片式整流元件及其生產(chǎn)工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種片式整流元件及其生產(chǎn)工藝，屬于表面片式元件技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]橋式整流電路常用于整流電路領(lǐng)域，其基本工作原理是利用二極管實(shí)現(xiàn)電流將周期性反向的交流電轉(zhuǎn)換為同一方向的直流電，該過程被稱為整流。在另一方面，現(xiàn)有的橋式整流電路一般集成在某種產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)。
[0003]目前現(xiàn)有的整流元件通常設(shè)有金屬導(dǎo)線架，而從導(dǎo)線架中引出鋁導(dǎo)線作為元件引腳，，其缺點(diǎn)如下:體積較大、厚度較厚，在現(xiàn)代社會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品的體積要求越來越小的情況下，現(xiàn)有的整流元件已不太適應(yīng)現(xiàn)代電子集成的小體積要求;這類元件內(nèi)部的線路的復(fù)雜程度與生產(chǎn)難易程度形成矛盾，不能實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的電路圖形;再者，對(duì)于不同系列的產(chǎn)品，橋式整流電路需要通過現(xiàn)有的相同的橋式整流電路來重復(fù)設(shè)計(jì)，目前沒有獨(dú)立的通用的橋式整流電路模塊，增大了設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
[0004]有鑒于此，有必要對(duì)現(xiàn)有的整流元件進(jìn)行改進(jìn)以解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為至少解決上述技術(shù)問題之一，本發(fā)明的目的在于提供一種體積小、厚度薄、成本低的片式整流元件及其生產(chǎn)工藝，還可實(shí)現(xiàn)不需要重復(fù)設(shè)計(jì)橋式整流電路和布局，縮短設(shè)計(jì)周期。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的之一，本發(fā)明一實(shí)施方式提供了一種片式整流元件，所述整流元件包括，
殼體模塊，包括上下依次層疊設(shè)置的上層絕緣封裝體、中層絕緣封裝體及基板，所述中層絕緣封裝體包括四個(gè)第一通孔，每個(gè)所述第一通孔貫通所述中層絕緣封裝體的上下表面；
嵌設(shè)于所述殼體模塊內(nèi)的電路模塊，包括，
芯片模組，包括設(shè)置于所述基板與所述中層絕緣封裝體之間的四個(gè)片狀二極管芯片，所述芯片包括位于其上端面的上表面電極；
導(dǎo)線模組，與所述芯片模組電性連接成橋式整流電路，所述導(dǎo)線模組包括第二導(dǎo)線、第三導(dǎo)線、及設(shè)置于所述上層絕緣封裝體與所述中層絕緣封裝體之間的四個(gè)第二電極，所述第二導(dǎo)線設(shè)置于所述第一通孔內(nèi)并使所述上表面電極與所述第二電極電性連接，所述第三導(dǎo)線設(shè)置于所述上層絕緣封裝體與所述中層絕緣封裝體之間并電性連接所述第二電極。
[0007]作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述芯片包括位于其下端面的下表面電極，所述導(dǎo)線模組還包括成型于所述基板上表面的四個(gè)第一電極，四個(gè)所述第一電極與四個(gè)所述芯片分別對(duì)應(yīng)且電性連接于對(duì)應(yīng)的所述下表面電極。
[0008]作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，在豎直方向上，任意相對(duì)應(yīng)的所述第一電極、所述第二電極和所述芯片的至少部分重疊設(shè)置。
[0009]作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述導(dǎo)線模組還包括成型于所述基板上表面的第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線按所述橋式整流電路電性連接所述第一電極。
[0010]作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述殼體模塊包括設(shè)置于其側(cè)壁處且向內(nèi)凹陷的四個(gè)第二凹槽，所述第二凹槽沿豎直方向延伸并至少貫通所述中層絕緣封裝體上表面與所述基板下表面，所述導(dǎo)線模組包括設(shè)置于所述第二凹槽內(nèi)的第四導(dǎo)線，所述第三導(dǎo)線、所述第一導(dǎo)線分別于所述第二凹槽處電性連接所述第四導(dǎo)線。
[0011]作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二電極和所述第三導(dǎo)線設(shè)置為通過刻蝕工藝成型于所述中層絕緣封裝體上表面的導(dǎo)電金屬箔。
[0012]作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述導(dǎo)線模組還包括四個(gè)引出電極，所述引出電極設(shè)置為片狀且貼附于所述基板的下表面。
[0013]作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述中層絕緣封裝體包括位于其下表面的第一凹槽，所述芯片容置于所述第一凹槽內(nèi)以使所述中層絕緣封裝體包覆于所述芯片的外側(cè)及上方。
[0014]作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，每個(gè)所述第一通孔包括簇排設(shè)置的多個(gè)通孔單元，每個(gè)所述通孔單元里分別設(shè)置有所述第二導(dǎo)線。
[0015]為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的之一，本發(fā)明一實(shí)施方式還提供了一種如上所述片式整流元件的生產(chǎn)工藝，所述生產(chǎn)工藝包括步驟:
按照橋式整流電路，于基板下表面、上表面分別印刷形成引出電極、第一電極和與所述第一電極電連接的第一導(dǎo)線；
將片狀二極管芯片的下表面電極分別焊連至所述第一電極上；
在所述基板與架固于所述芯片上方的導(dǎo)電金屬箔之間注塑形成中層絕緣封裝體；
采用蝕刻工藝將所述導(dǎo)電金屬箔形成與所述芯片相對(duì)應(yīng)的第二電極及第三導(dǎo)線；
于所述第二電極位置處形成貫通所述中層絕緣封裝體的第一通孔，并于所述第一通孔內(nèi)設(shè)置第二導(dǎo)線以使所述芯片上表面電極與所述第二電極電性連接；
采用注塑工藝于所述中層絕緣封裝體上形成上層絕緣封裝體；
至少于所述中層絕緣封裝體及所述基板上形成沿豎直方向延伸的第二凹槽，使所述第一導(dǎo)線、所述第三導(dǎo)線和所述引出電極暴露于所述第二凹槽處，并于所述第二凹槽內(nèi)設(shè)置第四導(dǎo)線，所述第四導(dǎo)線電性連接所述第一導(dǎo)線、所述第三導(dǎo)線和所述引出電極；
切割以形成所述片式整流元件。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益技術(shù)效果:通過設(shè)置基板以及上層導(dǎo)線代替?zhèn)鹘y(tǒng)導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，使片式整流橋元件體積縮小，滿足現(xiàn)有電子器件體積越來越小的要求；通過上層導(dǎo)線使元件內(nèi)部能實(shí)現(xiàn)擁有更復(fù)雜的電路圖形，解決了電路圖形與生產(chǎn)難度的矛盾，以便模塊能在不增加原有外形尺寸的前提下?lián)碛懈鼜?fù)雜的電路圖形，也就是說此結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步促進(jìn)電子產(chǎn)品的輕薄化。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明一實(shí)施方式的片式整流元件的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是本發(fā)明一實(shí)施方式的片式整流元件的分解俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3是本發(fā)明一實(shí)施方式的片式整流元件的分解仰視結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是本發(fā)明一實(shí)施方式的片式整流元件的分層剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5是本發(fā)明另一實(shí)施方式的片式整流元件的生產(chǎn)工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下將結(jié)合附圖所示的【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實(shí)施方式并不限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0019]需要理解的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，在本發(fā)明的描述中，術(shù)語“中心”、“縱向，，、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。
[0020]下面參考附圖來描述根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的片式整流元件。
[0021]參看圖1至圖4，本發(fā)明一實(shí)施方式的片式整流元件100，包括殼體模塊和電路模塊。
[0022]所述殼體模塊設(shè)置為絕緣材料并用于支撐和保護(hù)所述電路模塊。具體的，所述殼體模塊包括上下依次層疊設(shè)置的上層絕緣封裝體U、中層絕緣封裝體12及基板13，所述上層絕緣封裝體11、中層絕緣封裝體12及基板13均采用絕緣材質(zhì)。
[0023]所述基板13包括相對(duì)設(shè)置的基板下表面132和基板上表面131，所述基板13可作為支撐體以在其表面布設(shè)電路圖案。
[0024]所述電路模塊嵌設(shè)于所述殼體模塊內(nèi)，包括芯片模組21和導(dǎo)線模組，所述芯片模組21和所述導(dǎo)線模組電性連接并形成橋式整流電路。
[0025]具體的，所述芯片模組21設(shè)置于所述基板13與所述中層絕緣封裝體