專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝工藝，特別涉及一種倒裝芯片封裝中導(dǎo)電結(jié)構(gòu) (conductive feature)的構(gòu)造與制造方法。
背景技術(shù)：
倒裝芯片(flip chip)在半導(dǎo)體元件的封裝領(lǐng)域?yàn)橐幌喈?dāng)關(guān)鍵的技術(shù)。一個(gè)倒裝芯片微電子組件包括將翻轉(zhuǎn)的電子元件直接在如電路板等基板上形成電性連接，以焊錫凸塊(solder bump)作為內(nèi)連線(xiàn)(interconnect)。倒裝芯片技術(shù)的應(yīng)用蓬勃發(fā)展歸因于這項(xiàng)技術(shù)與其他封裝技術(shù)相比，在占用面積、元件效能以及可撓性(flexibility)的應(yīng)用上皆具優(yōu)勢(shì)。然而，標(biāo)準(zhǔn)焊錫凸塊工藝仍存在一些缺點(diǎn)。例如聚酰亞胺的剝離(polyimide peeling)現(xiàn)象。污染物及水份可能因此穿透至裸片。此現(xiàn)象將導(dǎo)致組件的良率下降。因此，有必要提出一種改良的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(conductive feature)與其制造方法，使該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)擁有強(qiáng)健的電性效能。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。一第一保護(hù)層，位于一基板上方。一連接焊盤(pán)，位于該第一保護(hù)層上方。一第二保護(hù)層，位于該連接焊盤(pán)以及該第一保護(hù)層上方，且該第二保護(hù)層有一第一開(kāi)口以及多個(gè)第二開(kāi)口，其中該第一開(kāi)口覆于該連接焊盤(pán)上方，而上述第二開(kāi)口將該第一保護(hù)層的頂部表面暴露在外。一緩沖層，覆于該第二保護(hù)層上方并填充于上述第二開(kāi)口內(nèi)部，該緩沖層有一第三開(kāi)口，與該第一開(kāi)口重疊并共同將該連接焊盤(pán)的一部分暴露在外，其中該第一開(kāi)口與該第三開(kāi)口結(jié)合后有側(cè)壁。一下金屬層覆蓋于該第一開(kāi)口與該第三開(kāi)口結(jié)合的側(cè)壁上，并與該連接焊盤(pán)外露的部分接觸。一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于該下金屬層上方。本發(fā)明還公開(kāi)了一種半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，一基板；一低介電常數(shù)介電層，位于該基板上方；一連接焊盤(pán)，位于該低介電常數(shù)介電層上方；一保護(hù)層，位于該連接焊盤(pán)以及該低介電常數(shù)介電層上方，且該保護(hù)層有一第一開(kāi)口以及多個(gè)第二開(kāi)口，其中該第一開(kāi)口覆于該連接焊盤(pán)上方，而上述第二開(kāi)口將該第一保護(hù)層的頂部表面暴露在外，暴露比例約在0. 2至0. 8之間；一聚酰亞胺層，覆于該保護(hù)層上方并填充于上述第二開(kāi)口內(nèi)部，該聚酰亞胺層有一第三開(kāi)口，與該第一開(kāi)口重疊并形成一具有側(cè)壁的共同開(kāi)口，并將該連接焊盤(pán)的一部分暴露在外；一下金屬層覆蓋于該共同開(kāi)口的側(cè)壁上，并與該連接焊盤(pán)外露的部分接觸；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于該下金屬層上方。本發(fā)明還公開(kāi)了一種形成半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法，包括提供一基板；于該基板上方形成一第一保護(hù)層；于該第一保護(hù)層上方形成一連接焊盤(pán)；于該第一保護(hù)層以及該連接焊盤(pán)上方形成一第二保護(hù)層；將該第二保護(hù)層定義出一第一開(kāi)口與多個(gè)第二開(kāi)口，其中該第一開(kāi)口覆于該連接焊盤(pán)之上，而上述第二開(kāi)口將該第一保護(hù)層的頂端表面暴露在外。形成一緩沖層，覆于該第二保護(hù)層上并且填滿(mǎn)上述第二開(kāi)口 ；定義該緩沖層的圖樣，形成一第三開(kāi)口，與該第一開(kāi)口重疊并共同將該連接焊盤(pán)的一部分暴露在外，其中該第一開(kāi)口與該第三開(kāi)口結(jié)合后有側(cè)壁；形成一下金屬層，覆蓋于該第一開(kāi)口與該第三開(kāi)口結(jié)合的側(cè)壁上，并與該連接焊盤(pán)外露的部分接觸；以及形成位于該下金屬層上方的一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所公開(kāi)的各種實(shí)施例可減輕現(xiàn)有技術(shù)中焊錫凸塊工藝的缺點(diǎn)。舉例來(lái)說(shuō)， 可以防止剝離和改善組裝工藝的良率。


本發(fā)明所公開(kāi)的詳細(xì)內(nèi)容搭配以下附圖解說(shuō)應(yīng)可輕易理解。附圖中以數(shù)字將結(jié)構(gòu)及部件加以定義。圖1至圖6顯示部分具體實(shí)施例中，制造多個(gè)半導(dǎo)體裸片于半導(dǎo)體基板表面上的過(guò)程。圖7顯示部分具體實(shí)施例中，形成于半導(dǎo)體元件上的緩沖層的第二開(kāi)口的布局平面圖。并且，上述附圖中的附圖標(biāo)記說(shuō)明如下100 半導(dǎo)體元件；101 基板；103 內(nèi)連線(xiàn)層；103-1 導(dǎo)電層；103-2 介電層；105 第一保護(hù)層；107 連接焊盤(pán)；107-1 導(dǎo)電內(nèi)連線(xiàn)；107-2 金屬介層窗；109 第二保護(hù)層；111 第一開(kāi)口；113 第二開(kāi)口；115 緩沖層；117 第三開(kāi)口；119 下金屬層；121 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；123 長(zhǎng)方形裸片；125 邊緣；127 邊緣；131 限制區(qū)；A-A， 線(xiàn)段；B-B， 線(xiàn)段；Dl 寬度；
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D2 寬度；Ll 長(zhǎng)度；L2 長(zhǎng)度。
具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)敘述附圖中所顯示的實(shí)施例制作及使用。然而，本發(fā)明公開(kāi)部分仍包括各種概念應(yīng)用，可廣泛的在各種特定結(jié)構(gòu)上據(jù)以實(shí)施。因此，以下所描述的實(shí)施例僅為方便說(shuō)明之用，并無(wú)限制發(fā)明范疇的用意。圖1至圖7為根據(jù)一種或數(shù)種實(shí)施例制造過(guò)程中各階段的平面圖或剖面圖。文中提到的“基板”的定義是指一半導(dǎo)體基板，許多層(layer)及各種集成電路元件形成于該半導(dǎo)體基板上方。在某些具體實(shí)施例中，基板可以包括硅，或是GaAs、InP, Si/Ge或SiC等化合物。層則包括了介電層、摻雜層、金屬層、多晶硅層及連接單層或多層的介層插塞(via plug)。實(shí)施例中的集成電路元件包括晶體管、電阻與電容?；灏鄠€(gè)制造于基板表面上的半導(dǎo)體裸片，各個(gè)裸片皆包括一個(gè)或數(shù)個(gè)集成電路。各個(gè)半導(dǎo)體裸片由切割道(scribe line)所分隔。以下描述的工藝實(shí)施于位于半導(dǎo)體基板表面的各個(gè)半導(dǎo)體裸片之上。如圖1所示，一半導(dǎo)體元件100生成于基板101之上?；?01上附有多個(gè)半導(dǎo)體裸片(未顯示于附圖中)。圖1中所顯示的基板101只包含了多個(gè)裸片之一的一部分。多個(gè)內(nèi)連線(xiàn)層103形成于基板101的上方。內(nèi)連線(xiàn)層包括單一或多個(gè)介電層103-2，以及介于介電層103-2之間的單一或多個(gè)導(dǎo)電層103-1。導(dǎo)電層103-1與集成電路元件電性藕合，并提供集成電路一導(dǎo)電路徑至上層。于部分實(shí)施例中，內(nèi)連線(xiàn)層103之間的介電層103-2以介電常數(shù)約在2. 9至3. 8之間的低介電常數(shù)(low dielectric constant)材料組成，或以介電常數(shù)約在2. 5至2. 9之間的低介電常數(shù)(low dielectric constant)材料組成。也可由數(shù)種不同的低介電常數(shù)材料混合而成。一般而言，介電常數(shù)越低，該介電層103-2就越脆署奪、胃錄lJl^ ο如圖2所示，第一保護(hù)層105形成于內(nèi)連線(xiàn)層103之上，以保護(hù)集成電路與內(nèi)連線(xiàn)層103不受傷害及污染。于部分實(shí)施例中，第一保護(hù)層105包括一層或數(shù)層，如氧化層、無(wú)摻雜硅玻璃(undoped silicate glass，USG)、氮化硅、二氧化硅以及氮氧化硅等。第一保護(hù)層可防止或減少對(duì)集成電路造成的受潮、機(jī)械性或輻射性損傷。如圖3所示，連接焊盤(pán)107形成于第一保護(hù)層105之上。導(dǎo)電內(nèi)連線(xiàn)107_1也與連接焊盤(pán)107形成于同一層，并與連接焊盤(pán)107相接觸。連接焊盤(pán)107透過(guò)導(dǎo)電內(nèi)連線(xiàn)107-1 提供上層焊球(solder ball)與下層集成電路之間的電性連接。導(dǎo)電內(nèi)連線(xiàn)107-1將連接焊盤(pán)107連接至金屬介層窗(via) 107-2。透過(guò)金屬介層窗107-2連接至內(nèi)連線(xiàn)層103中的導(dǎo)電層103-1，形成一電性回路連接至下層的集成電路。于一具體實(shí)施例中，連接焊盤(pán)107 與導(dǎo)電內(nèi)連線(xiàn)107-1包括一種導(dǎo)電金屬，例如鋁、鋁合金、銅、銅合金，或是以上材料的各種組合。于部分實(shí)施例中，使用物理氣相沉積法(PVD)以鋁、銅或合金材質(zhì)的靶材濺鍍，接著以光刻(photolithography)及蝕刻定義出沉積層的圖形，以形成連接焊盤(pán)107與導(dǎo)電內(nèi)連線(xiàn) 107-1。接著如圖4A所示，一第二保護(hù)層109形成于第一保護(hù)層105、連接焊盤(pán)107以及導(dǎo)電內(nèi)連線(xiàn)107-1之上。第二保護(hù)層109可吸收或釋放封裝工藝對(duì)基板造成的熱應(yīng)力或機(jī)械應(yīng)力。于一實(shí)施例中，第一保護(hù)層105與第二保護(hù)層109可以用類(lèi)似的材料，以類(lèi)似的制造方式形成。也可選擇用不同的材料制造第一保護(hù)層105與第二保護(hù)層109。第二保護(hù)層 109可以用傳統(tǒng)沉積方法，如化學(xué)氣相沉積(CVD)的方式，沉積于第一保護(hù)層105、連接焊盤(pán) 107以及導(dǎo)電內(nèi)連線(xiàn)107-1之上。接著使用光刻及蝕刻在第二保護(hù)層109之上選擇性的定義一第一開(kāi)口 111與多個(gè)第二開(kāi)口 113。圖4A顯示第二保護(hù)層109、第一開(kāi)口 111與第二開(kāi)口 113的平面圖。圖4A的導(dǎo)電內(nèi)連線(xiàn)107-1以虛線(xiàn)表示，以代表內(nèi)連線(xiàn)107-1被第二保護(hù)層109所覆蓋。圖4B為沿著 A-A’線(xiàn)段切割的剖面圖。如圖4A與圖4B所示，第一開(kāi)口 111位于連接焊盤(pán)107之上，因此將部分的連接焊盤(pán)107上表面暴露在外。而多個(gè)第二開(kāi)口 113則將底下的第一保護(hù)層105 部分上表面暴露在外。于一實(shí)施例中，多個(gè)第二開(kāi)口與第二保護(hù)層的暴露比例(exposing ratio)約在0.2至0.8之間。此暴露比例定義是指第二開(kāi)口的總面積在整個(gè)第二保護(hù)層的面積中所占的比例。第二開(kāi)口 113的深寬比(aspect ratio)約為0. 5至1. 9之間。深寬比的定義為開(kāi)口寬度除以開(kāi)口深度。于一實(shí)施例中，第二開(kāi)口 113以隨機(jī)的方式分布。這些第二開(kāi)口使得表面的總面積增加。如此一來(lái)，表面以第二保護(hù)層109、第二開(kāi)口 113與第一保護(hù)層105共同構(gòu)成，在表面形成鋸齒狀的圖形。這種鋸齒圖形有助于增加以下所提到的緩沖層(buffer layer)的粘著性。提供一項(xiàng)額外的優(yōu)勢(shì)并且不會(huì)造成額外的工藝成本。圖4C為沿著圖4A中的B-B，線(xiàn)段切開(kāi)的剖面圖。如圖4C所示，第二開(kāi)口 113并沒(méi)有疊在導(dǎo)電內(nèi)連線(xiàn)107-1或是其他金屬結(jié)構(gòu)上方。如此一來(lái)，導(dǎo)電內(nèi)連線(xiàn)107-1或是其他金屬結(jié)構(gòu)便不會(huì)暴露在外。根據(jù)圖5所示，完成圖4B的工藝步驟之后，緊接著將一緩沖層115形成于第二保護(hù)層109與連接焊盤(pán)107之上。緩沖層115的材料包含聚酰亞胺(polyimide)、 PBO(polybenzobisoxazole)、或是環(huán)氧樹(shù)脂(印oxy)，厚度約在2微米至10微米之間。緩沖層覆蓋于第二保護(hù)層109之上，并且填入第一開(kāi)口 111以及第二開(kāi)口 113以遮住連接焊盤(pán)107與第一保護(hù)層105暴露在外的表面。緩沖層115可作為一應(yīng)力緩沖層以減少制造過(guò)程中傳遞至第一保護(hù)層105與第二保護(hù)層109的應(yīng)力。緊接著使用微影以及蝕刻技術(shù)選擇性的在緩沖層115上定義出一第三開(kāi)口 117。第三開(kāi)口 117與第一開(kāi)口 111于第二保護(hù)層 109處重疊，并共同將連接焊盤(pán)107頂端的部分表面暴露在外。第一開(kāi)口 111與第三開(kāi)口 117結(jié)合后有一側(cè)壁118。如圖6所示，一下金屬層119，沿著第一開(kāi)口 111及第三開(kāi)口 117結(jié)合后形成的側(cè)壁118，形成于部分緩沖層115之上，并且與連接焊盤(pán)107外露的部分相連接。于部分實(shí)施例中，下金屬層119包括多層的導(dǎo)體材料，例如鈦金屬層、銅金屬層、或是鎳金屬層。形成下金屬層的每一層以電鍍的方式較佳，然而也可視使用的材料以其他適合的工藝如濺鍍、蒸鍍、無(wú)電電鍍(electroless plating)或是等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法(PECVD)制造。接著，一光致抗蝕劑層(未顯示于附圖)形成于下金屬層119之上，并且經(jīng)過(guò)顯影后形成一孔洞，使結(jié)合后的第一開(kāi)口 111與第三開(kāi)口 117中的下金屬層119暴露在外，其中該孔洞與部分緩沖層115重疊。光致抗蝕劑層可作為金屬沉積程序中用以形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的模具。于部分實(shí)施例中，導(dǎo)電材料以蒸鍍、電鍍或是網(wǎng)版印刷(screen printing)的方式于下金屬層119上方形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)121，例如一導(dǎo)電柱狀體(conductive column)，如圖 6所示。導(dǎo)電材料包括任何種類(lèi)的金屬，合金或?qū)w材料如銅、錫與其他材料的混合物。
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移除光致抗蝕劑層之后，下金屬層119未被導(dǎo)電柱狀體121覆蓋的部分以活性離子蝕刻(reactive ion etching, RIE)工藝移除，露出底下的緩沖層115。導(dǎo)電柱狀體121 下方剩余的下金屬層119部分沿著第一開(kāi)口 111及第三開(kāi)口 117共同形成的側(cè)壁118分布， 并且覆蓋于緩沖層115的頂端部分，并與連接焊盤(pán)107暴露在外的部分接觸。于一實(shí)施例中，導(dǎo)電柱狀體121為一銅金屬柱。于另一實(shí)施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(柱狀體)121為焊錫材料構(gòu)成，將該焊錫回焊以形成一焊球。圖7描繪出一實(shí)施例中，形成于半導(dǎo)體元件100上的緩沖層115的第二開(kāi)口 113 的布局平面圖。第二開(kāi)口 113的剖面形狀可為各種形狀，例如圓形、正方形或是長(zhǎng)方形。半導(dǎo)體元件100位于一長(zhǎng)方形裸片123之上。該長(zhǎng)方形裸片123有邊緣125及127，其長(zhǎng)度分別為L(zhǎng)l及L2。根據(jù)部分實(shí)施例，以一限制區(qū)131包含多個(gè)第二開(kāi)口 113，可改善緩沖層 115與下方位于裸片123邊緣處的各層之間的粘著性。緩沖層115用以防止聚酰亞胺熱處理過(guò)程中產(chǎn)生的收縮應(yīng)力。限制區(qū)131的范圍定義為長(zhǎng)方形裸片123的邊緣以?xún)?nèi)并可能包含整個(gè)裸片123的周邊，如圖7所示。限制區(qū)131中長(zhǎng)度為L(zhǎng)l的邊緣有一寬度D1，長(zhǎng)度為 L2的邊緣有一寬度D2，其中寬度Dl與D2小于Ll及L2的長(zhǎng)度的十分之一。于其他實(shí)施例中，第二開(kāi)口 113不限位于限制區(qū)131之內(nèi)。本發(fā)明所公開(kāi)的各種實(shí)施例可減輕現(xiàn)有技術(shù)中焊錫凸塊工藝的缺點(diǎn)。舉例來(lái)說(shuō)， 各種實(shí)施例中形成于第二保護(hù)層109的第二開(kāi)口 113可保護(hù)緩沖層115防止其在封裝工藝中剝離。將外露的比例控制在一適當(dāng)范圍，可以改善組裝工藝的良率。盡管具體實(shí)施例以及其優(yōu)勢(shì)已詳細(xì)的敘述于說(shuō)明書(shū)中，各種不背離本發(fā)明的精神與范疇的取代、置換及改變皆定義于本說(shuō)明書(shū)所附加的權(quán)利要求。此外，專(zhuān)利保護(hù)范圍并不被說(shuō)明書(shū)所描述的實(shí)施例中任何特定的程序、儀器、制造過(guò)程以及物質(zhì)、方法及步驟的組合所局限。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員當(dāng)可據(jù)以實(shí)施，并獲得與本文中所描述的實(shí)施例大致相同的功效或成果，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視隨附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
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權(quán)利要求
1.一半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括 一基板；一第一保護(hù)層，位于該基板上方； 一連接焊盤(pán)，位于該第一保護(hù)層上方；一第二保護(hù)層，位于該連接焊盤(pán)以及該第一保護(hù)層上方，且該第二保護(hù)層有一第一開(kāi)口以及多個(gè)第二開(kāi)口，其中該第一開(kāi)口位于該連接焊盤(pán)上方，而所述多個(gè)第二開(kāi)口將該第一保護(hù)層頂部的一表面暴露在外；一緩沖層，覆于該第二保護(hù)層上方并填入上述第二開(kāi)口內(nèi)部，該緩沖層有一第三開(kāi)口， 與該第一開(kāi)口重疊并共同將該連接焊盤(pán)的一部分暴露在外，其中該第一開(kāi)口與該第三開(kāi)口結(jié)合后有側(cè)壁；一下金屬層覆蓋于該第一開(kāi)口與該第三開(kāi)口結(jié)合的側(cè)壁上，并與該連接焊盤(pán)外露的部分接觸；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于該下金屬層上方。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中上述第二開(kāi)口的暴露比例約在 0.2至0.8之間。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中還包括與該連接焊盤(pán)位于同一層的一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與該連接焊盤(pán)接觸，且上述第二開(kāi)口未將該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)暴露在外。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該基板包括多個(gè)長(zhǎng)方形裸片，上述長(zhǎng)方形裸片的邊緣長(zhǎng)度分別為L(zhǎng)l及L2，該第二開(kāi)口被限制于每一個(gè)上述裸片中的一限制區(qū)內(nèi)，且該限制區(qū)于Ll邊緣有一寬度D1，且于L2邊緣有一寬度D2，其中上述寬度Dl與 D2小于上述長(zhǎng)度Ll與L2的十分之一。
5.一半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括 一基板；一低介電常數(shù)介電層，位于該基板上方； 一連接焊盤(pán)，位于該低介電常數(shù)介電層上方；一保護(hù)層，位于該連接焊盤(pán)以及該低介電常數(shù)介電層上方，且該保護(hù)層有一第一開(kāi)口以及多個(gè)第二開(kāi)口，其中該第一開(kāi)口覆于該連接焊盤(pán)上方，而上述第二開(kāi)口將該第一保護(hù)層的頂部表面暴露在外，暴露比例約在0. 2至0. 8之間；一聚酰亞胺層，覆于該保護(hù)層上方并填充于上述第二開(kāi)口內(nèi)部，該聚酰亞胺層有一第三開(kāi)口，與該第一開(kāi)口重疊并形成一具有側(cè)壁的共同開(kāi)口，并將該連接焊盤(pán)的一部分暴露在外；一下金屬層覆蓋于該共同開(kāi)口的側(cè)壁上，并與該連接焊盤(pán)外露的部分接觸；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于該下金屬層上方。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中還包括與連接焊盤(pán)位于同一層的一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與該連接焊盤(pán)接觸，且上述第二開(kāi)口未將該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)暴露在外。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該基板包括多個(gè)長(zhǎng)方形裸片，上述長(zhǎng)方形裸片的邊緣長(zhǎng)度分別為L(zhǎng)l及L2，該第二開(kāi)口被限制于每一裸片中的一限制區(qū)內(nèi)， 且該限制區(qū)于Ll邊緣有一寬度D1，且于L2邊緣有一寬度D2，其中上述寬度Dl與D2小于上述長(zhǎng)度Ll與L2的十分之
8.一種形成半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法，包括 提供一基板；于該基板上方形成一第一保護(hù)層；于該第一保護(hù)層上方形成一連接焊盤(pán)；于該第一保護(hù)層以及該連接焊盤(pán)上方形成一第二保護(hù)層；將該第二保護(hù)層定義出一第一開(kāi)口與多個(gè)第二開(kāi)口，其中該第一開(kāi)口覆于該連接焊盤(pán)之上，而上述第二開(kāi)口將該第一保護(hù)層的頂端表面暴露在外。形成一緩沖層，覆于該第二保護(hù)層上并且填滿(mǎn)上述第二開(kāi)口 ；定義該緩沖層的圖樣，形成一第三開(kāi)口，與該第一開(kāi)口重疊并共同將該連接焊盤(pán)的一部分暴露在外，其中該第一開(kāi)口與該第三開(kāi)口結(jié)合后有側(cè)壁；形成一下金屬層，覆蓋于該第一開(kāi)口與該第三開(kāi)口結(jié)合的側(cè)壁上，并與該連接焊盤(pán)外露的部分接觸；以及形成位于該下金屬層上方的一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的形成半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法，其中還包括與連接焊盤(pán)位于同一層的一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與該連接焊盤(pán)接觸，且上述第二開(kāi)口未將該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)暴露在外。
10.如權(quán)利要求8所述的形成半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法，其中該基板包括多個(gè)長(zhǎng)方形裸片，上述長(zhǎng)方形裸片的邊緣長(zhǎng)度分別為L(zhǎng)l及L2，該第二開(kāi)口被限制于每一裸片中的一限制區(qū)內(nèi)，且該限制區(qū)于Ll邊緣有一寬度Dl，且于L2邊緣有一寬度D2，其中上述寬度Dl 與D2小于上述長(zhǎng)度Ll與L2的十分之一。
全文摘要
一種半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其制造方法。該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括一第一保護(hù)層，形成于一基板上方。一連接焊盤(pán)，形成于第一保護(hù)層上方。一第二保護(hù)層，形成于連接焊盤(pán)以及第一保護(hù)層上方，且第二保護(hù)層有一第一開(kāi)口以及多個(gè)第二開(kāi)口，其中第一開(kāi)口覆于連接焊盤(pán)上方，而第二開(kāi)口將第一保護(hù)層的頂部表面暴露在外。一緩沖層，覆于第二保護(hù)層上方并填充于第二開(kāi)口內(nèi)部，緩沖層有一第三開(kāi)口，與第一開(kāi)口重疊并共同將連接焊盤(pán)的一部分暴露在外，其中第一開(kāi)口與第三開(kāi)口結(jié)合后有側(cè)壁。一下金屬層覆蓋于第一開(kāi)口與第三開(kāi)口結(jié)合的側(cè)壁上，并與連接焊盤(pán)外露的部分接觸。一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于下金屬層上方。此半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可防止剝離和改善組裝工藝的良率。
文檔編號(hào)H01L23/485GK102456650SQ20111013929
公開(kāi)日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2011年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月21日
發(fā)明者陳憲偉, 陳英儒 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司