本申請(qǐng)涉及超聲波指紋識(shí)別技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種電子設(shè)備、超聲波指紋識(shí)別裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

相對(duì)于目前成熟的電容式指紋識(shí)別技術(shù)，超聲波指紋識(shí)別技術(shù)具有更好的穿透力和更高的安全性。然而，目前在超聲波指紋識(shí)別技術(shù)中，超聲波指紋識(shí)別裝置(例如超聲波指紋識(shí)別傳感器等)的制造工藝復(fù)雜、成本較高，制約了其大規(guī)模應(yīng)用。

目前超聲波指紋識(shí)別裝置的制造工藝分主要包括：首先制造出信號(hào)處理芯片(例如可采用cmos(complementarymetaloxidesemiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝)，并制造出壓電傳感器芯片(例如可采用mems(micro-electro-mechanicalsystem，微機(jī)電系統(tǒng))工藝)，然后通過晶圓鍵合工藝或基板封裝工藝將兩個(gè)芯片集成。其中，在基于晶圓鍵合工藝集成的方案中，由于壓電傳感器芯片的制造和晶圓鍵合工藝的工藝都比較復(fù)雜，因而造成超聲波指紋識(shí)別裝置的制造成本偏高。而在基于基板封裝工藝集成的方案中，雖然基板封裝工藝比晶圓鍵合工藝成本低，但基板封裝往往會(huì)引入較大的寄生元器件(例如電阻、電容、電感)，這些寄生元器件產(chǎn)生的寄生效應(yīng)會(huì)影響超聲波指紋識(shí)別裝置的檢測(cè)靈敏度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例的目的在于提供一種電子設(shè)備、超聲波指紋識(shí)別裝置及其制造方法，以實(shí)現(xiàn)在降低超聲波指紋識(shí)別裝置制造成本的同時(shí)，不影響超聲波指紋識(shí)別裝置的檢測(cè)靈敏度。

為達(dá)到上述目的，一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種超聲波指紋識(shí)別裝置的制造方法，包括：

在用于信號(hào)處理的第一半導(dǎo)體器件的頂部形成基底層；

在所述基底層頂部形成第一平面電極，所述第一平面電極與所述第一半導(dǎo)體器件的第一接觸點(diǎn)電性連接；

在所述第一平面電極頂部形成壓電薄膜層；

在位于所述第一平面電極下方的基底層部分形成諧振空腔；

在所述壓電薄膜層頂部形成第二平面電極，所述第二平面電極與所述第一半導(dǎo)體器件的第二接觸點(diǎn)電性連接。

優(yōu)選的，所述在所述基底層頂部形成第一平面電極，包括：

圖形化所述基底層，以形成第一接觸溝槽；所述第一接觸溝槽位于所述第一接觸點(diǎn)上方；

在所述基底層頂部形成導(dǎo)電薄膜層，所述導(dǎo)電薄膜層穿過所述第一接觸溝槽并與所述第一接觸點(diǎn)電性連接；

圖形化所述導(dǎo)電薄膜層，以形成第一平面電極。

優(yōu)選的，在圖形化所述基底層后，還形成第二接觸溝槽；所述第二接觸溝槽位于所述第二接觸點(diǎn)上方；

對(duì)應(yīng)的，在圖形化所述導(dǎo)電薄膜層后，所述第二接觸溝槽內(nèi)形成一導(dǎo)電部件；所述導(dǎo)電部件與所述第二接觸點(diǎn)電性連接，且與所述第一平面電極絕緣隔離。

優(yōu)選的，在形成所述諧振空腔之前，還包括：

在位于所述第一平面電極的外周邊形成支撐部件。

優(yōu)選的，所述在位于所述第一平面電極的外周邊形成支撐部件，包括：

圖形化所述基底層位于所述第一平面電極的外周邊部分，以形成容納溝槽；

對(duì)所述容納溝槽周邊暴露在外的基底層部分進(jìn)行氧化處理，從而在所述容納溝槽內(nèi)形成氧化物結(jié)構(gòu)，以作為支撐部件。

優(yōu)選的，在所述形成氧化物結(jié)構(gòu)后，還包括：對(duì)所述氧化物結(jié)構(gòu)進(jìn)行平坦化處理。

優(yōu)選的，所述在位于所述第一平面電極下方的基底層部分形成諧振空腔，包括:

圖形化所述壓電薄膜層，以形成第三接觸溝槽和蝕刻孔；所述第三接觸溝槽位于所述導(dǎo)電部件上方；

通過所述蝕刻孔對(duì)位于所述第一平面電極下方的基底層部分進(jìn)行蝕刻，以形成諧振空腔；

封堵所述蝕刻孔，以密封所述諧振空腔。

優(yōu)選的，所述蝕刻孔位于所述第一平面電極的周邊。

優(yōu)選的，還包括：在所述第二平面電極頂部形成鈍化保護(hù)層。

優(yōu)選的，通過淀積工藝在所述基底層頂部形成導(dǎo)電薄膜層。

優(yōu)選的，通過淀積工藝在所述壓電薄膜層頂部形成第二平面電極。

優(yōu)選的，通過外延生長(zhǎng)工藝在所述第一半導(dǎo)體器件頂部形成基底層。

優(yōu)選的，所述圖形化通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)。

優(yōu)選的，通過淀積工藝在所述第一平面電極頂部形成壓電薄膜層。

優(yōu)選的，通過淀積工藝封堵所述蝕刻孔。

優(yōu)選的，通過淀積工藝在所述第二平面電極頂部形成鈍化保護(hù)層。

優(yōu)選的，所述基底層的材質(zhì)包括單晶硅、多晶硅或非晶硅。

優(yōu)選的，封堵所述蝕刻孔的材料包括氮化硅。

另一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種通過上述方法制造的超聲波指紋識(shí)別裝置。

再一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種配置有上述超聲波指紋識(shí)別裝置的電子設(shè)備。

由以上本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案可見，由于本申請(qǐng)實(shí)施例直接在第一半導(dǎo)體器件表面制造壓電傳感部件。因此，本申請(qǐng)實(shí)施例的超聲波指紋識(shí)別裝置的制造不再需要進(jìn)行晶圓鍵合或基板鍵合這樣的集成工藝，從而節(jié)約了超聲波指紋識(shí)別裝置的制造成本，保證了超聲波指紋識(shí)別裝置的檢測(cè)靈敏度。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1為本申請(qǐng)一實(shí)施例的超聲波指紋識(shí)別裝置的制造方法流程圖；

圖2為本申請(qǐng)一實(shí)施例中的第一半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖3為本申請(qǐng)一實(shí)施例中在第一半導(dǎo)體器件頂部形成基底層后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖4為本申請(qǐng)一實(shí)施例中圖形化基底層后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖5為本申請(qǐng)一實(shí)施例中在基底層頂部形成導(dǎo)電薄膜層后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖6為本申請(qǐng)一實(shí)施例中圖形化導(dǎo)電薄膜層后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖7為本申請(qǐng)一實(shí)施例中再次圖形化基底層后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖8為本申請(qǐng)一實(shí)施例中暴露在外的基底層部分在氧化處理后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖9為本申請(qǐng)一實(shí)施例中在第一平面電極頂部形成壓電薄膜層后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖10為本申請(qǐng)一實(shí)施例中圖形化壓電薄膜層后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖11為本申請(qǐng)一實(shí)施例中圖形化支撐部件后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖12為本申請(qǐng)一實(shí)施例中再次基底層形成諧振空腔后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖13為本申請(qǐng)一實(shí)施例中密封諧振空腔后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖14為本申請(qǐng)一實(shí)施例中在壓電薄膜層極頂部形成第二平面電極后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖15為本申請(qǐng)一實(shí)施例中在第二平面電極頂部形成鈍化保護(hù)層后的結(jié)構(gòu)剖視示意圖；

圖16為本申請(qǐng)一實(shí)施例的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)剖視示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請(qǐng)中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。例如在下面描述中，在第一部件上方形成第二部件，可以包括第一部件和第二部件以直接接觸方式形成的實(shí)施例，還可以包括第一部件和第二部件以非直接接觸方式(即第一部件和第二部件之間還可以包括額外的部件)形成的實(shí)施例等。

而且，為了便于描述，本申請(qǐng)一些實(shí)施例可以使用諸如“在…上方”、“在…之下”、“頂部”、“下方”等空間相對(duì)術(shù)語，以描述如實(shí)施例各附圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)元件或部件之間的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，除了附圖中描述的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語還旨在包括裝置在使用或操作中的不同方位。例如若附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其他元件或部件“下方”或“之下”的元件或部件，隨后將被定位為“在”其他元件或部件“上方”或“之上”。

此外，除非上下文清楚地另有指示，本申請(qǐng)下述實(shí)施例使用的“一”、“一個(gè)”、“該”、“所述”等看似單數(shù)形式的術(shù)語，也可以包括復(fù)數(shù)形式。還需要說明的是，本申請(qǐng)下述實(shí)施例使用的術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，意在指定所述特征、整體、步驟、操作、元件、部件等的存在，但不排除一種或多種其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件等的存在或添加。

雖然下文描述的操作流程包括以特定順序出現(xiàn)的多個(gè)操作，但是，應(yīng)當(dāng)清楚了解，各個(gè)操作流程是以有助于理解本申請(qǐng)所述的實(shí)施例的方式，依次被描述為多個(gè)分立操作的。然而，描述的順序不應(yīng)被解釋為暗示這些操作必須是順序相關(guān)的。具體而言，這些操作可以不必要以呈現(xiàn)的順序被執(zhí)行，例如這些過程還可以包括更多或更少的操作。

就整體結(jié)構(gòu)而言，本申請(qǐng)實(shí)施例的超聲波指紋識(shí)別裝置可以包括用于信號(hào)處理的第一半導(dǎo)體器件，以及在所述第一半導(dǎo)體器件表面通過特定工藝(例如mems等)制造而成的壓電傳感部件。由于壓電傳感部件是在用于信號(hào)處理的第一半導(dǎo)體器件上直接制造而成，因此，本申請(qǐng)實(shí)施例的超聲波指紋識(shí)別裝置的制造不再需要進(jìn)行晶圓鍵合或基板鍵合這樣的集成工藝，從而節(jié)約了超聲波指紋識(shí)別裝置的制造成本，且保證了超聲波指紋檢測(cè)的靈敏度。

為便于理解本申請(qǐng)，下文將結(jié)合附圖具體說明本申請(qǐng)實(shí)施例的超聲波指紋識(shí)別裝置的制造過程。

參考圖1所示，本申請(qǐng)實(shí)施例的超聲波指紋識(shí)別裝置的制造方法可以包括以下步驟：

s101、在用于信號(hào)處理的第一半導(dǎo)體器件的頂部形成基底層。

s102、在所述基底層頂部形成第一平面電極，所述第一平面電極與所述第一半導(dǎo)體器件的第一接觸點(diǎn)電性連接。本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述第一平面電極用作壓電傳感部件的底電極。

s103、在所述第一平面電極頂部形成壓電薄膜層。

s104、在位于所述第一平面電極下方的基底層部分形成諧振空腔。

s105、在所述壓電薄膜層頂部形成第二平面電極，所述第二平面電極與所述第一半導(dǎo)體器件的第二接觸點(diǎn)電性連接。本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述第二平面電極用作壓電傳感部件的頂電極。由此，第一平面電極、第二平面電極、位于第一平面電極和第二平面電極之間的壓電薄膜層、以及位于第一平面電極下方的諧振空腔，共同配合形成了壓電傳感部件的主體部分。

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述用于信號(hào)處理的第一半導(dǎo)體器件可以是信號(hào)處理芯片，其可以將壓電傳感部件采集到的攜帶有指紋信息的電信號(hào)進(jìn)行處理，以便于傳輸和后續(xù)處理。在本申請(qǐng)一些示例性實(shí)施例中，所述第一半導(dǎo)體器件可以是基于諸如cmos等工藝制造而成。例如圖2所示，所述第一半導(dǎo)體器件21的頂部具有兩個(gè)彼此絕緣隔離的接觸點(diǎn)22，以實(shí)現(xiàn)與壓電傳感部件的電性連接。為了保護(hù)第一半導(dǎo)體器件21，還可在第一半導(dǎo)體器件21的頂部形成第一鈍化保護(hù)層23。

在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，如圖3所示，可通過外延生長(zhǎng)工藝在所述第一半導(dǎo)體器件21頂部形成基底層24。所述基底層24可用作制造壓電傳感部件的基材，并且，所述基底層24同時(shí)還起到底部支撐的作用。在本申請(qǐng)一些示例性實(shí)施例中，所述外延生長(zhǎng)工藝?yán)缈梢詾闅庀嗤庋?vpe)、液相外延(lpe)、固相外延(spe)、分子束外延(mbe)、化學(xué)氣相淀積(cvd)或物理氣相淀積(pvd)等。

在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，所述基底層24的材質(zhì)例如可以為單晶硅、多晶硅、或非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的硅或鍺的元素半導(dǎo)體材料。在本申請(qǐng)另一些實(shí)施例中，所述基底層24的材質(zhì)也可以為碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦等化合物半導(dǎo)體材料，在本申請(qǐng)其他一些實(shí)施例中，所述基底層24的材質(zhì)還可以為諸如sige或gaasp等合金半導(dǎo)體材料。

在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，在所述基底層頂部形成第一平面電極可以包括下步驟：

首先，如圖4所示，圖形化所述基底層24，以形成第一接觸溝槽25a；所述第一接觸溝槽25a位于所述第一接觸點(diǎn)22a上方，以便于后續(xù)形成的導(dǎo)電薄膜層可方便的穿過所述第一接觸溝槽25a與所述第一接觸點(diǎn)22a配合。本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，所述的圖形化可以通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)。在本申請(qǐng)一些示例性實(shí)施例中，所述的刻蝕工藝可以為任何適合的濕法刻蝕或干法刻蝕工藝，例如光刻、x射線刻蝕、電子束刻蝕或離子束刻蝕等。此外，下文提及的圖形化或圖形化工藝亦可以參考本部分的描述，以免贅述。

其次，如圖5所示，在所述基底層24頂部形成導(dǎo)電薄膜層26，所述導(dǎo)電薄膜層26穿過所述第一接觸溝槽25a并與所述第一接觸點(diǎn)22a電性連接。本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，可通過淀積工藝在所述基底層24頂部形成導(dǎo)電薄膜層26。在本申請(qǐng)一些示例性實(shí)施例中，根據(jù)需要所述淀積工藝?yán)缈梢詾榛瘜W(xué)氣相淀積(cvd)、物理氣相淀積(pvd)、電鍍、蒸發(fā)(例如分子束外延等)或旋涂等。此外，下文提及的淀積或淀積工藝亦可以參考本部分的描述，以免贅述。在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，所述導(dǎo)電薄膜層26的材質(zhì)可以為諸如金屬、金屬硅化物、金屬氮化物、金屬氧化物或?qū)щ娞嫉葘?dǎo)電材料。在本申請(qǐng)一些示例性實(shí)施例中，所述導(dǎo)電薄膜層26的材質(zhì)具體可以為al、cu、ag、au、ni、co、tial、tin或tan等。

然后，如圖6所示，圖形化所述導(dǎo)電薄膜層26，以形成第一平面電極26a。本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，所述的圖形化可以通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)。

在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，請(qǐng)繼續(xù)參考圖4所示，在圖形化所述基底層24后，還可以形成第二接觸溝槽25b；所述第二接觸溝槽25b位于所述第二接觸點(diǎn)22b上方。對(duì)應(yīng)的，結(jié)合圖6所示，在圖形化所述導(dǎo)電薄膜層26后，所述第二接觸溝槽25b內(nèi)形成一導(dǎo)電部件26b；所述導(dǎo)電部件26b與所述第二接觸點(diǎn)22b電性連接，且與所述第一平面電極26a絕緣隔離。

在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，在形成所述諧振空腔之前，還可以在位于所述第一平面電極26a的外周邊形成支撐部件，以起到保護(hù)和支撐壓電傳感部件的作用。其中，所述在位于所述第一平面電極的外周邊形成支撐部件可以包括：

首先，如圖7所示，圖形化所述基底層23位于所述第一平面電極26a的外周邊部分，以形成容納溝槽27；

其次，如圖8所示，對(duì)所述容納溝槽27周邊暴露在外的基底層24部分進(jìn)行氧化處理，從而在所述容納溝槽27內(nèi)形成氧化物結(jié)構(gòu)，以作為支撐部件28。需要說明的是，本申請(qǐng)中支撐部件28的形成并不限于此，例如在本申請(qǐng)其他實(shí)施例中，還可以通過例如淀積等工藝在所述容納溝槽27內(nèi)形成支撐部件28。此外，為了保證裝置的精密度，在本申請(qǐng)另一些實(shí)施例中，在所述形成氧化物結(jié)構(gòu)(即形成支撐部件28)后，還可以對(duì)所述氧化物結(jié)構(gòu)進(jìn)行平坦化處理，以使得支撐部件28的頂面可以與所述第一平面電極26a的頂面平齊。當(dāng)然，在本申請(qǐng)其他一些實(shí)施例中，上述其他步驟也可以根據(jù)需要適時(shí)進(jìn)行平坦化處理。在本申請(qǐng)一些示例性實(shí)施例中，所述的平坦化處理可以包括但不限于化學(xué)機(jī)械平坦化(chemicalmechanicalpolish,簡(jiǎn)稱cmp)等。

在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，如圖9所示，所述在第一平面電極26a頂部形成壓電薄膜層29。從圖9中可以看出，壓電薄膜層29不僅可以覆蓋所述第一平面電極26a的頂面，同時(shí)還可以覆蓋支撐部件28的頂面。在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，可通過淀積工藝在第一平面電極26a頂部形成壓電薄膜層29。其中，所述壓電薄膜層的材質(zhì)可以為壓電材料，所述壓電材料例如可以為壓電晶體、壓電陶瓷或壓電聚合物等。在本申請(qǐng)一些示例性實(shí)施例中，所述壓電晶體例如可以為氮化鋁、鋯鈦酸鉛、石英晶體、鎵酸鋰、鍺酸鋰、鍺酸鈦、鐵晶體管鈮酸鋰或鉭酸鋰等。本申請(qǐng)另一些示例性實(shí)施例中，所述壓電聚合物例如可以為聚偏氟乙烯、偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物、尼龍-11或亞乙烯基二氰-醋酸乙烯交替共聚物等。

在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，所述在位于所述第一平面電極下方的基底層部分形成諧振空腔可以包括:

首先，如圖10和圖11所示，圖形化所述壓電薄膜層29，以形成第三接觸溝槽30b和蝕刻孔30a。在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，由于第一平面電極26a所對(duì)應(yīng)的區(qū)域一般為指紋識(shí)別感應(yīng)區(qū)，因此，所述蝕刻孔30a最好可以位于所述第一平面電極26a的周邊，而不應(yīng)當(dāng)位于第一平面電極26a內(nèi)，以免影響指紋識(shí)別檢測(cè)的靈敏度。

所述第三接觸溝槽30b位于所述導(dǎo)電部件26b上方。其中，由于壓電薄膜層29和所述第一平面電極26a的材質(zhì)往往不同，因此可通過選擇性的刻蝕工藝刻蝕出諧振空腔，例如先通過一種刻蝕工藝在壓電薄膜層29上形成較淺的蝕刻孔30a，然后采用另一種刻蝕工藝對(duì)蝕刻孔30a下方的第一平面電極26a部分進(jìn)行進(jìn)一步刻蝕，從而形成如圖11所示更深的蝕刻孔30a。

其次，如圖12所示，通過所述蝕刻孔30a，采用另一種刻蝕工藝對(duì)位于所述第一平面電極26a下方的基底層24部分進(jìn)行蝕刻，以形成期望的尺寸和形狀的諧振空腔31。在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，諧振空腔31的尺寸和形狀可以根據(jù)需要而定，以滿足預(yù)設(shè)的性能要求。在本申請(qǐng)一示例性實(shí)施例中，蝕刻諧振空腔31時(shí)可首先利用干法刻蝕工藝在蝕刻孔30a位置進(jìn)行深度刻蝕，以快速形成一定深度的溝槽；然后在此基礎(chǔ)上用濕法刻蝕工藝進(jìn)行各項(xiàng)異性刻蝕，以加快刻蝕速度和提高空腔的一致性，當(dāng)然，在刻蝕可過程中可以進(jìn)行多次的濕法刻蝕->清洗->濕法刻蝕->清洗的循環(huán)操作。

然后，如圖13所示，可通過在所述蝕刻孔30a內(nèi)淀積特定材料，形成密封塞32，從而封堵住所述蝕刻孔30a，以密封所述諧振空腔31。在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，封堵所述蝕刻孔30a的材料例如可以為氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、低k介電材料、其他合適的材料或他們的組合等。在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，優(yōu)選的，密封塞32盡量少的向諧振空腔31的橫向方向擴(kuò)散，以免影響整個(gè)裝置的壓電性能。在本申請(qǐng)一些示例性實(shí)施例中，蝕刻孔30a的封堵例如可以采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積法(pecvd)淀積氮化硅，這樣可以實(shí)現(xiàn)快速和高質(zhì)量的填充。此外，在淀積過程中，對(duì)等離子所加電場(chǎng)為垂直于蝕刻孔30a的方向，這樣可以減小淀積薄膜的橫向擴(kuò)散。

在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，所述在壓電薄膜層29頂部形成第二平面電極33，可以如圖14所示。從圖14中可以看出，所述第二平面電極33通過導(dǎo)電部件26b與所述第二接觸點(diǎn)22b電性連接，從而形成壓電傳感部件的頂電極。在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，可通過淀積工藝在壓電薄膜層29頂部形成第二平面電極33。在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，第二平面電極33的材質(zhì)可以為諸如金屬、金屬硅化物、金屬氮化物、金屬氧化物或?qū)щ娞嫉葘?dǎo)電材料。在本申請(qǐng)一些示例性實(shí)施例中，所述第二平面電極33的材質(zhì)具體可以為al、cu、ag、au、ni、co、tial、tin或tan等。

在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，如圖15所示，還可在所述第二平面電極33頂部形成第二鈍化保護(hù)層34，以保護(hù)壓電傳感部件。在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，可通過淀積工藝在所述第二平面電極33頂部形成第二鈍化保護(hù)層34。在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，第二鈍化保護(hù)層34的材料例如可以為氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、低k介電材料、其他合適的材料或他們的組合。

在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，在所述第二平面電極33頂部形成第二鈍化保護(hù)層34后，還可以進(jìn)行諸如封裝等后續(xù)工藝。

在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，超聲波指紋識(shí)別裝置可以配置于任何適合的電子設(shè)備中，以達(dá)到通過指紋識(shí)別來實(shí)現(xiàn)身份識(shí)別的目的。在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中，一種典型的電子設(shè)備為智能電話，例如圖16所示。在該圖中，智能電話400上配置有本申請(qǐng)實(shí)施例的超聲波指紋識(shí)別裝置401，當(dāng)用戶用手指位于超聲波指紋識(shí)別裝置401上(可以為手指與超聲波指紋識(shí)別裝置401直接接觸，也可以為手指靠近超聲波指紋識(shí)別裝置401上方，但不與之接觸)時(shí)，超聲波指紋識(shí)別裝置401所發(fā)射出的超聲波遇到手指后發(fā)生反射，由于指紋具有凸起的紋峭和凹陷的紋峪，這樣反射回來超聲波就會(huì)攜帶有手指的指紋信息；而反射回來的超聲波反過來會(huì)作用于超聲波指紋識(shí)別裝置401的壓電傳感部件，從而使之產(chǎn)生相應(yīng)的攜帶有指紋信息的電信號(hào)，這些攜帶有指紋信息的電信號(hào)被傳輸至智能電話400內(nèi)的處理裝置402(處理裝置402可以為特定的處理軟件、硬件或軟件和硬件的結(jié)合)，處理裝置402在獲得采集到的指紋信息后，將其與預(yù)先存儲(chǔ)于智能電話400內(nèi)的特定指紋信息進(jìn)行對(duì)比匹配，如果采集到的指紋信息與特定指紋信息一致，則通過身份識(shí)別。否則，身份識(shí)別失敗。

在本申請(qǐng)一些示例性實(shí)施例中，所述電子設(shè)備還可以為個(gè)人計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、蜂窩電話、相機(jī)電話、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、媒體播放器、導(dǎo)航設(shè)備、游戲控制臺(tái)、平板計(jì)算機(jī)或可穿戴設(shè)備等等。在本申請(qǐng)其他一些示例性實(shí)施例中，所述電子設(shè)備還可以為安防門禁電子系統(tǒng)、汽車無鑰進(jìn)入電子系統(tǒng)或汽車無鑰啟動(dòng)電子系統(tǒng)等等。

以上所述僅為本申請(qǐng)的實(shí)施例而已，并不用于限制本申請(qǐng)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，本申請(qǐng)可以有各種更改和變化。凡在本申請(qǐng)的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。