整底面上并與所述波浪形側(cè)壁相咬合。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有DBR型電流阻擋層的LED芯片及其制作方法，所述制作方法是首先提供一藍(lán)寶石襯底，并在藍(lán)寶石襯底的上表面形成發(fā)光外延層，然后在該發(fā)光外延層的P-pad區(qū)蝕刻出具有波浪形側(cè)壁及平整底面的凹槽，接著在該凹槽的表面形成介質(zhì)型DBR以作為電流阻擋層，且使所述電流阻擋層形成為具有波浪形側(cè)壁及平整底面的凹陷結(jié)構(gòu)；然后在發(fā)光外延層及凹陷結(jié)構(gòu)上形成透明導(dǎo)電層，并蝕刻所述透明導(dǎo)電層以使外露出該凹陷結(jié)構(gòu)與N區(qū)；最后在凹陷結(jié)構(gòu)上制作出P-pad，在N區(qū)上制作出N-pad，以此制作出的LED芯片可以解決現(xiàn)有技術(shù)中電流阻擋層與高反光電極之間的粘附性弱，易脫落、以及LED芯片的P電極吸光、電流利用率低等問題。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102903802SQ20111021272
公開日2013年1月30日 申請日期2011年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月28日
發(fā)明者林宇杰 申請人:上海博恩世通光電股份有限公司