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具有相位產(chǎn)生電路的改進型檢測設(shè)備的制造方法

文檔序號:9921319閱讀:756來源:國知局
具有相位產(chǎn)生電路的改進型檢測設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種改進型檢測設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)GB14048.2-2001,GB16916.1-2003,GB16917.1-2003等規(guī)定:對無論是突然施加或緩慢上升的具有規(guī)定的剩余脈動直流或剩余正弦交流電流,能確保在規(guī)定時間內(nèi)脫扣的漏電斷路器稱為A型漏電斷路器。對無論是突然施加或緩慢上升的具有無直流分量的剩余正弦交流電流,能確保在規(guī)定時間內(nèi)脫扣的漏電斷路器,稱為AC型漏電斷路器。由上可知,A型漏電斷路器覆蓋了 AC型漏電斷路器的功能。
[0003]上述“規(guī)定的剩余脈動電流”為以下4種情況:電流滯后電壓0°的半波整流電流、電流滯后電壓90 °的半波整流電流、電流滯后電壓135 °的半波整流電流、含有6mA直流的電流滯后電壓O °的半波整流電流。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中不存在對A型漏電斷路器進行測量的裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種測試范圍較廣且性能較為穩(wěn)定可靠的具有相位產(chǎn)生電路的改進型檢測設(shè)備。
[0006]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種具有相位產(chǎn)生電路的改進型檢測設(shè)備,包括交流電源電路、直流供電電路、相位產(chǎn)生電路、交流漏電調(diào)節(jié)電路、相位顯示電路、指示燈電路和時間檢測電路;其特征在于:交流電源電路具有用于構(gòu)成負(fù)載回路的第一火線端和用于構(gòu)成模擬漏電回路的第二火線端,第一火線端和第二火線端用于與被測設(shè)備的火線輸入端相連,所述負(fù)載回路的零線端用于與被測設(shè)備的零線端相連;所述被測設(shè)備是A型漏電斷路器;相位產(chǎn)生電路用于與被測設(shè)備的火線輸出端L2相連;相位產(chǎn)生電路包括控制按鈕電路,控制按鈕電路用于控制相位產(chǎn)生電路在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓O °的半波整流電流、電流滯后電壓90°的半波整流電流、電流滯后電壓135°的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓0°的半波整流電流;交流漏電調(diào)節(jié)電路用于控制所述模擬漏電回路的電流大??;時間檢測電路用于測量從所述模擬漏電回路導(dǎo)通至A型漏電斷路器脫扣所需的時間,即動作時間;所述相位產(chǎn)生電路包括:電流滯后電壓O °的第一半波整流電路、電流滯后電壓90 °的第二半波整流電路、電流滯后電壓135 °的第三半波整流電路、6mA直流生成電路以及可控硅電流控制電路,可控硅電流控制電路用于根據(jù)所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓O °的半波整流電流、電流滯后電壓90°的半波整流電流、電流滯后電壓135 °的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓O °的半波整流電流;所述電流滯后電壓135°的第三半波整流電路包括:由變壓器T2、二極管D5、電阻R3、R4、R5、R6、R7和運算放大器IClA構(gòu)成的正弦波整形成電路,與運算放大器IClA的輸出端相連的由電阻R8、電容C5構(gòu)成的充電電路,由二極管D6、D7構(gòu)成的與門;用來設(shè)定相對于電流滯后電壓135°的整定電壓的電阻R9和R10,用來調(diào)節(jié)運算放大器IClB的反向端的相對于電流滯后電壓135°的比較電壓的電阻Rll和電位器WR1,運算放大器IClB的輸出端用于輸出電流滯后電壓135°的控制信號;電阻R12是三極管BG3基極的限流電阻,三極管BG3與電阻R13構(gòu)成射極跟隨器,電阻R13上的電流滯后電壓135°的控制信號通過按鈕開關(guān)SBl、電阻R58送給三極管BG18,三極管BG18驅(qū)動光耦芯片IC4,電阻R59是限流電阻,保證光耦芯片IC4有效工作;光耦芯片IC4用以隔離交流220V與相位產(chǎn)生電路直流部分,控制雙向可控硅BG19的導(dǎo)通和關(guān)斷,電阻R60、R61用于控制雙向可控硅BG19的G極輸入電流,使輸入信號足夠觸發(fā)雙向可控硅BG19導(dǎo)通;雙向可控硅BG19的A、K二極串聯(lián)在負(fù)載與交流電源之間,流過負(fù)載的電流就是滯后于電壓135°的半波整流電流;控制雙向可控硅BG19即可控制線路中通過規(guī)定的剩余脈動電流,調(diào)節(jié)電位器WR3、WR4、WR5即可控制漏電流大??;當(dāng)按鈕開關(guān)SB 1閉合時,按鈕開關(guān)SB 1的兩個中間觸點用于相位產(chǎn)生電路輸出波形的檢測;所述可控硅電流控制電路包括:根據(jù)所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號而導(dǎo)通的三極管BG18、由三極管BG18驅(qū)動的光耦芯片IC4,由光耦芯片IC4控制通斷的雙向可控硅BG19,雙向可控硅BG19的A、K極串聯(lián)在所述模擬漏電回路中;所述時間檢測電路包括:單片機IC6、與單片機IC6的漏電檢測端相連的用于檢測所述模擬漏電回路是否導(dǎo)通的漏電信號檢測電路以及與單片機IC6的時間信息輸出端相連的用于顯示時間的數(shù)碼管;單片機IC6根據(jù)漏電信號檢測電路輸出的漏電信號測量從所述模擬漏電回路導(dǎo)通至A型漏電斷路器脫扣所需的時間并通過所述數(shù)碼管顯示該時間;所述6mA直流生成電路由電阻R67、9V干電池Bt、按鈕開關(guān)SB5、SB6組成;電阻R67的一端與9V干電池U的正極相連,電阻R67的另一端與按鈕開關(guān)SB5的中間觸點相連,按鈕開關(guān)SB5的常開觸點與按鈕開關(guān)SB6的常開觸點、常閉觸點相連,9V干電池負(fù)極接按鈕開關(guān)SB6的常開觸點,按鈕開關(guān)SB6的中間觸點與直流輸出接線柱“+”相連,按鈕開關(guān)SB6的中間觸點SB6-21與直流輸出“一”相連;
交流電源電路由220V、50Hz交流電源供電給變壓器T4,變壓器T4輸出180V、220V、250V、380V電壓經(jīng)波段開關(guān)SAl連接至交流輸出接線柱L1、N上;通過調(diào)節(jié)波段開關(guān)SAl的檔位,改變交流輸出接線柱LI和N兩端的電壓;變壓器T4的負(fù)載是交流漏電調(diào)節(jié)電路。
[0007]本發(fā)明具有積極的效果:本發(fā)明通過改進直流生成電路,使其結(jié)構(gòu)較為合理,能夠有效滿足特殊漏電斷路器的測試需求。
【附圖說明】
[0008]下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的解釋,其中附圖如下:
圖1為實施例1的改進型檢測設(shè)備的外形結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為實施例1的改進型檢測設(shè)備的部分電原理圖;
圖3為實施例1的改進型檢測設(shè)備的另一部分電原理圖。
【具體實施方式】
[0009](實施例1)
見圖1-3,本實施例是一種用于測試漏電斷路器的改進型檢測設(shè)備,包括:交流電源電路1、直流供電電路7、相位產(chǎn)生電路2、交流漏電調(diào)節(jié)電路3、相位顯示電路6、指示燈電路5和時間檢測電路4。
[0010]交流電源電路I具有用于構(gòu)成負(fù)載回路的第一火線端和用于構(gòu)成模擬漏電回路的第二火線端,第一火線端和第二火線端用于與被測設(shè)備9的火線輸入端相連,所述負(fù)載回路的零線端用于與被測設(shè)備9的零線端相連。本實施例中被測設(shè)備9是A型漏電斷路器。
[0011]相位產(chǎn)生電路2用于與被測設(shè)備9的火線輸出端L2相連;相位產(chǎn)生電路2包括控制按鈕電路,控制按鈕電路用于控制相位產(chǎn)生電路2在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓O °的半波整流電流、電流滯后電壓90°的半波整流電流、電流滯后電壓135°的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓O °的半波整流電流。
[0012]交流漏電調(diào)節(jié)電路3用于控制所述模擬漏電回路的電流大小;時間檢測電路4用于測量從所述模擬漏電回路導(dǎo)通至A型漏電斷路器脫扣所需的時間,即動作時間。
[0013]所述相位產(chǎn)生電路2包括:電流滯后電壓O°的第一半波整流電路、電流滯后電壓90?的第二半波整流電路、電流滯后電壓135 °的第三半波整流電路、6mA直流生成電路、以及用于根據(jù)所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓O °的半波整流電流、電流滯后電壓90°的半波整流電流、電流滯后電壓135 °的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓O °的半波整流電流的可控硅電流控制電路。
[0014]所述電流滯后電壓135°的第三半波整流電路包括:由變壓器T2、二極管D5、電阻R3、R4、R5、R6、R7和運算放大器IClA構(gòu)成的正弦波整形成電路,與運算放大器IClA的輸出端相連的由電阻R8、電容C5構(gòu)成的充電電路,由二極管D6、D7構(gòu)成的與門;用來設(shè)定相對于電流滯后電壓135°的整定電壓的電阻R9和R10,用來調(diào)節(jié)運算放大器IClB的反向端的相對于電流滯后電壓135°的比較電壓的電阻Rll和電位器WR1,運算放大器IClB的輸出端用于輸出電流滯后電壓135°的控制信號。
[0015]電阻R12是三極管BG3基極的限流電阻,三極管BG3與電阻R13構(gòu)成射極跟隨器,電阻R13上的電流滯后電壓135°的控制信號通過按鈕開關(guān)SBl、電阻R58送給三極管BG18,三極管BG18驅(qū)動光耦芯片IC4,電阻R59是限流電阻,保證光耦芯片IC4有效工作。光耦芯片IC4用以隔離交流220V與相位產(chǎn)生電路直流部分,控制雙向可控硅BG19的導(dǎo)通和關(guān)斷,電阻R60、R61用于控制雙向可控硅BG19的G極輸入電流,使輸入信號足夠觸發(fā)雙向可控硅BG19導(dǎo)通。雙向可控硅BG19的A、K二極串聯(lián)在負(fù)載與交流電源之間,流過負(fù)載的電流就是滯后于電壓135°的半波整流電流??刂齐p向可控硅BG19即可控制線路中通過規(guī)定的剩余脈動電流,調(diào)節(jié)電位器WR3、WR4、WR5即可控制漏電流大小。
[0016]當(dāng)按鈕開關(guān)SBlO閉合時,按鈕開關(guān)SBlO的兩個中間觸點用于相位產(chǎn)生電路輸出波形的檢測。
[0017]所述可控硅電流控制電路包括:根據(jù)所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號而導(dǎo)通的三極管BG18、由三極管BG18驅(qū)動的光耦芯片IC4,由光耦芯片IC4控制通斷的雙向可控硅BG19,雙向可控硅BG19的A、K極串聯(lián)在所述模擬漏電回路中。
[0018]所述時間檢測電路4包括:單片機IC6、與單片機IC6的漏電檢測端相連的用于檢測所述模擬漏電回路是否導(dǎo)通的漏電信號檢測電路、以及與單片機IC6的時間信息輸出端相連的用于顯示時間的數(shù)碼管;單片機IC6根據(jù)漏電信號檢測電路輸出的漏電信號測量從所述模擬漏電回路導(dǎo)通至A型漏電斷路器脫扣所需的時間并通過所述數(shù)碼管顯示該時間。
[0019]所述相位產(chǎn)生電路2連接有用于顯示所述模擬漏電回路存在電流滯后電壓O°的半波整流電流或電流滯后電壓90 °的半波整流電流或電流滯后電壓135 °的半波整流電流或含有6mA直流的電流滯后電壓0°的半波整流
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