覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件及其制造方法、光半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件及其制造方法、光半導(dǎo)體裝置及其制造方法，該覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法具有使含有熒光體的熒光體層與光半導(dǎo)體元件相對的工序；以及，調(diào)整工序，通過調(diào)整熒光體層的厚度，從而調(diào)整從光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過熒光體層射出的光的色調(diào)。
【專利說明】覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件及其制造方法、光半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件及其制造方法、光半導(dǎo)體裝置及其制造方法，具體而言，涉及適合用于光學(xué)用途的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法，由此得到的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件，使用該光半導(dǎo)體元件的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，以及，由此得到的光半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]光半導(dǎo)體元件通過從一個晶圓切出多個而得到，將光半導(dǎo)體元件安裝于基板，之后，由熒光體層覆蓋，從而制造出光半導(dǎo)體裝置。
[0003]作為使用光半導(dǎo)體元件來得到半導(dǎo)體裝置的方法，例如，提出了以下的方法(例如，參照日本特開2007-123915號公報)。
[0004]也就是，測量從晶圓切出的多個LED的放射光的主波長(在發(fā)光光譜中添加可見度曲線而得到的主波長)，根據(jù)主波長的范圍分類，具體而言，分類為440nm到445nm、445nm到450nm、450nm到455nm、455nm到460nm這樣的組,將各組的LED分別安裝于基板。另外，預(yù)先準備多個以與主波長相對應(yīng)的濃度含有熒光體的熒光體片。然后，將與各組的主波長相對應(yīng)的熒光體濃度的熒光體片堆疊于基板及LED。其后，通過加熱使其固化。
[0005]在日本特開2007-123915號公報中，將與LED的主波長相對應(yīng)的熒光體濃度的熒光體片堆疊于所對應(yīng)的LED，從而得到期望的色調(diào)(期望的白色色調(diào))。
[0006]但是，在日本特開2007-123915號公報的方法中，需要與主波長不同的LED相對應(yīng)地預(yù)先準備熒光體的濃度不同的多個種類的熒光體片，相應(yīng)地，有工時增加這樣的問題。
[0007]并且，因為要決定與各主波長相對應(yīng)的熒光體濃度，所以也有比較繁雜這樣的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的是提供一種覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法、由該制造方法得到的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件、使用該光半導(dǎo)體元件的光半導(dǎo)體裝置的制造方法、以及由該制造方法得到的光半導(dǎo)體裝置，采用該覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法，即使多個光半導(dǎo)體元件的主波長不相同，也不需要準備熒光體的濃度不同的多個種類的熒光體層，并且，能夠簡單地形成與目標色調(diào)相對應(yīng)的熒光體層。
[0009]本發(fā)明的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制作方法的特征在于，具有:使含有熒光體的熒光體層與光半導(dǎo)體元件相對的工序；以及，調(diào)整工序，通過調(diào)整上述熒光體層的厚度，從而調(diào)整從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述熒光體層射出的光的色調(diào)(日文:色味)。
[0010]該方法具有以下調(diào)整工序:通過調(diào)整熒光體層的厚度，從而調(diào)整從光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過熒光體層射出的光的色調(diào)。因此，能夠利用調(diào)整熒光體層的厚度的簡單的方法，以與目標色調(diào)相對應(yīng)的方式調(diào)整熒光體層的每單位面積的熒光體的質(zhì)量份數(shù)，具體而言，調(diào)整熒光體層的熒光體的基重。因此，不需要像日本特開2007-123915號公報那樣，預(yù)先準備熒光體的濃度不同的多個熒光體層，并在其中選擇具有與光半導(dǎo)體元件的主波長相對應(yīng)的熒光體的濃度的熒光體層。因而，利用調(diào)整熒光體層的厚度這樣簡便的調(diào)整工序，能夠使覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法簡化。
[0011]其結(jié)果是，能夠以良好的成品率形成具有與目標色調(diào)相對應(yīng)的厚度的熒光體層，能夠制造發(fā)光效率好的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件。
[0012]另外，對于本發(fā)明的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制作方法，優(yōu)選為，上述調(diào)整工序具有將相對的上述熒光體層及上述光半導(dǎo)體元件中至少一者向上述熒光體層和上述光半導(dǎo)體元件互相接近的方向按壓的按壓工序。
[0013]對于該方法，由于調(diào)整工序具有將相對的熒光體層及光半導(dǎo)體元件中至少一者向熒光體層和光半導(dǎo)體元件互相接近的方向按壓的按壓工序，因此能夠進一步簡便地調(diào)整熒光體層的熒光體的基重。
[0014]另外，對于本發(fā)明的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法，優(yōu)選為，上述熒光體層由熱固化性樹脂形成，在上述按壓工序中，加熱由上述熱固化性樹脂形成的上述熒光體層，使其熱固化。
[0015]對于該方法，利用按壓工序使熒光體層熱固化，因此能夠?qū)晒怏w層的厚度調(diào)整成與目標色調(diào)相對應(yīng)的厚度，并且能夠利用熒光體層密封光半導(dǎo)體元件。
[0016]另外，對于本發(fā)明的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法，優(yōu)選為，該制造方法還具有:檢量線準備工序，其具有第I測量工序和第2測量工序，在上述第I測量工序中，對當使與上述熒光體層相同的第I標準熒光體層與上述光半導(dǎo)體元件相對時的上述第I標準熒光體層的厚度和從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述第I標準熒光體層射出的光的色調(diào)進行測量，在上述第2測量工序中，對當使與上述熒光體相同的第2標準熒光體層以其厚度與上述第I標準熒光體層厚度不同的方式與上述光半導(dǎo)體元件相對時的上述第2標準熒光體層的厚度和從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述第2標準熒光體射出的光的色調(diào)進行測量；檢量線生成工序，基于上述檢量線準備工序得到的厚度及光的色調(diào)而生成檢量線，在上述調(diào)整工序中，基于上述檢量線，求出上述熒光體層的與目標色調(diào)相對應(yīng)的厚度，然后，以達到上述與目標色調(diào)相對應(yīng)的厚度的方式調(diào)整上述熒光體層的厚度。
[0017]該方法具有檢量線準備工序及檢量線生成工序，并且，在調(diào)整工序中，基于由檢量線生成工序生成的檢量線，求出熒光體層的與目標色調(diào)相對應(yīng)的厚度，然后，將熒光體層的厚度調(diào)整至所求得的厚度。因此，能可靠地求出熒光體層的與目標色調(diào)相對應(yīng)的厚度，以達到求得的厚度的方式調(diào)整熒光體層的厚度，所以能夠可靠且簡便地制造能夠發(fā)出目標色調(diào)的光的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件。
[0018]另外，對于本發(fā)明的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法，優(yōu)選為，上述檢量線準備工序還具有第3測量工序，在該第3測量工序中，對當使與上述熒光體相同的第3標準熒光體層以其厚度與上述第I標準熒光體層的厚度及上述第2標準熒光體層的厚度不同的方式與上述光半導(dǎo)體元件相對時的上述第3標準熒光體層的厚度和從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述第3標準熒光體射出的光的色調(diào)進行測量。
[0019]在該方法中，由于檢量線準備工序還具有第3測量工序，因此能夠基于精確的檢量線，精確地求出熒光體層的與目標色調(diào)相對應(yīng)的厚度。因此，能夠更加精確地制造能夠發(fā)出目標色調(diào)的光的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件。
[0020]另外，本發(fā)明的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的特征在于，其由上述覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法得到。
[0021]該覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件具有與目標色調(diào)相對應(yīng)的厚度的熒光體層，因此發(fā)光效率優(yōu)異。
[0022]另外，本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，該制造方法具有準備上述覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的工序，以及，將上述覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件安裝于基板的工序。
[0023]該方法能夠以良好的成品率制造發(fā)光效率好的光半導(dǎo)體裝置。
[0024]本發(fā)明的另一發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，該制造方法具有:安裝工序，預(yù)先將光半導(dǎo)體元件安裝于基板；使含有熒光體的熒光體層與光半導(dǎo)體元件相對的工序；以及，調(diào)整工序，通過調(diào)整上述熒光體層的厚度，從而調(diào)整從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述熒光體層射出的光的色調(diào)。
[0025]該方法能夠以良好的成品率制造發(fā)光效率好的光半導(dǎo)體裝置。
[0026]另外，本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的特征在于，由上述光半導(dǎo)體裝置的制造方法得到。
[0027]該光半導(dǎo)體裝置的發(fā)光效率優(yōu)異。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1為說明本發(fā)明的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件及光半導(dǎo)
[0029]體裝置的制造方法的第I實施方式的工序圖，其中，
[0030]圖1的(a)表示預(yù)先將LED安裝于基板的LED安裝工序，
[0031]圖1的(b)表不將突光體層臨時粘貼于LED的工序，
[0032]圖1的(c)表示調(diào)整熒光體層的厚度的調(diào)整工序。
[0033]圖2是表示在檢量線生成例I中熒光體層的厚度與從主波長為451.9nm的LED發(fā)出并經(jīng)過熒光體層射出的光的色調(diào)之間的關(guān)系的圖表。
[0034]圖3是表示在檢量線生成例2中熒光體層的厚度與從主波長為446.3nm的LED發(fā)出并經(jīng)過熒光體層射出的光的色調(diào)之間的關(guān)系的圖表。
[0035]圖4為說明本發(fā)明的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件及光半導(dǎo)體裝置的制造方法的第2實施方式的工序圖，其中，
[0036]圖4 (a)表示將LED配置于支承片的準備工序，
[0037]圖4 (b)表示將熒光體層臨時粘貼于LED的工序，
[0038]圖4 (C)表不調(diào)整突光體層的厚度的調(diào)整工序，
[0039]圖4 (d)表示將熒光體層覆蓋LED安裝于基板的工序。
[0040]圖5為說明本發(fā)明的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件及光半導(dǎo)體裝置的制造方法的第3實施方式的工序圖，其中，
[0041]圖5 (a)表示將LED預(yù)先安裝于基板的LED安裝工序，
[0042]圖5 (b)表不將具有第I突光體層及第2突光體層的突光體層臨時粘貼于LED的
工序，[0043]圖5 (C)表示調(diào)整熒光體層的厚度的調(diào)整工序。
[0044]圖6為說明第3實施方式的變形例的工序圖。
[0045]圖6 (a)表示將LED預(yù)先安裝于基板的LED安裝工序、
[0046]圖6 (b)表示將具有C階的第I熒光體層及B階的第2熒光體層的熒光體層臨時粘貼于LED的工序，
[0047]圖6 (C)表示調(diào)整熒光體層的厚度的調(diào)整工序。
[0048]圖7為說明本發(fā)明的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件及光半導(dǎo)體裝置的制造方法的第4實施方式的工序圖，其中，
[0049]圖7 (a)表示通過密封層將LED密封的工序，
[0050]圖7 (b)表不將突光體層臨時粘貼于密封層的工序，
[0051]圖7 (c)表示調(diào)整熒光體層的厚度的調(diào)整工序。
【具體實施方式】
[0052]<第I實施方式>
[0053]有時將圖1中的紙面上下方向稱為第I方向(表背方向)，將圖1中的紙面左右方向稱為第2方向(平面方向)，將圖1中的紙面深度方向稱為第3方向(平面方向)。圖4及圖4以后的各圖的方向依照圖1的方向。
[0054]如圖1所示，作為光半導(dǎo)體裝置的LED裝置4的制造方法具有:將作為光半導(dǎo)體元件的LED2預(yù)先安裝于基板3的LED安裝工序(參照圖1的(a))，使熒光體層I與LED2相對的配置工序(參照圖1的(b))，以及，調(diào)整熒光體層I的厚度的調(diào)整工序(參照圖1的(c))。另外，LED裝置4的制造方法還具有檢量線準備工序及檢量線生成工序。
[0055]基板3例如由在硅基板、陶瓷基板、聚酰亞胺樹脂基板、金屬基板上層疊絕緣層而成的層疊基板等絕緣基板構(gòu)成。
[0056]另外、在基板3的表面形成有導(dǎo)體圖案，該導(dǎo)體圖案具有用來與以下說明的LED2的LED側(cè)端子(未圖示)電連接的基板側(cè)端子(未圖示)和與基板側(cè)端子相連的配線。導(dǎo)體圖案例如由金、銅、銀、鎳等導(dǎo)體形成。
[0057]LED2為將電能轉(zhuǎn)換為光能的光半導(dǎo)體元件，例如，形成為厚度(在表背方向上的最大長度，也就是，在與基板3的平面方向正交的方向上的長度)比平面方向長度(在與表背方向正交的方向上的最大長度)短的剖視為大致矩形形狀且俯視為大致矩形的形狀。作為LED2，例如，能夠列舉出發(fā)出藍色光的藍色LED (發(fā)光二極管元件)。
[0058]另外，LED2例如通過引線接合或倒裝法安裝而搭載于基板3上。
[0059]用于倒裝法安裝的LED2的背面由未圖示的LED側(cè)端子形成，將該LED側(cè)端子與設(shè)于基板3的表面的基板側(cè)端子(未圖示)直接電連接，從而將LED2安裝于基板3。
[0060]另一方面，用于引線接合的LED2的表面由未圖示的LED側(cè)端子形成，將該LED側(cè)端子通過引線(未圖示)電連接于在基板3的表面上與用于載置LED2的載置位置在平面方向上隔開間隔地設(shè)置的基板側(cè)端子(未圖示)，從而將LED2安裝于基板3。
[0061]熒光體層I由含有熒光體的熒光組合物形成。
[0062]熒光體具有波長轉(zhuǎn)換功能，例如，能夠列舉出能夠?qū)⑺{色光轉(zhuǎn)換為黃色光的黃色熒光體，能夠?qū)⑺{色光轉(zhuǎn)換為紅色光的紅色熒光體等。[0063]作為黃色熒光體，能夠列舉出例如(Ba, Sr, Ca)2Si04:Eu, (Sr，Ba)2Si04:Eu (原硅酸鋇(BOS))等硅酸鹽熒光體，例如具有Y3Al5012:Ce(YAG(釔.鋁.石榴石):Ce)、Tb3Al3O12 = Ce (TAG(鋱?鋁.石榴石):Ce)等石榴石型結(jié)晶構(gòu)造的石榴石型熒光體，例如Ca- a -SiAlON等氮氧化物熒光體等。
[0064]作為紅色熒光體，例如能夠列舉出CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Eu等氮化物熒光體等。
[0065]熒光體的峰值波長例如為400nm以上，優(yōu)選為500nm以上，并且，例如為700nm以下，優(yōu)選為600nm以下。熒光體的峰值波長通過由藍色光激勵時的發(fā)光光譜來進行測量。
[0066]另外，激勵熒光體的藍色光的激發(fā)波長例如為300nm以上，優(yōu)選為400nm以上，并且，例如為600nm以下,優(yōu)選為500nm以下。各突光體的最佳激發(fā)波長,通過突光體對各波長的光的吸收率、量子效率來探索。
[0067]熒光體的形狀例如能夠列舉出球狀、板狀、針狀等。從流動性的觀點看，優(yōu)選使用球狀。
[0068]熒光體的最大長度的平均值(熒光體為球狀的情況下是平均粒徑)例如為0.1 μ m以上，優(yōu)選為I μ m以上,并且,例如為200 μ m以下,優(yōu)選為100 μ m以下。并且,球狀的突光體的平均粒徑以d50算出。
[0069]熒光體的相對于熒光組合物(具體而言，為后述的熒光體樹脂組合物)的混合比例例如為0.1質(zhì)量％以上，優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以上，并且，例如為80質(zhì)量％以下，優(yōu)選為50質(zhì)
量％以下。
[0070]優(yōu)選為，熒光體層I由熒光體及含有固化性樹脂的熒光體樹脂組合物形成。
`[0071]作為固化性樹脂，能夠列舉出例如通過加熱而固化的熱固化性樹脂，例如通過活性能量線(例如，紫外線、電子射線等)的照射而固化的活性能量線固化性樹脂等。優(yōu)選為，使用熱固化性樹脂。
[0072]具體而言，作為固化性樹脂，例如能夠列舉出有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹月旨、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等熱固化性樹脂。優(yōu)選為，使用有機硅樹脂。
[0073]作為有機硅樹脂，例如能夠列舉出2階段固化型有機硅樹脂、I階段固化型有機硅樹脂等有機硅樹脂，優(yōu)選為，使用2階段固化型有機硅樹脂。
[0074]2階段固化型有機硅樹脂具有兩個階段的反應(yīng)機理，為在第I階段的反應(yīng)中B階化(半固化)、在第2階段的反應(yīng)中C階化(完全固化)的熱固化性有機硅樹脂。另一方面，I階段固化型有機硅樹脂具有一個階段的反應(yīng)機理，為在第I階段的反應(yīng)中完全固化的熱固化性有機硅樹脂。
[0075]另外，B階是固化性有機硅樹脂處于液狀的A階段與完全固化的C階之間的狀態(tài)，是固化及凝膠化僅進行了一點、彈性率比C階的彈性率小的狀態(tài)。
[0076]作為2階段固化型有機硅樹脂，例如能夠列舉出具有縮合反應(yīng)和加成反應(yīng)的兩個反應(yīng)系列的縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂等。
[0077]作為這樣的縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂，可以列舉出:例如含有硅烷醇基兩末端聚硅氧烷、含烯基三烷氧基硅烷、有機氫聚硅氧烷、縮合催化劑以及氫化硅烷化催化劑的第I縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂；例如含有硅烷醇基兩末端聚硅氧烷(參照后述的式(I))、含乙烯系不飽和烴基硅化合物(參照后述的式(2))、含環(huán)氧基硅化合物(參照后述的式(3))、有機氫聚硅氧烷、縮合催化劑以及加成催化劑(氫化硅烷化催化劑)的第2縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂；例如含有兩末端硅烷醇型硅油、含烯基二烷氧基烷基硅烷、有機氫聚硅氧烷、縮合催化劑以及氫化硅烷化催化劑的第3縮合反應(yīng)?加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂；例如含有在I分子中具有至少兩個烯基甲硅烷基的有機聚硅氧烷、在I分子中具有至少兩個氫化硅烷基的有機聚硅氧烷、氫化硅烷化催化劑以及固化延遲劑的第4縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂；例如含有在I分子中兼有至少兩個乙烯系不飽和烴基和至少兩個氫化硅烷基的第I有機聚硅氧烷、不含有乙烯系不飽和烴基且在I分子中具有至少兩個氫化硅烷基的第2有機聚硅氧烷、氫化硅烷化催化劑以及氫化硅烷化抑制劑的第5縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂；例如含有在I分子中兼有至少兩個乙烯系不飽和烴基和至少兩個硅烷醇基的第I有機聚硅氧烷、不含有乙烯系不飽和烴基且在I分子中具有至少兩個氫化硅烷基的第2有機聚硅氧烷、氫化硅烷化抑制劑以及氫化硅烷化催化劑的第6縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂；例如含有硅化合物以及硼化合物或鋁化合物的第7縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂；以及例如含有聚鋁硅氧烷和硅烷偶聯(lián)劑的第8縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂等。
[0078]這些縮合反應(yīng)?加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂可以單獨使用或同時使用兩種以上。
[0079]作為縮合反應(yīng)?加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂，優(yōu)選為，使用第2縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂，具體而言，在日本特開2010-265436號公報等中有詳細描述，例如，含有硅烷醇基兩末端聚二甲基硅氧烷，乙烯基三甲氧基硅烷、(3-環(huán)氧丙氧基丙基)三甲氧基硅烷、二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氫聚硅氧烷、四甲基氫氧化銨及鉬羰基絡(luò)合物。具體而言，在調(diào)制第2縮合反應(yīng)?加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂時，例如，首先，一次加入作為縮合原料的含乙烯系不飽和烴基硅化合物及含環(huán)氧基硅化合物、縮合催化劑，然后，加入作為加成原料的有機氫聚硅氧烷，其后，加入作為加成催化劑的氫化硅烷化催化劑。
[0080]固化性樹脂的相對于熒光體樹脂組合物的混合比例例如為30質(zhì)量％以上，優(yōu)選為50質(zhì)量％以上,并且,例如為`99質(zhì)量％以下,優(yōu)選為95質(zhì)量％以下。
[0081]并且，熒光體樹脂組合物也可以含有填充劑。
[0082]作為填充劑，能夠列舉出，例如硅顆粒等有機細顆粒，例如二氧化硅、滑石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅等無機細顆粒。另外，填充劑的最大長度的平均值(在為球狀的情況下是平均粒徑)例如為0.1 μ m以上,優(yōu)選為I μ m以上,并且,例如為200 μ m以下,優(yōu)選為100 μ m以下。填充劑的相對于熒光體樹脂組合物的混合比例例如為0.1質(zhì)量％以上，優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以上,并且,例如為70質(zhì)量％以下,優(yōu)選為50質(zhì)量％以下。
[0083]下面，詳細說明LED裝置4的制造方法的各工序。
[0084][LED安裝工序]
[0085]在LED安裝工序中，預(yù)先將LED2安裝于基板3。具體而言，利用倒裝法安裝或引線接合，使LED2的LED側(cè)端子與基板3的基板側(cè)端子電連接。
[0086][配置工序]
[0087]在熒光體層I由含有固化性樹脂的熒光體樹脂組合物形成的情況下，在完全固化前的狀態(tài)下調(diào)制該熒光體層1，具體而言，在固化性樹脂為2階段固化型有機硅樹脂的情況下，突光體層I在B階下調(diào)制。突光體層I準備于脫模層5的表面。
[0088]完全固化前的熒光體層I在25°C的壓縮彈性率，例如為0.005MPa以上，優(yōu)選為0.0lMPa以上，并且，例如為IMPa以下，優(yōu)選為0.1MPa以下。
[0089]脫模層5能夠列舉出:例如聚乙烯薄膜、聚酯薄膜(PET等)等聚合物薄膜，例如陶瓷層，例如金屬箔等。優(yōu)選為，使用聚合物薄膜。另外，也能夠?qū)γ撃拥谋砻孢M行氟處理等剝離處理。
[0090]另外，在熒光體樹脂組合物含有2階段固化型有機硅樹脂的情況下，向上述固化性樹脂的原料混合熒光體及根據(jù)需要混合填充劑，將得到的組合物涂敷于脫模層5的表面，其后，進行加熱。加熱溫度例如為40°C?150°C，優(yōu)選為80°C?140°C，加熱時間例如為I分鐘?24小時，優(yōu)選為I分鐘?I小時。
[0091]這樣，熒光體層I在B階下(以完全固化前的狀態(tài))調(diào)制于脫模層5的表面。
[0092]完全固化前的熒光體層I的厚度被設(shè)定為例如比后述厚度調(diào)整后的熒光體層I的厚度厚，具體而言，熒光體層I的厚度Tl例如為200 μ m以上，優(yōu)選為300 μ m以上，進一步優(yōu)選為500 μ m以上，并且，例如為1500 μ m以下。
[0093][配置工序]
[0094]在配置工序中，如圖1的(b)及圖1的(C)所示，將準備好的熒光體層I與LED2相對。
[0095]具體而言，將層疊于脫模層5的突光體層I配置為在上下方向上與安裝于基板3的LED2相對。
[0096]詳細而言，在接下來的制造工序之前，將熒光體層I臨時粘貼于LED2。為了將熒光體層I臨時粘貼于LED2，例如，在常溫和真空下，利用具有上下壓板的壓力機將熒光體層I壓接于LED2，壓接時間例如為5秒以上，優(yōu)選為10秒以上，并且，例如為200秒以下，優(yōu)選為100秒以下。在壓接中，使用厚度比在后述調(diào)整工序中使用的隔離件(未圖示)的厚度(具體而言，設(shè)定厚度xO)厚的隔離件。
[0097]在配置工序中，優(yōu)選為，利用壓接使熒光體層I的厚度Tl稍微變薄。
[0098]利用配置工序中的壓接，LED2被埋入于熒光體層I。S卩，在熒光體層I中埋設(shè)LED2。
[0099][調(diào)整工序]
[0100]在調(diào)整工序中，如圖1的(C)所示，將熒光體層I進一步壓接于LED2及基板3。
[0101]在將熒光體層I進一步壓接于LED2及基板3時，通過控制熒光體層I的在厚度方向(上下方向)上的壓入量來實施該壓接。
[0102]對于壓入量，將未圖示的規(guī)定厚度的隔離件以包圍LED2的方式配置在基板3的上表面或周圍，配置為俯視呈大致框狀，之后，進行加壓(按壓)。在加壓時，以在壓力機的上下板(未圖示)之間夾著隔離件(未圖示)、基板3、LED2及熒光體層I的方式，使上板向下板接近，朝向LED2及基板3推壓熒光體層I (進行按壓:按壓工序)。隔離件的厚度設(shè)定為例如密封后的熒光體層I的厚度達到厚度調(diào)整后的熒光體層I的厚度T2。另外，在按壓時，根據(jù)需要，也能夠在壓力機的上板與熒光體層I之間以及壓力機的下板與基板3之間，分別設(shè)置不銹鋼等金屬制造的輔助板。兩個輔助板例如配置為相互平行。
[0103]或者，也能夠調(diào)整壓力機的壓板在上下(厚度)方向上的位移量來控制壓入量。
[0104]另外，在熒光體樹脂組合物含有熱固化樹脂的情況下，例如用烘箱加熱(烘焙)，例如一邊加熱一邊實施加壓(熱壓)，優(yōu)選為，用烘箱加熱。對于用烘箱的加熱，例如一邊保持上述按壓，一邊加熱突光體層I。
[0105]具體而言，將熒光體層I加熱至例如80°C以上，優(yōu)選為100°C以上，并且，例如為200°C以下，優(yōu)選為180°C以下。通過上述加熱，完全固化前的熒光體層I完全固化。具體而言，完全固化前的熒光體層I為B階的情況下，利用上述加熱使熒光體層I成為C階。
[0106]另外，壓接在減壓氣氛下實施，或者，在常壓氣氛下實施，優(yōu)選為，在減壓氣氛下實施。
[0107]通過將熒光體層I進一步壓接于LED2及基板3，熒光體層I的厚度T2比完全固化前的熒光體層I的厚度Tl薄。也就是，利用上述壓接使熒光體層I壓扁，而被壓出至平面方向的外側(cè)。因此，在俯視中每單位面積的熒光體的質(zhì)量份數(shù)被調(diào)整。具體而言，每單位面積的熒光體的質(zhì)量份數(shù)減少至規(guī)定量。
[0108]厚度調(diào)整后的熒光體層I的厚度T2為LED2的最背面(也就是，基板3的最表面)與突光體層I的最表面(具體而言，為與脫模層5接觸的面,突光體層I的位于離開基板3的最表面最遠的高度的表面)之間的長度，具體而言，基于以下說明的檢量線，算出熒光體層I的與目標色調(diào)y0相對應(yīng)的厚度χ0。
[0109]其后，將脫模層5自熒光體層I剝下。
[0110][檢量線準備工序]
[0111]檢量線準備工序具有第I測量工序及第2測量工序。
[0112]〈第I測量工序及第2測量工序〉
[0113]第I測量工序及第2測量工序為用于得到作為生成檢量線的基礎(chǔ)的、厚度及光的色調(diào)的工序。
[0114]在第I測量工序中，使第I標準熒光體層IA與LED2相對，并對該第I標準熒光體層IA的壓接于LED2及基板3后的厚度Xl (參照圖1的(c))和從LED2發(fā)出并經(jīng)過第I標準熒光體層IA射出的光的色調(diào)yl進行測量。
[0115]另外，第I標準熒光體層1A、LED2及基板3可以分別使用與制造LED裝置4所使用的熒光體層1、LED2及基板3相同的構(gòu)件。除了隔離件的厚度以外，第I標準熒光體層IA的壓接的條件與上述熒光體層I的壓接的條件相同。即，對依次實施上述LED安裝工序、配置工序及調(diào)整工序而得到的LED裝置4中的第I標準熒光體層IA的厚度Xl以及從得到的LED裝置4的LED2發(fā)出并經(jīng)過第I標準熒光體層IA射出的光的色調(diào)yl進行測量。
[0116]另外，在第2測量工序中，使第2標準熒光體層IB與LED2相對，并對該第2標準熒光體層IB的壓接于LED2及基板3后的厚度x2和從LED2發(fā)出并經(jīng)過第2標準熒光體層IB射出的光的色調(diào)12進行測量。
[0117]第2標準熒光體層IB的厚度x2設(shè)定為與第I標準熒光體層IA的厚度不同。
[0118]對依次進行上述LED安裝工序、配置工序及調(diào)整工序而得到的LED裝置4中的第2標準熒光體層IB的厚度x2以及從得到的LED裝置4的LED2發(fā)出并經(jīng)過第2標準熒光體層IB射出的光的色調(diào)y2進行測量。
[0119]并且，第I標準熒光體層IA的厚度Xl及第2標準熒光體層IB的厚度x2定義為與熒光體層I的厚度T2同樣的大小。
[0120]另外,色調(diào)yl及色調(diào)y2 例如使用瞬間多功能測光系統(tǒng)(瞬間I ^ ★測光)I吁^，MCPD-9800，大塚電子公司制造)等以積分球方式以總光通量的色度(CIE-y)來測量。[0121][檢量線生成工序]
[0122]在檢量線生成工序中，基于由檢量線準備工序得到的厚度xl、x2、色調(diào)yl及y2生成檢量線。
[0123]具體而言，參照圖2，在以厚度X為橫坐標、色調(diào)Y為縱坐標的X-Y坐標中，畫上厚度xl、厚度x2、色調(diào)yl及色調(diào)y2，將穿過它們的直線、即直線Y=AX+B作為檢量線，而得到檢量線。
[0124]父:厚度(4111)
[0125]Y:色調(diào)
[0126]然后，基于上述檢量線Y=AX+B，得到熒光體層I的與目標色調(diào)y0相對應(yīng)的厚度
xOo
[0127]具體而言，因為目標色調(diào)y0是已知的,所以將色調(diào)y0代入檢量線Y=AX+B (A及B也是已知的)，而能得到熒光體層I的與目標色調(diào)y0相對應(yīng)的厚度x0。S卩，得到熒光體層I的設(shè)定厚度x0。
[0128]然后，以達到設(shè)定厚度x0的方式，利用上述[調(diào)整工序]的方法調(diào)整熒光體層I的厚度。
[0129]其后，將脫模層5從熒光體層I剝離。
[0130]這樣，如圖1的(b)所示，得到作為封裝件的LED裝置4，其具有基板3、LED2、以及厚度Tl調(diào)整為厚度T2的熒光體層I。另外，在得到LED裝置4的同時，在基板3上，制造了作為覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的覆蓋有熒光體層的LED10，該覆蓋有熒光體層的LED10具有LED2及覆蓋該LED2的熒光體層I。
[0131]并且，上述方法具有調(diào)整工序，在該調(diào)整工序中，通過將熒光體層I的厚度Tl調(diào)整為厚度T2，從而調(diào)整從LED2發(fā)出并經(jīng)過熒光體層I射出的光的色調(diào)y0。因此，能夠利用將熒光體層I的厚度Tl調(diào)整為厚度T2的簡便的方法，調(diào)整熒光體層I的每單位面積的熒光體的質(zhì)量份數(shù)，具體而言，調(diào)整熒光體層I的熒光體的基重，以應(yīng)對目標色調(diào)y0。因此，不需要如日本特開2007-123915號公報那樣準備熒光體的濃度不同的多個熒光體層1，并從其中選擇具有與LED2的主波長相對應(yīng)的熒光體的濃度的熒光體層I。因此，在該第I實施方式的方法中，利用將熒光體層I的厚度Tl調(diào)整為厚度T2這樣簡便的調(diào)整工序，能夠使覆蓋有熒光體層的LED10及LED裝置4的制造方法簡化。
[0132]其結(jié)果是，能夠以良好的成品率形成厚度Tl調(diào)整為厚度T2的熒光體層1，而制造發(fā)光效率優(yōu)異的覆蓋有熒光體層的LED10及LED裝置4，該厚度T2為與目標色調(diào)y0相對應(yīng)的設(shè)定厚度χ0。
[0133]另外，在該方法中，調(diào)整工序具有將與LED2相對的熒光體層I朝向LED2按壓的按壓工序，因此能夠進一步簡便地調(diào)整熒光體層I的熒光體的基重。
[0134]另外，在該方法中，在熒光體樹脂組合物含有熱固化性樹脂的情況下，利用按壓工序使熒光體層I在熱壓的作用下熱固化，因此能夠?qū)晒怏w層I的厚度Tl調(diào)整為與目標色調(diào)yo相對應(yīng)的厚度XO、即厚度T2，且由熒光體層I密封LED2。
[0135]另外，該方法具有檢量線準備工序及檢量線生成工序，并且，在調(diào)整工序中，基于由檢量線生成工序生成的檢量線Y=AX+B，求出熒光體層I的與目標色調(diào)y0相對應(yīng)的設(shè)定厚度x0，然后，將熒光體層I的厚度Tl調(diào)整為求得的設(shè)定厚度x0。因此，能可靠地求出熒光體層I的與目標色調(diào)yo相對應(yīng)的設(shè)定厚度χΟ，將熒光體層I的厚度Tl以成為求得的設(shè)定厚度xO的方式調(diào)整為厚度Τ2，因此能夠可靠且簡單地制造能夠發(fā)出目標色調(diào)yO的光的覆蓋有熒光體層的LEDlO及LED裝置4。
[0136]另外，該覆蓋有熒光體層的LEDlO及LED裝置4具有與目標色調(diào)y0相對應(yīng)的設(shè)定厚度xO、即厚度T2的熒光體層1，因此發(fā)光效率優(yōu)異。
[0137]另外，該方法能夠以良好的成品率制造發(fā)光效率優(yōu)異的LED裝置4。
[0138][變形例]
[0139]在第一實施方式中，將I個LED2安裝于基板3，利用I個熒光體層I密封I個LED2，雖未圖示，但例如也能夠?qū)⒍鄠€LED2安裝于基板3，利用I個熒光體層I密封多個LED2。
[0140]這種情況下，在得到的LED裝置4中，也能夠與各個LED2相對應(yīng)地利用切割將熒光體層I及基板3單片化，并適宜地篩選該單片化后的各個LED裝置。
[0141]另外，對于第I實施方式，在檢量線準備工序的第I測量工序及第2測量工序中，對從同一厚度的熒光體層調(diào)整成的設(shè)定厚度不同的兩種標準熒光體層即第I標準熒光體層IA的厚度Xl及第2標準熒光體層IB的厚度X2和與該厚度Xl及該厚度x2相對應(yīng)的色調(diào)yl及色調(diào)12進行測量，在檢量線生成工序中，基于該厚度xl、該厚度x2、該色調(diào)yl及該色調(diào)12生成檢量線，但是，只要標準熒光體層為設(shè)定厚度不同的多種標準熒光體層即可，例如，如圖3所示，也能夠?qū)耐缓穸鹊臒晒怏w層調(diào)整成的設(shè)定厚度不同的3種標準熒光體層即I標準熒光體層IA的厚度xl、第2標準熒光體層IB的厚度x2及第3標準熒光體層IC的厚度x3和與該厚度xl、該厚度x2及該厚度x3相對應(yīng)的色調(diào)yl、色調(diào)y2及色調(diào)y3進行測量。
[0142]在該方法中，檢量線準備工序具有第I測量工序、第2測量工序及第3測量工序。
[0143][第3測量工序]
[0144]在第3測量工序中，使第3標準熒光體層IC與LED2相對，并對該第3標準熒光體層IC的壓接于LED2及基板3后的厚度X3和從LED2發(fā)出并經(jīng)過第3標準熒光體層IC射出的光的色調(diào)y3進行測量。
[0145]以與第I標準熒光體層IA的厚度及第2標準熒光體層IB的厚度不同的方式設(shè)定第3標準熒光體層IC的厚度x3。色調(diào)y3利用與上述色調(diào)yl及色調(diào)y2同樣的方法定義并測量。
[0146][檢量線生成工序]
[0147]在檢量線生成工序中，基于由檢量線準備工序得到的厚度xl、厚度x2、厚度x3、色調(diào)yl、色調(diào)y2、色調(diào)y3，生成檢量線。
[0148]具體而言，如圖3所示，在X-Y坐標中，畫上厚度xl、厚度x2、厚度x3、色調(diào)yl、色調(diào)12及色調(diào)y3，將近似于它們的直線也就是近似直線Y=AX+B (I元近似直線，基于直線回歸計算的回歸直線)作為檢量線，而得到檢量線。
[0149]然后，以達到設(shè)定厚度xO的方式利用與上述[調(diào)整工序]相同的方法調(diào)整熒光體層I的厚度T2。
[0150]基于該近似直線，得到熒光體層I的與目標色調(diào)y0相對應(yīng)的厚度xO。
[0151 ] 采用該方法，檢量線準備工序還具有第3測量工序，因此能夠基于精確的檢量線，也就是，基于近似直線Y=AX+B，精確地求出熒光體層I的與目標色調(diào)y0相對應(yīng)的厚度xO。因此，能夠進一步更精確地制造能夠發(fā)出目標色調(diào)yO的光的覆蓋有熒光體層的LEDlO及LED裝置4。
[0152]另外，對于該第I實施方式，在調(diào)整工序的進一步按壓中，朝向LED2及基板3按壓熒光體層1，但例如也可以是與其相反，即，朝向熒光體層I按壓LED2及基板3。另外，也能夠一邊使熒光體層I和LED2雙方接近，一邊按壓雙方，而使熒光體層I和LED2相互接近。
[0153]并且，在該第I實施方式的調(diào)整工序中，通過按壓完全固化前的熒光體層1，從而調(diào)整熒光體層I的厚度，但例如也能夠在首先使熒光體層I完全固化(C階化)之后，通過對固化后的熒光體層I的表面進行研磨(研磨工序)，從而也能夠調(diào)整熒光體層I的厚度，也就是，設(shè)定為規(guī)定的厚度。
[0154]從不需要研磨工序等追加的工序并且不需要清洗(除去)削屑等的工序這些優(yōu)點出發(fā)，優(yōu)選為通過按壓完全固化前的熒光體層1，調(diào)整熒光體層I的厚度，進一步優(yōu)選為，通過按壓B階的熒光體層1，從而調(diào)整熒光體層I的厚度。
[0155]〈第2實施方式〉
[0156]在圖4中，對與第I實施方式相同的部件及工序標注相同的附圖標記，省略其詳細的說明。
[0157]在圖1的實施方式中，如圖1的(a)所示，預(yù)先將LED2安裝于基板3，其后，如圖1的(b)及圖1的(c)所示，由熒光體層I密封LED2，但例如也能夠如圖4所示，首先由熒光體層I密封LED2，制造覆蓋有熒光體層的LEDlO而準備覆蓋有熒光體層的LED10(參照圖4(b)及圖4 (c))，其后，將覆蓋有熒光體層的LEDlO的LED2安裝于基板3 (參照圖4 (d))。
[0158]該第2實施方式具有:將LED2配置于支承片9的表面而進行準備的準備工序(參照圖4 (a))，配置工序(參照圖4 (b))，調(diào)整工序(參照圖4 (c))，檢量線準備工序，檢量線生成工序(參照圖2及圖3)及覆蓋有熒光體層LED的安裝工序(參照圖4 (d))。
[0159][準備工序]
[0160]在準備工序中，將LED2配置于支承片9。
[0161]如圖4(a)的下圖所示，支承片9形成為在平面方向上延伸的片形狀。支承片9以能夠支承LED4的方式構(gòu)成，例如具有支承板12和層疊于支承部12的表面的粘合層11。
[0162]支承板12作為支承片9的背面而設(shè)置，形成為與支承片9的外形形狀是同一形狀。支承板12至少在平面方向上不能延伸，由硬質(zhì)材料構(gòu)成，具體而言，作為用于形成支承板12的材料，能夠列舉出例如氧化硅(石英等)、氧化鋁等氧化物、例如硅、不銹鋼等金屬等。支承板12的厚度例如為0.1mm以上,優(yōu)選為0.3mm以上，并且,例如為5mm以下,優(yōu)選為2mm以下。
[0163]粘合層11形成在支承板12的整個表面。作為形成粘合層11的粘合材料，例如能夠列舉出丙烯酸類系壓敏性粘接劑、硅系壓敏性粘接劑等壓敏性粘接劑。另外，作為粘合材料，除了通過紫外線照射、化學(xué)溶液或加熱而粘合力下降的粘合材料以外，能夠從通常能作為粘合劑使用的材料中廣泛地進行選擇。粘合層11的厚度，例如為0.0lmm以上，優(yōu)選為
0.2mm以上，并且為Imm以下，優(yōu)選為0.5mm以下。
[0164]例如，使支承板12和粘合層11粘合來準備支承片9。
[0165]支承片9的厚度例如為0.2mm以上,優(yōu)選為0.5mm以上，并且為6mm以下,優(yōu)選為
2.5mm以下。[0166]在準備工序中，具體而言，將LED2粘合于粘合層11。
[0167][配置工序及調(diào)整工序]
[0168]除了將基板3替換為支承片9以外，第2實施方式的配置工序及調(diào)整工序與第I實施方式的配置工序及調(diào)整工序同樣地實施。
[0169]通過調(diào)整工序，得到包括厚度Tl被調(diào)整為厚度T2的熒光體層I和被該熒光體層I密封的LED2的覆蓋有熒光體層的LEDlO。
[0170]其后，在覆蓋有熒光體層的LEDlO為在基板3上具有倒裝法安裝的多個LED2的多芯片的情況下，適合地通過切割使一個個LED2獨立，得到I個LED2被熒光體層I密封的芯片(覆蓋有熒光體層的LEDlO)。對于切割，只要在固定于粘合層11的狀態(tài)下將LED2與LED2之間切斷，就能得到尺寸相同的密封芯片(具有I個LED2的覆蓋有熒光體層的LED10)。并且，首先剝離脫模層5，之后再進行切割。其后，逐個取出各芯片，安裝于基板3，使其發(fā)光，確認色調(diào)，生成后述檢量線。
[0171][檢量線準備工序及檢量線生成工序]
[0172]與第I實施方式的檢量線準備工序及檢量線生成工序同樣地實施第2實施方式的檢量線準備工序及檢量線生成工序。
[0173][覆蓋有熒光體層的LED的安裝工序]
[0174]在覆蓋有熒光體層的LED的安裝工序中，將覆蓋有熒光體層的LEDlO的LED2以倒裝法安裝于基板3。其后，如圖4 (d)的假想線所示，將脫模層5從熒光體層I剝下。
[0175]由此，得到LED裝置4。
[0176]該LED裝置4能夠?qū)崿F(xiàn)與第I實施方式的LED裝置4相同的作用效果，并且，能夠與發(fā)光波長、發(fā)光效率相應(yīng)地篩選覆蓋有熒光體層的LEDlO之后，將該篩選出的覆蓋有熒光體層的LEDlO安裝于基板3，因此能夠得到發(fā)光效率更優(yōu)異的LED裝置4。
[0177]〈第3實施方式〉
[0178]在圖5中，對與第I實施方式相同的部件及工序標注相同的附圖標記，省略其詳細說明。
[0179]對于第3實施方式,如圖5(a)所不,突光體層I由相互不同的多個突光體層構(gòu)成，具體而言，突光體層I具有第I突光體層6及第2突光體層7。
[0180]第I熒光體層6層疊于脫模層5，為LED裝置4的最外層(覆蓋層)。在形成第I熒光體層6的熒光體樹脂組合物中，作為固化性樹脂，優(yōu)選為I階段固化型有機硅樹脂，進一步優(yōu)選為例如E RAST0SIL系列(日文:E RAST0SIL '> U — < )。相比第2熒光體層7中含有的熒光體的含有比例，第I熒光體層6中含有的熒光體的含有比例例如設(shè)定得較高，具體而言，相對于第I突光體層6及第2突光體層7中含有的突光體的總量而言,例如超過50質(zhì)量％，優(yōu)選為55質(zhì)量％以上，進一步優(yōu)選為60%質(zhì)量以上,并且,例如為90質(zhì)量％以下,優(yōu)選為80質(zhì)量％以下。
[0181]第2突光體層7層疊于第I突光體層6的表面,為用于埋設(shè)LED2的埋設(shè)層。在形成第2熒光體層7的熒光體樹脂組合物中，作為固化性樹脂，優(yōu)選為例如2階段固化型有機硅樹脂。相比第I熒光體層6中含有的熒光體的含有比例，第2熒光體層7中含有的熒光體的含有比例例如設(shè)定得較低，具體而言，相對于第I熒光體層6及第2熒光體層7中含有的熒光體的總量而言，例如小于50質(zhì)量％，優(yōu)選為45質(zhì)量％以下，并且，例如為10質(zhì)量％以上，優(yōu)選為20%質(zhì)量以上。
[0182]如圖5 Ca)所示，為了制造熒光體層I而在脫模層5的表面形成第I熒光體層6，然后，將第2突光體層7層疊于第I突光體層6的表面。具體而言，第I突光體層6和/或第2熒光體層7都由含有完全固化前的固化性樹脂的熒光體樹脂組合物形成。
[0183]完全固化前的第I熒光體層6的厚度例如為30 μ m以上，優(yōu)選為100 μ m以上，進一步優(yōu)選為300 μ m以上，并且，例如為1000 μ m以下，優(yōu)選為700 μ m以下，進一步優(yōu)選為600 μ m以下。完全固化前的第2熒光體層7的厚度例如為30 μ m以上，優(yōu)選為200 μ m以上，進一步優(yōu)選為400 μ m以上，并且，例如為2000 μ m以下，優(yōu)選為1000 μ m以下，進一步優(yōu)選為800 μ m以下。
[0184]另外，完全固化前的熒光體層I的厚度Tl，也就是，完全固化前的第I熒光體層6與完全固化前的第2熒光體層7的總厚度Tl例如為400 μ m以上，優(yōu)選為600 μ m以上，并且為1500 μ m以下，優(yōu)選為1200 μ m以下。
[0185]其后，如圖5 (b)所示，與第I實施方式同樣地，由包括第I熒光體層6及第2熒光體層7的熒光體層I將LED2覆蓋而密封，實施配置工序。
[0186]其后，如圖5 (C)所示，實施與第I實施方式相同的檢量線準備工序、檢量線生成工序及調(diào)整工序，其后，如圖5 (c)的假想線所示，將脫模層5從熒光體層I剝下，得到LED裝置4。
[0187]通過這種方法，也能夠?qū)崿F(xiàn)與第I實施方式相同的作用效果。
[0188][變形例]
[0189]對于第3實施方式，相比第2熒光體層7中含有的熒光體的含有比例，第I熒光體層6中含有的熒光體的含有比例設(shè)定得較高，但例如根據(jù)用途及目的，也能夠與上述相反地進行設(shè)定。
[0190]并且，參照圖6所示，熒光體層I也可以由C階的第I熒光體層6和B階的第2熒光體層7形成。
[0191]對于該情況，在由有機硅樹脂調(diào)制第I熒光體層6的情況下，例如，也能夠使用市面銷售的商品，具體而言，作為I階段固化型樹脂，也能夠使用ERASTOSIL LR7665等ERAST0SIL系列(旭化成^ 〃力一'> -J ^一>株式會社制造)等的硅酮彈性體。
[0192][第4實施方式]
[0193]在圖7中，對與第I實施方式相同的部件及工序標注相同的附圖標記，省略其詳細說明。
[0194]在第I實施方式~第3實施方式中，利用突光體層I埋設(shè)LED2,但只要將突光體層I與LED2相對即可，例如，如圖7所示，也可以是，利用密封層8埋設(shè)LED2而密封該LED2，并在該密封層8的表面上配置熒光體層I。
[0195]在這種方法中，預(yù)先利用密封層8將安裝于基板3的LED2覆蓋、密封。
[0196]密封層8由含有與上述熒光體樹脂組合物的固化性樹脂相同的固化性樹脂的密封樹脂組合物形成。另外，根據(jù)需要，密封樹脂組合物也能夠以適當?shù)谋壤袩晒怏w和/或填充劑。
[0197]為了 利用密封層8密封熒光體層I，首先準備完全固化前(具體而言，B階)的密封層8，這樣，以埋設(shè)LED2的方式將該密封層8配置于基板3。其后，使密封層8完全固化。[0198]密封層8的厚度例如為300 μ m以上，優(yōu)選為400 μ m以上，并且為1500 μ m以下，優(yōu)選為1200 μ m以下。
[0199][配置工序]
[0200]其后，將熒光體層I層疊于密封層8的表面。具體而言，將完全固化前(具體而言，B階)的熒光體層I配置于密封層8的表面。即，熒光體層I隔著密封層8在上下方向上與LED2相對地配置。
[0201][調(diào)整工序]
[0202]在配置工序之后，將熒光體層I的厚度Tl調(diào)整為與目標色調(diào)y0相對應(yīng)的設(shè)定厚度xOo
[0203]即，具體而言，通過將熒光體層I按壓于密封層8的熱壓，將熒光體層I的厚度Tl調(diào)整為厚度T2的同時使熒光體層I完全固化。
[0204]其后，如圖7 (c)所示，將脫模層5從熒光體層I剝下。
[0205]這樣，得到具有LED2、基板3、密封層8及脫模層5的LED裝置4。
[0206]該LED裝置4的制造方法能夠達到與上述第I實施方式相同的作用效果。
[0207][變形例]
[0208]也能夠?qū)晒怏w 層I及密封層8都調(diào)制為B階的一體型片材。在該情況下，在調(diào)整熒光體層I及密封層8的厚度時，能夠通過按壓該熒光體層I和該密封層8這兩層，從而調(diào)節(jié)色調(diào)。
[0209]并且，在LED裝置4中，除了設(shè)有密封層8之外，還可以設(shè)有擴散層、亮度提高層或透鏡層(日文X層)。
[0210]另外，在上述各實施方式中，對于本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件、覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件及光半導(dǎo)體裝置，分別將LED2、覆蓋有熒光體層的LEDlO及LED裝置4作為一個例子進行了說明，但例如也能夠分別為LD (激光二極管)2、覆蓋有熒光體層的LDlO及激光二極管裝置4。
[0211]實施例
[0212]以下，列舉出合成例、制造例、參考例、檢量線生成例、實施例及比較例來進一步詳細說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于上述例子。
[0213]合成例I
[0214]<縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型有機娃樹脂的合成>
[0215]相對于2031g (0.177mol)加熱至40°C的硅烷醇基兩末端聚二甲基硅氧烷[由下述式(I)中的R1全部為甲基、n=155的化學(xué)式表示的硅烷醇基兩末端聚硅氧烷，平均分子量為11500]，攪拌混合15.76g (0.106mol)作為含乙烯系不飽和烴基硅化合物的乙烯基三甲氧基硅烷[由下述式(2)中的R2為乙烯基、X1全部為甲氧基的化學(xué)式表示的化合物]以及2.80g (0.01lSmol)作為含環(huán)氧基硅化合物的(3-環(huán)氧丙氧基丙基)三甲氧基硅烷[由下述式(3)中的R3為3-環(huán)氧丙氧基丙基、X2全部為甲氧基的化學(xué)式表示化合物)[硅烷醇基兩末端聚二甲基硅氧烷的SiOH的摩爾數(shù)與含乙烯系不飽和烴基硅化合物的SiX1基和含環(huán)氧基硅化合物的SiX2基的總摩爾數(shù)之比[SiOH/(SiXkSiX2)=I/!]]，然后加入作為縮合催化劑的四甲基氫氧化銨甲醇溶液(濃度為10質(zhì)量％)0.97ml (催化劑量:0.88mol，相對于IOOmol的硅烷醇基兩末端聚二甲基硅氧烷為0.50mol)，在40°C下攪拌I小時,得到油狀物。將得到的油狀物在40°C下攪拌并減壓(IOmmHg) I個小時，去除揮發(fā)成分。然后，使反應(yīng)液回到常壓下之后，加入有機氫聚硅氧烷(信越化學(xué)工業(yè)株式會社制造，二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氫聚硅氧烷，平均分子量2000，氫化硅烷基當量7.14mmol/g)，在40°C下攪拌I小時。
[0216]需要說明的是，乙烯基三甲氧基硅烷的乙烯基(CH2=CH-)與有機氫聚硅氧烷的氫化硅烷基(-SiH)的摩爾比(CH2=CHV-SiH)為1/3.0。
[0217]
【權(quán)利要求】
1.一種覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于， 該制造方法具有: 使含有熒光體的熒光體層與光半導(dǎo)體元件相對的工序；以及， 調(diào)整工序，通過調(diào)整上述熒光體層的厚度，從而調(diào)整從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述熒光體層射出的光的色調(diào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于， 上述調(diào)整工序具有將相對的上述熒光體層及上述光半導(dǎo)體元件中的至少一者向上述熒光體層和上述光半導(dǎo)體元件互相接近的方向按壓的按壓工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于， 上述熒光體層由熱固化性樹脂形成， 在上述按壓工序中，加熱由上述熱固化性樹脂形成的上述熒光體層，使其熱固化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于， 該制造方法還具有: 檢量線準備工序，其具有第I測量工序和第2測量工序，在上述第I測量工序中，對當使與上述突光體層相同的第I標準突光體層與上述光半導(dǎo)體兀件相對時的上述第I標準突光體層的厚度和從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述第I標準熒光體層射出的光的色調(diào)進行測量，在上述第2測量工序中，對當使與上述熒光體層相同的第2標準熒光體層以其厚度與上述第I標準熒光體層的厚度不同的方式與上述光半導(dǎo)體元件相對時的上述第2標準熒光體層的厚度和從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述第2標準熒光體層射出的光的色調(diào)進行測量； 檢量線生成工序，基于由上述檢量線準備工序得到的厚度及光的色調(diào)而生成檢量線，在上述調(diào)整工序中，基于上述檢量線，求出上述熒光體層的與目標色調(diào)相對應(yīng)的厚度，然后，以達到上述與目標色調(diào)相對應(yīng)的厚度的方式調(diào)整上述熒光體層的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于， 上述檢量線準備工序還具有第3測量工序，在該第3測量工序中，對當使與上述熒光體層相同的第3標準熒光體層以其厚度與上述第I標準熒光體層的厚度及上述第2標準熒光體層的厚度不同的方式與上述光半導(dǎo)體元件相對時的上述第3標準熒光體層的厚度和從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述第3標準熒光體層射出的光的色調(diào)進行測量。
6.一種覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件，其特征在于， 該覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件由下述覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法得到， 該覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法具有: 使含有熒光體的熒光體層與光半導(dǎo)體元件相對的工序；以及， 調(diào)整工序，通過調(diào)整上述熒光體層的厚度，從而調(diào)整從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述熒光體層射出的光的色調(diào)。
7.一種光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 該光半導(dǎo)體裝置的制造方法具有準備工序和安裝工序， 在上述準備工序中，準備由下述 覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法得到的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件，該覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法具有: 使含有熒光體的熒光體層與光半導(dǎo)體元件相對的工序；以及， 調(diào)整工序，通過調(diào)整上述熒光體層的厚度，從而調(diào)整從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述熒光體層射出的光的色調(diào)； 在上述安裝工序中，將上述覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件安裝于基板。
8.一種光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 該光半導(dǎo)體裝置的制造方法具有: 安裝工序，預(yù)先將光半導(dǎo)體元件安裝于基板； 使含有熒光體的熒光體層與光半導(dǎo)體元件相對的工序；以及， 調(diào)整工序，通過調(diào)整上述熒光體層的厚度，從而調(diào)整從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述熒光體層射出的光的色調(diào)。
9.一種光半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 該光半導(dǎo)體裝置由下述光半導(dǎo)體裝置的制造方法得到， 該光半導(dǎo)體裝置的制造方 法具有準備工序和安裝工序， 在上述準備工序中，準備由下述覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法得到的覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件， 該覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件的制造方法具有: 使含有熒光體的熒光體層與光半導(dǎo)體元件相對的工序；以及， 調(diào)整工序，通過調(diào)整上述熒光體層的厚度，從而調(diào)整從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述熒光體層射出的光的色調(diào)； 在上述安裝工序中，將上述覆蓋有熒光體層的光半導(dǎo)體元件安裝于基板。
10.一種光半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 該光半導(dǎo)體裝置由下述光半導(dǎo)體裝置的制造方法得到， 該光半導(dǎo)體裝置的制造方法具有: 安裝工序，預(yù)先將光半導(dǎo)體元件安裝于基板； 使含有熒光體的熒光體層與光半導(dǎo)體元件相對的工序；以及， 調(diào)整工序，通過調(diào)整上述熒光體層的厚度，從而調(diào)整從上述光半導(dǎo)體元件發(fā)出并經(jīng)過上述熒光體層射出的光的色調(diào)。
【文檔編號】H01L33/48GK103811645SQ201310541228
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月9日
【發(fā)明者】近藤隆, 片山博之 申請人:日東電工株式會社