基板加工方法及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供基板加工方法及半導(dǎo)體裝置的制造方法，利用本發(fā)明，能夠?qū)⒉牧铣浞值芈袢霕?gòu)成通孔、導(dǎo)通孔等的凹部內(nèi)，同時(shí)還沿著凹部的底部、側(cè)壁部及上端部留存沉積膜。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板加工方法包括：第一照射步驟，用于利用粒子束從相對于基板面內(nèi)方向成第一角度的方向照射已經(jīng)形成于基板的凹部的開口部的沉積膜，并且去除沉積膜的厚度方向上的一部分；和在第一照射步驟之后的第二照射步驟，用于從比第一角度接近垂直于基板面內(nèi)方向的第二角度的方向進(jìn)行照射粒子束，并且去除殘留的沉積膜的厚度方向上的一部分。
【專利說明】
基板加工方法及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明設(shè)及基板加工方法及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 使形成有層疊膜的基板經(jīng)受蝕刻處理W在基板上形成諸如通孔和導(dǎo)通孔等的凹 部。將導(dǎo)電性材料等埋入如上所述地形成的凹部中W使位于層疊膜的上下位置的配線層彼 此連接，或使形成于配線層的導(dǎo)電圖案和形成于半導(dǎo)體基板的元件連接。
[0003] 為了使元件高密度化，制備填充有導(dǎo)電性材料的微細(xì)凹部。然而，在此情況下，導(dǎo) 電性材料可能不會充分地埋入微細(xì)凹部中，在某些情況下可能會產(chǎn)生空氣孔(也稱為空隙） 并產(chǎn)生斷路。專利文獻(xiàn)1公開了通過將金屬充分埋入絕緣膜上的凹部內(nèi)并且抑制金屬的空 隙和斷路的產(chǎn)生，W高成品率制造半導(dǎo)體裝置的方法。具體地，專利文獻(xiàn)1公開了如下方法： 利用離子束沿傾斜于基板的方向照射形成于絕緣膜的凹部，并且通過蝕刻去除凹部的上部 周圍的絕緣膜的端部。結(jié)果，使端部的角光滑，運(yùn)使得隨后容易向凹部內(nèi)埋入金屬。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2000-307002號公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 近年來，隨著半導(dǎo)體裝置的微細(xì)化，半導(dǎo)體裝置的配線結(jié)構(gòu)也變得微細(xì)化。微細(xì)的 配線結(jié)構(gòu)具有如下問題：特別是由于對配線材料施加了電壓時(shí)的電遷移 (electromigration)，配線材料擴(kuò)散到層間絕緣膜中，由此在某些情況下引起斷路。作為抑 制由電遷移引起的斷路的方法，一般已知在基板上的層間絕緣膜和配線材料之間形成諸如 氮化鐵等的具有阻隔性的導(dǎo)電膜的方法。
[000引另一方面，在專利文獻(xiàn)1公開的方法中，并未考慮具有阻隔性的導(dǎo)電膜。如果在基 板上形成具有阻隔性的導(dǎo)電膜之后適用專利文獻(xiàn)1的方法，則存在導(dǎo)電膜被離子束去除并 且使凹部的內(nèi)壁面露出的風(fēng)險(xiǎn)。為了抑制電遷移，需要在露出的內(nèi)壁面上重新沉積具有阻 隔性的導(dǎo)電膜。另外，專利文獻(xiàn)1的方法還具有如下問題：由于重新進(jìn)行了導(dǎo)電膜的沉積，所 W沉積于凹部的底部的導(dǎo)電膜變厚并且使配線不能具有充分低的電阻。
[0009] 鑒于上述技術(shù)問題作出了本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供基板加工方法及半導(dǎo)體裝 置的制造方法，其能夠在凹部的底部、側(cè)壁部及上端部留存沉積膜的情況下將材料充分埋 入形成通孔、導(dǎo)通孔等的凹部內(nèi)。
[0010] 本發(fā)明的第一方面是一種基板加工方法，所述基板加工方法對在表面形成有凹部 的基板進(jìn)行加工，在所述基板中，所述凹部的開口部形成有沉積膜，所述基板加工方法包 括:第一照射步驟，其中，利用粒子束沿與垂直于所述基板的面內(nèi)方向的方向形成第一角度 的方向照射形成于所述開口部的所述沉積膜，W去除所述沉積膜的厚度方向上的一部分； 和第二照射步驟，其中，在所述第一照射步驟之后，利用所述粒子束沿比所述第一角度更加 接近垂直于所述基板的面內(nèi)方向、并且與垂直于所述基板的面內(nèi)方向的方向形成第二角度 的方向照射形成于所述開口部的所述沉積膜，W去除殘留的所述沉積膜的厚度方向上的一 部分。
[0011] 本發(fā)明的第二方面是一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置包括基板，所 述基板的表面具有凹部，在所述基板中，在所述凹部的開口部形成有沉積膜，所述半導(dǎo)體裝 置的制造方法包括:第一照射步驟，其中，利用粒子束沿與垂直于所述基板的面內(nèi)方向的方 向形成第一角度的方向照射形成于所述開口部的所述沉積膜，W去除所述沉積膜的厚度方 向上的一部分;和第二照射步驟，其中，在所述第一照射步驟之后，利用所述粒子束沿比所 述第一角度更加接近垂直于所述基板的面內(nèi)方向、并且與垂直于所述基板的面內(nèi)方向的方 向形成第二角度的方向照射形成于所述開口部的所述沉積膜，W去除殘留的所述沉積膜的 厚度方向上的一部分。
[0012] 在本發(fā)明的基板加工方法及半導(dǎo)體裝置的制造方法中，執(zhí)行利用粒子束沿相對于 基板形成第一角度的方向照射沉積膜的第一照射步驟，然后執(zhí)行利用粒子束沿形成更接近 垂直于基板的第二角度的方向照射沉積膜的第二照射步驟。因此，能夠有效地去除形成于 凹部的開口部的沉積膜，同時(shí)防止去除形成于凹部的底部、側(cè)壁部和上端部的沉積膜。
【附圖說明】
[0013] 圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的基板加工裝置的示意性構(gòu)造圖。
[0014] 圖2A是適用本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的基板加工方法之前的基板的截面圖。
[0015] 圖2B是適用本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的基板加工方法之前的基板的截面圖。
[0016] 圖3A是進(jìn)行本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的各照射步驟之后的基板的截面圖。
[0017] 圖3B是進(jìn)行本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的各照射步驟之后的基板的截面圖。
[0018] 圖3C是進(jìn)行本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的各照射步驟之后的基板的截面圖。
[0019] 圖4是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的基板加工方法的流程的圖。
[0020] 圖5是示出經(jīng)受了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的基板加工方法的基板的截面照片的 圖。
[0021] 圖6是示出經(jīng)受了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的基板加工方法的基板的截面照片的 圖。
[0022] 圖7是示出經(jīng)受了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的基板加工方法的基板的截面照片的 圖。
[0023] 圖8是通過本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置 的截面圖。
[0024] 圖9A是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造方法中半導(dǎo)體裝置的 制造過程的截面圖。
[0025] 圖9B是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造方法中半導(dǎo)體裝置的 制造過程的截面圖。
[0026] 圖9C是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造方法中半導(dǎo)體裝置的 制造過程的截面圖。
[0027] 圖10是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造方法中制造的半導(dǎo)體裝置 的截面圖。
[0028] 圖IlA是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的半導(dǎo)體裝置 的制造過程的截面圖。
[0029] 圖IlB是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的半導(dǎo)體裝置 的制造過程的截面圖。
[0030] 圖12是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的基板加工裝置的示意性構(gòu)造圖。
[0031] 圖13是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的基板加工方法的流程的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032] 盡管W下參照【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明不限于實(shí)施方式。注意，在W 下說明的附圖中，采用相同的附圖標(biāo)記表示具有相同功能的部件，并在某些情況下省略其 重復(fù)說明。
[0033] 本發(fā)明能夠優(yōu)選地適用于如下的基板加工方法:該基板加工方法包括通過將導(dǎo)電 性材料埋入凹部中形成通孔、導(dǎo)通孔或接觸用配線的處理W及用于晶體管的柵電極形成處 理等。本發(fā)明還能夠優(yōu)選地適用于包括上述任何處理的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0034] (第一實(shí)施方式）
[0035] 圖1是本實(shí)施方式的基板加工裝置900的示意性構(gòu)造圖?；寮庸ぱb置900具有離 子產(chǎn)生室902和處理室901。作為用于形成等離子體的等離子體形成部件的離子產(chǎn)生室902 包括:鐘罩(bell jar)904(放電容器），其形成離子產(chǎn)生室902的至少一部分;和氣體導(dǎo)入部 905,其用于將氣體導(dǎo)入離子產(chǎn)生室902中。在鐘罩904周圍安裝有天線906,天線906包括用 于在鐘罩904中產(chǎn)生感應(yīng)磁場的導(dǎo)電構(gòu)件。另外，電力供給部907和電磁線圈908安裝于鐘罩 904外。電力供給部907包括向天線906供給高頻率電力(源電力）的放電用電源和整合器。鐘 罩904是保持離子產(chǎn)生室902和處理室901內(nèi)部的真空的室外壁的一部分，還是收納通過放 電產(chǎn)生的等離子體的容器。通過從氣體導(dǎo)入部905向離子產(chǎn)生室902中供給氣體并且從電力 供給部907向天線906供給高頻率電力，在鐘罩904內(nèi)部和離子產(chǎn)生室902內(nèi)部形成等離子 體。
[0036] 處理室901包括基板保持件910和真空累903?；灞３旨?10具有用于保持作為處 理的對象物的基板100的基板保持面912。另外，真空累903被構(gòu)造成排出離子產(chǎn)生室902和 處理室901內(nèi)部的氣體并保持離子產(chǎn)生室902和處理室901內(nèi)部的真空。未圖示的ESC(靜電 卡盤Klectrostatic Chuck))電極連接至基板保持件910eESC電極用于借助于靜電吸附對 載置于基板保持件910的基板100進(jìn)行固定。基板保持件910僅需要具有固定基板的功能，而 不一定是利用通過ESC電極實(shí)現(xiàn)的靜電吸附的保持件。例如，能夠使用諸如使用夾持卡盤的 方法等的各種基板固定方法?；灞３旨?10被構(gòu)造成能夠通過使用未圖示的驅(qū)動(dòng)單元使 基板100相對于離子束的入射方向傾斜并且使基板100沿面內(nèi)方向轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0037] 具有用于引出離子的離子通過孔的電極組件909設(shè)置于離子產(chǎn)生室902和處理室 901之間的邊界處。電極組件909包括彼此平行配置的=個(gè)平板狀電極915、916和917,在各 平板狀電極915、916和917中形成待成為離子通過孔的孔部。在各平板狀電極915、916和 917,多個(gè)離子通過孔沿縱橫方向配置成格子圖案。多個(gè)離子通過孔形成于平板狀電極915、 916和917的相同位置。因此，在平板狀電極915、916和917堆疊的狀態(tài)下，平板狀電極915、 916和917中的離子通過孔彼此對準(zhǔn)，并且離子能夠通過平板狀電極915、916和917的離子通 過孔在離子產(chǎn)生室902和處理室901之間行進(jìn)。
[0038] 電極組件909具有從離子產(chǎn)生室902側(cè)朝向處理室901側(cè)依次設(shè)置的第一電極915、 第二電極916和第=電極917。具體地，第一電極915配置為最靠近離子產(chǎn)生室、即離子源，第 二電極916配置為與第一電極915相鄰并且比第一電極915靠近處理室901。另外，第=電極 917配置為最靠近處理室901。獨(dú)立的電壓源分別連接至第一電極915和第二電極916。向第 一電極915施加正電壓，而向第二電極916施加負(fù)電壓。運(yùn)在第一電極915和第二電極916之 間產(chǎn)生用于使離子加速的電位差。第=電極917電接地。通過控制第二電極916和第=電極 917之間的電位差，能夠借助于靜電透鏡效果將離子束的直徑控制在一定的數(shù)值范圍內(nèi)。
[0039] 對使用基板加工裝置900的離子束照射的動(dòng)作進(jìn)行說明。首先，將包括諸如氣(Ar) 等的惰性氣體的處理氣體從氣體導(dǎo)入部905導(dǎo)入離子產(chǎn)生室902內(nèi)。接下來，通過從電力供 給部907向天線906供給高頻率電力使離子產(chǎn)生室902內(nèi)的處理氣體離子化，由此產(chǎn)生包括 離子的等離子體，從而準(zhǔn)備了離子源。當(dāng)通過設(shè)置于電極組件909的許多離子通過孔時(shí)，離 子產(chǎn)生室902中形成的包括在等離子體中的離子通過第一電極915和第二電極916之間提供 的電位差加速。然后離子作為離子束被引出至處理室901。在被引出至處理室901之后，離子 束被未圖示的設(shè)置于處理室901的中和器中和并且落到基板100上。
[0040] 圖2A和圖2B是基板100在適用本實(shí)施方式中的基板加工方法之前的截面圖。如圖 2A所示，基板100包括基材101和設(shè)置在基材101上的構(gòu)件102。多個(gè)凹部103(凹槽)形成于構(gòu) 件 102。
[0041] 基材101和構(gòu)件102能夠由任何材料制成。例如，基材101為由娃等制成的半導(dǎo)體基 板或由玻璃等制成的絕緣體基板，構(gòu)件102為諸如層間絕緣膜等的絕緣膜或者為形成于某 些配線層的層間絕緣膜。在凹部103設(shè)置于基材101的情況下，構(gòu)件102對應(yīng)于基材101在厚 度方向上的形成凹部103的部分。凹部103形成于構(gòu)件102的表面并且是通過沿厚度方向去 除構(gòu)件102形成的。凹部103在構(gòu)件102的表面具有開口部103a。能夠通過使用例如離子束蝕 刻或反應(yīng)性離子蝕刻等的任何方法進(jìn)行凹部103的形成。
[0042] 如圖2B所示，在凹部103形成于構(gòu)件102之后，在構(gòu)件102的表面和凹部103的包括 凹部103的底部、側(cè)壁部和上端部的內(nèi)壁面形成沉積膜104。沉積膜104包括在構(gòu)件102的表 面上的上沉積膜104a、在凹部103的側(cè)壁部上的側(cè)壁沉積膜104b和在凹部103的底部上的底 部沉積膜104c。沉積膜104是包括金屬元素、半導(dǎo)體和任意其它材料的薄膜，沉積膜104例如 是Al膜、Ti膜或TiN膜。可W通過使用例如化學(xué)氣相沉積法(CVD)或瓣射等的任何方法進(jìn)行 沉積膜104的形成。
[0043] 通常，在沉積膜104的形成中，膜的材料趨向于沉積在凹部103的開口部103a附近。 因此，形成了突出部l〇4aa(也稱作橫罩(overhang))，在突出部104aa處，上沉積膜104a從凹 部103的開口部103a的側(cè)壁部向內(nèi)側(cè)方向（即、沿朝向由凹部103的側(cè)壁部圍成的空間側(cè)的 方向）突出。結(jié)果，開口部103a變小。如果隨后的埋入金屬材料的步驟在該狀態(tài)下進(jìn)行，則突 出部104aa變成為障礙并且金屬材料不會被充分埋入凹部103中。因此，容易在凹部103中形 成空隙。該現(xiàn)象特別在近年來的具有微細(xì)化圖案的基板100的加工中成為問題。將本實(shí)施方 式中的基板加工方法適用于運(yùn)樣的基板100能夠有效地減少突出部l〇4aa的突出量，并且能 夠抑制在將金屬材料埋入凹部103時(shí)產(chǎn)生空隙。
[0044] 本實(shí)施方式中的基板加工方法包括第一照射步驟、第二照射步驟和第=照射步 驟。在各照射步驟中，利用離子束在不同條件下照射基板100。離子束可W是包括中性粒子 的粒子束。圖3A是進(jìn)行第一照射步驟之后的基板100的截面圖。在第一照射步驟中，利用離 子束IBl沿成第一角度01的方向照射基板100的形成有凹部103的表面。第一角度01被定義 為到垂直于基板100的面內(nèi)方向S的方向V(即、基板100的厚度方向）的角度。第一角度01優(yōu) 選在大于40度且小于90度的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地，在大于或等于60度且小于或等于80度的范 圍內(nèi)。W運(yùn)樣的角度利用離子束IBl照射時(shí)，底部沉積膜104c的照射量小。因此，能夠在不大 幅度去除底部沉積膜104c的情況下減少突出部104aa在垂直于基板100的面內(nèi)方向S的方向 V上的厚度。
[0045] 圖3B是進(jìn)行第二照射步驟之后的基板100的截面圖。在第二照射步驟中，利用離子 束IB2沿成第二角度02的方向照射基板100的形成有凹部103的表面，第二角度02小于第一 角度01。第二角度02被定義為到垂直于基板100的面內(nèi)方向S的方向八即、基板100的厚度方 向）的角度。換言之，第二角度02的方向比第一角度01接近垂直于基板面內(nèi)方向。第二角度0 2優(yōu)選為在大于或等于0度且小于45度的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地，在大于或等于0度且小于或等于 20度的范圍內(nèi)。在第二照射步驟中，由于W接近垂直于基板100的面內(nèi)方向S的角度進(jìn)行IB2 的照射，所W能夠大幅度去除突出部l〇4aa，但是同時(shí)底部沉積膜104c也減少。然而，由于突 出部104aa在垂直于基板100的面內(nèi)方向S的方向上的厚度已經(jīng)通過第一照射步驟而減少， 所W在第一照射步驟之后殘留的突出部1 〇4aa的在平行于基板100的面內(nèi)方向S的方向上的 厚度能夠在短時(shí)間內(nèi)充分減少。結(jié)果，能夠抑制底部沉積膜104c的減少量。
[0046] 圖3C是進(jìn)行第=照射步驟之后的基板100的截面圖。在第=照射步驟中，利用離子 束IB3沿成第=角度03的方向照射基板100的形成有凹部103的表面，第=角度03大于第二 角度02。第=角度03被定義為到垂直于基板100的面內(nèi)方向S的方向八即、基板100的厚度方 向）的角度。換言之，第=角度03的方向比第二角度02接近平行于基板面內(nèi)方向。第=角度0 3優(yōu)選在大于40度且小于90度的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地，在大于或等于60度且小于或等于80度的 范圍內(nèi)。通過離子束IB3能夠充分地減少突出部104aa的朝向凹部103內(nèi)側(cè)方向的突出量。
[0047] 在執(zhí)行了第一照射步驟至第=照射步驟之后，通過瓣射將諸如銅或鶴等的金屬材 料埋入凹部103內(nèi)。由于通過第一照射步驟至第=照射步驟減少了突出部104aa的朝向凹部 103內(nèi)側(cè)方向的突出量，所W能夠抑制由于埋入金屬材料而在凹部103內(nèi)產(chǎn)生空孔。
[0048] 如果僅W接近平行于基板100的面內(nèi)方向S的第一角度01執(zhí)行利用離子束的照射， 則除了突出部l〇4aa之外，開口部103a附近的側(cè)壁沉積膜104b也被大幅度去除。因此，凹部 103的側(cè)壁部可能會在突出部104aa的朝向凹部103內(nèi)側(cè)方向的突出量被充分減少之前露 出。另外，如果僅W接近垂直于基板100的面內(nèi)方向S的第二角度02執(zhí)行利用離子束的照射， 則除了突出部l〇4aa之外，底部沉積膜104c也被大幅度去除。因此，凹部103的底部可能會在 突出部104aa的朝向凹部103內(nèi)側(cè)方向的突出量被充分減少之前露出。同時(shí)，在本實(shí)施方式 的基板加工方法中，執(zhí)行W接近平行于基板100的面內(nèi)方向S的第一角度01進(jìn)行的離子束照 射作為第一照射步驟，然后執(zhí)行W接近垂直于基板100的面內(nèi)方向S的第二角度02進(jìn)行的離 子束照射作為第二照射步驟。因此，能夠在抑制去除凹部103的內(nèi)壁面上的除了突出部 104aaW外的沉積膜104(即凹部103的底部、側(cè)壁部和上端部處的沉積膜104)的同時(shí)有效地 減少突出部l〇4aa的突出量。
[0049] 此外，能夠通過在第二照射步驟之后執(zhí)行W接近平行于基板100的面內(nèi)方向S的角 度03進(jìn)行的離子束照射作為第S照射步驟進(jìn)一步減少突出部104aa的突出量。結(jié)果，在從基 板100的上表面看的情況下，能夠增大由突出部104aa形成的孔的內(nèi)徑。
[0050] 圖4是示出本實(shí)施方式中的基板加工方法的流程的示例的圖。首先，準(zhǔn)備如圖2中 的形成有凹部103和沉積膜104的基板100作為被處理構(gòu)件，并將其固定于圖1中的基板加工 裝置900的基板保持件910(步驟SI)。接下來，使基板保持件910傾斜W將來自離子產(chǎn)生室 902的離子束對基板100的入射角度設(shè)置為第一角度01(步驟S2)。在該狀態(tài)下，執(zhí)行利用來 自離子產(chǎn)生室902的離子束進(jìn)行的對基板100的照射作為第一照射步驟(步驟S3)。在離子束 照射過程中，優(yōu)選通過轉(zhuǎn)動(dòng)基板保持件910使基板100沿面內(nèi)方向轉(zhuǎn)動(dòng)。由此能夠在基板100 的面內(nèi)方向上均勻地處理基板100。基板100在步驟S3之后的狀態(tài)是圖3A所示的狀態(tài)。
[0051] 接下來，基板保持件910傾斜，W將來自離子產(chǎn)生室902的離子束對基板100的入射 角度設(shè)置為第二角度92(步驟S4)。在角度從第一角度01變化至第二角度02的過程中，離子 束照射可W停止或連續(xù)。然后，在入射角度被設(shè)置為第二角度02的情況下執(zhí)行利用來自離 子產(chǎn)生室902的離子束進(jìn)行的對基板100的照射作為第二照射步驟(步驟S5)。在離子束照射 過程中，優(yōu)選通過轉(zhuǎn)動(dòng)基板保持件910使基板100沿面內(nèi)方向轉(zhuǎn)動(dòng)。由此能夠在基板100的面 內(nèi)方向上均勻地處理基板100。基板100在步驟S5之后的狀態(tài)是圖3B所示的狀態(tài)。
[0052] 接下來，基板保持件910傾斜，W將來自離子產(chǎn)生室902的離子束對基板100的入射 角度設(shè)置為第=角度93(步驟S6)。在該狀態(tài)下，執(zhí)行利用來自離子產(chǎn)生室902的離子束進(jìn)行 的對基板100的照射作為第=照射步驟(步驟S7)。在離子束照射過程中，優(yōu)選通過轉(zhuǎn)動(dòng)基板 保持件910使基板100沿面內(nèi)方向轉(zhuǎn)動(dòng)。運(yùn)能夠在基板100的面內(nèi)方向上均勻地執(zhí)行處理?；?板100在步驟S7之后的狀態(tài)是圖3C所示的狀態(tài)。
[0053] 雖然將角度01、02、03定義為離子束對基板100的入射角度，但是在基板100未固定 于基板保持件910的狀態(tài)下，角度01、02、03僅需要被定義為離子束對基板保持面912的入射 角度。
[0054] 在本實(shí)施方式中，在離子束產(chǎn)生部件(在本實(shí)施方式中為離子產(chǎn)生室902及電極組 件909)固定的狀態(tài)下使基板(在本實(shí)施方式中為基板保持件910)傾斜W改變離子束的入射 角度。然而，可W在基板固定的狀態(tài)下使離子束產(chǎn)生部件傾斜。另外，可W使離子束產(chǎn)生部 件和基板二者都傾斜。
[005引（實(shí)施例）
[0056]圖5和圖6是示出經(jīng)受了第一實(shí)施方式中的基板加工方法的基板的截面照片的圖。 圖5和圖6的照片是通過電子顯微鏡拍攝的截面圖像，并且出于易視性的考慮進(jìn)行了黑白反 轉(zhuǎn)。在圖5所示的樣本1中，在第一角度01被設(shè)置為80度、第二角度02被設(shè)置為0度、第=角度 03被設(shè)置為70度的情況下執(zhí)行第一實(shí)施方式中的基板加工方法。而在圖6所示的樣本2中， 在第一角度91被設(shè)置為80度、第二角度02被設(shè)置為20度、第=角度03被設(shè)置為70度的情況 下執(zhí)行第一實(shí)施方式中的基板加工方法。之后，如圖5所示，測量各樣本的突出部朝向凹部 的內(nèi)側(cè)方向突出的厚度0、基板的表面上的沉積膜的厚度T、凹部的底部上的沉積膜的厚度 B、凹部的側(cè)壁的上部的沉積膜的厚度S1、凹部的側(cè)壁的中央部的厚度S2和凹部的側(cè)壁的下 部的厚度S3。表1示出了對樣本1的各厚度的測量的結(jié)果。表2示出了對樣本2的各厚度的測 量的結(jié)果。表1和表2中各厚度的值表示為各值對照射前的值的比率，沒有單位。
[0化7][表1] 「nnf；Ql
[0061] 如表1和表2所示，通過第一照射步驟至第=照射步驟，突出部朝向凹部的內(nèi)側(cè)方 向突出的厚度0顯著減少。然而，凹部的內(nèi)壁面上的沉積膜的厚度B、Sl、S2、S3的變化率均小 于突出部的厚度0的變化率。因此，確認(rèn)了第一實(shí)施方式中的基板加工方法能夠在留下凹部 的底部、側(cè)壁部和上端部上的沉積膜的同時(shí)充分地減少突出部的厚度。
[0062] 第二角度02在樣本1中被設(shè)置為0度而在樣本2中被設(shè)置為20度，但是在兩個(gè)樣本 中均充分地獲得了本發(fā)明的效果。因此，優(yōu)選將第二角度02設(shè)置在大于或等于0度并且小于 45度的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地，在大于或等于0度并且小于或等于20度的范圍內(nèi)。
[0063] 為了確定第一角度01的優(yōu)選范圍，還進(jìn)行了一些實(shí)驗(yàn)。圖7是示出經(jīng)受了使用各種 第一角度91的第一實(shí)施方式中的第一照射步驟的基板的截面照片的圖。圖7的照片是通過 電子顯微鏡獲得的截面圖像，并且為了觀察進(jìn)行了黑白反轉(zhuǎn)。圖7中，在第一角度01被設(shè)置 為0度、20度、40度、60度和80度的情況下執(zhí)行第一實(shí)施方式中的第一照射步驟，然后測量各 樣本的厚度〇、8、51、52、53。表3示出了通過測量各樣本的厚度獲得的結(jié)果。表3中各厚度的 值表示為各值對照射前的值的比率，沒有單位。
[0064] [表3] 「fVW。

[0066] 如表3所示，在第一角度01為0度的樣本中凹部的底部上的沉積膜的厚度B大幅度 減少，在第一角度91為20度的樣本中凹部的側(cè)壁的中央部的沉積膜的厚度S2大幅度減少， 在第一角度01為40度的樣本中凹部的上部的沉積膜的厚度Sl大幅度減少。而在第一角度01 為60度和80度的樣本中，凹部的內(nèi)壁面上的沉積膜的厚度B、Sl、S2、S3的變化率都小。因此， 優(yōu)選將第一角度91設(shè)置在大于40度且小于90度的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地，在大于或等于60度且 小于或等于80度的范圍內(nèi)。
[0067] (第二實(shí)施方式）
[0068] 第一實(shí)施方式中的基板加工方法能夠優(yōu)選地適用于在半導(dǎo)體裝置的制造方法中 在凹部內(nèi)形成配線的情況。圖8是通過本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造的半導(dǎo) 體裝置10的截面圖。半導(dǎo)體裝置10包括基材1、設(shè)置于基材1的表面并且在內(nèi)部包含柵電極 2a的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M0SFET) 2、和覆蓋基材1的表面和MOSFET 2的層間絕 緣膜11。基材1是半導(dǎo)體基板。任意的MOSFET結(jié)構(gòu)都能夠用作MOSFET 2。例如，氧化娃能夠用 作層間絕緣膜11。
[0069] 通過向基材1中注入不純物離子，在基材1的與MOSFET 2接觸的表面附近形成源極 區(qū)域Ia和漏極區(qū)域lb。源極區(qū)域Ia和漏極區(qū)域Ib配置成彼此不接觸。在源極區(qū)域Ia和漏極 區(qū)域化的上方分別設(shè)置通過沿厚度方向去除層間絕緣膜11而形成的凹部12(凹槽）。
[0070] 覆蓋凹部12的內(nèi)壁面的底層膜13和覆蓋底層膜13的阻擋膜31形成于凹部12的內(nèi) 側(cè)（即、在由凹部12的側(cè)壁部圍成的空間側(cè)），阻擋膜31的內(nèi)側(cè)填充有配線材料32。底層膜13 是用于改善層間絕緣膜11(即、凹部12的內(nèi)壁面）與配線材料32之間的密合性的導(dǎo)電性的 膜，并且是例如Ti膜。阻擋膜31是用于通過抑制層間絕緣膜11與配線材料32之間的原子移 動(dòng)而改善阻擋性能的導(dǎo)電性的擴(kuò)散防止膜，并且是例如TiN膜。配線材料32是用于形成配線 的導(dǎo)電性材料，并且是例如化或W。
[0071] 在MOSFET 2及層間絕緣膜11上還依次形成SiN膜21和Si化膜22。在凹部12上方分 別設(shè)置通過沿厚度方向去除SiN膜21和Si化膜22形成的凹部23(凹槽）。在凹部23的內(nèi)側(cè) (即、在由凹部23的側(cè)壁部圍成的空間側(cè)）形成覆蓋凹部23的內(nèi)壁面的TiN膜24,并且在TiN 膜24的內(nèi)側(cè)填充有配線材料25。配線材料25是用于形成配線的導(dǎo)電性材料，并且是例如Cu 或W。
[0072] 圖9A至圖9C是示出本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造方法中半導(dǎo)體裝置10的制 造過程的截面圖。在本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置10的制造方法中，首先，通過注入不純物離 子在基材1的表面附近形成源極區(qū)域Ia和漏極區(qū)域化，在與基材1的表面上的源極區(qū)域Ia和 漏極區(qū)域Ib接觸的位置處形成包含柵電極2a的MOSFET 2。然后形成覆蓋基材1的表面和 MOSFET 2的側(cè)壁的層間絕緣膜11。接下來，通過沿厚度方向去除層間絕緣膜11來在源極區(qū) 域Ia和漏極區(qū)域化上方分別形成凹部12。能夠W任意方法形成凹部12。例如，能夠如下地形 成凹部12:通過使用光致抗蝕劑技術(shù)(photoresist technique)形成圖案;通過根據(jù)圖案進(jìn) 行蝕刻去除層間絕緣膜11;然后去除圖案。圖9A是形成凹部12的半導(dǎo)體裝置10的截面圖。
[0073] 接下來，依次形成覆蓋層間絕緣膜11的表面和凹部12的內(nèi)壁面的底層膜13和阻擋 膜31。在沉積底層膜13和阻擋膜31時(shí)，具有底層膜13和阻擋膜31朝向凹部12的內(nèi)側(cè)突出的 形狀的突出部形成于凹部12的上端部。鑒于此，在本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置10的制造方 法中，將第一實(shí)施方式中的基板加工方法、即圖4的流程圖所示的基板加工方法適用于如下 的第一時(shí)刻和第二時(shí)刻中的至少一者:第一時(shí)刻在形成底層膜13之后、形成阻擋膜31之前， 第二時(shí)刻在形成阻擋膜31之后、填充配線材料32之前。結(jié)果，能夠減少形成于凹部12內(nèi)側(cè)的 突出部的突出量并且在隨后的步驟中充分埋入配線材料32。另外，由于能夠在第一實(shí)施方 式中的基板加工方法中抑制對形成于凹部12的底部、側(cè)壁部和上端部的底層膜13和阻擋膜 31的去除，所W能夠維持底層膜13和阻擋膜31的阻擋性。
[0074] 在第一時(shí)刻進(jìn)行第一實(shí)施方式中的基板加工方法是優(yōu)選的，原因是對底層膜13的 突出部的去除能夠減少在該去除之后進(jìn)行的阻擋膜31的形成時(shí)的突出部的突出量。另外， 在第一時(shí)刻和第二時(shí)刻均進(jìn)行第一實(shí)施方式中的基板加工方法是更優(yōu)選的，原因是能夠進(jìn) 一步減少突出部的突出量。圖9B是底層膜13和阻擋膜31被去除的突出部的半導(dǎo)體裝置10的 截面圖。
[0075] 接下來，通過研磨(例如，CMP法)去除沉積在凹部12外的層間絕緣膜11的表面上的 底層膜13和阻擋膜31，并且通過瓣射用配線材料32填充凹部12。圖9C是凹部12填充有配線 材料32的半導(dǎo)體裝置10的截面圖。
[0076] 運(yùn)之后，雖然未圖示，但是通過研磨去除沉積在凹部12外的層間絕緣膜11的表面 上的配線材料32,并且在層間絕緣膜11上形成SiN膜21、Si〇2膜22、凹部23、TiN膜24和配線 材料25。除了上述步驟之外，可W在形成半導(dǎo)體裝置10包括的膜和凹部的任何步驟之間執(zhí) 行形成追加膜的形成步驟或者通過蝕刻、研磨等去除特定膜的一部分或全部的步驟。
[0077] (第=實(shí)施方式）
[0078] 優(yōu)選地，第一實(shí)施方式中的基板加工方法能夠適用于在半導(dǎo)體裝置的制造方法中 在凹部內(nèi)形成電極的情況。圖10是在本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造方法中制造的半導(dǎo) 體裝置60的截面圖。半導(dǎo)體裝置60包括通過后柵極工藝（gate-last process)形成的 MOSFET結(jié)構(gòu)。雖然下面說明了使用了P型MOSFET結(jié)構(gòu)的情況，但是在使用N型MOSFET結(jié)構(gòu)的 情況下，僅需要將下面說明中的N型和P型相互替換。半導(dǎo)體裝置60包括作為P型不純物區(qū)域 的基材61。通過向基材61注入不純物離子，在基材61的表面附近形成作為N型不純物區(qū)域的 源極區(qū)域61a和漏極區(qū)域61b?；?1是半導(dǎo)體基板。在源極區(qū)域61a和漏極區(qū)域61b的表面 附近形成高烙點(diǎn)金屬娃化物區(qū)域62。
[0079] 包括SiN膜69、Si〇2膜68、SiN膜67的側(cè)壁絕緣膜堆疊于源極區(qū)域61a和漏極區(qū)域 6化。由例如SiN制成的應(yīng)力內(nèi)襯膜(S化ess liner film)64、由例如Si化制成的絕緣膜65和 由例如SiN制成的阻止膜(stopper film)66堆疊于側(cè)壁絕緣膜并覆蓋側(cè)壁絕緣膜。另外，設(shè) 置有通過沿厚度方向去除側(cè)壁絕緣膜、應(yīng)力內(nèi)襯膜64、絕緣膜65和阻止膜66形成的凹部63 (凹槽）。凹部63的側(cè)壁部由應(yīng)力內(nèi)襯膜64、絕緣膜65、阻止膜66和包括SiN膜69、Si〇2膜68和 SiN膜67的側(cè)壁絕緣膜形成。
[0080] 在凹部63的底部形成柵極絕緣膜70。例如，氧化給、氧化給娃、氮氧化給娃或氧化 錯(cuò)能夠被用作柵極絕緣膜70。另外，形成有覆蓋凹部63的側(cè)壁部和柵極絕緣膜70的表面的 由例如Ti制成的底層膜71和覆蓋底層膜71的由例如TiN制成的阻擋膜72。阻擋膜72的內(nèi)側(cè) 填充有柵電極73。柵電極73是用于形成電極的導(dǎo)電性材料，例如為Cu或W。
[0081] 圖IlA和圖IlB是示出本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的半導(dǎo)體裝置60 的制造過程的圖。在本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置60的制造方法中，首先，在基材61的表面上 形成柵極絕緣膜70。優(yōu)選在柵極絕緣膜70上設(shè)置假柵極(dummy gate)(未圖示）W使后面的 成膜容易。接下來，通過例如CV的去依次形成SiN膜69、Si〇2膜68和SiN膜67,作為覆蓋柵極絕 緣膜70和假柵極的側(cè)表面的側(cè)壁絕緣膜。
[0082] 在形成側(cè)壁絕緣膜之后，對側(cè)壁絕緣膜周圍的基材61的表面注入不純物離子，從 而形成源極區(qū)域61a和漏極區(qū)域61b。之后，為了使不純物活性化，優(yōu)選進(jìn)行退火處理 (annealing)。接下來，在源極區(qū)域61a和漏極區(qū)域6化的表面上沉積高烙點(diǎn)金屬的薄層，并 且進(jìn)行退火W形成高烙點(diǎn)金屬娃化物區(qū)域62。然后，通過例如CVD法依次形成應(yīng)力內(nèi)襯膜 64、絕緣膜65和阻止膜66, W覆蓋側(cè)壁絕緣膜、假柵極和高烙點(diǎn)金屬娃化物區(qū)域62。
[0083] 然后，通過沿厚度方向去除假柵極（未圖示）、應(yīng)力內(nèi)襯膜64、絕緣膜65和阻止膜 66,在柵極絕緣膜70上形成凹部63。能夠通過任意方法形成凹部63。例如，能夠如下地形成 凹部63:通過使用光致抗蝕劑技術(shù)形成圖案;通過根據(jù)圖案進(jìn)行蝕刻來去除假柵極、應(yīng)力內(nèi) 襯膜64、絕緣膜65和阻止膜66;然后去除圖案。圖IlA是形成了凹部63的半導(dǎo)體裝置60的截 面圖。
[0084] 接下來，依次形成覆蓋阻止膜66的表面和凹部63的內(nèi)壁面的底層膜71和阻擋膜 72。當(dāng)沉積底層膜71和阻擋膜72時(shí)，具有底層膜71和阻擋膜72朝向凹部63的內(nèi)側(cè)突出的形 狀的突出部形成于凹部63的上端部。鑒于此，在本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置60的制造方法 中，將第一實(shí)施方式中的基板加工方法、即圖4的流程圖所示的基板加工方法適用于如下的 第一時(shí)刻和第二時(shí)刻中的至少一者:第一時(shí)刻在形成底層膜71之后、形成阻擋膜72之前，第 二時(shí)刻在形成阻擋膜72之后、填充柵電極73之前。結(jié)果，能夠減少形成于凹部63內(nèi)側(cè)的突出 部的突出量并且在隨后的步驟中充分埋入柵電極73。另外，由于能夠在第一實(shí)施方式中的 基板加工方法中抑制對形成于凹部63的底部、側(cè)壁部和上端部的底層膜71和阻擋膜72的去 除，所W能夠維持底層膜71和阻擋膜72的阻擋性。
[0085] 在第一時(shí)刻進(jìn)行第一實(shí)施方式中的基板加工方法是優(yōu)選的，原因是對底層膜71的 突出部的去除能夠減少在該去除之后進(jìn)行的阻擋膜72的形成時(shí)的突出部的突出量。另外， 在第一時(shí)刻和第二時(shí)刻均進(jìn)行第一實(shí)施方式中的基板加工方法是更優(yōu)選的，原因是能夠進(jìn) 一步減少突出部的突出量。圖IlB是去除了底層膜71和阻擋膜72的突出部的半導(dǎo)體裝置60 的截面圖。
[0086] 運(yùn)之后，雖然未圖示，但是通過瓣射用柵電極73填充凹部63,并且通過研磨去除凹 部63外的阻止膜66的表面上沉積的底層膜71、阻擋膜72和柵電極73。前述圖10的截面圖示 出了該狀態(tài)下的半導(dǎo)體裝置60。除了上述步驟之外，可W在形成半導(dǎo)體裝置60中包括的膜 和凹部的任何步驟之間執(zhí)行形成追加膜的形成步驟或者通過蝕刻、研磨等去除特定膜的一 部分或全部的步驟。
[0087] (第四實(shí)施方式）
[0088] 圖12是本實(shí)施方式中的基板加工裝置1000的示意性構(gòu)造圖。相同的構(gòu)件和具有與 第一實(shí)施方式中說明的基板加工裝置900的構(gòu)件的功能相同的功能的構(gòu)件由相同的附圖標(biāo) 記表示并將省略其說明?；寮庸ぱb置1000與第一實(shí)施方式中的基板加工裝置900的不同 之處在于基板加工裝置1000包括快口（shutter)918。快口918包括驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)918a和快口部 918b。驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)918a被構(gòu)造成能夠在如下兩個(gè)位置之間驅(qū)動(dòng)快口部918b:快口部918b將基 板100與來自于離子產(chǎn)生室902的離子束遮蔽開的位置（W下，也稱為第一位置），和快口部 918b不將基板100與來自于離子產(chǎn)生室902的離子束遮蔽開的位置（W下，也稱為第二位 置）。例如，馬達(dá)、致動(dòng)器等能夠被用作驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)918a。
[0089] 使用圖13示出的流程說明使用快口 918的本實(shí)施方式中的基板加工方法。在本實(shí) 施方式中的基板加工方法中的步驟Sll至步驟S13與第一實(shí)施方式中的基板加工方法中的 步驟Sl至步驟S3相同。注意，步驟S13中的第一照射步驟是在快口部918b設(shè)在第二位置時(shí)進(jìn) 行的。
[0090] 在本實(shí)施方式中，在步驟S13中的第一照射步驟完成之后，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)918a進(jìn)行驅(qū)動(dòng) W將快口部918b設(shè)到第一位置，由此快口 918將基板100與離子束遮蔽開(步驟S14)。然后， 在此狀態(tài)下，使基板保持件910傾斜，W將來自于離子產(chǎn)生室902的離子束對基板100的入射 角度設(shè)為第二角度目2(步驟S15)。運(yùn)之后，再次使驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)918a進(jìn)行驅(qū)動(dòng)W將快口部918b設(shè) 到第二位置，快口918停止將基板100與離子束遮蔽開(步驟S16)。在快口部918b移動(dòng)時(shí)，用 來自于離子產(chǎn)生室902的離子束W被設(shè)為第二角度02的入射角度照射基板100(步驟S17)。
[0091] 在步驟S17之后，再次使驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)918a進(jìn)行驅(qū)動(dòng)W將快口部918b設(shè)到第一位置(步 驟S18)。然后，使基板保持件910傾斜，W將來自于離子產(chǎn)生室902的離子束對基板100的入 射角度設(shè)為第S角度目3(步驟S19)。運(yùn)之后，再次使驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)918a進(jìn)行驅(qū)動(dòng)W將快口部918b 設(shè)到第二位置，并且快口 918停止將基板100與離子束遮蔽開(步驟S20)。在快口部918b移動(dòng) 時(shí)，用來自于離子產(chǎn)生室902的離子束W被設(shè)為第=角度03的入射角度照射基板100(步驟 S21)〇
[0092] 執(zhí)行運(yùn)些步驟使得快口 918在離子束的入射角度從第一角度01轉(zhuǎn)變到第二角度02 的過程中W及從第二角度02轉(zhuǎn)變到第=角度03的過程中將基板從離子束遮蔽開。結(jié)果，能 夠在維持從離子產(chǎn)生室902引出的離子束的狀態(tài)下利用離子束僅W第一角度01、第二角度0 2和第=角度03照射基板100。因此，能夠進(jìn)行更精密的基板加工。另外，由于在基板加工期 間維持了離子束的照射、即離子束朝向基板100連續(xù)照射，所W與在基板的加工途中暫時(shí)停 止離子束的照射然后重新開始照射的情況相比，能夠抑制在離子束照射停止和離子束照射 開始時(shí)刻的蝕刻速度的變化和抑制具有低指向性的離子束照射。
[0093] 注意，在本實(shí)施方式中，通過將快口部918b設(shè)在離子產(chǎn)生室902與基板100之間使 基板100與離子束遮蔽開。可選地，可W通過在離子產(chǎn)生室902與基板100之間產(chǎn)生電場并且 改變離子束的行進(jìn)方向來防止基板100被離子束照射。在本實(shí)施方式中，通過使用任意方法 防止基板100被如上所述的離子束照射稱為對離子束的遮蔽。
[0094] 本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，在不背離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)能夠適宜地進(jìn)行各 種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種基板加工方法，所述基板加工方法對在表面形成有凹部的基板進(jìn)行加工，在所 述基板中，所述凹部的開口部形成有沉積膜，所述基板加工方法包括： 第一照射步驟，其中，利用粒子束沿與垂直于所述基板的面內(nèi)方向的方向形成第一角 度的方向照射形成于所述開口部的所述沉積膜，以去除所述沉積膜的厚度方向上的一部 分;和 第二照射步驟，其中，在所述第一照射步驟之后，利用所述粒子束沿比所述第一角度更 加接近垂直于所述基板的面內(nèi)方向、并且與垂直于所述基板的面內(nèi)方向的方向形成第二角 度的方向照射形成于所述開口部的所述沉積膜，以去除殘留的所述沉積膜的厚度方向上的 一部分。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述沉積膜包括從所述凹部的側(cè) 壁部朝向所述凹部的內(nèi)側(cè)方向突出的突出部。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板加工方法，其特征在于，所述第一照射步驟減少所述突出 部的在垂直于所述基板的面內(nèi)方向的方向上的厚度，所述第二照射步驟減少所述突出部的 在平行于所述基板的方向上的厚度。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，除了所述開口部以外，所述沉積 膜還形成于所述凹部的底部和側(cè)壁部。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述第一角度在大于40度且小于 90度的范圍內(nèi)。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板加工方法，其特征在于，所述第一角度在大于或等于60度 且小于或等于80度的范圍內(nèi)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述第二角度在大于或等于0度 且小于45度的范圍內(nèi)。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板加工方法，其特征在于，所述第二角度在大于或等于0度 且小于或等于20度的范圍內(nèi)。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述沉積膜包含金屬元素。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板加工方法，其特征在于，所述沉積膜起到擴(kuò)散防止膜的 作用。11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板加工方法，其特征在于，所述沉積膜包含A1和Ti中的至 少一者。12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述基板包括由絕緣體制成的 構(gòu)件，所述凹部形成于所述構(gòu)件中。13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述粒子束包括中性粒子。14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板加工方法，其特征在于， 在所述第一照射步驟之后直到所述第二照射步驟開始，連續(xù)地朝向所述基板發(fā)射所述 粒子束;并且 所述基板加工方法還包括： 在所述第一照射步驟之后、在所述基板相對于所述粒子束的角度從所述第一角度改變 之前，將所述基板與所述粒子束遮蔽開的步驟;和 在所述基板相對于所述粒子束的角度從所述第一角度改變至所述第二角度之后，停止 將所述基板與所述粒子束遮蔽開的步驟。15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述基板加工方法還包括在所 述第二照射步驟之后的第三照射步驟，在所述第三照射步驟中，利用所述粒子束沿比所述 第二角度接近平行于所述基板的所述面內(nèi)方向、并且與垂直于所述基板的所述面內(nèi)方向的 方向形成第三角度的方向?qū)π纬捎谒鲩_口部的所述沉積膜進(jìn)行照射，以去除殘留的所述 沉積膜的厚度方向上的一部分。16. -種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置包括基板，所述基板的表面具有凹 部，在所述基板中，在所述凹部的開口部形成有沉積膜，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包括： 第一照射步驟，其中，利用粒子束沿與垂直于所述基板的面內(nèi)方向的方向形成第一角 度的方向照射形成于所述開口部的所述沉積膜，以去除所述沉積膜的厚度方向上的一部 分;和 第二照射步驟，其中，在所述第一照射步驟之后，利用所述粒子束沿比所述第一角度更 加接近垂直于所述基板的面內(nèi)方向、并且與垂直于所述基板的面內(nèi)方向的方向形成第二角 度的方向照射形成于所述開口部的所述沉積膜，以去除殘留的所述沉積膜的厚度方向上的 一部分。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置的制 造方法還包括如下步驟:在所述第一照射步驟和所述第二照射步驟之后，形成覆蓋所述基 板的表面和所述凹部的內(nèi)壁面的至少一部分的第二沉積膜。
【文檔編號】H01L21/28GK105849870SQ201480070783
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2014年8月27日
【發(fā)明人】赤坂洋, 池田真義, 木村和弘, 神谷保志, 豊里智彥
【申請人】佳能安內(nèi)華股份有限公司