專利名稱：晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種二極管封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種晶片級(jí)直立式的 二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
請參閱圖l所示，其為公知二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。由上述圖中可知，公知二極管封裝結(jié)構(gòu)具有一P型半導(dǎo)體材料層P、 一N型半導(dǎo)體材料 層N、 一金屬導(dǎo)線L及一封裝膠體C。其中，該P(yáng)型半導(dǎo)體材料層P與該N 型半導(dǎo)體材料層N相互連接在一起，該N型半導(dǎo)體材料層N直接電性連接于 一電路板D上，并且該P(yáng)型半導(dǎo)體材料層P通過該金屬導(dǎo)線L并以打線的方 式電性連接于該電路板D上。此外，該封裝膠體C用以將該P(yáng)型半導(dǎo)體材料 層P、該N型半導(dǎo)體材料層N及該金屬導(dǎo)線L包覆起來，以完成公知的二極 管封裝結(jié)構(gòu)，此種公知的二極管封裝結(jié)構(gòu)作為無源元件來使用。 然而，上述公知的二極管封裝結(jié)構(gòu)仍具有下列技術(shù)缺陷存在1、 由于公知的二極管封裝結(jié)構(gòu)還需要進(jìn)行"金屬打線"及"膠體封裝" 兩道制作過程，并且不需使用"封裝襯底"，因此造成材料成本及加工成本 的增加。2、 由于公知的二極管封裝結(jié)構(gòu)仍需通過該金屬導(dǎo)線L來與該電路板D 產(chǎn)生導(dǎo)電連接，因此公知二極管封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電路徑較長，并且導(dǎo)電特性較 差。是以，由上可知，上述公知的二極管封裝結(jié)構(gòu)，在實(shí)際使用上，顯然具 有不便與技術(shù)缺陷存在。因此，本發(fā)明人有感于上述技術(shù)缺陷的可改善，且 依據(jù)多年來從事此方面的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，悉心觀察且研究，并配合學(xué)理的運(yùn)用， 而提出一種設(shè)計(jì)合理且有效改善上述技術(shù)缺陷的本實(shí)用新型。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種晶片級(jí)直立式的二極管 封裝結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型通過至少一絕緣層及至少兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的配合來封裝 兩個(gè)相互連接的P型半導(dǎo)體材料層及N型半導(dǎo)體材料層，以完成一個(gè)二極管 封裝結(jié)構(gòu)；并且該二極管封裝結(jié)構(gòu)通過上述至少兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)直接與一電路 板產(chǎn)生電性連接，以使得該二極管封裝結(jié)構(gòu)以直立的方式電性地設(shè)置于該電 路板上，因此本實(shí)用新型能夠制作出一種晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)。為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本實(shí)用新型的其中一種方案，提供一種晶 片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括 一第一型半導(dǎo)體材料層、 一第二型 半導(dǎo)體材料層、 一絕緣層、 一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。其中，該第 二型半導(dǎo)體材料層連接于該第一型半導(dǎo)體材料層的一表面。該絕緣層選擇性 地環(huán)繞包覆該第一型半導(dǎo)體材料層的一部分周圍、環(huán)繞包覆該第一型半導(dǎo)體 材料層的周圍、或環(huán)繞包覆該第一型半導(dǎo)體材料層的周圍及該第二型半導(dǎo)體 材料層的一部分周圍。該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)成形于該第一型半導(dǎo)體材料層的表面 上及該絕緣層的表面上。該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)成形于該第二型半導(dǎo)體材料層的表 面上。此外，通過該絕緣層、該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二型半導(dǎo)體材料層，以 將該第一型半導(dǎo)體材料層全部包覆。為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本實(shí)用新型的其中一種方案，提供一種晶 片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括 一第一型半導(dǎo)體材料層、 一第二型 半導(dǎo)體材料層、 一絕緣單元、 一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。其中，該 第二型半導(dǎo)體材料層連接于該第一型半導(dǎo)體材料層的一表面。該絕緣單元環(huán) 繞包覆該第一型半導(dǎo)體材料層的周圍及第二型半導(dǎo)體材料層的周圍。該第一 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)成形于該第一型半導(dǎo)體材料層的表面上及該絕緣單元的一側(cè)邊上。 該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)成形于該第二型半導(dǎo)體材料層的表面上及該絕緣單元的另 外一相反側(cè)邊上。此外，該絕緣單元具有一用于環(huán)繞包覆該第一型半導(dǎo)體材 料層的周圍及第二型半導(dǎo)體材料層的一部分周圍的第一絕緣層及一用于環(huán) 繞包覆第二型半導(dǎo)體材料層的其余周圍的第二絕緣層。另外，通過該絕緣單 元、該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以將該第一型半導(dǎo)體材料層及該第 二型半導(dǎo)體材料層全部包覆。因此，本實(shí)用新型的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)具有下列優(yōu)點(diǎn)存在1、 由于本實(shí)用新型的二極管封裝結(jié)構(gòu)不需要進(jìn)行"金屬打線"及"膠 體封裝"兩道制作過程，因此本實(shí)用新型能夠大大的降低材料成本及加工成 本。2、 由于本實(shí)用新型的二極管封裝結(jié)構(gòu)不需要通過"金屬打線"來與一電路 板產(chǎn)生電性連接，而改以通過上述至少兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)來與該電路板產(chǎn)生直接 的電性連接，因此本實(shí)用新型的二極管封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電路徑較短，并且導(dǎo)電 特性較佳。3、 由于本實(shí)用新型的二極管封裝結(jié)構(gòu)直接用切割的方式來成形，因此 制作完成的二極管封裝結(jié)構(gòu)不需要再進(jìn)行額外的研磨加工。為了能更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段及 功效，請參閱以下有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說明與附圖，相信本實(shí)用新型的目 的、特征與特點(diǎn)，當(dāng)可由此得一深入且具體的了解，然而附圖僅提供參考與 說明用，并非用來對(duì)本實(shí)用新型加以限制。


圖1為公知二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2A1至圖2 I 1為本實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作 方法的第一實(shí)施例的制作流程剖面示意圖；圖2 12為本實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的 立體示意圖；圖2J為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)通過 錫球以電性連接于一電路板上的剖面示意圖；圖2K為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)通過錫膏以電性連接于一電路板上的剖面示意圖；圖3A為本實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的剖面示意圖；圖3 B為本實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的剖 面示意圖；圖3C為本實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例的剖 面示意圖；圖4A至圖4 I 1為本實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方 法的第五實(shí)施例的制作流程剖面示意圖；圖412為本實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例的 立體示意圖；圖4J為本實(shí)用新型第五實(shí)施例的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)通過 錫球以電性連接于一電路板上的剖面示意圖；圖4K為本實(shí)用新型第五實(shí)施例的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)通過錫膏以電性連接于一電路板上的剖面示意圖；以及圖5為本實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的第六實(shí)施例的剖面 示意圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下[公知]P P型半導(dǎo)體材料層 N N型半導(dǎo)體材料層 L金屬導(dǎo)線 C封裝膠體 [本實(shí)用新型] (第一實(shí)施例)W a 二極管晶片 P a 第一型半導(dǎo)體材料單元Na第二型半導(dǎo)體材料單元G a凹槽S a絕緣單元CI a 第一導(dǎo)電單元 Clla凸塊底層金屬層C12a第一導(dǎo)電層 C13a第二導(dǎo)電層C2a 第二導(dǎo)電單元 C21a凸塊底層金屬層C22a第一導(dǎo)電層C23a第二導(dǎo)電層P a'第一型半導(dǎo)體材料層N a ' 第二型半導(dǎo)體材料層7S a ' 絕緣層 Cl a'第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu) C12a'第一導(dǎo)電層 C13a'第二導(dǎo)電層 C2a'第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu) C22a'第一導(dǎo)電層 B 錫球 B' 錫膏 P 電路板 (第二實(shí)施例)P b'第一型半導(dǎo)體材料層 Clb'第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu) Y b 絕緣結(jié)構(gòu) (第三實(shí)施例) P c'第一型半導(dǎo)體材料層 S c '絕緣層(第四實(shí)施例) P d'第一型半導(dǎo)體材料層 S d '絕緣層/ A"A" 工A^ /tM 、、鄰H頭鵬1列JW e 二極管晶片N e第二型半導(dǎo)體材料單元Gle第一凹槽G2e第二凹槽Sle第一絕緣單元S2e第二絕緣單元Cle第一導(dǎo)電單元C12e第一導(dǎo)電層C13e第二導(dǎo)電層C2e第二導(dǎo)電單元Cll a'凸塊底層金屬層C21a'凸塊底層金屬層 C23a'第二導(dǎo)電層Ab導(dǎo)電焊盤 Xb導(dǎo)電結(jié)構(gòu)Pe第一型半導(dǎo)體材料單元Clle凸塊底層金屬層 C21e凸塊底層金屬層C22e第一導(dǎo)電層 C23e第二導(dǎo)電層 P e '第一型半導(dǎo)體材料層 N e '第二型半導(dǎo)體材料層 S e' 絕緣單元 Sle'第一絕緣層 S2 e ' C 1 e ' C12e C13 e C2 e ' C22 e C23 e B B, P第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)第一導(dǎo)電層第二導(dǎo)電層第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)第一導(dǎo)電層第二導(dǎo)電層錫球電路板 (第六實(shí)施例)P f '第一型半導(dǎo)體材料層 Cl f '第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu) Y f 絕緣結(jié)構(gòu)Clle'凸塊底層金屬層C21 e'凸塊底層金屬層A f導(dǎo)電悍盤 X f導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具體實(shí)施方式
請參閱圖2A1至圖2 I 1、及圖2 I 2所示，其中圖2A1至圖2 I 1為本 實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第一實(shí)施例的制作 流程剖面示意圖；圖2 12為本實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的 第一實(shí)施例的立體示意圖。由上述所述多個(gè)圖中可知，本實(shí)用新型第一實(shí)施 例提供一種晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟步驟S100為首先，配合圖2A1及圖2A2所示(其中圖2A1為圖2 A2的部分剖面示意圖)，提供一個(gè)二極管晶片Wa，其具有一第一型半導(dǎo) 體材料單元P a及一成形于該第一型半導(dǎo)體材料單元P a底端的第二型半導(dǎo)體材料單元Na。其中，依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求，該第一型半導(dǎo)體材料單元
P a可為一P型半導(dǎo)體材料單元，并且該第二型半導(dǎo)體材料單元Na可為一 N型半導(dǎo)體材料單元；或者，該第一型半導(dǎo)體材料單元P a可為一N型半導(dǎo) 體材料單元，并且該第二型半導(dǎo)體材料單元N a可為一P型半導(dǎo)體材料單 元。
步驟S102為配合圖2B1及圖2B2所示(其中圖2B2為圖2B1的 俯視示意圖)，成形多個(gè)彼此相互交錯(cuò)且穿透該第一型半導(dǎo)體材料單元P a 及部分第二型半導(dǎo)體材料單元N a的凹槽G a 。
步驟S104為配合圖2C所示，成形一絕緣單元S a于所述多個(gè)凹槽G a內(nèi)。舉例來說，先將一防焊層涂布于該第一型半導(dǎo)體材料單元P a上及所 述多個(gè)凹槽Ga內(nèi)，并且依序通過曝光、顯影、蝕刻的配合，以形成一完全 只有填充于所述多個(gè)凹槽G a內(nèi)的防焊層，該防焊層即為上述成形于所述多 個(gè)凹槽G a內(nèi)的絕緣單元S a 。
步驟S106為配合圖2D所示，成形一凸塊底層金屬層(under bump metallization, UBM) C 11 a于該第一型半導(dǎo)體材料單元P a的表面上及該 絕緣單元S a的表面上。舉例來說，通過無電鍍、物理沉積、化學(xué)沉積、濺 鍍或蒸鍍等方式，將該凸塊底層金屬層Cll a成形于該第一型半導(dǎo)體材料單 元P a的表面上及該絕緣單元S a的表面上。
步驟S108為配合圖2E所示，成形一第一導(dǎo)電層C12a于該凸塊底層 金屬層Clla上。舉例來說，通過電鍍或無電鍍等方式，將該第一導(dǎo)電層C 12a成形于該凸塊底層金屬層C11 a上。
步驟S110為配合圖2F所示，成形一第二導(dǎo)電層C13a于該第一導(dǎo)電 層C12a上。舉例來說，通過電鍍或無電鍍等方式，將該第二導(dǎo)電層C13a 成形于該第一導(dǎo)電層C 12 a上。
因此，上述步驟S106至步驟S110為成形一第一導(dǎo)電單元C1 a于該第 一型半導(dǎo)體材料單元P a的表面上及該絕緣單元S a的表面上。其中，該第 一導(dǎo)電單元C 1 a具有一成形于該第一型半導(dǎo)體材料單元P a的表面上及該 絕緣單元S a的表面上的凸塊底層金屬層Cll a 、 一成形于該凸塊底層金屬 層C 11 a上的第一導(dǎo)電層C 12 a 、及一成形于該第一導(dǎo)電層C 12 a上的第二 導(dǎo)電層C13a 。步驟S112為配合圖2G所示，將該二極管晶片Wa翻轉(zhuǎn)，以使得該第 二型半導(dǎo)體材料單元N a朝上。
步驟S114為配合圖2H所示，與上述步驟S106的制作方式相同，成 形一凸塊底層金屬層C21 a于該第二型半導(dǎo)體材料單元N a的表面上。
步驟S116為配合圖2H所示，與上述步驟S108的制作方式相同，成 形一第一導(dǎo)電層C22 a于該凸塊底層金屬層C21 a上。
步驟S118為配合圖2H所示，與上述步驟SllO的制作方式相同，成 形一第二導(dǎo)電層C 23 a于該第一導(dǎo)電層C 22 a上。
換言之，步驟S114至步驟S118為成形一第二導(dǎo)電單元C2a于該第 二型半導(dǎo)體材料單元N a的表面上。其中，該第二導(dǎo)電單元C2a具有一成 形于該第二型半導(dǎo)體材料單元N a的表面上的凸塊底層金屬層C21 a 、 一成 形于該凸塊底層金屬層C 21 a上的第一導(dǎo)電層C 22 a 、及一成形于該第一導(dǎo) 電層C 22 a上的第二導(dǎo)電層C 23 a 。
步驟S120為配合圖2H、圖21 1及圖2I2所示(其中圖2 1 1為圖212 的剖面示意圖)，沿著所述多個(gè)凹槽Ga (如沿著圖2H的所述多個(gè)X — X 軸的方向)，依序切割該第二導(dǎo)電單元C2a、該第二型半導(dǎo)體材料單元N a、該絕緣單元S a及該第一導(dǎo)電單元Cla，以分別形成多個(gè)第二導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)C2a'、多個(gè)絕緣層S a'及多個(gè)第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)Cl a'。
因此，如圖2 I 1及圖212所示，上述沿著所述多個(gè)凹槽G a進(jìn)行切割步 驟后，該第一型半導(dǎo)體材料單元P a變成多個(gè)第一型半導(dǎo)體材料層P a'，使 得該第二型半導(dǎo)體材料單元N a變成多個(gè)分別與所述多個(gè)第一型半導(dǎo)體材 料層P a'連接的第二型半導(dǎo)體材料層Na'。此外，每一個(gè)第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C1 a'具有一成形于該第一型半導(dǎo)體材料層P a'的表面上及該絕緣層S a'的表 面上的凸塊底層金屬層Cll a'、一成形于該凸塊底層金屬層C11 a'上的第一 導(dǎo)電層C 12 a '、及一成形于該第一導(dǎo)電層C 12 a '上的第二導(dǎo)電層C 13 a '。 另外，每一個(gè)第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C2a'具有一成形于該第二型半導(dǎo)體材料層N a' 的表面上的凸塊底層金屬層C21 a'、一成形于該凸塊底層金屬層C21 a'上的 第一導(dǎo)電層C 22 a '、及一成形于該第一導(dǎo)電層C 22 a '上的第二導(dǎo)電層C 23 a '。
因此，由圖2 I 1及圖212可知，通過上述本實(shí)用新型第一實(shí)施例的制作方法，可制作出多個(gè)晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，并且每一個(gè)晶片級(jí)直 立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)包括 一第一型半導(dǎo)體材料層P a'、 一第二型半導(dǎo)體 材料層Na'、 一絕緣層S a'、 一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)Cla'、及一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 2 a '。
其中，第二型半導(dǎo)體材料層N a'連接于該第一型半導(dǎo)體材料層P a'的一 表面。此外，依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求，該第一型半導(dǎo)體材料層P a'可為一P型 半導(dǎo)體材料層(例如P型硅(P-type silicon))，并且該第二型半導(dǎo)體材料 層N a'可為一N型半導(dǎo)體材料層(例如N型硅(N-type silicon));或者， 該第一型半導(dǎo)體材料層P a'可為一N型半導(dǎo)體材料層，并且該第二型半導(dǎo)體 材料層N a'可為一P型半導(dǎo)體材料層。另外，該絕緣層S a'環(huán)繞包覆該第一 型半導(dǎo)體材料層P a '的周圍及該第二型半導(dǎo)體材料層N a '的一部分周圍。
再者，該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)Cla'成形于該第一型半導(dǎo)體材料層P a'的表面 上及該絕緣層S a'的表面上，其中該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C1 a'具有一成形于該第 一型半導(dǎo)體材料層P a'的表面上及該絕緣層S a'的表面上的凸塊底層金屬 層Clla'、 一成形于該凸塊底層金屬層Cll a'上的第一導(dǎo)電層C12a'、及 一成形于該第一導(dǎo)電層C 12 a '上的第二導(dǎo)電層C 13 a '。此外，該第二導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)C2a'成形于該第二型半導(dǎo)體材料層N a'的表面上，其中該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu) C2 a '具有一成形于該第二型半導(dǎo)體材料層N a '的表面上的凸塊底層金屬層 C21a'、 一成形于該凸塊底層金屬層C21 a'上的第一導(dǎo)電層C22a'、及一 成形于該第一導(dǎo)電層C22 a '上的第二導(dǎo)電層C23 a '。
因此，在每一個(gè)晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)中，本實(shí)用新型可通過 該絕緣層S a '、該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 1 a '及該第二型半導(dǎo)體材料層N a '，以將 該第一型半導(dǎo)體材料層P a'全部包覆。
請參閱圖2J所示，其為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的晶片級(jí)直立式的二極 管封裝結(jié)構(gòu)通過錫球以電性連接于一電路板上的剖面示意圖。由上述圖中可 知，該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 1 a '及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 2 a '分別通過至少兩個(gè)錫球B 以直立的方式電性連接于一電路板P上。換言之，通過該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C1 a '及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 2 a '以直立的方式電性連接于一電路板P上，以使得 本實(shí)用新型的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)可以直式的方式電性設(shè)置于 該電路板P上。請參閱圖2K所示，其為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的晶片級(jí)直立式的二極 管封裝結(jié)構(gòu)通過錫膏以電性連接于一電路板上的剖面示意圖。由上述圖中可
知，該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 1 a '及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 2 a '分別通過至少兩層錫膏B '以直立的方式電性連接于一電路板P上。換言之，通過該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C1 a '及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C2 a '以直立的方式電性連接于一電路板P上，以使得 本實(shí)用新型的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)可以直式的方式電性設(shè)置于 該電路板P上。
請參閱圖3A所示，其為本實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的 第二實(shí)施例的剖面示意圖。由上述圖中可知，本實(shí)用新型第二實(shí)施例與第一 實(shí)施例(如圖211所示)最大的差別在于在第二實(shí)施例中， 一第一型半 導(dǎo)體材料層P b '具有至少兩個(gè)彼此絕緣的導(dǎo)電焊墊A b ，并且一第一導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)C 1 b '具有兩組分別電性連接于上述至少兩個(gè)導(dǎo)電焊墊的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)X b及 一設(shè)置于上述兩組導(dǎo)電結(jié)構(gòu)Xb之間絕緣結(jié)構(gòu)Yb。因此，第二實(shí)施例的晶 片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于需要多個(gè)電性接點(diǎn)的無源元件上。
請參閱圖3B所示，其為本實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的 第三實(shí)施例的剖面示意圖。由上述圖中可知，本實(shí)用新型第三實(shí)施例與第一 實(shí)施例(如圖211所示)最大的差別在于在第三實(shí)施例中， 一絕緣層S c'環(huán)繞包覆一第一型半導(dǎo)體材料層P c'的一部分周圍。
請參閱圖3C所示，其為本實(shí)用新型晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的 第四實(shí)施例的剖面示意圖。由上述圖中可知，本實(shí)用新型第四實(shí)施例與第一 實(shí)施例(如圖211所示)最大的差別在于在第四實(shí)施例中， 一絕緣層S d '環(huán)繞包覆一第一型半導(dǎo)體材料層P d '的周圍。
換言之，由上述第一、第三及第四實(shí)施例可知，通過上述第一凹槽深度 的設(shè)計(jì)，該絕緣層(S a'、 S c'、 S d')可選擇性地環(huán)繞包覆該第一型半 導(dǎo)體材料層P a '的周圍及該第二型半導(dǎo)體材料層N a '的一部分周圍(如第一 實(shí)施例所示)、環(huán)繞包覆該第一型半導(dǎo)體材料層P c'的一部分周圍(如第三 實(shí)施例所示)、或環(huán)繞包覆該第一型半導(dǎo)體材料層P d'的周圍(如第四實(shí)施 例所示)。
請參閱圖4A至圖4 11、及圖4I2所示，其中圖4A至圖41 1為本發(fā) 明晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第五實(shí)施例的制作流程剖面示意圖；圖4 12為本發(fā)明晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例
的立體示意圖。由上述所述多個(gè)圖中可知，本發(fā)明第五實(shí)施例提供一種晶片
級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟
步驟S200為首先，配合圖4A所示，提供一個(gè)二極管晶片We，其具 有一第一型半導(dǎo)體材料單元P e及一成形于該第一型半導(dǎo)體材料單元P e 底端的第二型半導(dǎo)體材料單元Ne。其中，依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求，該第一型 半導(dǎo)體材料單元P e可為一P型半導(dǎo)體材料單元，并且該第二型半導(dǎo)體材料 單元Ne可為一N型半導(dǎo)體材料單元；或者，該第一型半導(dǎo)體材料單元P e 可為一N型半導(dǎo)體材料單元，并且該第二型半導(dǎo)體材料單元N e可為一P型
半導(dǎo)體材料單元。
步驟S202為配合圖4B所示，成形多個(gè)彼此相互交錯(cuò)且穿透該第一型 半導(dǎo)體材料單元P e及部分第二型半導(dǎo)體材料單元N e的第一凹槽G1 e 。
步驟S204為配合圖4C所示，成形一第一絕緣單元S1 e于所述多個(gè) 第一凹槽Gle內(nèi)。舉例來說，先將一防焊層涂布于該第一型半導(dǎo)體材料單 元P e上及所述多個(gè)第一凹槽Gle內(nèi)，并且依序通過曝光、顯影、蝕刻的 配合，以形成一完全只有填充于所述多個(gè)第一凹槽Gle內(nèi)的防焊層，該防 焊層即為上述成形于所述多個(gè)第一凹槽G1 e內(nèi)的第一絕緣單元S 1 e 。
步驟S206為配合圖4D所示，成形一凸塊底層金屬層Clle于該第一 型半導(dǎo)體材料單元P e的表面上及該第一絕緣單元S 1 e的表面上。舉例來 說，通過無電鍍、物理沉積、化學(xué)沉積、濺鍍或蒸鍍等方式，將該凸塊底層 金屬層Cll e成形于該第一型半導(dǎo)體材料單元P e的表面上及該第一絕緣 單元S1 e的表面上。
步驟S208為配合圖4D所示，成形一第一導(dǎo)電層C12e于該凸塊底層 金屬層Clle上。舉例來說，通過電鍍或無電鍍等方式，將該第一導(dǎo)電層C 12e成形于該凸塊底層金屬層C11 e上。
步驟S210為配合圖4D所示，成形一第二導(dǎo)電層C13e于該第一導(dǎo)電 層C12e上。舉例來說，通過電鍍或無電鍍等方式，將該第二導(dǎo)電層C13e 成形于該第一導(dǎo)電層C12e上。
因此，上述步驟S206至步驟S210為成形一第一導(dǎo)電單元C1 e于該 第一型半導(dǎo)體材料單元P e的表面上及該第一絕緣單元S 1 e的表面上。其中，該第一導(dǎo)電單元C 1 e具有一成形于該第一型半導(dǎo)體材料單元P e的表 面上及該第一絕緣單元S 1 e的表面上的凸塊底層金屬層Cll e 、 一成形于 該凸塊底層金屬層C 11 e上的第一導(dǎo)電層C 12 e 、及一成形于該第一導(dǎo)電層 C12e上的第二導(dǎo)電層C13e。
步驟S212為配合圖4E所示，將該二極管晶片We翻轉(zhuǎn)，以使得該第 二型半導(dǎo)體材料單元N e朝上。
本發(fā)明第五實(shí)施例的步驟S200至步驟S212與本發(fā)明第一實(shí)施例的步驟 S100至步驟S112相同。因此，第五實(shí)施例的步驟S212的后，第五實(shí)施例
的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法更進(jìn)一步包括
步驟S214為請配合圖4F所示，成形多個(gè)穿透部分第二型半導(dǎo)體材料 單元N e且裸露出該第一絕緣單元S 1 e的第二凹槽G2 e 。舉例來說，所述 多個(gè)第二凹槽G2e的成形方式與上述成形所述多個(gè)第一凹槽G1 e的步驟 S202的制作方法相同。
步驟S216為請配合圖4G所示，成形一第二絕緣單元S2e于所述多 個(gè)第二凹槽G2e內(nèi)，以使得該第一絕緣單元S1 e與該第二絕緣單元S2e 相連在一起，進(jìn)而使得該第一型半導(dǎo)體材料單元P e變成多個(gè)第一型半導(dǎo)體 材料層P e '，使得該第二型半導(dǎo)體材料單元N e變成多個(gè)分別與所述多個(gè)第 一型半導(dǎo)體材料層P e '連接的第二型半導(dǎo)體材料層N e '。此外，每一個(gè)第一 型半導(dǎo)體材料層P e '與每一個(gè)第二型半導(dǎo)體材料層N e '組合成一個(gè)二極管。 舉例來說，該第二絕緣單元S 2 e的成形方式與上述成形該第一絕緣單元S 1 e的步驟S204相同。
步驟S218為請配合圖4H所示，成形一凸塊底層金屬層C21e于該第 二型半導(dǎo)體材料單元N e的表面上(或所述多個(gè)第二型半導(dǎo)體材料層N e ' 的表面上)及該第二絕緣單元S2e的表面上。舉例來說，通過無電鍍、物 理沉積、化學(xué)沉積、濺鍍或蒸鍍等方式，將該凸塊底層金屬層C21 e成形于 該第二型半導(dǎo)體材料單元N e的表面上(或所述多個(gè)第二型半導(dǎo)體材料層N e '的表面上)及該第二絕緣單元S 2 e的表面上。
步驟S220為請配合圖4H所示，成形一第一導(dǎo)電層C22e于該凸塊底 層金屬層C21e上。舉例來說，通過電鍍或無電鍍等方式，將該第一導(dǎo)電層 C22e成形于該凸塊底層金屬層C21 e上。
15步驟S222為請配合圖4H所示，成形一第二導(dǎo)電層C23e于該第一導(dǎo) 電層C22e上。舉例來說，通過電鍍或無電鍍等方式，將該第二導(dǎo)電層C23 e成形于該第一導(dǎo)電層C22 e上。
因此，上述步驟S218至步驟S222為成形一第二導(dǎo)電單元C2e于該 第二型半導(dǎo)體材料單元N e的表面上(或所述多個(gè)第二型半導(dǎo)體材料層N e '的表面上)及該第二絕緣單元S2e的表面上。其中，該第二導(dǎo)電單元C2 e具有一成形于該第二型半導(dǎo)體材料單元N e的表面上(或所述多個(gè)第二型 半導(dǎo)體材料層N e'的表面上)及該第二絕緣單元S2e的表面上的凸塊底層 金屬層C21 e 、 一成形于該凸塊底層金屬層C21 e上的第一導(dǎo)電層C22 e 、 及一成形于該第一導(dǎo)電層C 22 e上的第二導(dǎo)電層C 23 e 。
步驟S224為配合圖4H、圖4 1 1及圖4I2所示(其中圖4 1 1為圖 412的剖面圖示意圖)，沿著所述多個(gè)第一凹槽G1 e或所述多個(gè)第二凹槽 G2e (如沿著圖4H的所述多個(gè)Y — Y軸的方向)，依序切割該第二導(dǎo)電單 元C2e、該第二絕緣單元S2e、該第一絕緣單元S 1 e及該第一導(dǎo)電單元 Cle，以分別形成多個(gè)第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C2e'、多個(gè)第二絕緣層S2e'、多個(gè) 第一絕緣層S 1 e '及多個(gè)第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 1 e '。
因此，如圖41 1及圖412所示，上述沿著所述多個(gè)第一凹槽G1 e或 所述多個(gè)第二凹槽G2e進(jìn)行切割步驟后，每一個(gè)第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C1 e'具有一 成形于該第一型半導(dǎo)體材料層P e '的表面上及該第一絕緣層S 1 e '的表面上 的凸塊底層金屬層C 11 e'、一成形于該凸塊底層金屬層C 11 e'上的第一導(dǎo)電 層C12e'、及一成形于該第一導(dǎo)電層C12e'上的第二導(dǎo)電層C13e'。另外， 每一個(gè)第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C2 e '具有一成形于該第二型半導(dǎo)體材料層N e '的表面 上及該第二絕緣層S2e'的表面上的凸塊底層金屬層C21 e'、 一成形于該凸 塊底層金屬層C 21 e '上的第一導(dǎo)電層C 22 e '、及一成形于該第一導(dǎo)電層C 22 e'上的第二導(dǎo)電層C23e'。
因此，由圖4 1 1及圖4I2可知，通過上述本發(fā)明第五實(shí)施例的制作方 法，可制作出多個(gè)晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，并且每一個(gè)晶片級(jí)直立 式的二極管封裝結(jié)構(gòu)包括 一第一型半導(dǎo)體材料層P e'、 一第二型半導(dǎo)體材 料層Ne'、 一絕緣單元S e'、 一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)Cle'、及一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 2e'。其中，第二型半導(dǎo)體材料層N e '連接于該第一型半導(dǎo)體材料層P e '的一 表面。此外，依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求，該第一型半導(dǎo)體材料層P e'可為一P型 半導(dǎo)體材料層(例如P型硅(P-type silicon))，并且該第二型半導(dǎo)體材料 層N e'可為一N型半導(dǎo)體材料層(例如N型硅(N-type silicon));或者， 該第一型半導(dǎo)體材料層P e'可為一N型半導(dǎo)體材料層，并且該第二型半導(dǎo)體 材料層N e '可為一P型半導(dǎo)體材料層。
另外，該絕緣單元S e'環(huán)繞包覆該第一型半導(dǎo)體材料層P e'的周圍及第 二型半導(dǎo)體材料層N e '的周圍。其中，該絕緣單元S e '具有一用于環(huán)繞包覆 該第一型半導(dǎo)體材料層P e '的周圍及第二型半導(dǎo)體材料層N e '的一部分周 圍的第一絕緣層S 1 e '及一用于環(huán)繞包覆第二型半導(dǎo)體材料層N e '的其余周 圍的第二絕緣層S2e'。
再者，該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)Cle'成形于該第一型半導(dǎo)體材料層P e'的表面 上及該第一絕緣層S 1 e '的表面上，其中該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 1 e '具有一成形于 該第一型半導(dǎo)體材料層P e '的表面上及該第一絕緣層S 1 e '的表面上的凸塊 底層金屬層Cll e'、一成形于該凸塊底層金屬層C11 e'上的第一導(dǎo)電層C12 e '、及一成形于該第一導(dǎo)電層C 12 e '上的第二導(dǎo)電層C 13 e '。
此外，該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C2e'成形于該第二型半導(dǎo)體材料層N e'的表面 上及該第二絕緣層S 2 e '的表面上，其中該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 2 e '具有一成形于 該第二型半導(dǎo)體材料層N e '的表面上及該第二絕緣層S 2 e '的表面上的凸塊 底層金屬層C21 e'、一成形于該凸塊底層金屬層C21 e'上的第一導(dǎo)電層C22 e '、及一成形于該第一導(dǎo)電層C22 e '上的第二導(dǎo)電層C23 e '。
因此，在每一個(gè)晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)中，本發(fā)明可通過該絕 緣單元S e '的第一絕緣層S 1 e '及第二絕緣層S 2 e '、該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 1 e '及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C2e'，以將該第一型半導(dǎo)體材料層P e'及該第二型半導(dǎo) 體材料層Ne'全部包覆。換言之，每一個(gè)第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C2e'、每一個(gè)第二 絕緣層S 2 e '、每一個(gè)第一絕緣層S 1 e '及每一個(gè)第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 1 e '相互配 合以封裝每一個(gè)由該第一型半導(dǎo)體材料層P e '及該第二型半導(dǎo)體材料層N e'所組成的二極管。
請參閱圖4J所示，其為本發(fā)明第五實(shí)施例的晶片級(jí)直立式的二極管封 裝結(jié)構(gòu)通過錫球以電性連接于一電路板上的剖面示意圖。由上述圖中可知，該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 1 e '及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C2 e '分別通過至少兩個(gè)錫球B以 直立的方式電性連接于一電路板P上。換言之，通過該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)Cle' 及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C2e'以直立的方式電性連接于一電路板P上，以使得本 發(fā)明的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)可以直式的方式電性設(shè)置于該電路 板P上。
請參閱圖4K所示，其為本實(shí)用新型第五實(shí)施例的晶片級(jí)直立式的二極 管封裝結(jié)構(gòu)通過錫膏以電性連接于一電路板上的剖面示意圖。由上述圖中可 知，該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 1 e '及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C 2 e '分別通過至少兩層錫膏B '以直立的方式電性連接于一電路板P上。換言之，通過該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C1 e'及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C2e'以直立的方式電性連接于一電路板P上，以使得
本實(shí)用新型的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)可以直式的方式電性設(shè)置于 該電路板P上。
請參閱圖5所示，其為本發(fā)明晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)的第六實(shí) 施例的剖面示意圖。由上述圖中可知，本發(fā)明第六實(shí)施例與第五實(shí)施例(如 圖411所示)最大的差別在于在第六實(shí)施例中， 一第一型半導(dǎo)體材料層 P f'具有至少兩個(gè)彼此絕緣的導(dǎo)電焊墊A f ，并且一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)C1 f'具 有兩組分別電性連接于上述至少兩個(gè)導(dǎo)電焊墊的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)X f及一設(shè)置于 上述兩組導(dǎo)電結(jié)構(gòu)X f之間絕緣結(jié)構(gòu)Y f。因此，第六實(shí)施例的晶片級(jí)直立 式的二極管封裝結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于需要多個(gè)電性接點(diǎn)的無源元件上。
綜上所述，本發(fā)明通過至少一絕緣層及至少兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的配合來封裝 兩個(gè)相互連接的P型半導(dǎo)體材料層及N型半導(dǎo)體材料層，以完成一個(gè)二極管
封裝結(jié)構(gòu)；并且該二極管封裝結(jié)構(gòu)通過上述至少兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)直接與一電路 板產(chǎn)生電性連接，以使得該二極管封裝結(jié)構(gòu)以直立的方式電性地設(shè)置于該電 路板上，因此本發(fā)明能夠制作出一種晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)。 因此，本發(fā)明的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)具有下列優(yōu)點(diǎn)存在
1、 由于本發(fā)明的二極管封裝結(jié)構(gòu)不需要進(jìn)行"金屬打線"及"膠體封 裝"兩道制作過程，并且不需使用"封裝襯底"，因此本發(fā)明能夠大大的降 低材料成本及加工成本。
2、 由于本發(fā)明的二極管封裝結(jié)構(gòu)不需要通過"金屬打線"來與一電路 板產(chǎn)生電性連接，而改以通過上述至少兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)來與該電路板產(chǎn)生直接的電性連接，因此本發(fā)明的二極管封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電路徑較短，并且導(dǎo)電特性 較佳。
3、由于本發(fā)明的二極管封裝結(jié)構(gòu)直接用切割的方式來成形，因此制作
完成的二極管封裝結(jié)構(gòu)不需要再進(jìn)行額外的研磨加工。
但是，以上所述，僅為本發(fā)明最佳的一個(gè)的具體實(shí)施例的詳細(xì)說明與附 圖，但是本發(fā)明的特征并不局限于此，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明的所有 范圍應(yīng)以下述的權(quán)利要求書為準(zhǔn)，凡合于本發(fā)明權(quán)利要求書的精神與其類似 變化的實(shí)施例，皆應(yīng)包含于本發(fā)明的范疇中，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在本 發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾皆可涵蓋在以下本實(shí)用新型的權(quán)利 要求書范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一第一型半導(dǎo)體材料層；一第二型半導(dǎo)體材料層，其連接于該第一型半導(dǎo)體材料層的一表面；一絕緣層，其選擇性地環(huán)繞包覆該第一型半導(dǎo)體材料層的一部分周圍、環(huán)繞包覆該第一型半導(dǎo)體材料層的周圍、或環(huán)繞包覆該第一型半導(dǎo)體材料層的周圍及該第二型半導(dǎo)體材料層的一部分周圍；一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其成形于該第一型半導(dǎo)體材料層的表面上及該絕緣層的表面上；以及一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其成形于該第二型半導(dǎo)體材料層的表面上；其中，通過該絕緣層、該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二型半導(dǎo)體材料層，以將該第一型半導(dǎo)體材料層全部包覆。
2、 如權(quán)利要求1所述的的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在 于該第一型半導(dǎo)體材料層為一P型半導(dǎo)體材料層并且該第二型半導(dǎo)體材料層為一N型半導(dǎo)體材料層，或者該第一型半導(dǎo)體材料層為一N型半導(dǎo)體材料層并且該第二型半導(dǎo)體材料層為一p型半導(dǎo)體材料層。
3、 如權(quán)利要求1所述的的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有一成形于該第一型半導(dǎo)體材料層的表面上及該絕緣 層的表面上的凸塊底層金屬層、 一成形于該凸塊底層金屬層上的第一導(dǎo)電 層、及一成形于該第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層，并且該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有一 成形于該第二型半導(dǎo)體材料層的表面上的凸塊底層金屬層、 一成形于該凸塊 底層金屬層上的第一導(dǎo)電層、及一成形于該第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層。
4、 如權(quán)利要求1所述的的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在 于該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分別通過至少兩個(gè)錫球或兩層錫膏以 直立的方式電性連接于一 電路板上。
5、 如權(quán)利要求1所述的的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一型半導(dǎo)體材料層具有至少兩個(gè)彼此絕緣的導(dǎo)電焊墊，并且該第一 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有兩組分別電性連接于上述至少兩個(gè)導(dǎo)電焊墊的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及一 設(shè)置于上述兩組導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的絕緣結(jié)構(gòu)。
6、 一種晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一第一型半導(dǎo)體材料層；一第二型半導(dǎo)體材料層，其連接于該第一型半導(dǎo)體材料層的一表面； 一絕緣單元，其環(huán)繞包覆該第一型半導(dǎo)體材料層的周圍及第二型半導(dǎo)體 材料層的周圍；一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其成形于該第一型半導(dǎo)體材料層的表面上及該絕緣單 元的一側(cè)邊上；以及一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其成形于該第二型半導(dǎo)體材料層的表面上及該絕緣單 元的另外一相反側(cè)邊上；其中，通過該絕緣單元、該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以將該第 一型半導(dǎo)體材料層及該第二型半導(dǎo)體材料層全部包覆。
7、 如權(quán)利要求6所述的的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在 于該絕緣單元具有一用于環(huán)繞包覆該第一型半導(dǎo)體材料層的周圍及第二型 半導(dǎo)體材料層的一部分周圍的第一絕緣層及一用于環(huán)繞包覆第二型半導(dǎo)體 材料層的其余周圍的第二絕緣層。
8、 如權(quán)利要求6所述的的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在 于該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有一成形于該第一型半導(dǎo)體材料層的表面上及該絕緣 單元的一側(cè)邊上的凸塊底層金屬層、 一成形于該凸塊底層金屬層上的第一導(dǎo) 電層、及一成形于該第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層，并且該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有 一成形于該第二型半導(dǎo)體材料層的表面上及該絕緣單元的另外一相反側(cè)邊 上的凸塊底層金屬層、 一成形于該凸塊底層金屬層上的第一導(dǎo)電層、及一成 形于該第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層。
9、 如權(quán)利要求6所述的的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在 于該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分別通過至少兩個(gè)錫球或兩層錫膏以直立的方式電性連接于一電路板上。
10、 如權(quán)利要求6所述的的晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一型半導(dǎo)體材料層具有至少兩個(gè)彼此絕緣的導(dǎo)電焊墊，并且該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有兩組分別電性連接于上述至少兩個(gè)導(dǎo)電焊墊的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及一 設(shè)置于上述兩組導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的絕緣結(jié)構(gòu)。
專利摘要一種晶片級(jí)直立式的二極管封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)包括一第一型半導(dǎo)體材料層、一第二型半導(dǎo)體材料層、一絕緣單元、一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。第二型半導(dǎo)體材料層連接于第一型半導(dǎo)體材料層的一表面。絕緣單元環(huán)繞包覆第一型半導(dǎo)體材料層的周圍及第二型半導(dǎo)體材料層的周圍。第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)成形于第一型半導(dǎo)體材料層的表面上及絕緣單元的一側(cè)邊上。第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)成形于第二型半導(dǎo)體材料層的表面上及絕緣單元的另外一相反側(cè)邊上。通過絕緣單元、第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以將第一型半導(dǎo)體材料層及第二型半導(dǎo)體材料層全部包覆。本實(shí)用新型大大降低了材料成本及加工成本。
文檔編號(hào)H01L29/861GK201302998SQ20082013717
公開日2009年9月2日 申請日期2008年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月13日
發(fā)明者汪秉龍, 蕭松益, 陳政吉 申請人:宏齊科技股份有限公司