專利名稱：半導(dǎo)體樹脂封裝制造用模具脫模膜、以及使用其的半導(dǎo)體樹脂封裝的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體樹脂封裝制造用模具脫模膜、以及使用其的半導(dǎo)體樹脂封裝的 制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體芯片通常作為由密封材料密封的半導(dǎo)體樹脂封裝而使用。半導(dǎo)體樹脂封裝 一般而言通過如下傳遞成型獲得將半導(dǎo)體芯片裝填于模具的腔(cavity)內(nèi)，在該腔內(nèi)填 充以環(huán)氧樹脂為主成分的密封材料。在以往的傳遞成型中存在以下的問題。1)由于密封材料有時會污染模具的內(nèi)表面，因此模具的洗滌就變得必要，作業(yè)效 率降低。2)由于模具的內(nèi)表面受到損傷，因此模具壽命短。3)容易在成型了的半導(dǎo)體樹脂封裝上產(chǎn)生毛邊。為了改善上述問題，已知有將聚四氟乙烯(PTFE)系的片等脫模片配置于模具內(nèi) 而成型的方法(也稱為“膜輔助成型”)。然而，就PTFE系的片而言，由于容易在模具內(nèi)產(chǎn)生 皺折，因此存在有在此方法中難以獲得所希望的形狀的半導(dǎo)體樹脂封裝這樣的問題。進(jìn)一 步，就PTFE系的片而言，由于在焚燒時產(chǎn)生氟系氣體，因此還存在不容易廢棄這樣的問題。作為其它的半導(dǎo)體鑄型(mold)用脫模片，提出有包含擔(dān)負(fù)從成型品的脫模的 層(A層)和擔(dān)負(fù)針對于成型時的加熱的耐熱性的層(B層)、將從成型品的剝離力調(diào)整為 特定范圍的脫模片(例如，專利文獻(xiàn)1)。在該文獻(xiàn)中，具體公開有具有3層結(jié)構(gòu)“聚4-甲 基-1-戊烯/粘接層/PET”的脫模片。作為其它的脫模膜，提出有這樣一種膜其具有由A層(表面層)、B層(粘接層)、 C層(基材層)、B’層(粘接層)和A’層(表面層)構(gòu)成的5層結(jié)構(gòu)，其中，A層(表面層) 和A’層(表面層)包含4-甲基-1-戊烯系聚合物樹脂(例如，專利文獻(xiàn)幻。在該文獻(xiàn)中 公開了該膜優(yōu)選作為多層印刷基板的制造中的脫模膜?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-158242號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2004-82717號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題專利文獻(xiàn)1中記載的脫模片，由于具有相對于中心層而言不對稱的層疊結(jié)構(gòu)，因 此容易產(chǎn)生翹曲。因此，將專利文獻(xiàn)1中記載的脫模片作為模具脫模片，將脫模片導(dǎo)入于模 具內(nèi)，進(jìn)行真空吸附時，有時誘發(fā)縱皺折，有時不密接于模具腔內(nèi)表面等，難以穩(wěn)定地吸附 脫模片?？v皺折為，在脫模片的面內(nèi)沿著脫模片的長度方向產(chǎn)生的皺折。
如此地，由于產(chǎn)生翹曲、皺折等，因此有時無法將脫模片穩(wěn)定地真空吸附于模具內(nèi) 表面。其結(jié)果，就脫模片的皺折等而言，有時被轉(zhuǎn)印于作為成型品的半導(dǎo)體樹脂封裝上，無 法獲得所希望形狀的半導(dǎo)體樹脂封裝。進(jìn)一步，雖然也嘗試過一邊矯正脫模片的翹曲一邊 制造半導(dǎo)體樹脂封裝，但是不僅作業(yè)性降低，而且依然無法穩(wěn)定地獲得所希望形狀的半導(dǎo) 體樹脂封裝。S卩，為了獲得所希望形狀的半導(dǎo)體樹脂封裝(尺寸精度好的半導(dǎo)體樹脂封裝)， 期望著不僅與半導(dǎo)體樹脂封裝的脫模性優(yōu)異，而且難以產(chǎn)生翹曲、皺折等的脫模膜。因此 本發(fā)明的目的在于提供與半導(dǎo)體樹脂封裝的脫模性優(yōu)異，且難以產(chǎn)生翹曲、皺折等的脫模 膜；以及通過使用該脫模膜而獲得尺寸精度好的半導(dǎo)體樹脂封裝的方法。解決問題的技術(shù)方案本發(fā)明的第1方面涉及如下所示的脫模膜。[1]半導(dǎo)體樹脂封裝制造用模具脫模膜，其具有一層以上的基材層C，將前述基 材層C夾持、含有4-甲基-1-戊烯系聚合物作為主成分的一對最外層A，將前述基材層C和 前述最外層A粘接的一對粘接層B。[2]根據(jù)[1]所述的模具脫模膜，前述基材層C包含聚酰胺樹脂，前述粘接層B包 含由不飽和羧酸和/或不飽和羧酸的酸酐將4-甲基-1-戊烯系聚合物改性而得到的改性 4-甲基-1-戊烯系聚合物。[3]根據(jù)[1]或[2]所述的模具脫模膜，前述粘接層B包含由馬來酸酐將4-甲 基-1-戊烯系聚合物接枝改性而得到的改性4-甲基-1-戊烯系聚合物。[4]根據(jù)[2]或[3]所述的模具脫模膜，前述聚酰胺樹脂為聚酰胺6或聚酰胺66。[5]根據(jù)[1] W]中任一項所述的模具脫模膜，前述基材層C為一層。[6]根據(jù)[1] [5]中任一項所述的模具脫模膜，前述一對最外層A和前述一對粘 接層B的合計厚度為32 μ m以下。[7]根據(jù)[1] [6]中任一項所述的模具脫模膜，前述脫模膜的層疊結(jié)構(gòu)相對于前 述基材層C而言為對稱。[8]前述脫模膜是在半導(dǎo)體樹脂封裝的制造工序中使用的[1] [7]中任一項所 述的模具脫模膜，所述半導(dǎo)體樹脂封裝的制造工序包含如下工序在前述模具內(nèi)配置半導(dǎo)體芯片的工序；在前述半導(dǎo)體芯片與前述模具內(nèi)表面之間 配置前述脫模膜的工序；通過在前述模具內(nèi)注入密封材料而獲得密封了的半導(dǎo)體芯片的工 序；將前述密封了的半導(dǎo)體芯片從前述脫模膜剝離的工序。本發(fā)明的第2方面涉及如下所示的使用脫模膜的半導(dǎo)體樹脂封裝的制造方法。[9]半導(dǎo)體樹脂封裝的制造方法，包含如下工序在模具內(nèi)配置半導(dǎo)體芯片的工 序；在半導(dǎo)體芯片與前述模具內(nèi)表面之間配置[1] [7]中任一項所述的脫模膜的工序； 通過在前述模具內(nèi)注入密封材料而獲得密封了的半導(dǎo)體芯片的工序；以及將前述密封了的 半導(dǎo)體芯片從前述脫模膜剝離的工序。發(fā)明效果本發(fā)明可提供與半導(dǎo)體樹脂封裝的脫模性優(yōu)異，且難以產(chǎn)生翹曲、縱皺折的脫模 膜。通過使用該脫模膜制造半導(dǎo)體樹脂封裝，能夠提供尺寸精度好的半導(dǎo)體樹脂封裝。


圖1 表示本發(fā)明的脫模膜的結(jié)構(gòu)例的示意圖。圖2 表示本發(fā)明的半導(dǎo)體樹脂封裝的制造方法的第1工序的實(shí)例的圖。圖3 表示本發(fā)明的半導(dǎo)體樹脂封裝的制造方法的第2工序的實(shí)例的圖。圖4 表示本發(fā)明的半導(dǎo)體樹脂封裝的制造方法的第3工序的實(shí)例的圖。圖5 表示將脫模膜再次配置的工序的實(shí)例的圖。圖6 表示實(shí)施例中的、半導(dǎo)體樹脂封裝的側(cè)面皺折深度的測定方法的圖。
具體實(shí)施例方式1.半導(dǎo)體樹脂封裝制造用模具脫模膜本發(fā)明的半導(dǎo)體樹脂封裝制造用模具脫模膜(脫模膜)包含基材層C，將基材層 C夾持、且含有4-甲基-1-戊烯系聚合物作為主成分的一對最外層A，在基材層C與最外層 A之間配置的一對粘接層B。在成型模具的內(nèi)部將半導(dǎo)體芯片進(jìn)行樹脂密封時，本發(fā)明的脫模膜配置于成型模 具的內(nèi)表面。通過配置本發(fā)明的脫模膜，可容易地將樹脂密封了的半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體樹 脂封裝)從模具上脫模。一對最外層A為配置于脫模膜的兩面的最外層。一方的最外層A相接于半導(dǎo)體樹 脂封裝(成型品)；另一方的最外層A相接于模具內(nèi)部。從而，最外層A要求耐熱性和脫模 性優(yōu)異。就最外層A而言，含有4-甲基-1-戊烯系聚合物作為主成分。就4-甲基-1-戊 烯系聚合物而言，由于不僅熔點(diǎn)高達(dá)220 240°C、不會在半導(dǎo)體樹脂封裝的制造工序中的 模具溫度下熔融，而且表面能低，因此脫模性優(yōu)異。在本發(fā)明中，記號“ ”包含其兩端的范 圍，在以下也同樣。4-甲基-1-戊烯系聚合物是指，4-甲基-1-戊烯的均聚物甲基-1-戊烯均聚 物)、或4-甲基-1-戊烯與除了 4-甲基-1-戊烯以外的其它單體的共聚物甲基-1-戊 烯共聚物)。4-甲基-1-戊烯共聚物中的其它單體的實(shí)例包括碳原子數(shù)2 20的α -烯烴。碳 原子數(shù)2 20的α-烯烴的實(shí)例包括乙烯、丙烯、1-丁烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸 烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-十七碳烯、1-十八碳烯、以及1-二十碳烯等。這些α-烯 烴可單獨(dú)使用或組合2種以上使用。碳原子數(shù)2 20的α -烯烴之中，優(yōu)選碳原子數(shù)7 20的α -烯烴，更優(yōu)選碳原 子數(shù)8 20的α -烯烴，進(jìn)一步優(yōu)選碳原子數(shù)10 20的α -烯烴。4-甲基-1-戊烯共聚物中的源于4-甲基-1-戊烯的重復(fù)單元優(yōu)選為93質(zhì)量％以 上，更優(yōu)選為93 99質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為95 98質(zhì)量％。這樣的4-甲基戊烯共 聚物具有源于4-甲基-1-戊烯的良好的剛性和源于α-烯烴的良好的成型性。4-甲基-1-戊烯系聚合物按照ASTM D1238并在載荷5. 0kg、溫度260°C的條件下 測定的熔體流動速率(MFR)優(yōu)選為0. 5 250g/10分鐘，更優(yōu)選為1. 0 150g/l。如果 4-甲基-1-戊烯系聚合物的MFR處于上述范圍，那么成型性和機(jī)械特性優(yōu)異。4-甲基-1-戊烯系聚合物可通過任意的方法來制造。例如，通過在齊格勒·納塔催化劑、茂金屬系催化劑等公知的催化劑的存在下聚合4-甲基-1-戊烯而獲得。本發(fā)明中 所使用的4-甲基-1-戊烯系聚合物可以為如前述那樣制造了的4-甲基-1-戊烯系聚合物， 也可以為市售品。4-甲基-1-戊烯系聚合物的市售品的實(shí)例包括三井化學(xué)株式會社制TPX等。優(yōu)選4-甲基-1-戊烯系聚合物具有結(jié)晶性。具體而言，優(yōu)選4-甲基-1-戊烯系 聚合物具有全同立構(gòu)結(jié)構(gòu)或間同立構(gòu)結(jié)構(gòu)；尤其優(yōu)選具有全同立構(gòu)結(jié)構(gòu)。就4-甲基-1-戊 烯系聚合物的分子量而言，只要在滿足成型性和機(jī)械特性的范圍，那么就沒有特別限定。在不損害本發(fā)明的目的的范圍，最外層A可包含除了 4-甲基-1-戊烯系聚合物以 外的其它的樹脂。在不損害本發(fā)明的目的的范圍，最外層A也可包含添加劑。添加劑的實(shí)例包括耐 熱穩(wěn)定劑、耐候穩(wěn)定劑、生銹防止劑、耐銅害穩(wěn)定劑、抗靜電劑等通常在聚烯烴中配合的公 知的添加劑。就添加劑的添加量而言，相對于4-甲基-1-戊烯共聚物樹脂100質(zhì)量份優(yōu)選 為0. 0001 10質(zhì)量份?；膶覥為脫模膜的中間層，具有膜基材的功能。由此，就基材層C而言，優(yōu)選耐 熱性和機(jī)械特性優(yōu)異。特別地，成為基材層C的主成分的樹脂優(yōu)選為相比于作為最外層A 的主成分的4-甲基-1-戊烯系聚合物而言高溫下的強(qiáng)度和耐蠕變性更優(yōu)異的樹脂。此處 的高溫是指制造半導(dǎo)體樹脂封裝時的模具溫度。這樣的樹脂的實(shí)例包括聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂和聚酰胺樹脂。其中，優(yōu)選聚酰胺 樹脂，更優(yōu)選脂肪族聚酰胺樹脂。這些聚酰胺樹脂，相比較于聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂等 聚酯系樹脂而言，由于與后述的粘接層B中包含的改性4-甲基-1-戊烯系聚合物的粘接性 高，因此可有效抑制最外層A與基材層C的層間剝離。脂肪族聚酰胺樹脂是指通過內(nèi)酰胺 的開環(huán)聚合、脂肪族二胺成分與脂肪族二羧酸成分的縮聚反應(yīng)、或脂肪族氨基酸的縮聚而 獲得的樹脂。通過將內(nèi)酰胺進(jìn)行開環(huán)聚合而獲得的脂肪族聚酰胺的實(shí)例包括聚酰胺6、聚酰胺 11、聚酰胺12和聚酰胺612等。通過脂肪族二胺成分與脂肪族二羧酸成分的縮聚而獲得的 脂肪族聚酰胺的實(shí)例包括聚酰胺66、聚酰胺610、聚酰胺46、聚酰胺MXD6、聚酰胺6T、聚酰胺 61和聚酰胺9T等。其中，優(yōu)選聚酰胺6或聚酰胺66 ；更優(yōu)選聚酰胺66。這是因?yàn)?，就這些聚酰胺(特 別是聚酰胺66)而言，不僅高熔點(diǎn)且高彈性模量、耐熱性和機(jī)械特性優(yōu)異，而且與后述的粘 接層B的粘接性也優(yōu)異。對于具有包含這些聚酰胺的基材層C的脫模膜而言，不僅在模具 內(nèi)難以產(chǎn)生皺折，而且也難以產(chǎn)生針孔狀的裂縫。如果通過針孔狀的裂縫而密封材料的泄 漏顯著，則密封材料成分的一部分就附著和堆積于模具腔內(nèi)壁，而在短時間污染模具，因此 不優(yōu)選。根據(jù)DSC法測定的脂肪族聚酰胺的熔點(diǎn)優(yōu)選為190°C以上。這是由于，對于基材層 C包含具有比前述下限值低的熔點(diǎn)的脂肪族聚酰胺的脫模膜而言，耐熱性不充分，易于產(chǎn)生 皺折?；膶覥可以為多層，也可以為由“C/C’ /C”表示的3層。在該情況下，優(yōu)選基材 層C和基材層C’的至少一方包含聚酰胺66。就基材層C而言，也可進(jìn)一步包含除了前述的聚酰胺樹脂等以外的其它的樹脂。其它的樹脂的優(yōu)選實(shí)例為相比于作為最外層A的主成分的4-甲基-1-戊烯系聚合物而 言，對于高溫下的拉伸應(yīng)力、壓縮應(yīng)力的耐蠕變性更優(yōu)異的耐熱彈性體，或難以緩和應(yīng)力并 且彈性恢復(fù)性優(yōu)異的耐熱彈性體。如果考慮與粘接層B的粘接性，那么這樣的耐熱彈性體的實(shí)例包括熱塑性聚酰胺 系彈性體、熱塑性聚酯系彈性體等。根據(jù)DSC法測定的這些熱塑性彈性體的熔點(diǎn)優(yōu)選為 190°C以上。需要說明的是，即使熱塑性彈性體的熔點(diǎn)不足190°C，也可通過使用交聯(lián)劑、交 聯(lián)助劑進(jìn)行化學(xué)交聯(lián)，或通過紫外線、電子射線、伽馬射線等進(jìn)行物理交聯(lián)，從而提高高溫 下的耐蠕變性、彈性恢復(fù)性。熱塑性聚酰胺系彈性體的實(shí)例包括，以聚酰胺作為硬鏈段、以聚酯或聚醚作為軟 鏈段的嵌段共聚物。構(gòu)成硬鏈段的聚酰胺的實(shí)例包括聚酰胺6、聚酰胺66、聚酰胺610、聚酰 胺612、聚酰胺11等。構(gòu)成軟鏈段的聚醚的實(shí)例包括聚乙二醇(PEG)、聚丙二醇(PPG)、聚四 亞甲基二醇(PTMG)等。熱塑性聚酯系彈性體的實(shí)例包括，以包含結(jié)晶性芳香族聚酯單元的結(jié)晶性聚合物 鏈段作為硬鏈段、以包含聚醚單元或脂肪族聚酯單元的非晶性聚合物鏈段作為軟鏈段的嵌 段共聚物。構(gòu)成硬鏈段的包含結(jié)晶性芳香族聚酯單元的結(jié)晶性聚合物的實(shí)例包括，聚對苯 二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸丁二醇酯(PBN)等。構(gòu)成軟鏈段的包含聚醚單元的非晶 性聚合物的實(shí)例包括，聚四亞甲基醚二醇(PTMG)等。構(gòu)成軟鏈段的包含脂肪族聚酯單元的 非晶性聚合物的實(shí)例包括，聚己內(nèi)酯(PCL)等脂肪族聚酯。熱塑性聚酯系彈性體的具體實(shí) 例包括，聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)與聚四亞甲基醚二醇(PTMG)的嵌段共聚物；聚對苯 二甲酸丁二醇酯(PBT)與聚己內(nèi)酯(PCL)的嵌段共聚物；聚萘二甲酸丁二醇酯(PBN)與脂 肪族聚酯的嵌段共聚物等。在不損害本發(fā)明的目的的范圍，基材層C可包含公知的添加劑?；膶覥含有聚 酰胺樹脂作為主成分的情況下，添加劑的實(shí)例包括，包含以改善耐熱老化性為目的的銅化 合物系的耐熱穩(wěn)定劑、硬脂酸鈣和硬脂酸鋁等增滑劑等聚酰胺樹脂中通常配合的公知的添 加劑。就粘接層B而言，配置在一對最外層A的各層與基材層C之間，具有將它們粘接的 功能。通過配置粘接層B，從而在合模(型締力)、注射成型時，可抑制在模具內(nèi)在脫模膜中 容易產(chǎn)生應(yīng)力集中的部位處的基材層C與最外層A的層間剝離。容易產(chǎn)生應(yīng)力集中的部位 是指，例如模具的腔的邊緣部分(模具的腔面和分模面(parting surface)的邊界部分) 等。優(yōu)選粘接層B包含容易溶合最外層A和基材層C雙方的材料。粘接層B優(yōu)選包含將作為最外層A的主成分的4-甲基-1-戊烯系聚合物改性為 容易與基材層C溶合的物質(zhì)；具體而言，優(yōu)選包含改性為具有極性基團(tuán)的4-甲基-1-戊烯 系聚合物。就基材層C而言，優(yōu)選包含聚酰胺樹脂，這是由于該聚酰胺樹脂容易與極性基團(tuán) 溶合。被改性為具有極性基團(tuán)的4-甲基-1-戊烯系聚合物，可通過任意的方法來獲得。 其中，優(yōu)選通過不飽和羧酸和/或其酸酐(以下也稱為“不飽和羧酸等”)來改性4-甲 基-1-戊烯系聚合物。具體而言，優(yōu)選使4-甲基-1-戊烯系聚合物和不飽和羧酸等共聚；更優(yōu)選使4-甲 基-1-戊烯系聚合物與不飽和羧酸等接枝聚合。4-甲基-1-戊烯系聚合物與不飽和羧酸等的接枝聚合，可通過公知方法來進(jìn)行，例如在過氧化物等的存在下將4-甲基-1-戊烯系聚 合物和不飽和羧酸等熔融混煉即可。4-甲基-1-戊烯系聚合物，可使用前述的4-甲基-1-戊烯系聚合物。在135°C、 十氫萘中測定的、改性前的4-甲基-1-戊烯系聚合物的特性粘度[η]優(yōu)選為0. 5 25dl/ g，更優(yōu)選為0. 5 5dl/g。不飽和羧酸等的實(shí)例包括，具有羧基和不飽和基團(tuán)的、碳原子數(shù)3 20的不飽和 化合物；以及具有羧酸酐基和不飽和基團(tuán)的、碳原子數(shù)3 20的不飽和化合物。不飽和基 團(tuán)的實(shí)例包括乙烯基、乙烯撐基、以及不飽和環(huán)狀烴基。不飽和羧酸等的具體的例子包括丙烯酸、甲基丙烯酸等不飽和單羧酸；馬來酸、 富馬酸、衣康酸、檸康酸、烯丙基琥珀酸、中康酸(mesaconic acid)、戊烯二酸、納迪克酸TM、 甲基納迪克酸、四氫鄰苯二甲酸、甲基六氫鄰苯二甲酸等不飽和二羧酸；以及馬來酸酐、衣 康酸酐、檸康酸酐、烯丙基琥珀酸酐、戊烯二酸酐、納迪克酸酐TM、甲基納迪克酸酐、四氫鄰 苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐等不飽和二羧酸酐等。它們可單獨(dú)使用或組合2種以 上而使用。其中，優(yōu)選為馬來酸、馬來酸酐、納迪克酸TM、或納迪克酸酐TM，更優(yōu)選為馬來酸 酐。改性了的4-甲基-1-戊烯系聚合物(以下也稱為“改性4-甲基-1-戊烯系聚合 物”)的接枝率，優(yōu)選為20質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0. 1 5質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 5 2 質(zhì)量％。接枝率處于上述范圍的改性4-甲基-1-戊烯系聚合物，對于最外層A和基材層C 雙方具有良好的粘接性。優(yōu)選改性4-甲基-1-戊烯系聚合物實(shí)質(zhì)上不具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)。至于沒有交聯(lián)結(jié)構(gòu) 這一情況，可通過使改性4-甲基-1-戊烯系聚合物溶解于例如對二甲苯等有機(jī)溶劑，根據(jù) 凝膠狀物不存在的情況來確認(rèn)。在135°C、十氫萘中測定的、改性4-甲基-1-戊烯系聚合物的特性粘度[η ]優(yōu)選 為0. 2 10dl/g，更優(yōu)選為0. 5 5dl/g。就粘接層B而言，雖然可僅將改性4-甲基-1-戊烯系聚合物作為主成分，但是優(yōu) 選以改性4-甲基-1-戊烯系聚合物與其它的α-烯烴聚合物的混合物作為主成分。在此 情況下，就改性4-甲基-1-戊烯系聚合物而言，優(yōu)選在混合物中含有20 40質(zhì)量％。α -烯烴聚合物優(yōu)選為碳原子數(shù)2 20的α -烯烴聚合物。碳原子數(shù)2 20的 α-烯烴聚合物的實(shí)例包括乙烯、丙烯、1-丁烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十四碳烯、 1-十八碳烯等的聚合物。其中，優(yōu)選ι-丁烯系聚合物。1-丁烯系聚合物為1-丁烯的均聚物、或1-丁烯與除了 1-丁烯以外的碳原子數(shù) 2 20的α-烯烴的共聚物。除了 1-丁烯以外的碳原子數(shù)2 20的α-烯烴的實(shí)例包括 乙烯、丙烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十四碳烯、1-十八碳烯等；優(yōu)選為乙烯或丙烯。就1- 丁烯系聚合物而言，優(yōu)選包含60質(zhì)量％以上的源于1- 丁烯的重復(fù)單元，更 優(yōu)選包含80質(zhì)量％以上。這是由于，這樣的1- 丁烯系聚合物與改性4-甲基-1-戊烯系聚 合物的混合性(或相溶性)優(yōu)異。按照ASTM D1238并在載荷2. 16kg、溫度190°C條件下測定的、丁烯系聚合物的 熔體流動速率(MFR)優(yōu)選為0. 01 100g/10分鐘，更優(yōu)選為0. 1 50g/10分鐘。就MFR 處于上述范圍內(nèi)的1-丁烯系聚合物而言，與改性4-甲基-1-戊烯系聚合物的混合性(或相溶性)良好，可提高粘接層B的粘接性。粘接層B也與最外層A、基材層C同樣，除了主成分之外還可包含前述的添加劑。如前述那樣，本發(fā)明的脫模膜具有基材層C、將基材層C夾持的一對最外層A、在一 對最外層A的各層與基材層C之間所配置的一對粘接層B。也就是說，本發(fā)明的脫模膜優(yōu)選 具有相對于中心層對稱的層疊結(jié)構(gòu)。這是由于，對于具有對稱的層疊結(jié)構(gòu)的膜而言，在裝填 于模具內(nèi)而被加熱時，難以發(fā)生由熱膨脹差、吸濕等導(dǎo)致的變形(翹曲等)。另外，就脫模膜 而言，如果具有相對于中心層對稱的層疊結(jié)構(gòu)，那么根據(jù)需要也可包含除了基材層C、最外 層A和粘接層B以外的其它的層。就基材層C而言，可以為一層；也可以為二層以上的多層。基材層C為多層的情 況下，可將多個基材層直接層疊；也可在基材層和基材層之間配置有其它的層(例如粘接 層)。脫模膜的具體的層疊結(jié)構(gòu)的實(shí)例包括以下的形態(tài)。在以下的形態(tài)中，A為最外層 A ；B為粘接層B ；C為基材層C。C’為基材層C (中間層)之一 ；D為將基材層C和基材層C’ 粘接的粘接層。A/B/C/B/AA/B/C/C， /C/B/AA/B/C/D/C， /D/C/B/A其中，優(yōu)選基材層(中間層)為一層的“A/B/C/B/A”的層疊結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)?，制?容易。圖1為表示本發(fā)明的脫模膜的優(yōu)選構(gòu)成例的示意圖。如圖1所示，脫模膜10具有 基材層12、將基材層12夾持的一對最外層14、配置于基材層12和最外層14之間的一對粘 接層13?；膶?2為前述基材層C ；最外層14為前述最外層A ；粘接層13為前述粘接層 B0另外，如一對最外層A、一對粘接層B等那樣，如果將配置于相對于中心層而言對 稱的位置的一對層(由相同材質(zhì)構(gòu)成的層)的厚度設(shè)為相同，那么可相互抵消由熱膨脹率 等引起的變形量而抑制翹曲，因而優(yōu)選。脫模膜的總厚度優(yōu)選為15 100 μ m。就各層的厚度而言，調(diào)整為脫模膜的總厚度 處于前述范圍即可。具體而言，最外層A優(yōu)選為1 30 μ m，粘接層B優(yōu)選為1 20 μ m，基 材層C優(yōu)選為20 40 μ m。如前所述，就本發(fā)明的脫模膜而言，具有高彈性模量且高熔點(diǎn)的基材層C ；另一方 面，為了抑制最外層A與基材層C的層間剝離，在最外層A與基材層C之間具有粘接層B。然而，如果脫模膜的總厚度變大、特別是最外層A和粘接層B的總厚度變大，那么 在半導(dǎo)體樹脂封裝的側(cè)面易于產(chǎn)生皺折(側(cè)面皺折)，有可能產(chǎn)生外觀不良、脫模不良。艮口， 在制造半導(dǎo)體樹脂封裝時，如果脫模膜的結(jié)構(gòu)材料的壓縮屈服應(yīng)力相比于在模具腔周邊的 合模部分所產(chǎn)生的合模壓力而言低，那么容易產(chǎn)生半導(dǎo)體樹脂封裝的側(cè)面皺折。特別地，就 構(gòu)成最外層A和粘接層B的樹脂而言，由于在高溫時柔軟，壓縮屈服應(yīng)力比較低，因此容易 在半導(dǎo)體樹脂封裝產(chǎn)生側(cè)面皺折?？烧J(rèn)為半導(dǎo)體樹脂封裝的側(cè)面所產(chǎn)生的皺折(側(cè)面皺折)是基于以下那樣的機(jī)理 產(chǎn)生。即，如果在模具內(nèi)配置有脫模膜的狀態(tài)下將上下的模具合模，那么配置在半導(dǎo)體芯片 基板與模具內(nèi)表面之間的脫模膜就在合模壓力的作用下被壓破。被壓破而剩余的脫模膜部分就會以朝向模具腔內(nèi)側(cè)，即向與半導(dǎo)體樹脂封裝的側(cè)面部分對置的模具內(nèi)表面的半導(dǎo)體 芯片的基板近旁逃離這樣的方式露出。其結(jié)果，在半導(dǎo)體樹脂封裝的與剩余的脫模膜所露 出的部分對置的側(cè)面上，產(chǎn)生凹陷。該半導(dǎo)體樹脂封裝側(cè)面的凹陷，在外觀上呈現(xiàn)出皺折狀 的花紋。在將多個半導(dǎo)體芯片一起同時鑄型之后進(jìn)行單片化而獲得的封裝的情況下也會產(chǎn) 生這樣的側(cè)面皺折；例如，如QFN(四側(cè)無引腳扁平封裝(Quad FlatNon-Ieaded package)) 那樣，將(已經(jīng)單片化了的)單片狀的半導(dǎo)體芯片鑄型而獲得的封裝時，且密封狀態(tài)下的側(cè) 面部分直接構(gòu)成制品外形時，特別容易成為外觀不良。另外，就該外觀上呈現(xiàn)為皺折的凹陷 部分而言，在即將脫模(開模)之前，在模具內(nèi)剩余的脫模膜就擠進(jìn)半導(dǎo)體樹脂封裝的側(cè) 面。由此，在對半導(dǎo)體樹脂封裝進(jìn)行脫模時，剩余的脫模膜部分有時就擠進(jìn)半導(dǎo)體樹脂封裝 的側(cè)面而不脫離，從而無法剝離。為了防止該側(cè)面皺折，如后所述，有時也可通過降低合模力等調(diào)整成型條件來回 避。然而，在僅通過調(diào)整成型條件而難以防止側(cè)面皺折的情況下，優(yōu)選在不產(chǎn)生縱皺折、毛 邊和裂縫等的范圍，減小脫模膜的總厚度；特別優(yōu)選在不損害脫模性和層間粘接性的范圍， 減少最外層A和粘接層B的總厚度。最外層A和粘接層B的總厚度是指，一對最外層A和一對粘接層B的總厚度，優(yōu)選 為12 32 μ m。各最外層A的厚度為4 10 μ m，優(yōu)選各粘接層B的厚度為2 6 μ m。就本發(fā)明的脫模膜而言，優(yōu)選模具溫度下的拉伸彈性模量為60MPa以上，模具溫 度下的拉伸強(qiáng)度(拉伸率為500%時的強(qiáng)度)為5MPa以上。具體而言，優(yōu)選175°C時的拉 伸彈性模量為60MPa以上 300MPa、拉伸強(qiáng)度(相對于初期卡盤間距而言拉伸率為500% 時的強(qiáng)度)為5MPa以上。如果拉伸彈性模量和拉伸強(qiáng)度處于上述范圍，那么既可獲得模具 跟隨性，還難以產(chǎn)生模具溫度下的皺折。拉伸彈性模量和拉伸強(qiáng)度可依照以下的方法來測 定。i)拉伸強(qiáng)度作為試驗(yàn)片，從脫模膜制備以寬度15mm切出的短條片。此時，將短條的長度方向 設(shè)為與膜的卷取方向平行。在調(diào)整為與模具溫度相同溫度的帶恒溫槽的拉伸試驗(yàn)機(jī)上，按 照卡盤間距為50mm的方式夾住前述試驗(yàn)片。在拉伸速度200mm/min (固定)的條件下拉伸 試驗(yàn)片，將不斷裂且相對于初期卡盤間距(50mm)的拉伸率為500% (卡盤間距300mm)時的 應(yīng)力作為拉伸強(qiáng)度。ii)拉伸彈性模量根據(jù)由前述拉伸試驗(yàn)獲得的拉伸應(yīng)力-應(yīng)變曲線中的、初期的直線部分的傾斜 度，依照J(rèn)IS-K7113，求出拉伸彈性模量。就本發(fā)明的脫模膜而言，可通過公知方法來制造。脫模膜可通過將構(gòu)成各層的樹 脂共擠出的方法、或通過將各層的膜狀體層壓來層疊的方法等來獲得。進(jìn)一步，根據(jù)需要， 也可在脫模膜的單面或兩面形成例如基于壓花輥的縐紋布加工面那樣的細(xì)微凹凸。2.半導(dǎo)體樹脂封裝的制造方法本發(fā)明的半導(dǎo)體樹脂封裝的制造方法包含如下工序在配置于模具內(nèi)的半導(dǎo)體芯 片與模具內(nèi)表面之間配置脫模膜的第ι工序；用密封材料將半導(dǎo)體芯片密封的第2工序； 以及將密封了的半導(dǎo)體芯片從脫模膜剝離的第3工序。半導(dǎo)體芯片為，形成有半導(dǎo)體集成電路的芯片。在半導(dǎo)體樹脂封裝的制造中，半導(dǎo)體芯片通常固定于引線框、被稱為母插件板等基板而使用。就本發(fā)明中所使用的半導(dǎo)體芯 片而言，優(yōu)選為通過公知方法將公知的半導(dǎo)體芯片固定于引線框、基板的半導(dǎo)體芯片。模具是指，用于獲得所希望的半導(dǎo)體樹脂封裝的成型用的模具。模具的形狀可以 為公知的形狀，模具的材質(zhì)也可以為公知的材質(zhì)。密封材料是指，用于將半導(dǎo)體芯片密封的樹脂組合物。密封材料，雖然可以為公知 的密封材料，但是優(yōu)選為以環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂為主成分的密封材料。在第1工序中，在前述半導(dǎo)體芯片與前述模具之間配置前述脫模膜。配置的方法 沒有限定。圖2為，表示半導(dǎo)體樹脂封裝的制造工序中的第1工序的實(shí)例的圖。圖2中，10 為脫模膜，24a為膜卷出裝置，24b為膜卷取裝置，20為模具的上模，21為模具的下模，22為 腔，30為傳遞成型機(jī)的柱塞，40為半導(dǎo)體芯片，41為基板，42為配線，50為密封材料。如圖加所示，在打開的模具的上模20和下模21之間配置脫模膜10。此時，就脫 模膜10而言，在膜卷出裝置2 和膜卷取裝置Mb的作用下，被施加一定的張力。施加于脫模膜10的張力換算成拉伸應(yīng)力優(yōu)選為0. 2 2MPa。如果張力低于 0. 2MPa(拉伸應(yīng)力換算)，那么易于使脫模膜10產(chǎn)生松弛、或者在脫模膜10的寬度方向上 產(chǎn)生皺折。另一方面，如果施加于脫模膜10的張力超過2MPa (拉伸應(yīng)力換算)，那么無法順 利地將脫模膜10真空吸附于模具內(nèi)表面，模具跟隨性有時會降低。接著，從設(shè)置于上模20的腔面內(nèi)的排氣口(沒有圖示)吸引空氣，排出脫模膜10 與上模20之間的空氣。由此，脫模膜10真空吸附于上模20的分模面和腔面(圖2b)。腔 面是指構(gòu)成上模20的腔22的面。分模面是指，上模20與下模21關(guān)閉時，上模20與下模 21互相接觸的面。接著，將固定于基板41的半導(dǎo)體芯片40配置于下模21 (圖2c)，合模(圖2d)。為 了抑制前述的密封后的半導(dǎo)體樹脂封裝的側(cè)面皺折的產(chǎn)生，也可在毛邊不成為問題的范圍 內(nèi)降低合模力等調(diào)整成型條件。就模具的溫度而言，只要為可將熱固性的密封材料固化的溫度，那么就沒有特別 限定。就模具的溫度而言，在密封材料的主成分為環(huán)氧樹脂的情況下，優(yōu)選為160 200°C， 更優(yōu)選為170 180°C。從模具的分模面到腔22的最深部的深度，雖然與半導(dǎo)體芯片40的 尺寸也有關(guān)，但是為0. 2 2mm左右，優(yōu)選為0. 3 1mm。就脫模膜10而言，也可在預(yù)熱之 后，配置于圖加所示的位置。也可將密封材料50預(yù)熱。在圖2中，雖然在配置脫模膜10之后，將固定于基板41的半導(dǎo)體芯片40配置于 下模21，但是該順序也可以反過來。在第2工序中，用密封材料50來密封半導(dǎo)體芯片40。圖3為表示半導(dǎo)體樹脂封裝 的制造工序中的第2工序的實(shí)例的圖。圖3中，與圖2同樣地定義符號。如圖3所示，通過使柱塞30上升，將在來自模具的熱傳導(dǎo)的作用下變?yōu)檐浕c(diǎn)以 上而成為液狀的密封材料50注射到腔22內(nèi)。在上升柱塞30的狀態(tài)下，在規(guī)定壓力下保持 規(guī)定時間，使密封材料50固化。此時，按照在后述的密封后的半導(dǎo)體樹脂封裝61上不產(chǎn)生 成型不良(表面的轉(zhuǎn)印不良、翹曲、縮痕、空隙、毛邊)的方式，調(diào)整注射速度、保持壓力和保 持時間。優(yōu)選保持壓力為例如1 12MPa。在第3工序中，將脫模膜從密封了的半導(dǎo)體芯片剝離。圖4為表示半導(dǎo)體樹脂封 裝的制造工序中的第3工序的實(shí)例的圖。圖4中，60為密封了的半導(dǎo)體芯片，61為半導(dǎo)體樹脂封裝，62為流道。其它的符號則與圖2同樣地定義。通過將上模20和下模21打開，將脫模膜10從密封了的半導(dǎo)體芯片60脫模。就 脫模膜10而言，由于脫模性優(yōu)異，因此可容易地從密封了的半導(dǎo)體芯片60剝離。另外，就 脫模膜10而言，也可容易地從模具的上模20脫模。就密封了的半導(dǎo)體芯片60而言，通過 將流道62切掉從而成為半導(dǎo)體樹脂封裝61。在第3工序之后，為了連續(xù)地進(jìn)行以下的密封工序，可在模具內(nèi)再次配置新的脫 模膜。再次配置新的膜是指，在將密封了的半導(dǎo)體芯片60剝離回收之后，替代用完的脫模 膜10，將新的脫模膜10配置在上模20與下模21之間，制成圖加表示那樣的狀態(tài)。圖5為 表示在第3工序之后將新的脫模膜再次配置于模具內(nèi)的工序的實(shí)例的圖。圖5中的符號也 與圖2同樣地定義。例如，如圖5所示，可通過一邊由膜卷取裝置24b卷取用完的脫模膜10，一邊由膜 卷出裝置向上模20與下模21之間)卷出新的脫模膜10，從而將新的脫模膜10再次配置。本實(shí)施方式中，對于半導(dǎo)體樹脂封裝而言，雖然說明了根據(jù)傳遞成型而制造的例 子，但是也可根據(jù)壓縮成型、注射成型等來制造。例如，在根據(jù)壓縮成型而制造半導(dǎo)體樹脂 封裝的情況下，可使用本發(fā)明的脫模膜，來替代文獻(xiàn)(“特集電子部品〃 7 * — 7的成形技 術(shù)(電子部件封裝的成型技術(shù))”，成型加工，第20卷，第5號，2008年，276 287頁)中公 開的脫模膜。如此地，本發(fā)明的脫模膜10，具有相對于中心層而言對稱的層疊結(jié)構(gòu)。由此，難以 產(chǎn)生將脫模膜配置于模具內(nèi)時的、脫模膜的翹曲等變形、皺折。另外，脫模膜10的基材層 c(中間層)，如果含有高溫下的強(qiáng)度優(yōu)異的脂肪族聚酰胺作為主成分，那么還難以產(chǎn)生模 具溫度下的縱皺折。另外，通過將最外層A和粘接層B的合計厚度相對于脫模膜的總厚度的比設(shè)為一 定值以下，還可抑制半導(dǎo)體樹脂封裝的側(cè)面所產(chǎn)生的皺折(側(cè)面皺折)。進(jìn)一步，本發(fā)明的脫模膜10，由于模具跟隨性好，脫模性也好，因此即使連續(xù)地進(jìn) 行密封工序，也可使模具內(nèi)的樹脂穩(wěn)定地流動。另外，本發(fā)明的脫模膜10，可穩(wěn)定地維持對 于密封了的半導(dǎo)體芯片40的高的脫模性。因此，可獲得尺寸精度良好，且毛邊、凹陷等外 觀不良少的半導(dǎo)體樹脂封裝。實(shí)施例(1)最外層A用材料的調(diào)制通過常規(guī)方法制造4-甲基-1-戊烯與1-癸烯的共聚物。1-癸烯含量為2. 5質(zhì) 量％。以下也將該共聚物稱為“A-1”。(2)粘接層B用材料的調(diào)制改性4-甲基-1-戊烯共聚物的制造通過常規(guī)方法制備4-甲基-1-戊烯與Diarene 168(三菱化學(xué)公司制，碳原子數(shù) 16和18的α -烯烴的混合物)的共聚物(Diarene 168的含量為6. 5質(zhì)量％ )。利用亨舍爾混合機(jī)，將98. 8質(zhì)量份的前述共聚物、1質(zhì)量份的馬來酸酐、以及作為 有機(jī)過氧化物的0.2質(zhì)量份的2，5_ 二甲基-2，5-二(叔丁基過氧化)己烷混合。接著， 采用溫度280°C用雙螺桿擠出機(jī)混煉該混合物。由此，獲得由馬來酸酐接枝改性了的改性4-甲基-1-戊烯共聚物。該改性4-甲基-1-戊烯共聚物的接枝率為0. 9質(zhì)量％。粘接層B用材料的調(diào)制利用亨舍爾混合機(jī)，將前工序中獲得的25質(zhì)量份的改性4-甲基-1-戊烯共聚物、 50質(zhì)量份的4-甲基-1-戊烯與Diarene 168(三菱化學(xué)公司制，碳原子數(shù)16和18的α-烯 烴的混合物)的共聚物(Diarene 168含量6. 5質(zhì)量％ )、25質(zhì)量份的1_ 丁烯共聚物、作為 穩(wěn)定劑的0. 10質(zhì)量份的Irganox 1010(汽巴公司制)、以及0.03質(zhì)量份的硬脂酸鈣(三共 有機(jī)合成株式會社制)低速旋轉(zhuǎn)3分鐘來混合。接著，使用雙螺桿擠出機(jī)在280°C擠出該混 合物，從而獲得粘接層B用樹脂(以下也稱為“B-1”)。(3)基材層C用材料的制備作為第1脂肪族聚酰胺樹脂(也稱為“C-1”)，制備了聚酰胺6 (東麗株式會社制， 商品名 Amilan CM1041L0，熔點(diǎn) 225°C )。作為第2脂肪族聚酰胺樹脂(也稱為“C-2”)，制備了聚酰胺66 (旭化成化學(xué)株式 會社制，商品名Leona 1700S，熔點(diǎn)265°C )。作為第3脂肪族聚酰胺樹脂(也稱為“C-3”)，制備了聚酰胺66 (杜邦公司制，商 品名 Zytel 42A，熔點(diǎn) 262°C )。[實(shí)施例1]將前述的各層用材料作為原料，使用T-模(T die)成型機(jī)共擠出，從而制造出未 拉伸的寬度400mm的脫模膜。將脫模膜的結(jié)構(gòu)制成A-1/B-l/C-l/B-l/A-l的3種5層結(jié)構(gòu)， 且將各層的厚度設(shè)為15/5/25/5/15 μ m(總厚度65 μ m)。如圖2所示，在上模20與下模21之間配置了所獲得的脫模膜10。上模20和下模 21中的腔22的、距離模具分模面的最深部的深度為0.8mm。此時，按照拉伸應(yīng)力為IMI^a的 方式，通過膜卷出裝置2 和膜卷取裝置24b調(diào)整施加于脫模膜10的張力。接著，如圖2b所示，使脫模膜10真空吸附于上模20的分模面。接著，將固定于基 板41的半導(dǎo)體芯片40配置于下模21 (圖2c)，進(jìn)行合模(圖2d)。此時的模具溫度設(shè)定為 175°C。作為密封材料50，使用市售的半導(dǎo)體密封用環(huán)氧樹脂成型材料。如圖3所示，通過柱塞30注射在來自模具的熱傳導(dǎo)的作用下變?yōu)檐浕c(diǎn)以上而 成為液狀的密封材料50。接著，在壓力12MI^保持120秒，使密封材料50固化。其后，將脫 模膜10從密封了的半導(dǎo)體芯片60脫模，獲得半導(dǎo)體樹脂封裝61。通過以下方法評價所獲得的半導(dǎo)體樹脂封裝61和密封后的脫模膜10。i)脫模性通過以下的基準(zhǔn)來評價脫模膜從半導(dǎo)體樹脂封裝上的脫模性。〇脫模膜在開模的同時自然剝落Δ 脫模膜的一部分殘留于半導(dǎo)體樹脂封裝61或模具上X 脫模膜密接于密封了的半導(dǎo)體芯片或模具上ii)層間剝離通過以下基準(zhǔn)評價脫模時的脫模膜在對應(yīng)于半導(dǎo)體樹脂封裝的部分的層間剝離 的產(chǎn)生狀態(tài)。〇在最外層A與基材層C之間，沒有層間剝離Δ 在最外層A與基材層C之間，微小地存在層間剝離
X 在最外層A與基材層C之間，存在顯著的層間剝離iii)頂面皺折(縱皺折)通過目視按照以下基準(zhǔn)評價半導(dǎo)體樹脂封裝頂面的皺折的狀態(tài)。〇完全沒有X 在封裝頂面存在皺折的轉(zhuǎn)印iv)側(cè)面皺折根據(jù)以下方法評價半導(dǎo)體樹脂封裝61的側(cè)面(除了氣孔部和澆口部以外)所產(chǎn) 生的皺折的狀態(tài)。圖6為，表示半導(dǎo)體封裝61的側(cè)面皺折深度測定方法的實(shí)例的剖視圖。即，通過 切片機(jī)(dicer)切出半導(dǎo)體樹脂封裝61的垂直于頂面的剖面。由此，獲得圖6所示那樣的 半導(dǎo)體樹脂封裝61的剖面。接著，通過利用讀取顯微鏡來觀察，在獲得的剖面中確定出在 設(shè)想沒有側(cè)面皺折的情況下的半導(dǎo)體樹脂封裝的側(cè)面(假想側(cè)面)與基板41相交的基準(zhǔn) 位置(線)。然后測定半導(dǎo)體樹脂封裝的側(cè)面的凹陷部分的、距離基準(zhǔn)位置(線)的、與 基板41面平行的方向的深度d。根據(jù)如此而測定的側(cè)面皺折的深度值，如以下那樣規(guī)定側(cè) 面皺折的程度。◎側(cè)面皺折的深度不足100 μ m〇側(cè)面皺折的深度為100 μ m以上且不足200 μ mΔ 側(cè)面皺折的深度為200 μ m以上且不足300 μ mX 側(cè)面皺折的深度為300 μ m以上如果側(cè)面皺折的深度大，那么不僅半導(dǎo)體樹脂封裝61的外觀不良容易引人注目， 而且在脫模時，半導(dǎo)體樹脂封裝61不會順利地從脫模膜10剝落，容易產(chǎn)生脫模不良。由此， 側(cè)面皺折的深度為越小越好。V)翅曲通過以下的基準(zhǔn)來評價脫模膜的翹曲狀態(tài)。〇完全沒有Δ 微小地翹曲在實(shí)用上沒有問題X 翹曲較大而無法使用vi)裂縫關(guān)于使用后的脫模膜10的針孔的產(chǎn)生狀態(tài)和模具腔內(nèi)壁的樹脂附著狀態(tài)，根據(jù) 目視觀察，通過以下的基準(zhǔn)來評價。〇沒有針孔狀的裂縫Δ 雖然略微具有針孔狀的裂縫，但是所泄漏的密封樹脂沒有附著于模具[實(shí)施例2]除了將各層的厚度設(shè)為10/5/15/5/10 μ m(總厚度45 μ m)以外，與實(shí)施例1同樣 地操作，制備脫模膜10。使用該脫模膜10并與實(shí)施例1同樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝 61，并進(jìn)行評價。[實(shí)施例3]除了將各層的厚度設(shè)為ΙΟ/δΛΟ/δ/ΙΟμπΚ總厚度50μπι)以外，與實(shí)施例1同樣 地操作，制備脫模膜10。使用該脫模膜10并與實(shí)施例1同樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝61，并進(jìn)行評價。[實(shí)施例4]除了將各層的厚度設(shè)為10/344/3/1(^ m(總厚度50 μ m)以外，與實(shí)施例11同樣 地操作，制備脫模膜10。使用該脫模膜10并與實(shí)施例1同樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝 61，并進(jìn)行評價。[實(shí)施例5]除了將基材層C的材料替換為C-2以外，與實(shí)施例1同樣地操作，制備脫模膜10。 使用該脫模膜10并與實(shí)施例1同樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝61，并進(jìn)行評價。[實(shí)施例6]除了將基材層C的材料設(shè)為C-2以外，與實(shí)施例2同樣地操作，制備脫模膜10。使 用該脫模膜10并與實(shí)施例1同樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝61，并進(jìn)行評價。[實(shí)施例7]除了將基材層C的材料設(shè)為C-2以外，與實(shí)施例3同樣地操作，制備脫模膜10。使 用該脫模膜10并與實(shí)施例1同樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝61，并進(jìn)行評價。[實(shí)施例8]除了將基材層C的材料設(shè)為C-2以外，與實(shí)施例4同樣地操作，制備脫模膜10。使 用該脫模膜10并與實(shí)施例1同樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝61，并進(jìn)行評價。[實(shí)施例9]除了將基材層C的材料C-I設(shè)為C-2，且將各層的厚度設(shè)為6/3/32/3/6 μ m(總厚 度50 μ m)以外，與實(shí)施例1同樣地操作，制備脫模膜10。使用該脫模膜10并與實(shí)施例1同 樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝61，并進(jìn)行評價。[實(shí)施例10]除了將基材層C的材料設(shè)為C-3以外，與實(shí)施例3同樣地操作，制備脫模膜10。使 用該脫模膜10并與實(shí)施例1同樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝61，并進(jìn)行評價。[實(shí)施例11]除了將基材層C的材料設(shè)為C-3以外，與實(shí)施例4同樣地操作，制備脫模膜10。使 用該脫模膜10并與實(shí)施例1同樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝61，并進(jìn)行評價。[實(shí)施例12]除了將基材層C的材料設(shè)為C-3以外，與實(shí)施例9同樣地操作，制備脫模膜10。使 用該脫模膜10并與實(shí)施例1同樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝61，并進(jìn)行評價。[比較例1]將脫模膜的結(jié)構(gòu)設(shè)為A-1/C-1/A-1的2種3層結(jié)構(gòu)，制成不含粘接層B的結(jié)構(gòu)，且 各層的厚度為25/15/25 μ m(總厚度65 μ m)，除此以外，與實(shí)施例1同樣地操作，獲得未拉伸 的寬度400mm的脫模膜。使用該脫模膜并與實(shí)施例1同樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝，并 進(jìn)行評價。[比較例2]除了將各層的厚度設(shè)為15/15/15 μ m(總厚度45 μ m)以外，與比較例1同樣地操 作，獲得脫模膜10。使用該脫模膜并與實(shí)施例1同樣地操作，制造半導(dǎo)體樹脂封裝，并進(jìn)行 評價。
[比較例3]將脫模膜的結(jié)構(gòu)設(shè)為A-1/B-1/C-2的3種3層結(jié)構(gòu)，制成相對于中心層而言非對 稱的層疊結(jié)構(gòu)，且將各層的厚度設(shè)為20/5/25 μ m(總厚度50 μ m)，除此以外，與實(shí)施例1同 樣地操作，獲得未拉伸的寬度400mm的脫模膜。使用該脫模膜并與實(shí)施例1同樣地操作，制 造半導(dǎo)體樹脂封裝，并進(jìn)行評價。將這些結(jié)果總結(jié)于表1。[表 1]
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體樹脂封裝制造用模具脫模膜，其具有一層以上的基材層C，將所述基材層C 夾持、含有4-甲基-1-戊烯系聚合物作為主成分的一對最外層A，將所述基材層C和所述最 外層A粘接的一對粘接層B。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模具脫模膜，所述基材層C包含聚酰胺樹脂，所述粘接層B包含由不飽和羧酸和/或不飽和羧酸的酸酐將4-甲基-1-戊烯系聚合 物改性而得到的改性4-甲基-1-戊烯系聚合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的模具脫模膜，所述粘接層B包含由馬來酸酐將4-甲基-1-戊烯系聚合物接枝改性而得到的改性 4-甲基-1-戊烯系聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的模具脫模膜，所述聚酰胺樹脂為聚酰胺6或聚酰胺66。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模具脫模膜，所述基材層C為一層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模具脫模膜，所述一對最外層A和所述一對粘接層B的合計 厚度為32 μ m以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模具脫模膜，所述脫模膜的層疊結(jié)構(gòu)相對于所述基材層C而 言為對稱。
8.半導(dǎo)體樹脂封裝的制造方法，包含如下工序在模具內(nèi)配置半導(dǎo)體芯片的工序，在所述半導(dǎo)體芯片與所述模具內(nèi)表面之間配置權(quán)利要求1所述的模具脫模膜的工序，通過在所述模具內(nèi)注入密封材料，從而獲得密封了的半導(dǎo)體芯片的工序，以及將所述密封了的半導(dǎo)體芯片從所述脫模膜剝離的工序。
9.在半導(dǎo)體樹脂封裝的制造工序中使用的權(quán)利要求1所述的模具脫模膜，所述半導(dǎo)體 樹脂封裝的制造工序包括如下工序在所述模具內(nèi)配置半導(dǎo)體芯片的工序，在所述半導(dǎo)體芯片與所述模具內(nèi)表面之間配置所述模具脫模膜的工序，通過在所述模具內(nèi)注入密封材料，從而獲得密封了的半導(dǎo)體芯片的工序，將所述密封了的半導(dǎo)體芯片從所述脫模膜剝離的工序。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供與半導(dǎo)體樹脂封裝的脫模性優(yōu)異，且難以產(chǎn)生翹曲、皺折等的脫模膜；通過使用該脫模膜而獲得尺寸精度好的半導(dǎo)體樹脂封裝的方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體樹脂封裝制造用模具脫模膜具有一層以上的基材層C，將前述基材層C夾持、含有4-甲基-1-戊烯系聚合物作為主成分的一對最外層A，將前述基材層C和前述最外層A粘接的一對粘接層B。
文檔編號H01L21/56GK102132391SQ20098013316
公開日2011年7月20日 申請日期2009年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月28日
發(fā)明者乘富勝美, 又吉智也, 真田隆幸 申請人:三井化學(xué)株式會社