GaN微波功率器件直流老化系統(tǒng)的實時電流監(jiān)測電路的制作方法
【專利說明】GaN微波功率器件直流老化系統(tǒng)的實時電流監(jiān)測電路
[0001]
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及一種實時電流監(jiān)測電路，尤其涉及一種GaN微波功率器件直流老化系統(tǒng)的實時電流監(jiān)測電路。
【背景技術(shù)】
[0003]GaN微波功率器件已經(jīng)大量應(yīng)用于雷達(dá)及其它通信系統(tǒng)中，功率器件的可靠性直接影響整個系統(tǒng)的正常工作，因此需要對其進(jìn)行可靠性驗證。一般的直流老化測試電路中，柵極偏置采用電阻串聯(lián)分壓的方式。由于每個器件的開啟電壓差別較大，多路測試中每一路都采用同一柵壓的偏置方法會引起被測器件靜態(tài)電流差別很大，這樣將導(dǎo)致每路被測器件的靜態(tài)功耗不一致，也會引起被測器件結(jié)溫差別很大。
[0004]一般的直流老化測試系統(tǒng)中，要求結(jié)溫的誤差控制在±5°，通常的做法采用可調(diào)電阻的方式改變每路被測器件的柵極電壓，使每路的漏極靜態(tài)電流達(dá)到一致。此方法的缺陷為調(diào)試工作量巨大，試驗效率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種用于GaN微波功率器件直流老化系統(tǒng)的實時電流監(jiān)測電路，可自動調(diào)節(jié)每路被測器件柵極電壓，達(dá)到每路的被測器件漏極電流一致。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種GaN微波功率器件直流老化系統(tǒng)的實時電流監(jiān)測電路，其特征是，包括MCU、譯碼器、多路選擇器、ADC、DAC、柵極驅(qū)動功率放大器和采樣電阻；
多路并列的被測GaN微波功率器件，每路被測GaN微波功率器件柵極均與一柵極驅(qū)動功率放大器的輸出端連接，每路柵極驅(qū)動功率放大器的輸入端均對應(yīng)地與一路DAC的信號輸出端連接，每路DAC的信號輸入端連接至MCU，每路DAC的片選信號端均連接至譯碼器，譯碼器由MCU控制工作；
每路被測GaN微波功率器件的漏極電流分別經(jīng)多路選擇器對應(yīng)的一路采集至MCU中。
[0007]每路被測GaN微波功率器件漏極經(jīng)采樣電阻后均連接至多路選擇器對應(yīng)的一路中，使被測GaN微波功率器件漏極電流經(jīng)采樣電阻采樣后由多路選擇器傳送至ADC進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換后將信號傳送至MCU。
[0008]每路被測GaN微波功率器件漏極均經(jīng)一采樣電阻接工作電壓VDD。
[0009]每路DAC的信號輸入端分別通過一數(shù)據(jù)總線連接至M⑶。
[0010]每路DAC的片選信號端分別通過一片選總線與連接至譯碼器.本發(fā)明所達(dá)到的有益效果:
本電路采用自動控制電路調(diào)節(jié)每路被測器件柵壓，以達(dá)到每路的被測器件漏極電流一致。大大減少了調(diào)試工作量，提高了工作效率。
[0011 ]針對被測器件數(shù)量較多，器件之間的開啟電壓一致性差的老化系統(tǒng)，本電路可以自動調(diào)節(jié)每一路電壓，使每路測試器件的靜態(tài)工作點相近。
[0012]考慮到不同被測器件驅(qū)動電流大小不同，在電路中增加?xùn)艠O驅(qū)動運(yùn)放，使不同規(guī)格的被測器件可以正常工作。
[0013]本電路中增加多路選擇器，可以同時控制多路測試器件，提高老化試驗效率。
[0014]在老化過程中，可實時采集電流數(shù)據(jù)，通過有線或無線的方式傳至數(shù)據(jù)中心實施無人監(jiān)測。
【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明的電路圖。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0017]如圖1所示，本發(fā)明的電路包括MCU、譯碼器、多路選擇器、ADC(模/數(shù)轉(zhuǎn)換器)、DAC(數(shù)/模轉(zhuǎn)換器)、柵極驅(qū)動功率放大器和采樣電阻等。
[0018]多路并列的被測GaN微波功率器件，每路被測GaN微波功率器件柵極均與一柵極驅(qū)動功率放大器的輸出端連接，每路柵極驅(qū)動功率放大器的輸入端均對應(yīng)地與一路DAC的信號輸出端連接，每路DAC的信號輸入端均通過數(shù)據(jù)總線連接至MCU，每路DAC的片選信號端均通過片選總線連接至譯碼器，譯碼器由MCU控制。
[0019]每路被測GaN微波功率器件漏極均經(jīng)一采樣電阻接工作電壓VDD。每路被測GaN微波功率器件漏極經(jīng)采樣電阻后均連接至多路選擇器對應(yīng)的一路中，使被測GaN微波功率器件漏極電流經(jīng)采樣電阻采樣后由多路選擇器傳送至ADC進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換后將信號傳送至MCU。MCU根據(jù)各路被測GaN微波功率器件的采樣電流數(shù)據(jù)，控制譯碼器，經(jīng)選擇的一路DAC、柵極驅(qū)動功率放大器，對該路被測GaN微波功率器件施加電壓，自動調(diào)節(jié)每路被測器件柵極電壓，從而調(diào)節(jié)達(dá)到每路的被測器件漏極電流一致。
[0020]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變形，這些改進(jìn)和變形也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種GaN微波功率器件直流老化系統(tǒng)的實時電流監(jiān)測電路，其特征是，包括M⑶、譯碼器、多路選擇器、ADC、DAC、柵極驅(qū)動功率放大器和采樣電阻； 多路并列的被測GaN微波功率器件，每路被測GaN微波功率器件柵極均與一柵極驅(qū)動功率放大器的輸出端連接，每路柵極驅(qū)動功率放大器的輸入端均對應(yīng)地與一路DAC的信號輸出端連接，每路DAC的信號輸入端連接至MCU，每路DAC的片選信號端均連接至譯碼器，譯碼器由MCU控制工作； 每路被測GaN微波功率器件的漏極電流分別經(jīng)多路選擇器對應(yīng)的一路采集至MCU中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN微波功率器件直流老化系統(tǒng)的實時電流監(jiān)測電路，其特征是，每路被測GaN微波功率器件漏極經(jīng)采樣電阻后均連接至多路選擇器對應(yīng)的一路中，使被測GaN微波功率器件漏極電流經(jīng)采樣電阻采樣后由多路選擇器傳送至ADC進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換后將信號傳送至MCU。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN微波功率器件直流老化系統(tǒng)的實時電流監(jiān)測電路，其特征是，每路被測GaN微波功率器件漏極均經(jīng)一采樣電阻接工作電壓VDD。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN微波功率器件直流老化系統(tǒng)的實時電流監(jiān)測電路，其特征是，每路DAC的信號輸入端分別通過一數(shù)據(jù)總線連接至MCU。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN微波功率器件直流老化系統(tǒng)的實時電流監(jiān)測電路，其特征是，每路DAC的片選信號端分別通過一片選總線與連接至譯碼器。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種GaN微波功率器件直流老化系統(tǒng)的實時電流監(jiān)測電路，包括MCU、譯碼器、多路選擇器、ADC、DAC、柵極驅(qū)動功率放大器和采樣電阻；多路并列的被測GaN微波功率器件，每路被測GaN微波功率器件柵極均與一柵極驅(qū)動功率放大器的輸出端連接，每路柵極驅(qū)動功率放大器的輸入端均對應(yīng)地與一路DAC的信號輸出端連接，每路DAC的信號輸入端連接至MCU，每路DAC的片選信號端均連接至譯碼器，譯碼器由MCU控制工作；每路被測GaN微波功率器件的漏極電流分別經(jīng)多路選擇器對應(yīng)的一路采集至MCU中。本電路能達(dá)到每路的被測器件漏極電流一致，大大減少了調(diào)試工作量，提高了工作效率。
【IPC分類】G01R19/25
【公開號】CN105510697
【申請?zhí)枴緾N201610003315
【發(fā)明人】沈美根, 關(guān)曉龍, 陳強(qiáng)
【申請人】江蘇博普電子科技有限責(zé)任公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2016年1月6日