專利名稱：Tco型導(dǎo)電dbr垂直式藍光led芯片及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種藍光LED芯片及其制作方法，特別是涉及一種TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片及其制作方法。
背景技術(shù)：
目前，常見的藍光LED芯片分為兩種，即橫向結(jié)構(gòu)(Lateral)的藍光LED芯片和垂直結(jié)構(gòu)(Vertical)的藍光LED芯片，其中，所述橫向結(jié)構(gòu)的藍光LED其P、N電極在同一側(cè)，P、N電極同側(cè)勢必需要蝕刻掉部分量子阱來制備N區(qū)，從而浪費了相當大的一部分發(fā)光面積，且P、N電極同側(cè)具有電流分布不均勻，散熱性差等諸多缺點，而電流分布不均勻進而影響到芯片的電壓和亮度，散熱性差會造成結(jié)溫升高，內(nèi)量子效率下降等問題，影響到芯片的光效。 而垂直結(jié)構(gòu)的藍光LED芯片其P、N電極分布在量子阱的兩側(cè)，因此不需要蝕刻量子阱，大大提高了芯片發(fā)光面積的利用率，電流垂直于芯片均勻分布，且垂直式LED芯片結(jié)構(gòu)中各層都會盡量選用導(dǎo)熱性良好的材料，因此垂直式LED芯片的散熱性能良好，大大消除了熱量積聚帶來的結(jié)溫升高，內(nèi)量子效率下降。正因為這些獨特的優(yōu)點，垂直式LED芯片成為LED研究的熱點。目前常見的垂直式藍光LED芯片的制作過程中，一般是在本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的藍光發(fā)光外延層的表面上直接鍍上反射性金屬Ag或者Al，但是該種做法卻具有以下缺點I、Ag和Al很難與P-GaN形成歐姆接觸至使LED芯片的電壓很高；2、Ag和Al的反射率會隨著溫度的升高而急劇降低，當LED芯片內(nèi)部熱量積聚溫度升高時，因為金屬反射鏡反射率的下降，致使芯片外量子效率降低，從而降低了 LED芯片的亮度和發(fā)光效率；3、Ag、Al與GaN的粘附性很差，易于脫落，且Ag在高溫下易發(fā)生團聚。在垂直式藍光LED芯片的制作過程中也有另一種做法，即鍍上透明導(dǎo)電層(TCO)后，再于透明導(dǎo)電層上鍍上高反射率金屬Ag或者Al，但是，該種做法仍具有以下缺點1、由于Ag和Al的反射率會隨著溫度的升高而急劇降低，當LED芯片內(nèi)部熱量積聚溫度升高時，因為金屬反射鏡反射率的下降，致使芯片外量子效率降低，從而降低了 LED芯片的亮度和發(fā)光效率；2、Ag和Al與TCO薄膜的粘附性很差，易脫落，且Ag在高溫下會發(fā)生團聚。為此，針對如何解決垂直式LED芯片P-GaN的歐姆接觸、反射鏡粘附性不好和高溫下反射鏡反射率下降的問題，當前也有部分學(xué)者參照紅光LED和黃光LED中使用金屬有機化合物化學(xué)氣相淀積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)生長導(dǎo)電DBR的經(jīng)驗，嘗試在藍光發(fā)光外延層的表面上使用MOCVD生長導(dǎo)電DBR，可是因為使用MOCVD生長在藍、綠光波段內(nèi)擁有高透過率高導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成的導(dǎo)電DBR時的生長溫度比量子阱中的壘和阱的生長溫度高出很多，直接導(dǎo)致量子阱性能衰退和芯片波長出現(xiàn)非常巨大的漂移，并且藍光發(fā)光外延層的表面是P型摻雜，為了與P-GaN之間形成良好的歐姆接觸，一般選用MOCVD在藍光發(fā)光外延層上表面生長P型導(dǎo)電DBR，但是III-V族化合物半導(dǎo)體普遍存在P型摻雜的困難，且P型III-V族化合物半導(dǎo)體的載流子濃度不高，從而導(dǎo)致電阻率過大，用此P型導(dǎo)電DBR制成的垂直式藍光LED芯片存在電壓過高的問題。因此，如何降低導(dǎo)電DBR的制備溫度和降低使用導(dǎo)電DBR作為P電極的藍光LED芯片的電壓，進而制備出低電壓，高軸向輸出垂直式藍光LED芯片，已經(jīng)成為本領(lǐng)域的從業(yè)者亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述垂直式LED芯片難與P-GaN形成歐姆接觸、反射鏡粘附性弱、高溫下反射鏡的反射率下降、導(dǎo)電DBR的制備溫度過高和使用導(dǎo)電DBR作為P電極的藍光LED芯片電壓過高等問題。為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED 芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步驟1)提供一藍寶石襯底，并于所述藍寶石襯底的上表面形成發(fā)光外延層；2)于所述發(fā)光外延層的上表面蒸鍍一 TCO型導(dǎo)電性DBR層，所述TCO型導(dǎo)電性DBR層由第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第η種N型TCO薄膜交替疊合組成，且所述第一種N型TCO薄膜與所述發(fā)光外延層的上表面形成歐姆接觸；3)提供一導(dǎo)電性襯底，采用晶圓鍵合技術(shù)將所述導(dǎo)電性襯底鍵合至所述TCO型導(dǎo)電性DBR層的上表面以形成P電極；4)利用激光剝離技術(shù)剝離所述藍寶石襯底，以將所述藍寶石襯底從所述發(fā)光外延層的下表面剝離；以及5)于所述發(fā)光外延層的下表面制備出N電極。在本發(fā)明的制作方法中，所述第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第η種N型TCO薄膜為同型摻雜。所述第一種N型TCO薄膜為ITO材料，所述第二種N型TCO薄膜為AZO材料，所述第η種N型TCO薄膜為GZO材料。在本發(fā)明制作方法的步驟3)中，是通過一鍵合層將所述導(dǎo)電性襯底鍵合至所述TCO型導(dǎo)電性DBR層的上表面的；所述鍵合層為金屬材料、合金材料、非金屬導(dǎo)電材料、或者有機導(dǎo)電材料，且所述鍵合層為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的制作方法中，所述導(dǎo)電性襯底為金屬材料、合金材料、或者非金屬導(dǎo)電材料，且所述導(dǎo)電性襯底為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供一種TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片,其特征在于,包括發(fā)光外延層；TC0型導(dǎo)電性DBR層，疊置于所述發(fā)光外延層的上表面，由第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第η種N型TCO薄膜交替疊合組成，且所述第一種N型TCO薄膜與所述發(fā)光外延層的上表面形成歐姆接觸；導(dǎo)電性襯底，鍵合于所述TCO型導(dǎo)電性DBR層的上表面并形成P電極；以及N電極，接置于所述發(fā)光外延層的下表面。在本發(fā)明的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片中，所述第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第η種N型TCO薄膜為同型摻雜。所述第一種N型TCO薄膜為ITO材料，所述第二種N型TCO薄膜為AZO材料，所述第η種N型TCO薄膜為GZO材料。本發(fā)明的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片還包括有鍵合層，位于所述導(dǎo)電性襯底與所述TCO型導(dǎo)電性DBR層之間,所述鍵合層為金屬材料、合金材料、非金屬導(dǎo)電材料、或者有機導(dǎo)電材料，且所述鍵合層為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片中，所述導(dǎo)電性襯底為金屬材料、合金材料、或者非金屬導(dǎo)電材料，且所述導(dǎo)電性襯底為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。如上所述，本發(fā)明的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片及其制作方法具有以下有益效果I、利用ITO或P型TCO與另一種或者多種不同折射率的同型TCO材料構(gòu)成的導(dǎo)電型DBR易與P-GaN形成歐姆接觸，從而有效地降低了垂直式LED管芯的電壓。2、TCO型導(dǎo)電DBR因為是由耐高溫的半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜組成，且與P-GaN之間具有良好的粘附性，有效地解決了之前使用Ag和Al不耐高溫和粘附性不好的缺點。3、TCO型導(dǎo)電DBR在較寬的波段范圍內(nèi)能保持99%以上的直向反射率，且此反射率不隨溫度升高而降低，有效地解決了 Ag或者AL的反射率會隨溫度下降的缺點。4、TCO型導(dǎo)電DBR/metal ref lector組成的復(fù)合式反射鏡在藍綠光波段的反射 率)99%相教AL(91%)Ag(95%)具有更高的反射率，且相較單純的金屬反射鏡具有更好的軸向反光性，更有利于將光反射回芯片正面，提高LED芯片的軸向光強和芯片的發(fā)光效率。5,TCO薄膜擁有非常優(yōu)異的導(dǎo)電性能，其導(dǎo)電能力可以媲美金屬，因此TCO型導(dǎo)電DBR也擁有非常優(yōu)異的導(dǎo)電能力，不會給垂直式LED帶來額外的電壓。6、ITO或P型TCO與另一種TCO材料組成的導(dǎo)電型DBR相較其他類型的導(dǎo)電型DBR具有極大的價格優(yōu)勢，能有效降低芯片的生產(chǎn)成本，易大規(guī)模生產(chǎn)。


圖I至圖5顯示為本發(fā)明的制作方法中依據(jù)各步驟呈現(xiàn)的LED芯片截面結(jié)構(gòu)示意圖。圖6顯示為本發(fā)明的本發(fā)明的垂直式藍光LED芯片在另一種實施方式中的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式以下由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上表面”、“下表面”、“左”、“右”、“中間”、“二”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當亦視為本發(fā)明可實施的范疇。請參閱圖I至圖5，顯示為本發(fā)明的中依據(jù)各步驟呈現(xiàn)的LED芯片截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本發(fā)明提供一種TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片的制作方法，所述制作方法至少包括以下步驟如圖I所示，首先執(zhí)行步驟1，提供一藍寶石襯底11，并于所述藍寶石襯底11的上表面形成發(fā)光外延層12。接著執(zhí)行步驟2。
如圖2所示，在步驟2中，于所述發(fā)光外延層12的上表面蒸鍍一層TCO型導(dǎo)電性DBR 層 13，于所述發(fā)光外延層12的上表面蒸鍍一 TCO型導(dǎo)電性DBR層13，所述TCO型導(dǎo)電性DBR層13由第一種N型TCO薄膜(未予以圖示)與第二種N型TCO薄膜(未予以圖示)和/或第η種N型TCO薄膜(未予以圖示)交替疊合組成，且所述第一種N型TCO薄膜與所述發(fā)光外延層12的上表面形成歐姆接觸；于本實施例中，所述第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第η種N型TCO薄膜為同型摻雜，以降低垂直式藍光LED芯片的電壓。例如所述第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第η種N型TCO薄膜同為N型摻雜，或者P型摻雜。在本實施例中，所述第一種N型TCO薄膜與第二和/或η種N型TCO薄膜的折射率不同。具體地，所述第一種N型TCO薄膜為ITO(氧化銦錫，Indium-Tin Oxide)材料，所述第二種N型TCO薄膜為AZO (偶氮化合物，即摻雜了 1-5% Al的ZnO)材料。所述第η種N型TCO薄膜為GZO (鋅鎵氧化物)材料，然，并不局限于此，在其他的實施方式中，所述第η 種N型TCO薄膜也可以為其他的多種不同折射率的同型TCO材料。由上可知，利用ITO或P型TCO與另一種或者多種不同折射率的同型TCO材料(上述的AZO材料)構(gòu)成的導(dǎo)電型DBR層13易與發(fā)光外延層12形成歐姆接觸，從而有效地降低了垂直式LED管芯的電壓，而且，因為所述TCO型導(dǎo)電DBR層13是由耐高溫的半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜組成的，且與發(fā)光外延層12之間具有良好的粘附性，有效地解決了之前使用Ag和Al不耐高溫和粘附性不好的缺點。接著執(zhí)行步驟3。如圖3所示，在步驟3中，提供一導(dǎo)電性襯底14，于本實施例中，所述導(dǎo)電性襯底14為金屬材料、合金材料、或者非金屬導(dǎo)電材料，且所述導(dǎo)電性襯底14為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。然后，采用晶圓鍵合技術(shù)將所述導(dǎo)電性襯底14鍵合至所述TCO型導(dǎo)電性DBR層13的上表面以形成P電極，于本實施例中，藉由一層鍵合層15將所述導(dǎo)電性襯底14鍵合至所述TCO型導(dǎo)電性DBR層13的上表面，具體地，所述鍵合層15為金屬材料(例如為Au、Cu、Sn、Ag等)、合金材料、非金屬導(dǎo)電材料、或者有機導(dǎo)電材料，且所述鍵合層15可以為單層結(jié)構(gòu)也可以為多層結(jié)構(gòu)。當然，在其他的實施例中，也可以通過直接鍵合的方式將所述導(dǎo)電性襯底14鍵合至所述TCO型導(dǎo)電性DBR層13的上表面以形成P電極(未標示)。接著執(zhí)行步驟4。如圖4所示，在步驟4中，利用激光剝離技術(shù)剝離所述藍寶石襯底11，以將所述藍寶石襯底11從所述發(fā)光外延層12的下表面剝離。接著執(zhí)行步驟5。如圖5所示，在步驟5中，于所述發(fā)光外延層12的下表面制備出N電極16，至此，即制作出低電壓，高軸向輸出的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片。本發(fā)明還提供一種TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片，包括發(fā)光外延層12、TC0型導(dǎo)電性DBR層13、導(dǎo)電性襯底14、以及N電極16。為便于理解，敬請再參閱圖I至圖5。所述TCO型導(dǎo)電性DBR層13疊置于所述發(fā)光外延層12的上表面，所述TCO型導(dǎo)電性DBR層13由第一種N型TCO薄膜(未予以圖示)與第二種N型TCO薄膜(未予以圖示)和/或第η種N型TCO薄膜(未予以圖示)交替疊合組成，且所述第一種N型TCO薄膜與所述發(fā)光外延層12的上表面形成歐姆接觸；于本實施例中，所述第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第η種N型TCO薄膜為同型摻雜，以降低垂直式藍光LED芯片的電壓。例如所述第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第η種N型TCO薄膜同為N型摻雜，或者P型摻雜。在本實施例中，所述第一種N型TCO薄膜與第二和/或η種N型TCO薄膜的折射率不同。具體地，所述第一種N型TCO薄膜為ITO(氧化銦錫，Indium-Tin Oxide)材料，所述第二種N型TCO薄膜為AZO (偶氮化合物，即摻雜了 1-5% Al的ZnO)材料。所述第η種N型TCO薄膜為GZO (鋅鎵氧化物)材料，然，并不局限于此，在其他的實施方式中，所述第η種N型TCO薄膜也可以為其他的多種不同折射率的同 型TCO材料。由上可知，利用ITO或P型TCO與另一種或者多種不同折射率的同型TCO材料(上述的AZO材料)構(gòu)成的導(dǎo)電型DBR層13易與發(fā)光外延層12形成歐姆接觸，從而有效地降低了垂直式LED管芯的電壓，而且，因為所述TCO型導(dǎo)電DBR層13是由耐高溫的半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜組成的，且與發(fā)光外延層12之間具有良好的粘附性，有效地解決了之前使用Ag和Al不耐高溫和粘附性不好的缺點。所述導(dǎo)電性襯底14鍵合于所述TCO型導(dǎo)電性DBR層13的上表面并形成P電極，于本實施例中，所述導(dǎo)電性襯底14為金屬材料、合金材料、或者非金屬導(dǎo)電材料，且所述導(dǎo)電性襯底14為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的垂直式藍光LED芯片還包括有一層鍵合層15，位于所述導(dǎo)電性襯底14與所述TCO型導(dǎo)電性DBR層13之間，所述鍵合層15為金屬材料(例如為Au、Cu、Sn、Ag等)、合金材料、非金屬導(dǎo)電材料、或者有機導(dǎo)電材料，且所述鍵合層1515為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。所述N電極16接置于所述發(fā)光外延層12的下表面。在另一種實施方式中，本發(fā)明的垂直式藍光LED芯片還包括有一層漫反射型反射層17，設(shè)置在所述鍵合層15與所述TCO型導(dǎo)電性DBR層13之間，所述漫反射型反射層17可以是金屬層或合金層，也可以為單層或多層結(jié)構(gòu)，以使TCO型導(dǎo)電性DBR層13與漫反射型反射層17組成的復(fù)合式反射鏡在藍綠光波段的反射率> 99 %相較反射率為91 %的Al和反射率為95%的Ag具有更高的反射率，且相較單純的金屬反射鏡具有更好的軸向反光性，更有利于將光反射回芯片正面，提高LED芯片的軸向光強和芯片的發(fā)光效率。綜上所述，本發(fā)明的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片及其制作方法利用ITO或P型TCO與另一種或者多種不同折射率的同型TCO材料構(gòu)成的導(dǎo)電型DBR易與發(fā)光外延層形成歐姆接觸，從而有效地降低了垂直式LED管芯的電壓；而且，所述TCO型導(dǎo)電DBR層因為是由耐高溫的半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜組成，且與P-GaN之間具有良好的粘附性，有效地解決了之前使用Ag和Al不耐高溫和粘附性不好的缺點；再者，本發(fā)明中的TCO型導(dǎo)電DBR在較寬的波段范圍內(nèi)能保持99%以上的直向反射率，且此反射率不隨溫度升高而降低，有效地解決了 Ag或者AL的反射率會隨溫度下降的缺點。另外，TCO薄膜擁有非常優(yōu)異的導(dǎo)電性能，其導(dǎo)電能力可以媲美金屬，因此TCO型導(dǎo)電DBR也擁有非常優(yōu)異的導(dǎo)電能力，不會給垂直式LED帶來額外的電壓，且由ITO或P型TCO與另一種TCO材料組成的導(dǎo)電型DBR相較其他類型的導(dǎo)電型DBR具有極大的價格優(yōu)勢，能有效降低芯片的生產(chǎn)成本，易大規(guī)模生產(chǎn)。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。 ·
權(quán)利要求
1.一種TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步驟 1)提供一藍寶石襯底，并于所述藍寶石襯底的上表面形成發(fā)光外延層； 2)于所述發(fā)光外延層的上表面蒸鍍一TCO型導(dǎo)電性DBR層，所述TCO型導(dǎo)電性DBR層由第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第η種N型TCO薄膜交替疊合組成，且所述第一種N型TCO薄膜與所述發(fā)光外延層的上表面形成歐姆接觸； 3)提供一導(dǎo)電性襯底，采用晶圓鍵合技術(shù)將所述導(dǎo)電性襯底鍵合至所述TCO型導(dǎo)電性DBR層的上表面以形成P電極； 4)利用激光剝離技術(shù)剝離所述藍寶石襯底，以將所述藍寶石襯底從所述發(fā)光外延層的下表面剝離；以及 5)于所述發(fā)光外延層的下表面制備出N電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片的制作方法，其特征在于所述第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第η種N型TCO薄膜為同型摻雜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片的制作方法，其特征在于所述第一種N型TCO薄膜為ITO材料，所述第二種N型TCO薄膜為AZO材料，所述第η種N型TCO薄膜為GZO材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片的制作方法，其特征在于于步驟3)中，是通過一鍵合層將所述導(dǎo)電性襯底鍵合至所述TCO型導(dǎo)電性DBR層的上表面的；所述鍵合層為金屬材料、合金材料、非金屬導(dǎo)電材料、或者有機導(dǎo)電材料，且所述鍵合層為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片的制作方法，其特征在于所述導(dǎo)電性襯底為金屬材料、合金材料、或者非金屬導(dǎo)電材料，且所述導(dǎo)電性襯底為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
6.一種TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片，其特征在于，包括 發(fā)光外延層； TCO型導(dǎo)電性DBR層，疊置于所述發(fā)光外延層的上表面，由第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第η種N型TCO薄膜交替疊合組成，且所述第一種N型TCO薄膜與所述發(fā)光外延層的上表面形成歐姆接觸； 導(dǎo)電性襯底，鍵合于所述TCO型導(dǎo)電性DBR層的上表面并形成P電極；以及 N電極，接置于所述發(fā)光外延層的下表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片，其特征在于所述第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第η種N型TCO薄膜為同型摻雜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片，其特征在于所述第一種N型TCO薄膜為ITO材料，所述第二種N型TCO薄膜為AZO材料，所述第η種N型TCO薄膜為GZO材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片，其特征在于還包括有鍵合層，位于所述導(dǎo)電性襯底與所述TCO型導(dǎo)電性DBR層之間，所述鍵合層為金屬材料、合金材料、非金屬導(dǎo)電材料、或者有機導(dǎo)電材料，且所述鍵合層為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片，其特征在于所述導(dǎo)電性襯底為金屬材料、合金材料、或者非金屬導(dǎo)電材料，且所述導(dǎo)電性襯底為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種TCO型導(dǎo)電DBR垂直式藍光LED芯片及其制作方法，該方法是在藍寶石襯底上形成發(fā)光外延層，然后在發(fā)光外延層的上表面蒸鍍由第一種N型TCO薄膜與第二種N型TCO薄膜和/或第n種N型TCO薄膜交替疊合組成的TCO型導(dǎo)電性DBR層，以與發(fā)光外延層的上表面形成歐姆接觸；接著采用晶圓鍵合技術(shù)將導(dǎo)電性襯底鍵合至TCO型導(dǎo)電性DBR層上以形成P電極，之后利用激光剝離技術(shù)剝離藍寶石襯底，最后在發(fā)光外延層的下表面制備出N電極。以上述方法制作出的垂直式藍光LED芯片，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的上述垂直式LED芯片電極材料難與P-GaN形成歐姆接觸、反射鏡粘附性弱、高溫下反射鏡的反射率下降、導(dǎo)電DBR的制備溫度過高和使用導(dǎo)電DBR作為P電極的藍光LED芯片電壓過高等問題。
文檔編號H01L33/00GK102903799SQ20111021260
公開日2013年1月30日 申請日期2011年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月28日
發(fā)明者林宇杰 申請人:上海博恩世通光電股份有限公司