處理。因此，真空區(qū)9還沒有準(zhǔn)備好接收電子元件2。于是，傳送裝置11將電子元件2b傳送到緩沖區(qū)12，好讓電子元件2b在該緩沖區(qū)12待至真空區(qū)9準(zhǔn)備好接收它。
[0027]緩沖區(qū)12是一垂直棧式存儲器12a，垂直棧式存儲器12a用于以垂直堆棧的方式堆疊多個(gè)電子元件2，如圖4所示。傳送裝置11將電子元件2b傳送到垂直堆棧的第一級。如果相繼的電子元件2n從吹風(fēng)區(qū)8出來也需要等待，傳送裝置11就會將這些電子元件2n運(yùn)輸?shù)骄彌_區(qū)12的垂直棧式存儲器中。然后電子元件2b就被提升至垂直堆棧的更高級別，因?yàn)橄嗬^的電子元件2n被堆疊到電子元件2b之下。當(dāng)電子元件2a離開真空區(qū)9時(shí)，真空區(qū)9準(zhǔn)備好接收另一個(gè)電子元件。在緩沖區(qū)12中，在垂直堆棧下方的傳送裝置13將在垂直堆棧第一級的電子元件2送到真空區(qū)9?；蛘?，傳送裝置13可以將在第一級的電子元件2送到另一傳送裝置上，之后再將該電子元件2運(yùn)輸?shù)秸婵諈^(qū)。圖4示出了在電子元件2b被提升至垂直棧式存儲器12a的最高級別后，相繼的電子元件2n被堆疊在電子元件2b的下面的布置。在吹風(fēng)區(qū)8中用虛線示出的電子元件2b示出了在電子元件2b通過傳送裝置11傳送到緩沖區(qū)12之前電子元件2b的位置。
[0028]如圖5所示，在另一個(gè)實(shí)施例中，傳送裝置14是由一個(gè)或多個(gè)緩沖區(qū)10形成的，該傳送裝置14的長度能容納排成一列的多個(gè)電子元件2。該電子元件2堆積成一列，直到下一個(gè)處理區(qū)3準(zhǔn)備好接收下一個(gè)電子元件。
[0029]該清潔設(shè)備I可以具有一個(gè)或多個(gè)緩沖區(qū)10。這些緩沖區(qū)10中的一個(gè)或多個(gè)可以是與前述緩沖區(qū)12相似的垂直棧式存儲器的形式，或者可以是前述傳送裝置14的形式。該清潔設(shè)備的實(shí)施例還可以具有多個(gè)垂直棧式存儲器12或多個(gè)傳送裝置14或二者的組八口 ο
[0030]此外，清潔設(shè)備I可以包括多個(gè)相同類型且彼此并行操作的處理區(qū)。例如，如圖6所示，如果該等離子區(qū)7比前一個(gè)真空區(qū)9具有更長的處理時(shí)間，則該清潔設(shè)備可以具有多個(gè)等離子區(qū)7和多個(gè)相應(yīng)的傳送裝置15。由于相繼的電子元件2要通過真空區(qū)9處理，電子元件2就由不同的分支傳送裝置16輸送到不同的等離子區(qū)7。轉(zhuǎn)移傳送裝置17選擇性的將電子元件2送到適當(dāng)?shù)姆种魉脱b置16。該清潔設(shè)備I可以具有足夠數(shù)量的等離子區(qū)7以使得任一電子元件2都不需要等待，S卩，有足夠數(shù)量的等離子區(qū)，這樣，首先開始處理的等離子區(qū)將會在最后的等離子區(qū)開始處理之前或者同時(shí)準(zhǔn)備好。在另一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)分支傳送裝置16可以充當(dāng)如上所述的緩沖區(qū)10，具體地說，就是以類似于上述傳送裝置14般充當(dāng)緩沖區(qū)。
[0031]該清潔設(shè)備可以包括一個(gè)或多個(gè)在上述各方面中描述的吹風(fēng)區(qū)8，真空區(qū)9和等離子區(qū)7，但是不是必須的。
[0032]本發(fā)明的這個(gè)方面就是優(yōu)點(diǎn)所在:一個(gè)處理區(qū)的工序不需要停下來去等待下一個(gè)處理區(qū)的工序的完成。這大大提高了效率，吞吐量和產(chǎn)量。
[0033]本發(fā)明的另一個(gè)方面還提供了，又一用于清潔電子元件的清潔工藝。該清潔工藝的實(shí)施例可以從前面的描述理解。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，該清潔工藝包括多個(gè)獨(dú)立控操的傳送裝置4，以將電子元件2順序送到每一個(gè)處理區(qū)3中，以使電子元件2順序通過串連的處理區(qū)進(jìn)行處理；該電子元件2在每一個(gè)處理區(qū)經(jīng)各自的處理時(shí)間進(jìn)行處理，其中至少一個(gè)處理時(shí)間不同于其他的處理時(shí)間。該處理過程的進(jìn)一步的特征和其他實(shí)施例可以根據(jù)前面的描述理解。
[0034]盡管本發(fā)明已經(jīng)結(jié)合具體例子進(jìn)行描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明可以體現(xiàn)于許多其他的形式。在不脫離本發(fā)明的精神和本質(zhì)的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以做出各種變體和修改，這些變體和修改也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以理解，所描述的各種實(shí)施例的特征可以結(jié)合到其他實(shí)施例中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于清潔電子元件的清潔設(shè)備，所述清潔設(shè)備包括: 多個(gè)處理區(qū)，所述電子元件在每一處理區(qū)經(jīng)過各自的處理時(shí)間之處理，其中所述之各自的處理時(shí)間至少一個(gè)不同于其它的處理時(shí)間；和 多個(gè)單獨(dú)操控的傳送裝置，所述傳送裝置用于將所述電子元件相繼傳送到每一個(gè)處理區(qū)，以使所述電子元件順序通過每個(gè)處理區(qū)依次進(jìn)行處理。2.如權(quán)利要求1所述的清潔設(shè)備，其包括一個(gè)或多個(gè)緩沖區(qū)及一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)操控的傳送裝置，所述傳送裝置用于傳送所述電子元件到所述緩沖區(qū)，好讓電子元件離開所述處理區(qū)以等待至下一個(gè)處理區(qū)準(zhǔn)備好接收該電子元件。3.如權(quán)利要求2所述的清潔設(shè)備，其特征在于，至少一個(gè)緩沖區(qū)是垂直棧式存儲器的形式，所述垂直棧式存儲器用于以垂直堆棧的方式堆疊多個(gè)所述電子元件。4.如權(quán)利要求2所述的清潔設(shè)備，其特征在于，至少一個(gè)緩沖器區(qū)是由一個(gè)傳送裝置而成，所述傳送裝置的長度能容納隊(duì)列形式的多個(gè)所述電子元件。5.如權(quán)利要求1所述的清潔設(shè)備，其特征在于，在一個(gè)處理區(qū)中，在大氣壓力下對所述電子元件施加等離子。6.如權(quán)利要求5所述的清潔設(shè)備，其特征在于，在于大氣壓力下對電子元件施下等離子的處理區(qū)，還對電子元件應(yīng)用去離子水。7.如權(quán)利要求1所述的清潔設(shè)備，其特征在于，在一個(gè)處理區(qū)中，吹送氣體到所述電子元件上以移除所述電子元件上的污染物。8.如權(quán)利要求1所述的清潔設(shè)備，其特征在于，在一個(gè)處理區(qū)中，對所述電子元件進(jìn)行真空處理以去除電子元件上的污染物。9.如權(quán)利要求1所述的清潔設(shè)備，其特征在于，所述處理區(qū)之一是對所述電子元件吹送氣體的吹風(fēng)區(qū)，另一個(gè)處理區(qū)是對所述電子元件進(jìn)行真空處理的真空區(qū)，又一個(gè)處理區(qū)是在大氣壓力下對電子元件施加等離子的等離子區(qū)，所述吹風(fēng)區(qū)在所述真空區(qū)之前，且所述真空區(qū)在所述等離子區(qū)之前。10.一種用于清潔電子元件的清潔工藝，所述清潔工藝包括: 多個(gè)單獨(dú)操控的傳送裝置以將所述電子元件相繼的傳送到每一個(gè)處理區(qū)，以使所述電子元件通過所述處理區(qū)順序進(jìn)行處理；和 在每一個(gè)處理區(qū)通過各自的處理時(shí)間處理所述電子元件，其中至少一個(gè)所述的各自的處理時(shí)間不同于其它的處理時(shí)間。
【專利摘要】一種用于清潔電子元件（例如照相機(jī)模塊或者電子基板）的清潔設(shè)備。該清潔設(shè)備具有多個(gè)處理區(qū)，和一個(gè)或多個(gè)傳送裝置，該傳送裝置用于將電子元件相繼的傳送到每一個(gè)處理區(qū)，使得所述電子元件順序在串連的處理區(qū)進(jìn)行處理。在一個(gè)方面，在一個(gè)處理區(qū)中，在大氣壓力下，對所述電子元件采用等離子處理。另一方面，還包括多個(gè)分離控制的傳送裝置，其中，該電子元件在每一個(gè)處理區(qū)經(jīng)過各自的處理時(shí)間進(jìn)行處理，其中至少一個(gè)處理時(shí)間不同于其他的處理時(shí)間。
【IPC分類】B08B7/00, B08B5/02, B08B7/04
【公開號】CN104907288
【申請?zhí)枴緾N201410093758
【發(fā)明人】樸健禹
【申請人】東莞高偉光學(xué)電子有限公司
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2014年3月13日