半導體裝置封裝件的制作方法
【技術領域】
[0001]本申請的方面通常涉及用于半導體裝置的封裝件，例如用來將半導體片芯(die)連接到相關聯(lián)的電路的系統(tǒng)和方法。
【背景技術】
[0002]傳統(tǒng)的半導體封裝件將半導體片芯連接到母板或其他相關聯(lián)的電路，并為裝置提供熱保護和環(huán)境保護。傳統(tǒng)的半導體封裝件的示例包括包含引線框架的封裝件，半導體片芯在被用模制化合物(mold compound)過模制之前親接到所述引線框架。然后，延伸出模制材料的引線框架的引線被用作到封裝件內(nèi)的片芯的電連接。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]包括橫向裝置的半導體封裝件的實現(xiàn)方式可以包括橫向半導體裝置、單層夾持件和引線框架，所述橫向半導體裝置包括以散布和叉指之一型布置的源極和漏極區(qū)域，以及一個或多個柵極區(qū)域。所述單層夾持件可以被耦接到所述以散布和叉指之一型布置的源極和漏極區(qū)域以及所述一個或多個柵極區(qū)域，以及耦接到所述引線框架。所述單層夾持件可以被配置用于再分布和隔離在所述半導體裝置封裝件的操作期間進出所述橫向半導體裝置的源極、漏極和柵極信號。
[0004]半導體裝置封裝件的實現(xiàn)方式可以包括下面中的一個、全部或任意:
[0005]還可以包括模制化合物，所述模制化合物包圍所述橫向半導體裝置、所述單層夾持件的大部分以及引線框架的面對所述橫向半導體裝置的一側。
[0006]所述橫向半導體裝置還可以包括被耦接到所述源極和漏極區(qū)域以及所述一個或多個柵極區(qū)域的多個源極焊盤(pad)和多個漏極焊盤，其中所述多個源極焊盤和所述多個漏極焊盤被布置為彼此散布排列和彼此叉指型排列中的一個。所述裝置還可以包括被耦接到所述多個源極焊盤的多個源極軌，其中所述多個源極軌包括多個源極獨立(standoff)接觸。所述裝置還可以包括被耦接到所述多個漏極焊盤的多個漏極軌，其中所述多個漏極軌包括多個漏極獨立接觸。所述裝置還可以包括至少一個柵極焊盤，其中所述至少一個柵極焊盤被耦接到一個或多個柵極獨立接觸。
[0007]所述半導體封裝件還可以包括:其中所述單層夾持件包括至少一個源極指、至少一個漏極指、以及至少一個柵極指，其中所述至少一個源極指、所述至少一個漏極指、以及所述至少一個柵極指每一分別與所述多個源極獨立接觸、所述多個漏極獨立接觸、以及所述一個或多個柵極獨立接觸耦接。
[0008]其中所述多個源極獨立接觸中的每個被布置成沿著所述至少一個源極指的長度的交錯圖案；所述多個漏極獨立接觸中的每個被布置成沿著所述至少一個漏極指的長度的交錯圖案；并且所述一個或多個柵極獨立接觸中的每個被布置成沿著所述至少一個柵極指的長度的交錯圖案。
[0009]所述多個源極獨立接觸、所述多個漏極獨立接觸、以及所述一個或多個柵極獨立接觸被配置為在所述半導體封裝件的制備期間使用的回流工藝期間與所述單層夾持件自對準。
[0010]所述引線框架可以包括至少一個源極部分、至少一個漏極部分、以及至少一個柵極部分。所述至少一個源極部分、所述至少一個漏極部分、以及所述至少一個柵極部分每一可以分別包括源極夾持件接觸、漏極夾持件接觸、以及柵極夾持件接觸。
[0011]所述源極夾持件接觸、漏極夾持件接觸、以及柵極夾持件接觸可以從平行于所述單層夾持件取向的所述引線框架的平面延伸。所述引線框架可以在所述源極夾持件接觸、所述漏極夾持件接觸、以及所述柵極夾持件接觸處耦接到所述單層夾持件。
[0012]所述引線框架的所述至少一個源極部分、所述至少一個漏極部分、以及所述至少一個柵極部分彼此物理地分離。
[0013]半導體裝置封裝件的實現(xiàn)方式可以包括包含多個源極焊盤和多個漏極焊盤的橫向半導體裝置，其中所述多個源極焊盤和所述多個漏極焊盤被布置為彼此散布排列和彼此叉指型排列中的一個。所述封裝件還可以包括被耦接到所述多個源極焊盤的多個源極軌，其中所述多個源極軌包括多個源極獨立接觸。所述封裝件還可以包括被耦接到所述多個漏極焊盤的多個漏極軌，其中所述多個漏極軌包括多個漏極獨立接觸。所述封裝件還可以包括至少一個柵極焊盤，其中所述至少一個柵極焊盤被耦接到一個或多個柵極獨立接觸。所述封裝件還可以包括單層夾持件，所述單層夾持件包括至少一個源極指、至少一個漏極指、以及至少一個柵極指，其中所述至少一個源極指、所述至少一個漏極指、以及所述至少一個柵極指分別與所述多個源極獨立接觸、所述多個漏極獨立接觸以及所述一個或多個柵極獨立接觸耦接。所述封裝件還可以包括引線框架，所述引線框架包含至少一個源極部分、至少一個漏極部分、以及至少一個柵極部分，其中所述至少一個源極部分、所述至少一個漏極部分、以及所述至少一個柵極部分分別包括源極夾持件接觸、漏極夾持件接觸、以及柵極夾持件接觸。所述源極夾持件接觸、漏極夾持件接觸、以及柵極夾持件接觸可以從平行于所述單層夾持件取向的所述引線框架的平面延伸。所述引線框架可以在所述源極夾持件接觸、所述漏極夾持件接觸、以及所述柵極夾持件接觸處被耦接到所述單層夾持件。
[0014]半導體裝置封裝件的實現(xiàn)方式可以包括下面中的一個、全部或任意:
[0015]還可以包括模制化合物，所述模制化合物包圍所述橫向半導體裝置、所述單層夾持件的大部分、以及引線框架的面對所述橫向半導體裝置的一側。
[0016]其中所述多個源極獨立接觸中的每個被布置成沿著所述至少一個源極指的長度的交錯圖案；所述多個漏極獨立接觸中的每個被布置成沿著所述至少一個漏極指的長度的交錯圖案；并且所述一個或多個柵極獨立接觸中的每個被布置成沿著所述至少一個柵極指的長度的交錯圖案。
[0017]所述引線框架的所述至少一個源極部分、所述至少一個漏極部分、以及所述至少一個柵極部分彼此物理地分離。
[0018]所述單層夾持件可以被配置用于當其在所述半導體封裝件的制備期間被耦接到所述橫向半導體裝置時連接來自所述橫向半導體裝置的多個信號類型。所述單層夾持件還可以被配置用于在所述半導體封裝件的單切后將那些多個信號類型隔離。
[0019]所述多個源極獨立接觸、所述多個漏極獨立接觸、以及所述一個或多個柵極獨立接觸被配置用于在所述半導體封裝件的制備期間使用的回流工藝期間與所述單層夾持件自對準。
[0020]從下面的說明和附圖以及從權利要求書中，前述的以及其它的方面、特征和優(yōu)點對本領域一般技術人員來說將會變得明了。
【附圖說明】
[0021]以下將結合附圖描述實現(xiàn)方式，其中，相同的附圖標記表示相同的元件，并且:
[0022]圖1是示出源極軌、源極焊盤和漏極焊盤的橫向半導體裝置的截面圖；
[0023]圖2是示出漏極軌、漏極焊盤和源極焊盤的橫向半導體裝置的截面圖；
[0024]圖3是以叉指型排列布置的多個源極軌和漏極軌的頂視圖；
[0025]圖4是以叉指型排列布置的多個源極軌和漏極軌的透視圖，其示出了多個源極獨立接觸和多個漏極獨立接觸以及柵極焊盤和柵極獨立接觸；
[0026]圖5是具有每個都彼此物理分離的兩個柵極部分、源極部分和漏極部分的引線框架的透視圖；
[0027]圖6是其上具有單層夾持件的圖5的引線框架的透視圖；
[0028]圖7是在單層夾持件的單切之后的引線框架之上耦接的單層夾持件的頂視圖；
[0029]圖8是其上耦接有橫向半導體裝置的圖6的引線框架和單層夾持件的透視圖，示出了耦接到單層夾持件的相應的指的多個源極獨立接觸、多個漏極獨立接觸和兩個柵極獨立接觸；
[0030]圖9是在用模制化合物模制之后的圖8的引線框架的透視圖；
[0031]圖10是在單層夾持件的單切以形成半導體封裝件后的圖9的引線框架的透視圖，其中模制化合物被去除。
【具體實施方式】
[0032]本公開(其諸方面和實現(xiàn)方式)不限于此處公開的具體組件、裝配程序或方法元素。適用于來自本公開的特定的實現(xiàn)方式的、本領域中已知的與用于半導體封裝件的意圖一致的許多附加的組件、