專利名稱：N溝道功率mos管驅(qū)動(dòng)芯片中電流模式電平轉(zhuǎn)換電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種N溝道功率MOS管驅(qū)動(dòng)芯片，尤其涉及該芯片中 電平轉(zhuǎn)換電路。
背景技術(shù)：
雙電壓供電式接口電路中，往往需要電平轉(zhuǎn)換電路。 由圖1可見在電平信號(hào)轉(zhuǎn)換中，輸入信號(hào)是在VDD1和GND1之間 變化，而輸出信號(hào)是在VDD2和GND2之間變化。由于在實(shí)際應(yīng)用中，對(duì) 于VDD2〉VDD1， GND2>GND1的情況，傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路往往要求 MOS管P2、 N2的耐壓要達(dá)到VDD2，原因是L2點(diǎn)會(huì)被拉到GND1 ，這 樣加在MOS管P2柵極上的電壓就等于VDD2-GND1 ，加在MOS管N2柵 極的電壓為GND2-GND1，這樣對(duì)MOS管的柵耐壓要求就會(huì)較高，柵極的 厚度就會(huì)加厚，從而影響信號(hào)的速度和性能。圖中IV1代表了前級(jí)驅(qū)動(dòng) 的反相器，它的電平是在VDD1和GND1間變化，電阻R1、第一NMOS 管N1組成了電平轉(zhuǎn)換的電路。當(dāng)IN電平為低(GND1)時(shí)，Ll被拉高 (VDD1)，這樣，第一NMOS管N1就被打開，L2點(diǎn)就被N1拉到GND1 點(diǎn)，這時(shí)候，第二NMOS管N2被關(guān)斷，PMOS管P2被打開，OUT點(diǎn) 就被拉到VDD2。反之，當(dāng)IN為高電平時(shí)，Ll被拉低(GND1)，這樣， 第一 NMOS管Nl就被關(guān)斷，L2點(diǎn)就被電阻Rl拉到VDD2點(diǎn)，這時(shí)候，第 二 NMOS管N2被打開，PMOS管P2被關(guān)斷，OUT點(diǎn)就被拉到GND2。 這樣數(shù)字信號(hào)就從VDD1和GND1間變化被轉(zhuǎn)換到VDD2和GND2間變化。 在這個(gè)過(guò)程中，PMOS管P2要承受VDD2-GND1的壓差，第二 NOMS管N2的刪極要承受GND2-GND1的壓差，這就要求工藝中的MOS管刪極能 抗高壓，帶來(lái)的結(jié)果就是刪要做厚，這樣，MOS管的速度就變慢，同時(shí) 工藝成本將極大的增加。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型需要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供了一種芯片中電流模式電平轉(zhuǎn) 換電路，旨在解決上述的問(wèn)題。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
本實(shí)用新型包括第零NMOS管和第零PMOS管的柵極連在一起連到 輸入端，第零PMOS管的源極接到VDDl，第零PMOS管的漏極接第一電 阻的一端，第零NMOS管的源接地GND1，第零NMOS管的漏極和第一 NMOS管的漏極和柵極、第二NMOS管的柵極以及第一電阻的另一端連在 一起，第一NMOS管和第二NMOS管的源極接地GNDl，第二 NMOS管 的漏極、第一 PMOS管的柵極和漏極以及第二 PMOS管的柵極連在一起， 第一 PMOS管和第二 PMOS管的源極連到VDD2，第二 NMOS管的漏極與 第二電阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的柵極連在一起，第二 電阻的另一端和第三NMOS管的源極連接到GND2上，第三PMOS管的源 極連到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏極連到輸出端OUT。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是有效的解決了傳統(tǒng)電平 轉(zhuǎn)換電路中存在的對(duì)柵耐壓要求較高的問(wèn)題。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中電平轉(zhuǎn)換電路線路示意圖； 圖2是本實(shí)用新型線路示意圖；具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述 由圖2可見本實(shí)用新型包括第零NMOS管N0和第零PMOS管P0的柵極連在一起連到輸入端IN，第零PMOS管P0的源極接到VDDl，第 零PMOS管P0的漏極接第一電阻Rl的一端，第零NMOS管NO的源接地 GND1，第零NMOS管的漏極和第一 NMOS管Nl的漏極和柵極、第二 NMOS管N2的柵極以及第一電阻Rl的另一端連在一起L3，第一 NMOS 管Nl和第二 NMOS管N2的源極接地GND1 ，第二 NMOS管N2的漏極、 第一 PMOS管Pl的柵極和漏極以及第二 PMOS管P2的柵極連在一起Ll， 第一 PMOS管Pl和第二 PMOS管P2的源極連到VDD2，第二 NMOS管 P2的漏極與第二電阻R2的一端以及第三PMOS管P3和第三NMOS管N3 的柵極連在一起L2，第二電阻R2的另一端和第三NMOS管N3的源極連 接到GND2上，第三PMOS管P3的源極連到VDD2上，第三PMOS管P3 和第三NMOS管N3的漏極連到輸出端OUT。
本實(shí)用新型的工作原理是當(dāng)輸入IN為低電平時(shí)(GND1) ， MOS管 N0關(guān)斷，P0打開，Nl管打開，這樣R1與N1管產(chǎn)生一路電流Ip該電流 通過(guò)N1 (1》與N2 (12)的電流鏡像，以及P1 (12)與P2 (13)的電流鏡 像復(fù)制被放大到P2管，P2管有足夠的驅(qū)動(dòng)力將L2點(diǎn)拉成高電平(VDD2)， 經(jīng)過(guò)P3和N3組成的反向器將OUT電平拉到GND2;當(dāng)輸入IN為高電平 (VDD1)時(shí)，N0打開，L3被拉到GND1， P0， Nl， N2被關(guān)斷，這樣就 沒(méi)有電流通路流過(guò)N2，從而P1， P2就被關(guān)斷，P2就沒(méi)有電流流過(guò)，從而 R2上無(wú)電流，L2被R2拉到GND2，再經(jīng)過(guò)P3和N3組成的反向器將OUT 電平拉到VDD2。由上分析可知，線路在工作時(shí)，Ll， L2兩點(diǎn)電平始終被 鉗制在VDD2與GND2之間變化，這樣對(duì)MOS管Pl， P2， P3， N3的柵極 耐壓要求(VDD2-GND2)就要比現(xiàn)有技術(shù)中圖1低的多，從而有效的解決 了傳統(tǒng)電平轉(zhuǎn)換電路中存在的對(duì)柵耐壓要求較高的問(wèn)題，使電平轉(zhuǎn)換的線 路的性能得到很大的提高。
權(quán)利要求1. 一種N溝道功率MOS管驅(qū)動(dòng)芯片中電流模式電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于包括第零NMOS管和第零PMOS管的柵極連在一起連到輸入端，第零PMOS管的源極接到VDD1，第零PMOS管的漏極接第一電阻的一端，第零NMOS管的源接地GND1，第零NMOS管的漏極和第一NMOS管的漏極和柵極、第二NMOS管的柵極以及第一電阻的另一端連在一起，第一NMOS管和第二NMOS管的源極接地GND1，第二NMOS管的漏極、第一PMOS管的柵極和漏極以及第二PMOS管的柵極連在一起，第一PMOS管和第二PMOS管的源極連到VDD2，第二NMOS管的漏極與第二電阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的柵極連在一起，第二電阻的另一端和第三NMOS管的源極連接到GND2上，第三PMOS管的源極連到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏極連到輸出端OUT。
專利摘要本實(shí)用新型涉及N溝道功率MOS管驅(qū)動(dòng)芯片中電流模式電平轉(zhuǎn)換電路，包括第零NMOS管和第零PMOS管的柵極連在一起連到輸入端，第零PMOS管的源極接到VDD1，第零PMOS管的漏極接第一電阻的一端，第零NMOS管的源接地GND1，第零NMOS管的漏極和第一NMOS管的漏極和柵極、第二NMOS管的柵極以及第一電阻的另一端連在一起，第一NMOS管和第二NMOS管的源極接地GND1，第二NMOS管的漏極、第一PMOS管的柵極和漏極以及第二PMOS管的柵極連在一起，第一PMOS管和第二PMOS管的源極連到VDD2，第二NMOS管的漏極與第二電阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的柵極連在一起，第二電阻的另一端和第三NMOS管的源極連接到GND2上，第三PMOS管的源極連到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏極連到輸出端；解決對(duì)柵耐壓要求較高的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H03K19/0185GK201263144SQ20082005898
公開日2009年6月24日 申請(qǐng)日期2008年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月27日
發(fā)明者戴忠偉 申請(qǐng)人:上海廣晶電子科技有限公司