專利名稱：具有非導(dǎo)電層的半導(dǎo)體封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有 關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種其電性接點完全被包覆的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基材、數(shù)個電性接點及保護(hù)層。保護(hù)層包覆局部的電性接點，使電性接點露出的部分可電性接觸于一外部電路。為增加電性接觸的面積，電性接點露出的部分通常包括端面及大部分的側(cè)面，也就是說電性接點幾乎整個露出在大氣。然而，電性接點露出的部分直接受到大氣環(huán)境的侵害。例如，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造完成后，通常會放置在庫存一段長期間，使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中露出的電性接點極易氧化。此外，傳統(tǒng)電性接點的材質(zhì)金(Au)。雖然金的抗氧化能力佳，但由于金的價格過于昂貴，導(dǎo)致半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的價格無法降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法，半導(dǎo)體封裝的電性接點完全被包覆而不外露，在此情況下，電性接點可采用低或甚至不具抗氧化效果的材料制成，可降低半導(dǎo)體封裝的制作成本。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，提出一種半導(dǎo)體封裝的制造方法。制造方法包括以下步驟。提供一基板，基板包括數(shù)個芯片；形成數(shù)個導(dǎo)電柱鄰近該些芯片的主動表面；形成一非導(dǎo)電層完全包覆該些導(dǎo)電柱；以及，單一化基板。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提出一種半導(dǎo)體封裝。半導(dǎo)體封裝包括一芯片、數(shù)個導(dǎo)電柱及一非導(dǎo)電層。芯片具有一主動表面。導(dǎo)電柱鄰近芯片的主動表面設(shè)置。非導(dǎo)電層覆蓋主動表面且完全包覆導(dǎo)電柱。根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，提出一種半導(dǎo)體封裝。半導(dǎo)體封裝包括一芯片、數(shù)個導(dǎo)電柱、一非導(dǎo)電層及一包覆層。芯片具有一主動表面。導(dǎo)電柱鄰近芯片的主動表面設(shè)置，各導(dǎo)電柱具有一端面及一側(cè)面。非導(dǎo)電層覆蓋主動表面且包覆各導(dǎo)電柱的側(cè)面，露出各導(dǎo)電柱的端面。包覆層覆蓋各導(dǎo)電柱的端面。為了對本發(fā)明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下


圖IA繪示依照本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。圖IB繪示圖IA中局部1B’的放大示意圖。圖2A至2E繪示依照本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體封裝的制造流程圖。圖3A至3C繪示圖IA的半導(dǎo)體封裝安裝至外部組件的過程示意圖。圖4繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖5A至5C繪示圖4的半導(dǎo)體封裝的制造流程圖。圖6繪示依照本發(fā)明又一實施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。圖7A至7C繪示圖6的半導(dǎo)體封裝的制造流程圖。圖8繪示依照本發(fā)明又一實施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。 圖9A至9C繪示圖8的半導(dǎo)體封裝的制造流程圖。主要組件符號說明100、200、300、400 半導(dǎo)體封裝110:芯片IlOu:主動表面111 基板Illb:背面112:導(dǎo)電柱112u:端面110s、112s、115s、120s 側(cè)面113:保護(hù)層113a、114a:開孔114:聚酰亞胺層115:底部凸塊金屬116:接墊120:非導(dǎo)電層120u、350u 上表面130:異方性導(dǎo)電膠I3I 導(dǎo)電粒子140 玻璃基板141 接點250、350:導(dǎo)電層P:壓力H 熱量
具體實施例方式參照圖1A，其繪示依照本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。一半導(dǎo)體封裝100包含一芯片(die) 110、多個導(dǎo)電柱(conductive pillars) 112及一非導(dǎo)電層 (nonconductive layer)120。芯片110具有主動表面110u。導(dǎo)電柱112鄰近芯片110的主動表面IlOu設(shè)置，其材質(zhì)包括銅(Cu)或鋁(Al)。導(dǎo)電柱112可作為輸/出入(I/O)接點。非導(dǎo)電層120鄰近芯片110的主動表面1 IOu設(shè)置，并且完全包覆導(dǎo)電柱112且覆蓋主動表面llOu。本實施例中，非導(dǎo)電層120直接接觸并完全包覆導(dǎo)電柱112的側(cè)面112s 及端面112u。非導(dǎo)電層120的側(cè)面120s與芯片110的側(cè)面IlOs實質(zhì)上對齊，例如是共面。 非導(dǎo)電層120的材質(zhì)可例如是具有B階段(B-stage)特性的熱固性樹脂。
具有B階段特性的非導(dǎo)電層120可被加熱軟化，在液體中亦可溶脹，但不能完全溶解和熔融。此外，其外觀呈現(xiàn)半固態(tài)(例如呈果凍般膠態(tài))，具有一定程度的穩(wěn)定性不會輕易沾黏到其它物體，但尚未達(dá)到完全固化的相態(tài)(亦即是C階段)。當(dāng)采用表面黏著技術(shù) (surface mount technology, SMT)安裝半導(dǎo)體封裝100至外部組件時，非導(dǎo)電層120可被擠開露出導(dǎo)電柱112表面，使導(dǎo)電柱與外部組件電連接(將詳述于后)。非導(dǎo)電層120的顏色具有透光性，從上方可以光學(xué)檢測到被非導(dǎo)電層120所覆蓋的組件，例如導(dǎo)電柱112。此有助于進(jìn)行單一化工藝時芯片110的定位。由于非導(dǎo)電層120完全覆蓋導(dǎo)電柱112，可防止導(dǎo)電柱的腐蝕及氧化，并且也可防止半導(dǎo)體封裝100在操作的過程中，相鄰二導(dǎo)電柱112之間發(fā)生電子遷移。請參照圖1B，其 繪示圖IA中局部1B’的放大示意圖。芯片110更包括至少一接墊 116、保護(hù)層(passvation layer) 113。接墊116形成于芯片110的主動表面IlOu上。保護(hù)層113覆蓋接墊116并具有至少一開孔113a，接墊116從對應(yīng)的開孔113a露出。一聚酰亞胺層(PI層)114可選擇性地形成于主動表面IlOu上。聚酰亞胺層114覆蓋保護(hù)層113并具有至少一開孔114a，接墊116從對應(yīng)的開孔113a及114a露出。一底部凸塊金屬(Under Bump Metallurgy，UBM) 115形成于對應(yīng)的開孔113a及114a并透過開孔113a及114a電性接觸接墊116。底部凸塊金屬115的材質(zhì)可選自于鈦、銅、鎢及其組合構(gòu)成的群組。例如，一實施例中，底部凸塊金屬115包括銅層及鈦層；或者，底部凸塊金屬115可包括鎢化鈦層及銅層。導(dǎo)電柱112形成于底部凸塊金屬115上。導(dǎo)電柱112的側(cè)面112s與底部凸塊金屬 115的側(cè)面115s實質(zhì)上對齊，例如是共面。請參照圖2A至2E，其繪示依照本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體封裝的制造流程圖。如圖2A所示，提供基板111，基板111例如是硅晶圓(wafer)，其至少一多個芯片 110。形成多個導(dǎo)電柱112，其中導(dǎo)電柱112鄰近芯片110的主動表面IlOu設(shè)置。形成導(dǎo)電柱112的方法可例如是電鍍、濺鍍或其它金屬圖案化方法。如圖2B所示，可以例如是磨削方法，從基板111的背面Illb (背面Illb繪示于圖 2A)薄化基板111。在薄化之前，可貼附研磨膠帶(未繪示)于薄化面的相對側(cè)，例如是貼附于主動表面IlOu上。如此一來，基板111可透過研磨膠帶穩(wěn)固地黏附在一磨削載臺上， 使基板111在磨削過程中不致隨意晃動。此外，在基板111的厚度適當(dāng)?shù)那闆r的下，亦可省略本薄化步驟。如圖2C所示，可采用例如是機械磨削或化學(xué)研磨方式，平坦化該些導(dǎo)電柱112，使各導(dǎo)電柱112的端面112u實質(zhì)上對齊，例如是共面。在例如使用異方向性導(dǎo)電膠來安裝半導(dǎo)體封裝100至外部組件的情況，由于異方向性導(dǎo)電膠是采用尺寸大致相同的導(dǎo)電粒子來電連接半導(dǎo)體封裝100的導(dǎo)電柱112至外部組件，故任二個導(dǎo)電柱的高度差異的容許公差 (tolerance)小的，較佳是使單一芯片110中的任二導(dǎo)電柱112的高度差小于2 μ m，單一導(dǎo)電柱的端面112u的平坦度小于2μπι。此外，若在形成導(dǎo)電柱工藝時可控制好平坦度，亦可省略此平坦化步驟。如圖2D所示，形成非導(dǎo)電層120完全包覆些導(dǎo)電柱112。非導(dǎo)電層120可使用例如是非導(dǎo)電膠(Non-Conductive Paste，NCP)或非導(dǎo)電膜(Non-Conductive Film，NCF)來形成。當(dāng)使用非導(dǎo)電膠時，可采用例如是旋涂(spinning)、噴涂(spraying)或滾輪涂布 (roller coating)方式涂布在基板111的表面，再添加熟化制成使非導(dǎo)電膠轉(zhuǎn)換至B階段形成非導(dǎo)電層120。當(dāng)使用非導(dǎo)電膜時，可采用例如是層壓(lamination)方式將已經(jīng)是B 階段非導(dǎo)電膜設(shè)置在基板111的表面形成非導(dǎo)電層120。如圖2E所示，單一化(singulating)基板111 (基板111繪示于圖2D)。例如，可采用例如是激光或刀具，切割基板111及非導(dǎo)電層120，以形成至少一半導(dǎo)體封裝100。半導(dǎo)體封裝100例如是驅(qū)動芯片。由于導(dǎo)電柱112受到非導(dǎo)電層120的包覆，可以避免腐蝕及氧化。綜合上述，在半導(dǎo)體封裝100結(jié)合至外部組件之前，半導(dǎo)體封裝100的導(dǎo)電柱112 可受到非導(dǎo)電層120的完整保護(hù)。此外，在半導(dǎo)體封裝100需要結(jié)合至外部基板時，透過轉(zhuǎn)變非導(dǎo)電層120的性質(zhì)，可使半導(dǎo)體封裝100輕易地結(jié)合至外部組件。以下進(jìn)一步說明半導(dǎo)體封裝100結(jié)合至外部組件的過程。請參照圖3A至3C，其繪示圖IA的半導(dǎo)體封裝安裝至外部組件的過程示意圖。以半導(dǎo)體封裝100結(jié)合至顯示面板的玻璃基板為例說明。如圖3A所示，在例如是平板顯示 裝置的COG(Chip-On-Glass)工藝中，提供玻璃基板140，其中玻璃基板140包含至少一接點141設(shè)置于其表面，接點141的材質(zhì)例如是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, IT0)或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)。設(shè)置異方性導(dǎo)電膠130至玻璃基板140表面并覆蓋接點141，異方性導(dǎo)電膠130包含多個導(dǎo)電粒子131 ； 然后，以吸力(未繪示)吸附半導(dǎo)體封裝100，例如是吸附半導(dǎo)體封裝100的背面，并以非導(dǎo)電層120面向異方性導(dǎo)電膠130。如圖3B所示，施加熱量H及壓力P于半導(dǎo)體封裝100的背面上，使異方性導(dǎo)電膠 130擠壓非導(dǎo)電層120。由于非導(dǎo)電層120呈B階段特性可被加熱軟化，在受熱后暫時轉(zhuǎn)變至A階段，亦即呈現(xiàn)熱固性樹脂反應(yīng)的早期階段，該材料仍可以熔融和溶解于溶劑或流體中，其外觀呈現(xiàn)液態(tài)。轉(zhuǎn)變至A階段的非導(dǎo)電層120具有佳的可塑性，在壓力P的作用下， 其可流動地重新分布而使導(dǎo)電粒子131可輕易地擠開呈A階段的非導(dǎo)電層120然后接觸于導(dǎo)電柱112。如圖3C所示，當(dāng)導(dǎo)電粒子131擠開呈A階段的非導(dǎo)電層120后，導(dǎo)電粒子131可實質(zhì)且電性接觸(physically and electrically contact)于導(dǎo)電柱112，以電性連接導(dǎo)電柱112及接點141。之后持續(xù)加熱讓非導(dǎo)電層120完全熟化至C階段，亦即是熱固性樹脂反應(yīng)的最終階段，該材料不能熔融和溶解，其外觀呈現(xiàn)固態(tài)。在導(dǎo)電柱112的端面112u實質(zhì)上共面的情況下，導(dǎo)電柱112與接點141的間距實質(zhì)上相等，讓位在其間的導(dǎo)電粒子131受到實質(zhì)相同的壓縮量，可確保每個電連接處都維持一定的質(zhì)量，此使得工藝可穩(wěn)定地被控制且半導(dǎo)體封裝100與玻璃基板140的電性質(zhì)量佳的。雖然上述以半導(dǎo)體封裝100應(yīng)用于顯示面板領(lǐng)域為例說明，然本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝100的應(yīng)用不限于顯示面板，其可應(yīng)用于任何有需要使用到半導(dǎo)體封裝100的領(lǐng)域。請參照圖4，其繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。半導(dǎo)體封裝 200包括芯片110、多個導(dǎo)電柱112、非導(dǎo)電層120及包覆層。非導(dǎo)電層120覆蓋主動表面 IlOu且包覆各導(dǎo)電柱112的側(cè)面112s，并露出各導(dǎo)電柱112的端面112u。包覆層例如是抗氧化導(dǎo)電層250，其覆蓋導(dǎo)電柱112的端面112u。由于導(dǎo)電柱112受到非導(dǎo)電層120及導(dǎo)電層250的包覆，故可避免被腐蝕及氧化。請參照圖5A至5C，其繪示圖4的半導(dǎo)體封裝的制造流程圖。如圖5A所示，在形成導(dǎo)電柱112 (如圖2A所示)及形成非導(dǎo)電層120覆蓋導(dǎo)電柱 112后(如圖2D所示)，可采用例如是機械磨削或化學(xué)研磨方式，平坦化非導(dǎo)電層120及該些導(dǎo)電柱112，使非導(dǎo)電層120的上表面120u及各導(dǎo)電柱112的端面112u實質(zhì)上對齊，例如是共面。本實施例中，圖2C的平坦化步驟可延后至非導(dǎo)電層120覆蓋導(dǎo)電柱112后執(zhí)行； 或者，于導(dǎo)電柱112形成后可執(zhí)行平坦化步驟，且于非導(dǎo)電層120覆蓋導(dǎo)電柱112后，可再執(zhí)行平坦化步驟。此外，在一實施例中，在平坦化非導(dǎo)電層120 的過程中亦可不磨削到導(dǎo)電柱112。 例如，在平坦化非導(dǎo)電層120的過程，只要導(dǎo)電柱112的端面112u從非導(dǎo)電層120露出即可停止平坦化動作，如此一來可不磨削到導(dǎo)電柱112或磨削到甚少量的導(dǎo)電柱112。如圖5B所示，形成導(dǎo)電層250覆蓋各導(dǎo)電柱112的端面112u。較佳但非限定地， 導(dǎo)電層250抗氧化層。導(dǎo)電層250例如是表面處理層(surface finishing)，其材質(zhì)可選自于金(Au)、鈀(Pd)、錫(Sn)、銀(Ag)及其組合所構(gòu)成的群組。另一實施例中，導(dǎo)電層250 也可為有機保焊層(Organic Solderability Preservative, 0SP)或等離子體處理層。導(dǎo)電層250的形成過程中，可利用化學(xué)氣相沉積、無電鍍法(electroless plating)、電解電鍍(electrolytic plating)、印刷、旋涂、噴涂、濺鍍(sputtering)或真空沉積法(vacuum deposition)形成。另一實施例中，可選擇性地搭配圖案化方法形成導(dǎo)電層250，其中圖案化方法例如是微影工藝(photolithography)、化學(xué)蝕刻(chemical etching)、激光鉆孑 L (laser drilling)或機械鉆孑 L (mechanical drilling)。如圖5C所示，單一化基板111 (基板111繪示于圖5B)。例如，可采用例如是激光或刀具，切割基板111及非導(dǎo)電層120，以形成至少一半導(dǎo)體封裝200。半導(dǎo)體封裝200例如是驅(qū)動芯片。由于導(dǎo)電柱112受到非導(dǎo)電層120及導(dǎo)電層250的包覆，故可避免被腐蝕及氧化。請參照圖6，其繪示依照本發(fā)明又一實施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。半導(dǎo)體封裝 300包括芯片110、多個導(dǎo)電柱112、非導(dǎo)電層120及包覆層。包覆層例如是抗氧化導(dǎo)電層 350。本實施例中，導(dǎo)電層350完全包覆導(dǎo)電柱112，其中非導(dǎo)電層120完全包覆導(dǎo)電層350。 由于導(dǎo)電柱112受到導(dǎo)電層250的包覆，故可避免被腐蝕及氧化。請參照圖7A至7C，其繪示圖6的半導(dǎo)體封裝的制造流程圖。如圖7A所示，形成導(dǎo)電層350完全包覆各導(dǎo)電柱112。圖7A的導(dǎo)電層350的材質(zhì)及形成方法相似于導(dǎo)電層250，容此不再贅述。導(dǎo)電層350覆蓋導(dǎo)電柱112的側(cè)面112s，如此可防止半導(dǎo)體封裝300 (繪示于圖 7C)在操作的過程中，相鄰二導(dǎo)電柱112之間發(fā)生電子遷移。如圖7B所示，形成非導(dǎo)電層120完全包覆該些導(dǎo)電柱112及導(dǎo)電層350。如圖7C所示，單一化基板111 (基板111繪示于圖7B)。例如，可采用例如是激光或刀具，切割基板111及非導(dǎo)電層120，以形成至少一半導(dǎo)體封裝300?！獙嵤├?，于圖7A的導(dǎo)電層350形成之前，可平坦化導(dǎo)電柱112，使各導(dǎo)電柱 112形成一平坦化上表面。平坦化后，導(dǎo)電層350形成一平坦化上表面350u，各導(dǎo)電層350的平坦化的上表面350u實值上對齊，例如是共面；然后，形成非導(dǎo)電層120完全包覆平坦化的導(dǎo)電層350 ；然后，切割基板111及非導(dǎo)電層120，以形成至少一半導(dǎo)體封裝。請參照圖8，其繪示依照本發(fā)明又一實施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。半導(dǎo)體封裝 400包括芯片110、多個導(dǎo)電柱112、非導(dǎo)電層120及包覆層。包覆層例如是抗氧化導(dǎo)電層 350。導(dǎo)電層350覆蓋各導(dǎo)電柱112的側(cè)面112s，非導(dǎo)電層120直接接觸并完全包覆導(dǎo)電柱 112的端面112u。由于導(dǎo)電柱112受到非導(dǎo)電層120及導(dǎo)電層350的包覆，故可避免被腐蝕及氧化。請參照圖9A至9C，其繪示圖8的半導(dǎo)體封裝的制造流程圖。如圖9A所示，于圖9A的導(dǎo)電層350形成后，可平坦化導(dǎo)電層350及導(dǎo)電柱112，使導(dǎo)電層350的上表面350u及導(dǎo)電柱112的端面112u實質(zhì)上對齊，例如是共面。

另一實施例中，圖9A的導(dǎo)電層350也可以使用絕緣層取代，該絕緣層例如是對二甲苯(parylene)。對二甲苯層可使用例如是化學(xué)蒸鍍(CVD)方式形成。進(jìn)一步地說，本實施例(圖9A)中覆蓋導(dǎo)電柱112的包覆層可以是導(dǎo)電層或絕緣層，其可覆蓋導(dǎo)電柱112的側(cè)面112s或端面112u。如圖9B所示，形成非導(dǎo)電層120完全包覆平坦化的導(dǎo)電層350及導(dǎo)電柱112。如圖9C所示，單一化基板111 (基板111繪示于圖9B)。例如，可采用例如是激光或刀具，切割基板111及非導(dǎo)電層120，以形成至少一半導(dǎo)體封裝400。綜合上述，導(dǎo)電柱112可被非導(dǎo)電層120與導(dǎo)電層(例如是導(dǎo)電層250或350)中至少一者包覆。例如，非導(dǎo)電層120可完全包覆導(dǎo)電柱112至少一部分；或者，非導(dǎo)電層120 可隔著導(dǎo)電層間接包覆導(dǎo)電柱112的至少一部分。或者，導(dǎo)電層可選擇性地包覆導(dǎo)電柱112 的至少一部分。綜上所述，雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝的制造方法，包括 提供一基板，該基板包括數(shù)個芯片；形成數(shù)個導(dǎo)電柱鄰近各該芯片的一主動表面； 形成一非導(dǎo)電層完全包覆該些導(dǎo)電柱；以及單一化該基板。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該非導(dǎo)電層為熱固性樹脂。
3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其中該熱固性樹脂處于B階段。
4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中于形成該非導(dǎo)電層的該步驟之前，該制造方法更包括平坦化該些導(dǎo)電柱。
5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，更包括平坦化該非導(dǎo)電層，以露出各該導(dǎo)電柱的一端面；以及形成一導(dǎo)電層覆蓋各該導(dǎo)電柱的該端面。
6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其中該導(dǎo)電層的材質(zhì)選自于材質(zhì)可選自于金、鈀、 錫、銀及其組合所構(gòu)成的群組。
7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，更包括 形成一導(dǎo)電層完全包覆各該導(dǎo)電柱；于形成該非導(dǎo)電層的該步驟中，該非導(dǎo)電層完全包覆該些導(dǎo)電柱及該導(dǎo)電層。
8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，更包括 形成一對二甲苯層完全包覆各該導(dǎo)電柱。
9.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該芯片更具有一背面，該背面相對該主動表面， 該制造方法更包括從該基板的該背面，薄化該基板。
10.一種半導(dǎo)體封裝，包括 一芯片，具有一主動表面；數(shù)個導(dǎo)電柱，鄰近該芯片的該主動表面設(shè)置；以及一非導(dǎo)電層，完全包覆該些導(dǎo)電柱。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中各該導(dǎo)電柱具有一側(cè)面及一端面，該非導(dǎo)電層直接接觸并完全包覆各該導(dǎo)電柱的該側(cè)面及該端面。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中該非導(dǎo)電層為熱固性樹脂。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，其中該熱固性樹脂處于B階段。
14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，更包括一導(dǎo)電層，完全包覆該些導(dǎo)電柱，其中該非導(dǎo)電層完全包覆該導(dǎo)電層。
15.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中各該導(dǎo)電柱具有一側(cè)面及一端面，更包括 一導(dǎo)電層，覆蓋各該導(dǎo)電柱的該側(cè)面，該非導(dǎo)電層直接接觸并完全包覆各該導(dǎo)電柱的該端面。
16.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中該非導(dǎo)電層的側(cè)面與該芯片側(cè)面實質(zhì)上對齊。
17.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中各該導(dǎo)電柱具有一側(cè)面及一端面，更包括一包覆層，覆蓋各該導(dǎo)電柱的該側(cè)面，該非導(dǎo)電層直接接觸并完全包覆各該導(dǎo)電柱的該端面，其中該包覆層的材質(zhì)包括對二甲苯。
18.一種半導(dǎo)體封裝，包括 一芯片，具有一主動表面；數(shù)個導(dǎo)電柱，鄰近該芯片的該主動表面設(shè)置，各該導(dǎo)電柱具有一端面及一側(cè)面； 一非導(dǎo)電層，包覆各該導(dǎo)電柱的該側(cè)面，且露出各該導(dǎo)電柱的該端面；以及一包覆層，覆蓋各該導(dǎo)電柱的該端面。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝，其中該包覆層抗氧化導(dǎo)電層。
20.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝，其中該包覆層抗氧化導(dǎo)電層，該包覆層更覆蓋各該導(dǎo)電柱的該側(cè)面。
全文摘要
一種具有非導(dǎo)電層的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。制造方法包括以下步驟。首先，提供基板，基板包括多個芯片。然后，形成多個導(dǎo)電柱鄰近芯片的主動表面。然后，形成非導(dǎo)電層完全包覆導(dǎo)電柱。然后，單一化基板。
文檔編號H01L21/56GK102226987SQ20111017090
公開日2011年10月26日 申請日期2011年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月14日
發(fā)明者唐和明, 張效銓, 蔡宗岳, 賴逸少 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司