專利名稱：晶片封裝體及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于晶片封裝體，且特別是有關(guān)于光學(xué)感測晶片或發(fā)光晶片的封裝體。
背景技術(shù)：
光感測元件或發(fā)光元件等光電元件在擷取影像或照明的應(yīng)用中扮演著重要的角色，這些光電元件均已廣泛地應(yīng)用于例如數(shù)字照相機(jī)(digital camera)、數(shù)字?jǐn)z攝像機(jī) (digital video recorder)、移動(dòng)電話(mobile phone)、太陽能電池、屏幕、照明設(shè)備等電子元件中。隨著科技的演進(jìn)，對(duì)于光感測元件的感測精準(zhǔn)度或發(fā)光元件的發(fā)光精準(zhǔn)度的需求亦隨之提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光學(xué)元件，設(shè)置于該第一表面上；一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該第一表面上；一第一對(duì)準(zhǔn)圖案，形成于該第一表面上；以及一遮光層，設(shè)置于該第二表面上，且具有一第二對(duì)準(zhǔn)圖案，其中該第二對(duì)準(zhǔn)圖案對(duì)應(yīng)于該第一對(duì)準(zhǔn)圖案。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一穿孔，自該第二表面朝該第一表面延伸；一絕緣層，形成于該穿孔的側(cè)壁上，且延伸至該基底的該第二表面上；以及一導(dǎo)電層，形成于該穿孔中的該絕緣層上，且延伸至該第二表面上的該絕緣層上，其中該導(dǎo)電層電性連接該導(dǎo)電墊。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層具有一側(cè)端，該側(cè)端與該穿孔隔有一間距。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層的該側(cè)端位于該光學(xué)元件與該穿孔之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層的該側(cè)端位于該導(dǎo)電墊在該第二表面上的正投影的范圍內(nèi)。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層位于該基底與該絕緣層之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層具有一側(cè)端，該側(cè)端與該穿孔的側(cè)壁共平面。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面與該光學(xué)元件上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該第一對(duì)準(zhǔn)圖案形成于該基底的該第一表面上的一材料層中。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一保護(hù)層，設(shè)置于該基底的該第二表面；以及一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該第二表面上，且該保護(hù)層部分圍繞該導(dǎo)電凸塊，該導(dǎo)電凸塊與該導(dǎo)電墊電性連接。本發(fā)明提供一種晶片封裝體的形成方法，包括提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，該基底包括一光學(xué)元件，設(shè)置于該第一表面上；以及一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該第一表面上；于該基底的該第一表面上形成一第一對(duì)準(zhǔn)圖案；于該基底的該第二表面上，對(duì)應(yīng)該第一對(duì)準(zhǔn)圖案而形成一第二對(duì)準(zhǔn)圖案；以及于該基底的該第二表面上形成一遮光層，該遮光層順應(yīng)性形成于該第二對(duì)準(zhǔn)圖案上，因而該遮光層具有對(duì)應(yīng)于該第二對(duì)準(zhǔn)圖案的一第三對(duì)準(zhǔn)圖案。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括自該基底的該第二表面移除部分的該基底以形成朝該基底的該第一表面延伸的一穿孔；于該穿孔的側(cè)壁上及該基底的該第二表面上形成一絕緣層；以及于該穿孔中的該絕緣層上及該第二表面上的該絕緣層上形成一導(dǎo)電層，其中該導(dǎo)電層電性連接該導(dǎo)電墊。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該穿孔與該第二對(duì)準(zhǔn)圖案同時(shí)形成。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該絕緣層在形成該遮光層之后形成。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該遮光層在形成該穿孔之后形成。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括以該遮光層的該第三對(duì)準(zhǔn)圖案為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而將該遮光層圖案化，使該穿孔中不具有該遮光層，并使該遮光層的一側(cè)端與該穿孔隔有一間距。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該遮光層在形成該穿孔之前形成。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括以該遮光層的該第三對(duì)準(zhǔn)圖案為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而將該遮光層圖案化以形成一開口，該開口露出部分的該基底；以及以該遮光層為遮罩，自該開口所露出的該基底移除部分的該基底以形成自該第二表面朝該第一表面延伸的該穿孔。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括于該基底的該第一表面與該光學(xué)元件之上設(shè)置一透明基底。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括于該基底的該第二表面上形成一保護(hù)層；以及于該第二表面上形成一導(dǎo)電凸塊，其中該保護(hù)層部分圍繞該導(dǎo)電凸塊，且該導(dǎo)電凸塊電性連接該導(dǎo)電墊。本發(fā)明可使晶片封裝體的制程更為精準(zhǔn)，并可提高晶片封裝體的良率。


圖IA至圖IE顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。圖2A至圖2E顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。圖3A至圖;3B分別顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的俯視圖。附圖中符號(hào)的簡單說明如下100 基底；IOOaUOOb 表面；102 光學(xué)元件；103 保護(hù)層；104 導(dǎo)電墊；105 粘著層；106 透明基底；108aU08bU08c 對(duì)準(zhǔn)圖案；110 穿孔；112 遮光層；112a:側(cè)端； 114 絕緣層；116 導(dǎo)電層；118 保護(hù)層；120 導(dǎo)電凸塊；R 范圍。
具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)， 包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝光感測元件或發(fā)光元件。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無源元件(active or passive elements)、數(shù)字電路或模擬電路(digital or analog circuits) 等集成電路的電子元件(electronic components)，例如是有關(guān)于光電元件(opto electronic devices) ^ ^ ^ (Micro Electro Mechanical System ；MEMS) ,WfiW 系統(tǒng)(micro fluidic systems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測量的物理感測器 (Physical Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級(jí)封裝(wafer scale package ；WSP)制程對(duì)影像感測元件、發(fā)光二極管(light-emitting diodes ;LEDs)、太陽能電池(solar cells)、 射頻元件(RF circuits)、加速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動(dòng)器(micro actuators)、表面聲波兀件(surface acoustic wave devices)、壓力感測器(process sensors)或噴墨頭(ink printer heads)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。其中上述晶圓級(jí)封裝制程主要指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱之為晶圓級(jí)封裝制程。另外，上述晶圓級(jí)封裝制程亦適用于借堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(multi-layer integrated circuit devices)的晶片封裝體。圖IA至圖IE顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的一系列制程剖面圖。如圖 IA所示，提供基底100，其具有第一表面100a及第二表面100b?；?00例如為半導(dǎo)體基底或陶瓷基底。在一實(shí)施例中，基底100為半導(dǎo)體晶圓(如硅晶圓)而可進(jìn)行晶圓級(jí)封裝以節(jié)省制程時(shí)間與成本。如圖IA所示，在一實(shí)施例中，第一表面100a上設(shè)置有至少一光學(xué)元件102。光學(xué)元件102可包括(但不限于)光學(xué)感測元件或發(fā)光元件。光學(xué)感測元件例如是CMOS影像感測元件，而發(fā)光元件例如是發(fā)光二極管元件。在一實(shí)施例中，基底100的第一表面100a上還設(shè)置有導(dǎo)電墊104。導(dǎo)電墊104例如可與光學(xué)元件102或封裝體中的其他元件電性連接。在圖IA的實(shí)施例中，導(dǎo)電墊104形成于第一表面100a上的保護(hù)層(passivation layer) 103之中。保護(hù)層103例如可為介電層，如氧化物、氮化物、氮氧化物或前述的組合等。此外，雖然圖IA中僅顯示出單層的導(dǎo)電墊104。然而，多個(gè)導(dǎo)電墊可能彼此堆疊及/或排列于基底100上。例如，在一實(shí)施例中，導(dǎo)電墊104可包括多個(gè)彼此堆疊的導(dǎo)電墊、或至少一導(dǎo)電墊、或至少一導(dǎo)電墊與至少一層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)所組成的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)。如圖IA所示，在一實(shí)施例中，可選擇性于基底100的第一表面100a及光學(xué)元件 102上設(shè)置透明基底106。透明基底106可作為光學(xué)元件102的保護(hù)層，并可允許光線自外界傳至光學(xué)元件102或使光學(xué)元件102所發(fā)出的光線可透過透明基底106而傳至外界。透明基底106例如可透過粘著層105而固定于基底100的上。透明基底106例如為玻璃基底、 石英基底、透明高分子基底或前述的組合等。在一實(shí)施例中，于基底100的第一表面100a上形成對(duì)準(zhǔn)圖案以作為后續(xù)圖案化制程的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。對(duì)準(zhǔn)圖案可直接形成在基底100的第一表面100a上，其例如可為一凹下的凹口圖案或一凸起的凸塊圖案。或者，對(duì)準(zhǔn)圖案可形成于基底100的第一表面IOOa上的其他材料層之中。以圖IA的實(shí)施例為例，對(duì)準(zhǔn)圖案108a形成于基底100的第一表面IOOa上的保護(hù)層103中。如圖IA所示，對(duì)準(zhǔn)圖案108a為保護(hù)層103下表面上的一凹口。應(yīng)注意的是，對(duì)準(zhǔn)圖案108a不限于僅為一凹口，而可能是多個(gè)形狀不受限的凹口、凸起及/或前述的組合。例如，在另一實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)圖案108a包括形成于保護(hù)層103上的一凸塊(未顯示)°接著，如圖IB所示，于基底100的第二表面IOOb上對(duì)應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)圖案108a而形成對(duì)準(zhǔn)圖案108b。換言之，對(duì)準(zhǔn)圖案108b的位置與分布由對(duì)準(zhǔn)圖案108a所決定。例如，可根據(jù)設(shè)計(jì)法則(design rule)而定義出對(duì)準(zhǔn)圖案108b。在一實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)圖案108b的位置大抵與對(duì)準(zhǔn)圖案108a對(duì)齊。在另一實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)圖案108b的位置不與對(duì)準(zhǔn)圖案108a對(duì)齊，而是隔有一預(yù)定距離或彼此間具有一預(yù)定的相對(duì)關(guān)系。由于對(duì)準(zhǔn)圖案108b是對(duì)應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)圖案108a，可使基底100兩側(cè)所將進(jìn)行的制程得以匹配。如圖IB所示，在一實(shí)施例中，可選擇性于基底100中形成穿孔110。例如，可自基底100的第二表面IOOb移除部分的基底100以形成朝第一表面IOOa延伸的穿孔110。在一實(shí)施例中，穿孔110與對(duì)準(zhǔn)圖案108b同時(shí)形成。例如，穿孔110與對(duì)準(zhǔn)圖案108b可于同一蝕刻制程中形成。此外，雖然在圖IB的實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)圖案108b的深度小于穿孔110的深度，但本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施方式不限于此。在其他實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)圖案108b的深度可大抵等于或大于穿孔110的深度。此外，在另一實(shí)施例中，穿孔110與對(duì)準(zhǔn)圖案108b分別于不同的制程中形成。在一實(shí)施例中，穿孔110可露出部分的導(dǎo)電墊104。再者，穿孔110的側(cè)壁可為垂直側(cè)壁或傾斜側(cè)壁。在一實(shí)施例中，穿孔110的開口口徑由上往下遞減。在另一實(shí)施例中， 穿孔110的開口口徑由上往下遞增，即在此情形下，穿孔110具有“倒角”結(jié)構(gòu)。此外，在另一實(shí)施例中，在形成對(duì)準(zhǔn)圖案108b與穿孔110之前，可選擇性對(duì)基底100進(jìn)行薄化制程以利后續(xù)制程的進(jìn)行。例如，可以透明基底106為支撐，自基底100的第二表面IOOb進(jìn)行例如是機(jī)械研磨或化學(xué)機(jī)械研磨的薄化制程，以將基底100縮減至一預(yù)定厚度。接著，如圖IC所示，于基底100的第二表面IOOb上形成遮光層112。遮光層112 的材質(zhì)可包括高分子材料、金屬材料或前述的組合。例如，遮光層可為黑光阻層，其可透過曝光及顯影制程而圖案化。遮光層112可有助于阻擋及/或吸收來自晶片封裝體外部的光線，尤其是來自基底100的第二表面IOOb后的光線，因而可有利于光學(xué)元件102的操作。例如，當(dāng)光學(xué)元件102為影像感測元件時(shí)，遮光層112可擋住來自基底100的第二表面IOOb 的光線而避免造成影像噪聲?；蛘?，當(dāng)光學(xué)元件102為發(fā)光元件時(shí)，遮光層112可擋住來自基底100的第二表面IOOb的光線，以避免晶片封裝體所發(fā)出的光線的波長及/或強(qiáng)度受到外界光線的影響。如圖IC所示，遮光層112可大抵順應(yīng)性地形成于對(duì)準(zhǔn)圖案108b上。請(qǐng)參照?qǐng)DIB 及圖1C，當(dāng)對(duì)準(zhǔn)圖案108b為一凹口時(shí)(見圖1B)，大抵順應(yīng)性形成于其上的遮光層112亦將具有一尺寸較小的凹口(見圖1C)，該凹口亦可作為對(duì)準(zhǔn)圖案。因此，在此實(shí)施例中，遮光層112具有對(duì)準(zhǔn)圖案108c，如圖IC所示。如上述，由于遮光層112可隔離及/或吸收晶片封裝體外的光線，因此在形成遮光層112之后，可能無法偵測基底100的第一表面IOOa上的對(duì)準(zhǔn)圖案108a。因此，形成于遮光層112中的對(duì)準(zhǔn)圖案108c此時(shí)可作為對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)記，以利于基底100的第二表面IOOb上后續(xù)制程的進(jìn)行。再者，如上述，對(duì)準(zhǔn)圖案108a與108b 彼此對(duì)應(yīng)。因此，順應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)圖案108b而形成的對(duì)準(zhǔn)圖案108c亦將與對(duì)準(zhǔn)圖案108a相對(duì)應(yīng)。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1C，在此實(shí)施例中，由于遮光層112是于形成穿孔110之后才形成， 因此所形成的遮光層112可能會(huì)填入穿孔110中的底部及/或側(cè)壁上。因此，需對(duì)遮光層 112進(jìn)行圖案化制程而使穿孔110中大抵不具有遮光層112以利于后續(xù)制程的進(jìn)行。在一實(shí)施例中，在圖案化遮光層112時(shí)，可控制制程方式而使遮光層112的側(cè)端11 與穿孔110 之間隔有一間距，以確保遮光層112可大抵完全自穿孔110中移除。例如，在一實(shí)施例中，遮光層112可為一黑光阻層，其通常為(但不限于)負(fù)型光阻。此時(shí)，可以遮光層112中的對(duì)準(zhǔn)圖案108c為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，并對(duì)穿孔110中的遮光層112 與穿孔110外圍的部分的遮光層112進(jìn)行曝光及顯影制程，因而形成出如圖IC所示的遮光層112。然應(yīng)注意的是，在其他實(shí)施例中，遮光層112可為其他種類的高分子材料、金屬材料或前述的組合。在一實(shí)施例中，遮光層112的側(cè)端11 位于光學(xué)元件102與穿孔110之間，如圖 IC所示。在圖IC的實(shí)施例中，遮光層112的側(cè)端11 還位于導(dǎo)電墊104在第二表面IOOb 的正投影的范圍R內(nèi)。圖3A顯示此情形下的俯視圖，其顯示部分元件的位置以幫助了解各元件的相對(duì)位置關(guān)系。如圖3A所示，遮光層112與導(dǎo)電墊104在垂直方向上部分重疊，且遮光層112的側(cè)端11 位于光學(xué)元件102與穿孔110之間。在另一實(shí)施例中，遮光層112的側(cè)端11 可落于導(dǎo)電墊104在第二表面IOOb的正投影的范圍R外，視需求而定。圖3B顯示此情形下的俯視圖，其顯示部分元件的位置以幫助了解各元件的相對(duì)位置關(guān)系。如圖:3B所示，遮光層112與導(dǎo)電墊104在垂直方向上大抵無重疊，且遮光層112的側(cè)端11 位于光學(xué)元件102與穿孔110之間。在一實(shí)施例中，由于遮光層112的側(cè)端11 位于導(dǎo)電墊104在第二表面IOOb的正投影的范圍R內(nèi)，即遮光層112與導(dǎo)電墊104在垂直方向上部分重疊，可確保外界的光線大抵被遮光層112即導(dǎo)電墊104阻擋及/或吸收。接著，如圖ID所示，在一實(shí)施例中，在形成遮光層112之后，于穿孔110的側(cè)壁及基底100的第二表面IOOb上形成絕緣層114。在此情形下，遮光層112位于基底100與絕緣層114之間。在一實(shí)施例中，絕緣層114會(huì)形成于穿孔110的底部上而蓋住導(dǎo)電墊104。 在此情形下，可對(duì)絕緣層114進(jìn)行圖案化制程以移除穿孔110的底部上的部分絕緣層114 以使導(dǎo)電墊104露出。如圖IE所示，接著于穿孔110中的絕緣層114上及第二表面IOOb上形成導(dǎo)電層 116。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電層116電性連接導(dǎo)電墊104。導(dǎo)電層116可于穿孔110的底部與導(dǎo)電墊104電性接觸，并可沿著穿孔110的側(cè)壁向上延伸至第二表面IOOb上。如圖IE所示，在一實(shí)施例中，可選擇性于基底100的第二表面IOOb上形成保護(hù)層 118，其例如可為防焊層、綠漆或前述的相似物等。接著，可于第二表面IOOb上形成導(dǎo)電凸塊120，其中保護(hù)層118部分圍繞導(dǎo)電凸塊120，且導(dǎo)電凸塊120電性連接導(dǎo)電墊104。例如，在形成保護(hù)層118之后，可移除部分的保護(hù)層118以形成露出部分的導(dǎo)電層116的開口。接著，于露出導(dǎo)電層116的開口中形成導(dǎo)電凸塊120。導(dǎo)電凸塊120可通過導(dǎo)電層116 而與導(dǎo)電墊104電性連接。
圖2A至2E顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的一系列制程剖面圖，其中相同或相似的元件將以相同或相似的標(biāo)號(hào)標(biāo)示。如圖2A所示，提供基底100，其具有第一表面 IOOa及第二表面100b。第一表面100a上設(shè)置有至少一光學(xué)元件102。光學(xué)元件102可包括(但不限于)光學(xué)感測元件或發(fā)光元件。光學(xué)感測元件例如是CMO S影像感測元件，而發(fā)光元件例如是發(fā)光二極管元件。在一實(shí)施例中，基底100的第一表面IOOa上還設(shè)置有導(dǎo)電墊104。導(dǎo)電墊104例如可與光學(xué)元件102或封裝體中的其他元件電性連接。如圖2A所示，在一實(shí)施例中，可選擇性于基底100的第一表面IOOa及光學(xué)元件 102上設(shè)置透明基底106。透明基底106例如可通過粘著層105而固定于基底100上。在一實(shí)施例中，于基底100的第一表面IOOa上形成對(duì)準(zhǔn)圖案以作為后續(xù)圖案化制程的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。對(duì)準(zhǔn)圖案可直接形成在基底100的第一表面IOOa上，其例如可為一凹下的凹口圖案或一凸起的凸塊圖案。或者，對(duì)準(zhǔn)圖案可形成于基底100的第一表面IOOa上的其他材料層之中。以圖2A的實(shí)施例為例，對(duì)準(zhǔn)圖案108a形成于基底100第一表面IOOa上的保護(hù)層103中。如圖2A所示，對(duì)準(zhǔn)圖案108a為保護(hù)層103下表面上的一凹口。應(yīng)注意的是，對(duì)準(zhǔn)圖案108a不限于僅為一凹口，而可能是多個(gè)形狀不受限的凹口、凸起、及/或前述的組合。接著，如圖2A所示，于基底100的第二表面IOOb上對(duì)應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)圖案108a而形成對(duì)準(zhǔn)圖案108b。換言之，對(duì)準(zhǔn)圖案108b的位置與分布由對(duì)準(zhǔn)圖案108a所決定。在一實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)圖案108b的位置大抵與對(duì)準(zhǔn)圖案108a對(duì)齊。在另一實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)圖案108b 的位置不與對(duì)準(zhǔn)圖案108a對(duì)齊，而是隔有一預(yù)定距離或彼此間具有一預(yù)定的相對(duì)關(guān)系。由于對(duì)準(zhǔn)圖案108b是對(duì)應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)圖案108a，可使基底100兩側(cè)所將進(jìn)行的制程得以匹配。接著，如圖2B所示，于基底100的第二表面IOOb上形成遮光層112。遮光層112 的材質(zhì)可包括高分子材料、金屬材料或前述的組合。例如，遮光層可為黑光阻層，其可透過曝光及顯影制程而圖案化。如圖2B所示，遮光層112可大抵順應(yīng)性地形成于對(duì)準(zhǔn)圖案108b上。請(qǐng)參照?qǐng)D2A 及圖2B，當(dāng)對(duì)準(zhǔn)圖案108b為一凹口時(shí)(見圖2A)，大抵順應(yīng)性形成于其上的遮光層112亦將具有一尺寸較小的凹口(見圖2B)，該凹口亦可作為對(duì)準(zhǔn)圖案。因此，在此實(shí)施例中，遮光層112具有對(duì)準(zhǔn)圖案108c，如圖2B所示。由于遮光層112可隔離及/或吸收晶片封裝體外的光線，因此在形成遮光層112 之后，可能無法偵測基底100的第一表面IOOa上的對(duì)準(zhǔn)圖案108a。因此，形成于遮光層112 中的對(duì)準(zhǔn)圖案108c此時(shí)可作為對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)記，以利于基底100的第二表面IOOb上后續(xù)制程的進(jìn)行。再者，如上述，對(duì)準(zhǔn)圖案108a與108b彼此對(duì)應(yīng)。因此，順應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)圖案108b而形成的對(duì)準(zhǔn)圖案108c亦將與對(duì)準(zhǔn)圖案108a相對(duì)應(yīng)。在一實(shí)施例中，可選擇性于基底100中形成穿孔。在此情形下，可如圖2B所示，將先前所形成的遮光層112圖案化以形成露出部分基底100的開口。在一實(shí)施例中，可以遮光層112中的對(duì)準(zhǔn)圖案108c為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而將遮光層112圖案化。例如，當(dāng)遮光層112為黑光阻層時(shí)，可通過對(duì)準(zhǔn)圖案108c的定位而僅對(duì)特定位置的遮光層112進(jìn)行曝光制程。在后續(xù)顯影制程之后，便可形成出所需的圖案化遮光層112?；蛘?，在另一實(shí)施例中，可選用金屬層作為遮光層112。在此情形下，可通過于金屬層上形成圖案化光阻層。接著，進(jìn)行蝕刻制程而將金屬層圖案化為所需的遮光層112。
接著，如圖2C所示，可以遮光層112為遮罩，自基底100的第二表面IOOb移除部分的基底100以形成朝第一表面IOOa延伸的穿孔110。雖然在圖2C的實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)圖案 108c的深度小于穿孔110的深度，但本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施方式不限于此。在其他實(shí)施例中， 對(duì)準(zhǔn)圖案108c的深度可大抵等于或大于穿孔110的深度。在一實(shí)施例中，穿孔110以蝕刻制程形成。因此，可選用與基底100之間具有較高蝕刻選擇比的金屬層作為遮光層112。在一實(shí)施例中，穿孔110可露出部分的導(dǎo)電墊104。再者，穿孔110的側(cè)壁可為垂直側(cè)壁或傾斜側(cè)壁。在一實(shí)施例中，穿孔110的開口口徑由上往下遞減。在另一實(shí)施例中， 穿孔110的開口口徑由上往下遞增，即在此情形下，穿孔110具有“倒角”結(jié)構(gòu)。此外，在另一實(shí)施例中，在形成對(duì)準(zhǔn)圖案108b與穿孔110之前，可選擇性對(duì)基底100進(jìn)行薄化制程以利后續(xù)制程的進(jìn)行。例如，可以透明基底106為支撐，自基底100的第二表面IOOb進(jìn)行例如是機(jī)械研磨或化學(xué)機(jī)械研磨的薄化制程，以將基底100縮減至一預(yù)定厚度。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2C，在此實(shí)施例中，由于穿孔110是以遮光層112為遮罩而形成，因此所形成的遮光層112的側(cè)端11 與穿孔110的側(cè)壁大抵共平面，如圖2C所示。接著，如圖2D所示，在一實(shí)施例中，可于穿孔110的側(cè)壁及基底100的第二表面 IOOb上形成絕緣層114。在一實(shí)施例中，絕緣層114會(huì)形成于穿孔110的底部上而蓋住導(dǎo)電墊104。在此情形下，可對(duì)絕緣層114進(jìn)行圖案化制程以移除穿孔110的底部上的部分絕緣層114以使導(dǎo)電墊104露出。如圖2E所示，接著于穿孔110中的絕緣層114上及第二表面IOOb上形成導(dǎo)電層 116。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電層116電性連接導(dǎo)電墊104。導(dǎo)電層116可于穿孔110的底部與導(dǎo)電墊104電性接觸，并可沿著穿孔110的側(cè)壁向上延伸至第二表面IOOb上。如圖2E所示，在一實(shí)施例中，可選擇性于基底100的第二表面IOOb上形成保護(hù)層 118，其例如可為防焊層、綠漆或前述的相似物等。接著，可于第二表面IOOb上形成導(dǎo)電凸塊120，其中保護(hù)層118部分圍繞導(dǎo)電凸塊120，且導(dǎo)電凸塊120電性連接導(dǎo)電墊104。例如，在形成保護(hù)層118之后，可移除部分的保護(hù)層118以形成露出部分的導(dǎo)電層116的開口。接著，于露出導(dǎo)電層116的開口中形成導(dǎo)電凸塊120。導(dǎo)電凸塊120可通過導(dǎo)電層116 而與導(dǎo)電墊104電性連接。本發(fā)明實(shí)施例通過遮光層而阻擋及/或吸收外界的光線，可使晶片封裝體的操作更為順利。本發(fā)明實(shí)施例通過于遮光層中形成對(duì)準(zhǔn)圖案，可使后續(xù)各制程更為精準(zhǔn)，提高晶片封裝體的良率。以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括 一基底，具有一第一表面及一第二表面； 一光學(xué)元件，設(shè)置于該第一表面上； 一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該第一表面上；一第一對(duì)準(zhǔn)圖案，形成于該第一表面上；以及一遮光層，設(shè)置于該第二表面上，且具有一第二對(duì)準(zhǔn)圖案，其中該第二對(duì)準(zhǔn)圖案對(duì)應(yīng)于該第一對(duì)準(zhǔn)圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括 一穿孔，自該第二表面朝該第一表面延伸；一絕緣層，形成于該穿孔的側(cè)壁上，且延伸至該基底的該第二表面上；以及一導(dǎo)電層，形成于該穿孔中的該絕緣層上，且延伸至該第二表面上的該絕緣層上，其中該導(dǎo)電層電性連接該導(dǎo)電墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層具有一側(cè)端，該側(cè)端與該穿孔隔有一間距。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層的該側(cè)端位于該光學(xué)元件與該穿孔之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層的該側(cè)端位于該導(dǎo)電墊在該第二表面上的正投影的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層位于該基底與該絕緣層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層具有一側(cè)端，該側(cè)端與該穿孔的側(cè)壁共平面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面與該光學(xué)元件之上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一對(duì)準(zhǔn)圖案形成于該基底的該第一表面上的一材料層中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括 一保護(hù)層，設(shè)置于該基底的該第二表面；以及一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該第二表面上，且該保護(hù)層部分圍繞該導(dǎo)電凸塊，該導(dǎo)電凸塊與該導(dǎo)電墊電性連接。
11.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，該基底包括一光學(xué)元件，設(shè)置于該第一表面上；以及一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該第一表面上；于該基底的該第一表面上形成一第一對(duì)準(zhǔn)圖案；于該基底的該第二表面上，對(duì)應(yīng)該第一對(duì)準(zhǔn)圖案而形成一第二對(duì)準(zhǔn)圖案；以及于該基底的該第二表面上形成一遮光層，該遮光層順應(yīng)性形成于該第二對(duì)準(zhǔn)圖案上， 因而該遮光層具有對(duì)應(yīng)于該第二對(duì)準(zhǔn)圖案的一第三對(duì)準(zhǔn)圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括自該基底的該第二表面移除部分的該基底以形成朝該基底的該第一表面延伸的一穿孔；于該穿孔的側(cè)壁上及該基底的該第二表面上形成一絕緣層；以及于該穿孔中的該絕緣層上及該第二表面上的該絕緣層上形成一導(dǎo)電層，其中該導(dǎo)電層電性連接該導(dǎo)電墊。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該穿孔與該第二對(duì)準(zhǔn)圖案同時(shí)形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該絕緣層在形成該遮光層之后形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該遮光層在形成該穿孔之后形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括以該遮光層的該第三對(duì)準(zhǔn)圖案為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而將該遮光層圖案化，使該穿孔中不具有該遮光層，并使該遮光層的一側(cè)端與該穿孔隔有一間距。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該遮光層在形成該穿孔之前形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括以該遮光層的該第三對(duì)準(zhǔn)圖案為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而將該遮光層圖案化以形成一開口，該開口露出部分的該基底；以及以該遮光層為遮罩，自該開口所露出的該基底移除部分的該基底以形成自該第二表面朝該第一表面延伸的該穿孔。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括于該基底的該第一表面與該光學(xué)元件之上設(shè)置一透明基底。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括于該基底的該第二表面上形成一保護(hù)層；以及于該第二表面上形成一導(dǎo)電凸塊，其中該保護(hù)層部分圍繞該導(dǎo)電凸塊，且該導(dǎo)電凸塊電性連接該導(dǎo)電墊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片封裝體及其形成方法，該晶片封裝體包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光學(xué)元件，設(shè)置于該第一表面上；一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該第一表面上；一第一對(duì)準(zhǔn)圖案，形成于該第一表面上；以及一遮光層，設(shè)置于該第二表面上，且具有一第二對(duì)準(zhǔn)圖案，其中該第二對(duì)準(zhǔn)圖案對(duì)應(yīng)于該第一對(duì)準(zhǔn)圖案。本發(fā)明可使晶片封裝體的制程更為精準(zhǔn)，并可提高晶片封裝體的良率。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102263117SQ20111013923
公開日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月26日
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