本發(fā)明涉及一種像素單元的補償方法，尤其涉及一種像素單元的外部補償方法。

背景技術(shù)：

平面顯示裝置(Flat Panel Display)具有外型輕薄、省電以及無輻射等優(yōu)點，所以被廣泛地應(yīng)用于電腦屏幕、移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、平面電視等電子產(chǎn)品上。在各種平面顯示裝置中，主動式矩陣有機發(fā)光顯示裝置(Active Matrix Organic Light Emitting Display；AMOLED)更具有自發(fā)光、高亮度、高發(fā)光效率、高對比、反應(yīng)速度快、廣視角、以及可使用溫度范圍大等進一步的優(yōu)點，因此在平面顯示裝置的市場上極具競爭性。

為改善因晶體管變異而產(chǎn)生的影像品質(zhì)問題，現(xiàn)有技術(shù)中，增加重置與臨界電壓補償機制來避免影像的殘留現(xiàn)象及像素亮度的失真，進而提供高品質(zhì)的影像。但引起晶體管變異的并非只有臨界電壓，還有包括遷移率、閾值電壓的偏移等因素，并且若有機發(fā)光二極管長時間工作的話，也會產(chǎn)生發(fā)光效率下降的問題，這些因素都會導(dǎo)致影像的殘留現(xiàn)象及像素亮度的失真，所以只靠目前的補償機制，補償效果有限且無法補償因發(fā)光效率下降引起的失真。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為改善上述無法補償因遷移率、閾值電壓的偏移及發(fā)光效率變化而引起的影像的殘留現(xiàn)象與亮度失真等問題，本發(fā)明提供一種像素單元的補償方法。

上述的像素單元包括：

輸入單元，該輸入單元接收數(shù)據(jù)信號及掃描信號，該輸入單元用來根據(jù)該數(shù)據(jù)信號與該掃描信號以輸出控制電壓；

驅(qū)動單元，電連接于該輸入單元，該驅(qū)動單元耦接第一電源電壓，該驅(qū)動單元用來根據(jù)該控制電壓與該第一電源電壓以提供驅(qū)動電流與驅(qū)動電壓；

第一重置單元，電連接于該驅(qū)動單元，該第一重置單元接收第一重置信號并耦接第一參考電壓，該第一重置單元用來根據(jù)該第一重置信號與該第一參考電壓以重置該驅(qū)動電壓；以及

發(fā)光單元，電連接于該驅(qū)動單元，該發(fā)光單元耦接第二電源電壓，該發(fā)光單元用以根據(jù)該驅(qū)動電流產(chǎn)生輸出光；

上述的補償方法包括：

步驟S1：計算各灰階下的灰階電流，Ii＝In*(i/n)^2.2，其中，Ii為第i階的灰階電流，In為最大階的灰階電流，n為最大階灰階電流的階數(shù)，i為自然數(shù)且滿足0≤i≤n；

步驟S2：該數(shù)據(jù)信號接入黑畫面數(shù)據(jù)信號以關(guān)閉該驅(qū)動單元，再調(diào)整該第一參考電壓，并量測對應(yīng)的通過該發(fā)光單元的電流，以得到一一對應(yīng)于該各灰階下的灰階電流的該第一參考電壓；

步驟S3：該第一參考電壓固定接入第一參考值以關(guān)閉該發(fā)光單元，再調(diào)整該數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)電壓，并量測對應(yīng)的通過該驅(qū)動單元的電流，以得到一一對應(yīng)于該各灰階下的灰階電流的該數(shù)據(jù)電壓，其中，該第一參考值滿足：V1<OVSS+VE，V1為該第一參考值，OVSS為該第二電源電壓，VE為該發(fā)光單元的跨壓；

步驟S4：計算該數(shù)據(jù)電壓的補償值，Vdatai’＝Vdatai+k*(Vmoni-V1)，其中，Vdatai’為第i階灰階電流下的數(shù)據(jù)電壓的補償值，Vdatai為第i階灰階電流下的數(shù)據(jù)電壓，k為該驅(qū)動單元的電容分壓系數(shù)，Vmoni為第i階灰階電流下的第一參考電壓，V1為該第一參考值；

步驟S5：繪制該數(shù)據(jù)電壓的該補償值與對應(yīng)灰階值的圖像，并進行擬合，得出該數(shù)據(jù)電壓與該灰階值一一對應(yīng)的第一補償查找表，該像素單元根據(jù)該第一補償查找表進行補償。

作為可選的技術(shù)方案，

在步驟S1中，該各灰階下的灰階電流還能夠進行修正以補償該發(fā)光單元的發(fā)光效率的下降，Ii’＝In*(1/(1-B))*(i/n)^2.2，其中，Ii’為修正后的第i階的灰階電流，B為該發(fā)光單元的亮度下降比例。

作為可選的技術(shù)方案，該驅(qū)動單元包含第一晶體管，該第一晶體管具有用來接收該第一電源電壓的第一端、用來接收該控制電壓的柵極端及用來輸出該驅(qū)動電流與該驅(qū)動電壓的第二端；該第一重置單元包含第二晶體管，該第二晶體管具有用來接收該第一參考電壓的第三端、用來接收該第一重置信號的柵極端及連接該第二端的第四端；該輸入單元包含第三晶體管，該第三晶體管具有接收數(shù)據(jù)信號的第五端、接收掃描信號的柵極端及輸出該控制電壓的第六端；該發(fā)光單元包含有機發(fā)光二極管，該有機發(fā)光二極管具有連接該第一晶體管的該第二端的陽極及用來接收該第二電源電壓的陰極。

作為可選的技術(shù)方案，

該像素單元還包括：

電壓調(diào)整單元，該電壓調(diào)整單元包含第四晶體管，該第四晶體管具有用來接收該第二參考電壓的第七端、接收發(fā)光信號的柵極端及電連接于該輸入單元的第八端，該電壓調(diào)整單元用來根據(jù)該發(fā)光信號與該第二參考電壓以調(diào)整該控制電壓，其中，電壓調(diào)整單元的第八端電連接于輸入單元的第六端的節(jié)點為第一節(jié)點；

耦合單元，該耦合單元包含第一電容，該第一電容電連接于該輸入單元的該第六端與該驅(qū)動單元的柵極端之間，該耦合單元用來對該控制電壓的電壓變化執(zhí)行耦合運作以調(diào)整該控制電壓；

第二重置單元，該第二重置單元包含第五晶體管，該第五晶體管具有電連接于該驅(qū)動單元的該第二端的第九端、接收該掃描信號的柵極端及電連接于該耦合單元與該驅(qū)動單元的柵極端的第十端，該第二重置單元用來根據(jù)該掃描信號與該驅(qū)動電壓以重置該控制電壓，其中，該第二重置單元的該第十端電連接于該耦合單元與該驅(qū)動單元的柵極端的節(jié)點為第二節(jié)點；以及

發(fā)光致能單元，該發(fā)光致能單元包含第六晶體管，該第六晶體管具有電連接于該驅(qū)動單元的該第二端的第十一端、接收該發(fā)光信號的柵極端及電連接于該有機發(fā)光二極管的該陽極的第十二端，該發(fā)光致能單元用來根據(jù)該發(fā)光信號控制將該驅(qū)動電流饋入至該有機發(fā)光二極管。

作為可選的技術(shù)方案，k＝Cgd/(Cgd+Cgs+Cp+C),其中，Cgd為該第一晶體管的柵極端與該第二端之間的電容，Cgs為該第一晶體管的柵極端與該第一端之間的電容，Cp為該第五晶體管的柵極端與該第十端之間的電容，C為該耦合單元的該第一電容的電容。

作為可選的技術(shù)方案，

于該步驟S2中，

在關(guān)閉該驅(qū)動單元前還包括步驟Reset,該步驟Reset用來重置該第二節(jié)點的電壓，該步驟Reset包括：該發(fā)光信號不致能以關(guān)閉該第四晶體管及該第六晶體管，該第一重置信號及該掃描信號致能以開啟該第二晶體管、該第三晶體管及該第五晶體管；

該步驟Reset完成后，該掃描信號不致能以關(guān)閉該第三晶體管及該第五晶體管，該數(shù)據(jù)信號接入黑畫面信號以關(guān)閉該第一晶體管，其中，該數(shù)據(jù)信號滿足Vmon+Vb-Vdata>Vdd+Vth，Vb為該第二參考電壓，Vdata為該數(shù)據(jù)電壓，Vdd為該第一電源電壓，Vth為該第一晶體管的臨界電壓；該發(fā)光信號致能以開啟該第四晶體管及該第六晶體管，再調(diào)整該第一參考電壓，并量測對應(yīng)的通過該有機發(fā)光二極管的第一電流，以得到該各灰階下的灰階電流分別對應(yīng)的該第一參考電壓，該第一電流經(jīng)由該第二晶體管流經(jīng)該第六晶體管最后流經(jīng)該有機發(fā)光二極管；

于步驟S3中，

在關(guān)閉該發(fā)光單元前還包括該步驟Reset；

該步驟Reset完成后，該掃描信號不致能以關(guān)閉該第三晶體管及該第五晶體管，該第一參考電壓接入第一參考值以關(guān)閉該有機發(fā)光二極管，其中，該第一參考值滿足V1<OVSS+VOLED，V1為該第一參考值，OVSS為該第二電源電壓，VOLED為該有機發(fā)光二極管的跨壓；該發(fā)光信號致能以開啟該第四晶體管及該第六晶體管，再調(diào)整該數(shù)據(jù)電壓，并量測對應(yīng)的通過該第一晶體管的第二電流，以得到該各灰階下的灰階電流分別對應(yīng)的該數(shù)據(jù)電壓，該第二電流經(jīng)由該第一晶體管流經(jīng)該第二晶體管。

作為可選的技術(shù)方案，

于該步驟S2中，

在關(guān)閉該驅(qū)動單元前還包括步驟Reset與步驟ComVth,該步驟Reset用來重置該第二節(jié)點的電壓，該步驟ComVth用來補償該第一晶體管的臨界電壓；

該步驟Reset包括：該發(fā)光信號不致能以關(guān)閉該第四晶體管及該第六晶體管，該第一重置信號及該掃描信號致能以開啟該第二晶體管、該第三晶體管及該第五晶體管；

該步驟Reset完成后，進入該步驟ComVth，該步驟ComVth在該步驟Reset的基礎(chǔ)上，僅將該第一重置信號不致能以關(guān)閉該第二晶體管；

該步驟ComVth完成后，該掃描信號不致能以關(guān)閉該第三晶體管及該第五晶體管，該數(shù)據(jù)信號接入黑畫面信號以關(guān)閉該第一晶體管，其中，該第二節(jié)點的電壓滿足：VG＝Vdd+Vth-Vb-Vdata，VG為該第二節(jié)點的電壓，Vb為該第二參考電壓，Vdata為該數(shù)據(jù)電壓，Vdd為該第一電源電壓，Vth為該第一晶體管的臨界電壓；該發(fā)光信號致能以開啟該第四晶體管及該第六晶體管，再調(diào)整該第一參考電壓，并量測對應(yīng)的通過該有機發(fā)光二極管的第一電流，以得到該各灰階下的灰階電流分別對應(yīng)的該第一參考電壓，該第一電流經(jīng)由該第二晶體管流經(jīng)該第六晶體管最后流經(jīng)該有機發(fā)光二極管；

于步驟S3中，

在關(guān)閉該發(fā)光單元前還包括該步驟Reset與該步驟ComVth；

該步驟Reset及該步驟ComVth完成后，該掃描信號不致能以關(guān)閉該第三晶體管及該第五晶體管，該第一參考電壓接入第一參考值以關(guān)閉該有機發(fā)光二極管，其中，該第一參考值滿足V1<OVSS+VOLED，V1為該第一參考值，OVSS為該第二電源電壓，VOLED為該有機發(fā)光二極管的跨壓；該發(fā)光信號致能以開啟該第四晶體管及該第六晶體管，再調(diào)整該數(shù)據(jù)電壓，并量測對應(yīng)的通過該第一晶體管的第二電流，以得到該各灰階下的灰階電流分別對應(yīng)的該數(shù)據(jù)信號的電壓，該第二電流經(jīng)由該第一晶體管流經(jīng)該第二晶體管。

作為可選的技術(shù)方案，

該像素單元還包括：

耦合單元，該耦合單元包含第二電容，該第二電容電連接于該輸入單元的該第六端與該驅(qū)動單元的該第一端之間，該耦合單元用來對該控制電壓的電壓變化執(zhí)行耦合運作以調(diào)整該控制電壓。

作為可選的技術(shù)方案，

在該步驟S2中，該數(shù)據(jù)信號接入零灰階信號以關(guān)閉該第一晶體管，再調(diào)整該第一參考電壓，并量測對應(yīng)的通過該發(fā)光單元的電流，以得到該各灰階下的灰階電流分別對應(yīng)的該第一參考電壓；

在該步驟S3中，該第一參考電壓接入第一參考值以關(guān)閉該有機發(fā)光二極管，其中，該第一參考值滿足V1<OVSS+VOLED，V1為該第一參考值，OVSS為該第二電源電壓，VOLED為該有機發(fā)光二極管的跨壓；調(diào)整該數(shù)據(jù)電壓，并量測對應(yīng)的通過該第一晶體管的第三電流，以得到該各灰階下的灰階電流分別對應(yīng)的該數(shù)據(jù)電壓，該第三電流經(jīng)由該第一晶體管流經(jīng)該第二晶體管。

作為可選的技術(shù)方案，

該像素單元還包括：

第七晶體管，該第七晶體管具有用來接收該第一電源電壓的第十三端、接收該發(fā)光信號的柵極端及電連接于該第一晶體管的該第一端的第十四端；以及

第三電容，該第三電容電連接于該第七晶體管的該第十三端與該第十四端之間；

在該步驟S2中，該數(shù)據(jù)信號接入零灰階信號以關(guān)閉該第一晶體管，再調(diào)整該第一參考電壓，并量測對應(yīng)的通過該發(fā)光單元的電流，以得到該各灰階下的灰階電流分別對應(yīng)的該第一參考電壓；

在該步驟S3中，該第一參考電壓接入第一參考值以關(guān)閉該有機發(fā)光二極管，其中，該第一參考值滿足V1<OVSS+VOLED，V1為該第一參考值，OVSS為該第二電源電壓，VOLED為該有機發(fā)光二極管的跨壓；調(diào)整該數(shù)據(jù)電壓，并量測對應(yīng)的通過該第一晶體管的第四電流，以得到該各灰階下的灰階電流分別對應(yīng)的該數(shù)據(jù)電壓，該第四電流經(jīng)由該第七晶體管流經(jīng)該第一晶體管再流經(jīng)該第二晶體管。

相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明藉由偵測發(fā)光單元和驅(qū)動單元得到各灰階對應(yīng)的第一參考電壓和數(shù)據(jù)電壓，再計算各灰階須回補的數(shù)據(jù)電壓，可完成初始時刻的發(fā)光單元的外部補償。關(guān)于后續(xù)時刻的補償，則先偵測發(fā)光單元跨壓變化推得亮度下降比例，藉由提高電流使維持與初始時刻相同亮度的方法，進而得到新的灰階對應(yīng)電流曲線，再分別偵測發(fā)光單元和驅(qū)動單元并計算數(shù)據(jù)電壓做回補。進一步地，還可增加驅(qū)動單元的內(nèi)部補償?shù)姆绞?，以達到更好的實時補償及減少第一補償查找表的數(shù)據(jù)的效果。

以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。

附圖說明

圖1為本發(fā)明像素單元的第一實施方式的示意圖；

圖2A為圖1中像素單元的補償方法的第一實施方式中的步驟S2的波形圖；

圖2B為圖2A步驟S2中的步驟Reset的像素單元的工作示意圖；

圖2C為圖2A步驟S2中的步驟Reset之后的偵測時段的工作示意圖；

圖3A為圖1中像素單元的補償方法的第一實施方式中的步驟S3的波形圖；

圖3B為圖3A步驟S3中的步驟Reset之后的偵測時段的工作示意圖；

圖4A為依據(jù)像素單元的補償方法的第一實施方式進行補償?shù)牟ㄐ螆D；

圖4B為圖4A中的發(fā)光時段的工作示意圖；

圖5A為圖1中像素單元的補償方法的第二實施方式中的步驟S2的波形圖；

圖5B為圖5A中步驟S2的步驟ComVth的像素單元的工作示意圖；

圖6為圖1中像素單元的補償方法的第二實施方式中的步驟S3的波形圖；

圖7A為依據(jù)像素單元的補償方法的第二實施方式進行補償?shù)牟ㄐ螆D；

圖7B為圖7A中的發(fā)光時段的工作示意圖；

圖8為本發(fā)明像素單元的第二實施方式的示意圖；

圖9A為圖8中像素單元的補償方法的步驟S2的波形圖；

圖9B為圖9A步驟S2中的像素單元的工作示意圖；

圖10A為圖8中像素單元的步驟S3的波形圖；

圖10B為圖10A步驟S3中的像素單元的工作示意圖；

圖11為本發(fā)明像素單元的第三實施方式的示意圖；

圖12A為圖11中像素單元的補償方法的步驟S2的波形圖；

圖12B為圖12A步驟S2中的像素單元的工作示意圖；

圖13A為圖11中像素單元的步驟S3的波形圖；

圖13B為圖13A步驟S3中的像素單元的工作示意圖。

具體實施方式

圖1為本發(fā)明像素單元的第一實施方式的示意圖。請參照圖1，像素單元100包括輸入單元110、驅(qū)動單元120、第一重置單元130及發(fā)光單元140。輸入單元110接收數(shù)據(jù)信號(圖1中示出該數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Vdata)及掃描信號WR，輸入單元110用來根據(jù)數(shù)據(jù)信號與掃描信號WR以輸出控制電壓。驅(qū)動單元120電連接于輸入單元110，驅(qū)動單元120耦接第一電源電壓Vdd，驅(qū)動單元120用來根據(jù)控制電壓與第一電源電壓Vdd以提供驅(qū)動電流與驅(qū)動電壓。第一重置單元130電連接于驅(qū)動單元120，第一重置單元130接收第一重置信號RD并耦接第一參考電壓Vmon，第一重置單元130用來根據(jù)第一重置信號RD與第一參考電壓Vmon以重置驅(qū)動單元120產(chǎn)生的驅(qū)動電壓。發(fā)光單元140電連接于驅(qū)動單元120，發(fā)光單元140耦接第二電源電壓OVSS，發(fā)光單元140用以根據(jù)驅(qū)動單元120產(chǎn)生的驅(qū)動電流產(chǎn)生輸出光。

為改善發(fā)光單元140的亮度失真，本發(fā)明提供像素單元100的補償方法。

上述的補償方法包括：

步驟S1：計算各灰階下的灰階電流，Ii＝In*(i/n)^2.2，其中，Ii為第i階的灰階電流，In為最大階的灰階電流，n為最大階灰階電流的階數(shù)，i為自然數(shù)且滿足0≤i≤n；

步驟S2：數(shù)據(jù)信號接入黑畫面數(shù)據(jù)信號以關(guān)閉驅(qū)動單元120，再調(diào)整第一參考電壓Vmon，并量測對應(yīng)的通過發(fā)光單元140的電流，以得到一一對應(yīng)于各灰階下的灰階電流Ii的第一參考電壓Vmoni；

步驟S3：第一參考電壓Vmon固定接入第一參考值V1以關(guān)閉發(fā)光單元140，再調(diào)整數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)電壓Vdata，并量測對應(yīng)的通過驅(qū)動單元120的電流，以得到一一對應(yīng)于該各灰階下的灰階電流Ii的數(shù)據(jù)電壓Vdatai，其中，第一參考值V1滿足：V1<OVSS+VE，VE為發(fā)光單元140的跨壓；

步驟S4：計算數(shù)據(jù)電壓Vdata的補償值，Vdatai’＝Vdatai+k*(Vmoni-V1)，其中，Vdatai’為第i階灰階電流下的數(shù)據(jù)電壓的補償值，Vdatai為第i階灰階電流Ii下的數(shù)據(jù)電壓，k為驅(qū)動單元120的電容分壓系數(shù)，Vmoni為第i階灰階電流Ii下的第一參考電壓；

步驟S5：繪制數(shù)據(jù)電壓Vdata的補償值與對應(yīng)灰階值的圖像，并進行擬合，得出數(shù)據(jù)電壓Vdata與該灰階值一一對應(yīng)的第一補償查找表，像素單元100根據(jù)第一補償查找表進行補償。

如此可藉由偵測發(fā)光單元140和驅(qū)動單元120得到各灰階電流Ii對應(yīng)的第一參考電壓Vmoni和數(shù)據(jù)電壓Vdatai，再計算各灰階須回補的數(shù)據(jù)電壓Vdatai’，可完成初始時刻的外部補償。

關(guān)于后續(xù)時刻的補償，例如，可在上述的步驟S1中，該各灰階下的灰階電流Ii’還能夠進行修正以補償發(fā)光單元140的發(fā)光效率的下降，Ii’＝In*(1/(1-B))*(i/n)^2.2，其中，Ii’為修正后的第i階的灰階電流，B為該發(fā)光單元的亮度下降比例。即可通過先偵測發(fā)光單元140跨壓變化推得亮度下降比例B，藉由提高電流使維持與初始時刻相同亮度的方法，進而得到新的灰階對應(yīng)電流曲線，再分別偵測發(fā)光單元140和驅(qū)動單元120并計算數(shù)據(jù)電壓Vdatai’做回補。

在本實施方式中，驅(qū)動單元120包含第一晶體管T1，第一晶體管T1具有用來接收第一電源電壓Vdd的第一端(未示出)、用來接收控制電壓的柵極端及用來輸出驅(qū)動電流與驅(qū)動電壓的第二端；第一重置單元130包含第二晶體管T2，第二晶體管T2具有用來接收該第一參考電壓Vmon的第三端、用來接收該第一重置信號RD的柵極端及連接第二端的第四端；輸入單元110包含第三晶體管T3，第三晶體管T3具有接收數(shù)據(jù)信號的第五端、接收掃描信號WR的柵極端及輸出控制電壓的第六端；發(fā)光單元140包含有機發(fā)光二極管，有機發(fā)光二極管具有連接該第一晶體管T1的第二端的陽極及用來接收第二電源電壓OVSS的陰極，在本實施方式中，有機發(fā)光二極管的陽極與陰極之間還耦接電容，當(dāng)然，在其他實施方式，有機發(fā)光二極管的陽極與陰極之間也可不耦接電容，端視情況而定。

在本實施方式中，像素單元100還包括電壓調(diào)整單元150、耦合單元160、第二重置單元170及發(fā)光致能單元180，當(dāng)然，在其他實施方式中，像素單元100也可根據(jù)實際情況做該些單元的刪減，只需滿足發(fā)光需求即可。

電壓調(diào)整單元150包含第四晶體管T4，第四晶體管T4具有用來接收第二參考電壓Vb的第七端、接收發(fā)光信號EM的柵極端及電連接于輸入單元110的第八端，電壓調(diào)整單元150用來根據(jù)發(fā)光信號EM與第二參考電壓Vb以調(diào)整控制電壓，其中，電壓調(diào)整單元150的第八端電連接于輸入單元110的第六端的節(jié)點為第一節(jié)點A。耦合單元160包含第一電容C1，第一電容C1電連接于輸入單元110的該第六端與驅(qū)動單元120的柵極端之間，即：第一電容C1的兩端分別電連接第三晶體管T3的第六端與第一晶體管T1的柵極端，耦合單元160用來對控制電壓的電壓變化執(zhí)行耦合運作以調(diào)整控制電壓。第二重置單元170包含第五晶體管T5，第五晶體管T5具有電連接于驅(qū)動單元120的第二端的第九端、接收掃描信號WR的柵極端及電連接于耦合單元160與驅(qū)動單元120的柵極端的第十端，第二重置單元170用來根據(jù)掃描信號WR與驅(qū)動電壓以重置控制電壓，其中，第二重置單元170的第十端電連接于耦合單元160與驅(qū)動單元120的柵極端的節(jié)點為第二節(jié)點G。發(fā)光致能單元180包含第六晶體管T6，第六晶體管T6具有電連接于驅(qū)動單元120的第二端的第十一端、接收發(fā)光信號EM的柵極端及電連接于有機發(fā)光二極管的陽極的第十二端，發(fā)光致能單元180用來根據(jù)該發(fā)光信號EM控制將驅(qū)動電流饋入至有機發(fā)光二極管。

在步驟S4中，增加驅(qū)動單元120的電容分壓系數(shù)k作為一個修正系數(shù)，目的在于使驅(qū)動單元量測時與驅(qū)動單元工作時的第二節(jié)點的電壓相同，例如，本實施方式中，k＝Cgd/(Cgd+Cgs+Cp+C),其中，Cgd為第一晶體管T1的柵極端與第二端之間的電容，Cgs為第一晶體管T1的柵極端與第一端之間的電容，Cp為該第五晶體管T5的柵極端與第十端之間的電容，C為耦合單元160的第一電容C1的電容。

圖2A為圖1中像素單元的補償方法的第一實施方式中的步驟S2的波形圖，圖2B為圖2A步驟S2中的步驟Reset的像素單元的工作示意圖，圖2C為圖2A步驟S2中的步驟Reset之后的偵測時段的工作示意圖，請一并參照圖2A-2C。

如圖2B所示，于步驟S2中，在關(guān)閉驅(qū)動單元120前還包括步驟Reset,步驟Reset用來重置第二節(jié)點G的電壓，步驟Reset包括：發(fā)光信號EM不致能以關(guān)閉第四晶體管T4及第六晶體管T6，第一重置信號RD及掃描信號WR致能以開啟第二晶體管T2、第三晶體管T3及第五晶體管T5，第一節(jié)點A的電壓變?yōu)閿?shù)據(jù)電壓Vdata,第二節(jié)點G的電壓變?yōu)閂mon+Vb-Vdata；

步驟Reset完成后，掃描信號WR不致能以關(guān)閉第三晶體管T3及第五晶體管T5，數(shù)據(jù)信號接入黑畫面信號以關(guān)閉第一晶體管T1，其中，數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)電壓Vdata滿足Vmon+Vb-Vdata>Vdd+Vth，Vth為該第一晶體管的臨界電壓。發(fā)光信號EM致能以開啟第四晶體管T4及第六晶體管T6，再調(diào)整第一參考電壓Vmon，并量測對應(yīng)的通過該有機發(fā)光二極管的第一電流，以得到該各灰階下的灰階電流Ii分別對應(yīng)的第一參考電壓Vmoni，如圖2C中黑色箭頭所示，第一電流經(jīng)由第二晶體管T2流經(jīng)第六晶體管T6最后流經(jīng)有機發(fā)光二極管。

圖3A為圖1中像素單元的補償方法的第一實施方式中的步驟S3的波形圖；圖3B為圖3A步驟S3中的步驟Reset之后的偵測時段的工作示意圖；

于步驟S3中，在關(guān)閉發(fā)光單元140前還包括步驟Reset，該步驟Reset與上述步驟S2中的步驟Reset，這里便不再贅述。

步驟Reset完成后，圖3B所示，掃描信號WR不致能以關(guān)閉第三晶體管T3及第五晶體管T5，第一參考電壓Vmon接入第一參考值V1以關(guān)閉有機發(fā)光二極管，其中，第一參考值V1滿足V1<OVSS+VOLED，VOLED為有機發(fā)光二極管的跨壓；發(fā)光信號EM致能以開啟第四晶體管T4及第六晶體管T6，再調(diào)整數(shù)據(jù)電壓Vdata，并量測對應(yīng)的通過該第一晶體管T1的第二電流，以得到該各灰階下的灰階電流Ii分別對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Vdatai，如圖3B中黑色箭頭所示，第二電流經(jīng)由第一晶體管T1流經(jīng)第二晶體管T2。

經(jīng)過如上步驟的偵測過程后，再經(jīng)過步驟S4與步驟S5的計算擬合，得出像素單元100的第一補償查找表，像素單元100可根據(jù)該第一補償查找表進行補償，以可完成初始時刻的外部補償。

圖4A為依據(jù)像素單元的補償方法的第一實施方式進行補償?shù)牟ㄐ螆D，圖4B為圖4A中的發(fā)光時段的工作示意圖，請參照圖4A、圖4B。像素單元100在步驟Reset后進入發(fā)光時段emission,掃描信號WR不使能以關(guān)閉第三晶體管T3與第五晶體管T5，第一重置信號RD不使能以關(guān)閉第二晶體管T2，發(fā)光電流如圖4B中黑色箭頭所示，經(jīng)過第一晶體管T1后流經(jīng)第六晶體管T6最后流經(jīng)有機發(fā)光二極管。如此，通過從外部補償數(shù)據(jù)電壓Vdata，可以提高像素單元100所處面板的均勻性的同時，還能補償發(fā)光單元140發(fā)光效率的下降。

上述的像素單元的補償方法的第一實施方式僅從外部補償發(fā)光單元140，還可結(jié)合內(nèi)部補償驅(qū)動單元120的方法，以達到更好的實時補償及減少第一補償查找表的數(shù)據(jù)的效果。

圖5A為圖1中像素單元的補償方法的第二實施方式中的步驟S2的波形圖，圖5B為圖5A中步驟S2的步驟ComVth的像素單元的工作示意圖，請參照圖5A、圖5B。補償方法的第二實施方式與上述第一實施方式的差別在于，在步驟S2、步驟S3及最后的補償步驟中，步驟Reset與偵測sensing之間均增加步驟ComVth，而步驟Reset與偵測sensing的實現(xiàn)方法與第一實施方式相同。

于該步驟S2中，在關(guān)閉驅(qū)動單元120前還包括步驟Reset與步驟ComVth,步驟Reset用來重置第二節(jié)點G的電壓，步驟ComVth用來補償?shù)谝痪w管T1的臨界電壓；

步驟Reset與上述補償方法的第一實施方式中的步驟S2的步驟Reset相同，可參照圖2A，包括：發(fā)光信號EM不致能以關(guān)閉第四晶體管T4及第六晶體管T6，第一重置信號RD及掃描信號WR致能以開啟第二晶體管T2、第三晶體管T3及第五晶體管T5，第一節(jié)點A的電壓變?yōu)榈诙⒖茧妷篤b,第二節(jié)點G的電壓變?yōu)榈谝粎⒖茧妷篤mon；

該步驟Reset完成后，進入該步驟ComVth，如圖5B所示，步驟ComVth在步驟Reset的基礎(chǔ)上，僅將第一重置信號RD不致能以關(guān)閉第二晶體管T2,如此，第一節(jié)點A的電壓變?yōu)閿?shù)據(jù)電壓Vdata,第二節(jié)點G的電壓變?yōu)閂dd+Vth,Vth為第一晶體管T1的臨界電壓；

步驟ComVth完成后，進入偵測時段sensing,掃描信號WR不致能以關(guān)閉第三晶體管T3及第五晶體管T5，數(shù)據(jù)信號接入黑畫面信號以關(guān)閉第一晶體管T1，其中，第二節(jié)點G的電壓滿足：VG＝Vdd+Vth-Vb-Vdata，VG為該第二節(jié)點的電壓；發(fā)光信號EM致能以開啟第四晶體管T4及第六晶體管T6，再調(diào)整第一參考電壓Vmon，并量測對應(yīng)的通過該有機發(fā)光二極管的第一電流，以得到該各灰階下的灰階電流Ii分別對應(yīng)的第一參考電壓Vmoni，如圖2C中黑色箭頭所示，第一電流經(jīng)由第二晶體管T2流經(jīng)第六晶體管T6最后流經(jīng)有機發(fā)光二極管。

圖6為圖1中像素單元的補償方法的第二實施方式中的步驟S3的波形圖，請參照圖6。于步驟S3中，在關(guān)閉該發(fā)光單元140還包括步驟Reset與步驟ComVth，步驟Reset與步驟ComVth與上述步驟S2中的步驟Reset與步驟ComVth相同，便不再贅述。

該步驟Reset及該步驟ComVth完成后，掃描信號WR不致能以關(guān)閉第三晶體管T3及第五晶體管T5，第一參考電壓Vmon接入第一參考值V1以關(guān)閉有機發(fā)光二極管，其中，第一參考值V1滿足V1<OVSS+VOLED，VOLED為有機發(fā)光二極管的跨壓；發(fā)光信號EM致能以開啟第四晶體管T4及第六晶體管T6，再調(diào)整數(shù)據(jù)電壓Vdata，并量測對應(yīng)的通過該第一晶體管T1的第二電流，以得到該各灰階下的灰階電流Ii分別對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Vdatai，如圖3B中黑色箭頭所示，第二電流經(jīng)由第一晶體管T1流經(jīng)第二晶體管T2。

圖7A為依據(jù)像素單元的補償方法的第二實施方式進行補償?shù)牟ㄐ螆D，圖7B為圖7A中的發(fā)光時段的工作示意圖，請參照圖7A、圖7B。像素單元100在步驟Reset后進入發(fā)光時段emission,掃描信號WR不使能以關(guān)閉第三晶體管T3與第五晶體管T5，發(fā)光電流如圖7B中黑色箭頭所示，經(jīng)過第一晶體管T1后流經(jīng)第六晶體管T6最后流經(jīng)有機發(fā)光二極管。如此，通過從外部補償數(shù)據(jù)電壓Vdata，可以提高像素單元100所處面板的均勻性的同時，還能補償發(fā)光單元140發(fā)光效率的下降，并且還能補償?shù)谝痪w管T1的臨界電壓、遷移率、閾值電壓的偏移。即：本實施方式可補償因遷移率、閾值電壓的偏移及發(fā)光效率變化而引起的影像的殘留與亮度失真，利用內(nèi)部補償?shù)谝痪w管T1與外部補償發(fā)光單元140的方式來改善像素單元100所處面板的均勻性問題。

在其他實施方式中，像素單元100也可做元件的增減，例如圖8所示的本發(fā)明像素單元的第二實施方式，請參照圖8。在本實施方式中，像素單元200不包含電壓調(diào)整單元、第二重置單元及發(fā)光致能單元，耦合單元的位置也做改變，而其他單元的連接關(guān)系及所耦接的信號不變。即像素單元200包括作為驅(qū)動單元的第一晶體管T1、作為第一重置單元的第二晶體管T2、作為輸入單元的第三晶體管T3及作為發(fā)光單元的有機發(fā)光二極管。第一晶體管T1具有用來接收第一電源電壓Vdd的第一端、用來接收控制電壓的柵極端及用來輸出驅(qū)動電流與驅(qū)動電壓的第二端；第二晶體管T2具有用來接收該第一參考電壓Vmon的第三端、用來接收該第一重置信號RD的柵極端及連接第二端的第四端；第三晶體管T3具有接收數(shù)據(jù)信號的第五端、接收掃描信號WR的柵極端及輸出控制電壓的第六端；有機發(fā)光二極管具有連接該第一晶體管T1的第二端的陽極及用來接收第二電源電壓OVSS的陰極。耦合單元包含第二電容C2，第二電容C2電連接于輸入單元(第三晶體管T3)的第六端與驅(qū)動單元(第一晶體管T1)的第一端之間，耦合單元用來對控制電壓的電壓變化執(zhí)行耦合運作以調(diào)整控制電壓。

圖9A為圖8中像素單元的補償方法的步驟S2的波形圖，圖9B為圖9A步驟S2中的像素單元的工作示意圖，請參照圖9A、圖9B。在步驟S2中，數(shù)據(jù)信號接入零灰階信號以關(guān)閉第一晶體管T1，再調(diào)整第一參考電壓Vmon，并量測對應(yīng)的通過發(fā)光單元的電流，以得到各灰階下的灰階電流Ii分別對應(yīng)的該第一參考電壓Vmoni。

圖10A為圖8中像素單元的步驟S3的波形圖，圖10B為圖10A步驟S3中的像素單元的工作示意圖，請參照圖10A、圖10B。在該步驟S3中，第一參考電壓Vmon接入第一參考值V1以關(guān)閉有機發(fā)光二極管，其中，第一參考值V1滿足V1<OVSS+VOLED，OVSS為第二電源電壓，VOLED為有機發(fā)光二極管的跨壓；調(diào)整數(shù)據(jù)電壓Vdata，并量測對應(yīng)的通過該第一晶體管T1的第三電流，以得到該各灰階下的灰階電流Ii分別對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Vdatai，如圖9B中黑色箭頭所示，第三電流經(jīng)由第一晶體管T1流經(jīng)第二晶體管T2。

如此可藉由偵測發(fā)光單元(有機發(fā)光二極管)和驅(qū)動單元(第一晶體管T1)得到各灰階電流Ii對應(yīng)的第一參考電壓Vmoni和數(shù)據(jù)電壓Vdatai，再計算各灰階須回補的數(shù)據(jù)電壓Vdatai’，可完成初始時刻的外部補償，從而提高像素單元200所在面板的均勻性。

當(dāng)然，像素單元100還可變形為其他實施方式，例如圖11所示的本發(fā)明像素單元的第三實施方式，請參照圖11。像素單元300在像素單元200的基礎(chǔ)上，在第一晶體管T1與第一電源電壓Vdd之間增加第七晶體管T7，并在第七晶體管T7的兩端耦接第三電容C3。即：第七晶體管T7具有用來接收第一電源電壓Vdd的第十三端、接收發(fā)光信號EM的柵極端及電連接于第一晶體管T1的第一端的第十四端；第三電容C3電連接于第七晶體管T7的第十三端與第十四端之間。

圖12A為圖11中像素單元的補償方法的步驟S2的波形圖，圖12B為圖12A步驟S2中的像素單元的工作示意圖，請參照圖12A、圖12B。在步驟S2中，數(shù)據(jù)信號接入零灰階信號以關(guān)閉第一晶體管T1，再調(diào)整第一參考電壓Vmon，并量測對應(yīng)的通過發(fā)光單元的電流，以得到各灰階下的灰階電流Ii分別對應(yīng)的該第一參考電壓Vmoni。

圖13A為圖11中像素單元的步驟S3的波形圖，圖13B為圖13A步驟S3中的像素單元的工作示意圖，請參照圖13A、圖13B。在該步驟S3中，第一參考電壓Vmon接入第一參考值V1以關(guān)閉有機發(fā)光二極管，其中，第一參考值V1滿足V1<OVSS+VOLED，OVSS為第二電源電壓，VOLED為有機發(fā)光二極管的跨壓；調(diào)整數(shù)據(jù)電壓Vdata，并量測對應(yīng)的通過該第一晶體管T1的第四電流，以得到該各灰階下的灰階電流Ii分別對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Vdatai，如圖13B中黑色箭頭所示，第四電流經(jīng)由第七晶體管T7、第一晶體管T1流經(jīng)第二晶體管T2。

如此可藉由偵測發(fā)光單元(有機發(fā)光二極管)和驅(qū)動單元(第一晶體管T1)得到各灰階電流Ii對應(yīng)的第一參考電壓Vmoni和數(shù)據(jù)電壓Vdatai，再計算各灰階須回補的數(shù)據(jù)電壓Vdatai’，可完成初始時刻的外部補償，從而提高像素單元300所在面板的均勻性。

綜上所述，本發(fā)明藉由偵測發(fā)光單元和驅(qū)動單元得到各灰階對應(yīng)的第一參考電壓和數(shù)據(jù)電壓，再計算各灰階須回補的數(shù)據(jù)電壓，可完成初始時刻的發(fā)光單元的外部補償。關(guān)于后續(xù)時刻的補償，則先偵測發(fā)光單元跨壓變化推得亮度下降比例，藉由提高電流使維持與初始時刻相同亮度的方法，進而得到新的灰階對應(yīng)電流曲線，再分別偵測發(fā)光單元和驅(qū)動單元并計算數(shù)據(jù)電壓做回補。進一步地，還可增加驅(qū)動單元的內(nèi)部補償?shù)姆绞?，以達到更好的實時補償及減少第一補償查找表的數(shù)據(jù)的效果。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。