用于補(bǔ)償字線電壓增加的設(shè)備、感測電路及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例大體上涉及電子存儲器，且更特定來說，在一或多個(gè)所說明的實(shí)施例中，涉及補(bǔ)償由來自存儲器單元選擇器的泄漏電流導(dǎo)致的增大的字線電壓。
【背景技術(shù)】
[0002]在存儲器存取操作期間，某些存儲器架構(gòu)易發(fā)生從位線通過雙極選擇器裝置到字線的電流泄漏。通過雙極選擇器裝置到字線的電流泄漏可導(dǎo)致增加的字線電壓，其可導(dǎo)致在位線上提供的感測信號的電流的波動。即，增加的字線電壓可減少用以準(zhǔn)確地讀取用于感測由存儲器單元存儲的數(shù)據(jù)的感測信號的電壓容限。其結(jié)果是降低的電壓容限可導(dǎo)致存儲器單元的不準(zhǔn)確讀取。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本文揭示實(shí)例設(shè)備、感測電路及方法。實(shí)例設(shè)備可包含位線、耦合到所述位線的存儲器單元及耦合到所述存儲器單元的選擇器裝置。所述實(shí)例設(shè)備可進(jìn)一步包含耦合到雙極選擇器裝置的基極的字線及耦合到字線的字線驅(qū)動器。所述實(shí)例設(shè)備可進(jìn)一步包含模型字線電路及感測電路，所述模型字線電路經(jīng)配置以將所述字線的阻抗及所述字線驅(qū)動器的阻抗建模；所述感測電路耦合到所述位線及所述模型字線電路。所述感測電路可經(jīng)配置以基于單元電流感測所述存儲器單元的狀態(tài)且提供指示所述存儲器單元的狀態(tài)的感測信號。所述感測電路可經(jīng)進(jìn)一步配置以響應(yīng)于如由所述模型字線電路建模的字線電壓的增加調(diào)整位線電壓。
[0004]實(shí)例感測電路可包含放大器，其經(jīng)配置以提供第一信號及第二信號。所述第一信號及所述第二信號可基于位線電壓及基于字線的至少部分的阻抗而調(diào)整的感測參考電壓?？稍诘谝惠斎胩幗邮账鑫痪€電壓且在第二輸入處接收可基于字線的至少部分的阻抗而調(diào)整的所述感測參考電壓。所述第一信號可被反饋回到所述第二輸入。所述實(shí)例感測電路可進(jìn)一步包含比較器，所述比較器經(jīng)配置以基于所述第二信號的電壓及所述位線電壓提供指示存儲器單元狀態(tài)的輸出信號。
[0005]實(shí)例方法可包含對所述存儲器裝置的位線預(yù)充電至預(yù)充電電壓。所述預(yù)充電電壓可基于基于字線電壓的增加而受到調(diào)整的感測參考電壓。所述實(shí)例方法可進(jìn)一步包含啟用耦合到所述位線的選擇器裝置。所述雙極裝置的啟用可導(dǎo)致單元電流流過所述位線。所述實(shí)例方法可進(jìn)一步包含基于由所述單元電流產(chǎn)生的位線電壓確定耦合到所述位線的存儲器單元的狀態(tài)。
[0006]另一實(shí)例方法可包含在模型字線電路處接收感測參考電壓。所述模型字線電路的阻抗可約等于字線的至少部分及存儲器陣列的字線驅(qū)動器的阻抗。所述另一實(shí)例方法可進(jìn)一步包含提供通過所述模型字線電路的模型單元電流，及基于所述感測參考電壓加基于流過所述模型字線電路的所述模型單元電流的電壓調(diào)整所述感測參考電壓。
【附圖說明】
[0007]圖1為包含模型字線電路及感測電路的設(shè)備的特定說明性實(shí)施例的框圖；
[0008]圖2為包含模型字線電路及感測電路的設(shè)備的特定說明性實(shí)施例的框圖；
[0009]圖3為雙輸出放大器電路的特定說明性實(shí)施例的框圖；
[0010]圖4為模型字線驅(qū)動器的特定說明性實(shí)施例的框圖；及
[0011]圖5為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包含模型字線電路及感測電路的存儲器的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下文闡述的某些細(xì)節(jié)提供對本發(fā)明的實(shí)施例的充分理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將清楚本發(fā)明的實(shí)施例可脫離這些特定細(xì)節(jié)而實(shí)施。此外，本文描述的本發(fā)明的特定實(shí)施例是以實(shí)例的形式提供且不應(yīng)被用于將本發(fā)明的范圍限制于這些特定實(shí)施例。
[0013]參考圖1，揭示包含模型字線電路及感測電路的設(shè)備的特定說明性實(shí)施例且大體上將其指定為100。所述設(shè)備可為集成電路、存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)、電子裝置或系統(tǒng)、智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等等。設(shè)備100可補(bǔ)償在讀取操作期間由于通過選擇器裝置(例如，雙極選擇器裝置)的電流泄漏的字線上的電壓增加。設(shè)備100可包含多個(gè)位線124 (O-N)。如圖1中所說明，每一位線124 (O-N)耦合到相應(yīng)存儲器單元130 (O-N)，所述存儲器單元與相應(yīng)選擇器裝置HO(O-N)串聯(lián)耦合。圖1中說明選擇器裝置HO(O-N)為PNP雙極結(jié)晶體管。在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可將其它類型的電路用于選擇器裝置140 (O-N)。盡管圖1說明用于每一位線124 (O-N)的一個(gè)存儲器單元130 (O-N)，但多個(gè)存儲器單元可耦合到每一位線?？膳c耦合到一或多個(gè)存儲器單元的位線一起使用本發(fā)明的實(shí)施例。每一選擇器裝置HO(O-N)的基極可耦合到字線160。設(shè)備100可進(jìn)一步包含多個(gè)感測電路120 (O-N)，其各自經(jīng)配置以感測流過相應(yīng)位線124 (O-N)的相應(yīng)單元電流ICELL(O-N)。相應(yīng)ICELL(O-N)電流指示對應(yīng)存儲器單元130 (O-N)的狀態(tài)。感測電路120 (O-N)中的每一者比較相應(yīng)ICELL(O-N)電流與基于參考電壓SVREF(O-N)產(chǎn)生的電流。SVREF(O-N)電壓可基于字線和字線驅(qū)動器的阻抗而予以調(diào)整。SVREF(O-N)電壓可由模型字線電路110調(diào)整。
[0014]模型字線電路110可包含第一模型字線驅(qū)動器112及第二模型字線驅(qū)動器114，其各自耦合到模型字線118。第一模型字線驅(qū)動器112及第二模型字線驅(qū)動器114可各自將第一字線驅(qū)動器及第二字線驅(qū)動器(例如，字線驅(qū)動器150及152)中的至少一者建模以驅(qū)動模型字線118上的電壓。模型字線118可為類似材料及/或具有字線160的類似電特性。模型字線電阻組件116(0-N)可將沿字線160的至少部分的阻抗建模。
[0015]感測電路120 (O-N)中的每一者可耦合到相應(yīng)位線124 (O-N)且可經(jīng)配置以可沿相應(yīng)位線124(0-N)驅(qū)動相應(yīng)ICELL(O-N)電流。此外，感測電路120 (O-N)中的每一者可耦合到模型字線電路110且可經(jīng)配置以提供相應(yīng)模型感測電流ICELLM(O-N)到模型字線118。感測電路120(0-N)中的每一者也可提供相應(yīng)感測輸出信號SENSE OUT(O-N)，感測輸出信號可指示相應(yīng)存儲器單元130 (O-N)的狀態(tài)。
[0016]存儲器單元130(0_N)中的每一者可經(jīng)配置以存儲數(shù)據(jù)。在實(shí)施例中，存儲器單元130 (O-N)中的每一者可包含相變存儲器材料。所述相變存儲器材料可處于至少兩個(gè)狀態(tài)(舉例來說，未編程狀態(tài)和編程狀態(tài))中的一者中。所述相變存儲器材料可具有針對每一狀態(tài)的不同阻抗。在實(shí)施例中，所述相變存儲器材料可包含硫族化合物合金(例如，鍺、銻及碲的合金(GeSbTe)，稱為GST)。
[0017]在操作中，在存儲器存取操作期間，感測電路120 (O-N)中的每一者可在感測之前對每一相應(yīng)位線124 (O-N)預(yù)充電至SVREF電壓。此外，第一字線驅(qū)動器150及第二字線驅(qū)動器152沿字線160驅(qū)動存儲器存取電壓以啟用選擇器裝置140 (O-N)中的每一者。當(dāng)啟用選擇器裝置140 (O-N)時(shí)，對應(yīng)ICELL (O-N)電流流過相應(yīng)存儲器單元130 (O-N)。ICELL (O-N)電流的量值基于相應(yīng)存儲器單元130 (O-N)的狀態(tài)(例如，阻抗)?；谙鄳?yīng)ICELL(O-N)電流，感測電路120 (O-N)中的每一者可提供相應(yīng)SENSE OUT(O-N)信號。SENSE OUT(O-N)信號的量值指示相應(yīng)存儲器單元130(0-N)的狀態(tài)，且因此可指示由相應(yīng)存儲器單元130(0-N)存儲的數(shù)據(jù)值。
[0018]選擇器裝置HO(O-N)可通過所述基極泄漏電流到字線160。舉例來說，圖1描繪單元電流ICELL L(O-N)及單元電流ICELL R(O-N)通過選擇器裝置140 (O-N)的基極泄漏到字線160。因?yàn)樽志€160、第一字線驅(qū)動器150及第二字線驅(qū)動器152具有非零阻抗，所以所述電流泄漏導(dǎo)致所述字線電壓的增加。所述字線電壓增加可減少選擇器裝置HO(O-N)的基極-發(fā)射極電壓VEB。作為結(jié)果，可減少每一感測電路120 (O-N)的ICELL(O-N)電流。通過每一選擇器裝置140 (O-N)的基極的電流泄漏的量值可取決于選擇器裝置HO(O-N)的增益(β )、字線160的阻抗、第一字線驅(qū)動器150及第二字線驅(qū)動器152的阻抗及對應(yīng)存儲器單元130 (O-N)的狀態(tài)。
[0019]在一些實(shí)施例中，對源自泄漏電流的字線電壓增加的補(bǔ)償可被動態(tài)調(diào)整且可基于若干相關(guān)性。舉例來說，感測電路120 (O-N)中的每一者可使用模型字線電路110通過建模字線電壓的增加且按基于所述電壓增加的量補(bǔ)償(例如，增加)SVREF電壓來補(bǔ)償所述增加的字線電壓。補(bǔ)償SVREF電壓可增加ICELL電流，且因此提高用于感測ICELL電流的電壓容限。
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