一種金屬氧化物半導(dǎo)體量子點的簡單制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種金屬氧化物半導(dǎo)體量子點的簡單制備方法，屬于功能納米顆粒的制備技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]量子點又稱半導(dǎo)體納米微晶，其三個維度的尺寸都在100納米以下，外觀恰似一個極小的點狀物，其內(nèi)部電子在各方向上的運動都受到局限。量子點的特殊結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其具有表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、介電阻遇效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等，從而展現(xiàn)出不同于宏觀材料的物理化學(xué)性質(zhì)，在功能材料方面有較大的應(yīng)用潛力。
[0003]經(jīng)過多年的研宄，迄今建立了多種量子點的制備方法，且以化學(xué)方法為主，包括:采用膠體化學(xué)的方法在有機體系中合成；在水溶液中直接合成。但是通過此類方法制備的量子點產(chǎn)量小，且品種受到限制，而通過物理方法來制備量子點則少見報道。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是滿足現(xiàn)代人們對量子點/功能材料的需求，提供一種金屬氧化物半導(dǎo)體量子點的簡單制備方法，為量子點的大規(guī)模制備和應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。
[0005]按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，一種金屬氧化物半導(dǎo)體量子點的簡單制備方法包括以下步驟:
[0006]I)稱取一定量的金屬氧化物半導(dǎo)體粉末，加入到設(shè)定好的機械粉碎裝置中，進行粉碎；
[0007]2)將上一步粉碎得到的粉末重復(fù)進行多次粉碎，得到相應(yīng)的金屬氧化物半導(dǎo)體量子點。
[0008]其中，金屬氧化物半導(dǎo)體為氧化鋅、氧化鎘、二氧化鈦、二氧化錫，其粒徑范圍為500-2000納米；機械粉碎裝置為:氣流粉碎機；粉碎次數(shù)為2-4次，所得量子點的粒徑為10-50納米。
[0009]在本發(fā)明所敘述的產(chǎn)品特點為金屬氧化物半導(dǎo)體量子點。
[0010]本技術(shù)針對量子點的簡單、大規(guī)模制備，所獲得的量子點可以應(yīng)用于功能纖維、塑料的制備，滿足人們對于功能紡織品、功能塑料的需求。
【附圖說明】
[0011]圖1是實例I所得氧化鋅量子點；
[0012]圖2是實例2所得二氧化鈦量子點。
【具體實施方式】
[0013]本發(fā)明是一種金屬氧化物半導(dǎo)體量子點的制備方法，其步驟為:
[0014]I)稱取一定量的金屬氧化物半導(dǎo)體粉末，加入到設(shè)定好的機械粉碎裝置中，進行粉碎；
[0015]2)將上一步粉碎得到的粉末重復(fù)進行粉碎，得到相應(yīng)的金屬氧化物半導(dǎo)體量子點。
[0016]下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。
[0017]實施例1:
[0018]稱取5kg氧化鋅粉末，加入到設(shè)置好的氣流粉碎機中，粉碎30-60分鐘后得到一次粉碎的粉末，進行第二次粉碎，得到直徑為50納米的氧化鋅量子點。
[0019]實施例2:
[0020]稱取5kg 二氧化鈦粉末，加入到設(shè)置好的高能球磨機中，粉碎30-60分鐘后得到一次粉碎的粉末，并重復(fù)進行第二次粉碎，得到直徑為50納米的二氧化鈦量子點。
[0021]實施例3:
[0022]稱取5kg氧化鋅粉末，加入到設(shè)置好的氣流粉碎機中，粉碎30-60分鐘后得到一次粉碎的粉末，并重復(fù)進行三次粉碎，得到直徑為10納米的氧化鋅量子點。
【主權(quán)項】
1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體量子點的簡單制備方法，其特征是通過機械粉碎的方法，將直徑超過500納米的半導(dǎo)體金屬氧化物粉末粉碎至直徑10-50納米范圍，其步驟為: 1)稱取一定量的金屬氧化物半導(dǎo)體粉末，加入到設(shè)定好的機械粉碎裝置中，進行粉碎； 2)將上一步粉碎得到的粉末重復(fù)進行粉碎，得到相應(yīng)的金屬氧化物半導(dǎo)體量子點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體金屬氧化物量子點的簡單制備方法，其特征在于步驟I)中所述的金屬氧化物半導(dǎo)體為氧化鋅、氧化鎘、二氧化鈦、二氧化錫，其粒徑范圍為500-2000 納米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體金屬氧化物量子點的簡單制備方法，其特征在于步驟I)所使用的機械粉碎裝置為:氣流粉碎機。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體金屬氧化物量子點的簡單制備方法，其特征在于步驟I)所使用的機械粉碎裝置的粉碎次數(shù)為2-4次。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體金屬氧化物量子點的簡單制備方法，所制備的金屬氧化物半導(dǎo)體量子點的粒徑為10-50納米。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種金屬氧化物半導(dǎo)體量子點的簡單制備方法，將金屬氧化物半導(dǎo)體通過機械粉碎的方法使得顆粒的直徑減小，從而獲得直徑為10-50納米的金屬氧化物半導(dǎo)體量子點。
【IPC分類】C09K11-67, B02C19-06, C09K11-54
【公開號】CN104624336
【申請?zhí)枴緾N201510036334
【發(fā)明人】劉水平, 夏清明, 劉偉峰, 譚連江
【申請人】江蘇啟弘新材料科技有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2015年1月22日