掩膜板、蒸鍍裝置及蒸鍍方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及蒸鍍工藝領(lǐng)域，具體來(lái)說(shuō)涉及一種掩膜板、蒸鍍裝置及蒸鍍方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)能自發(fā)光，無(wú)視角障礙，低溫特征好，因此OLED顯示器已被認(rèn)為是繼液晶顯示器、等離子顯示器之后最具市場(chǎng)價(jià)值的新一代平板顯示器。
[0003]OLED的制作過(guò)程大都采用以IT0(indium tin oxide)玻璃為基板，利用蒸鍍?cè)O(shè)備將多層薄膜相繼沉積在基板上而形成。OLED蒸鍍技術(shù)為利用一蒸發(fā)源，內(nèi)部充填OLED材料，在真空環(huán)境下蒸發(fā)源加熱使材料升華或氣化，透過(guò)金屬掩膜，蒸鍍于基板上。
[0004]蒸鍍過(guò)程中蒸發(fā)源在下方，如圖1所示，金屬掩膜2上設(shè)置有以便于蒸鍍的通孔21，基板I與金屬掩膜2之間的間隙越小，陰影效應(yīng)越弱。但現(xiàn)有的金屬掩膜上端水平，由于基板的光阻隔離柱11有一定的高度，使得間隙無(wú)法進(jìn)一步減小，對(duì)于高分辨率的基板來(lái)說(shuō)，蒸鍍材會(huì)在一定的程度上擴(kuò)散至別的顏色上，造成混色。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜板、蒸鍍裝置及蒸鍍方法，用以解決金屬掩膜與基板之間的間隙過(guò)大，蒸鍍材會(huì)在一定的程度上擴(kuò)散至別的顏色上，造成混色的問(wèn)題。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0007]掩膜板，包括掩膜板本體，所述掩膜板本體上設(shè)置有通孔，其特征在于，所述掩膜板本體的第一表面上未設(shè)置通孔處設(shè)置有凹槽。
[0008]在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，所述凹槽垂直于所述掩膜板本體方向的截面為方形。
[0009]在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，所述凹槽垂直于所述掩膜板本體方向的截面為弧形槽。
[0010]在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，所述凹槽垂直于所述掩膜板本體方向的截面為倒梯形槽。
[0011]在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，凹槽為島狀分布。
[0012]在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，所述凹槽為條狀。
[0013]一種蒸鍍方法，包括如下步驟:
[0014]提供一上述的掩膜板；
[0015]提供一待成膜基板，所述基板包括待成膜區(qū)域及多個(gè)凸起；
[0016]所述待成膜基板與所述掩膜板平行設(shè)置并對(duì)位，使所述基板的所述待成膜區(qū)域?qū)?yīng)所述掩膜板的所述通孔，所述基板的凸起對(duì)應(yīng)所述掩膜板的所述凹槽；
[0017]沿垂直于掩膜板方向移動(dòng)所述待成膜基板，使所述待成膜基板靠近所述掩膜板至所述凸起插入所述凹槽底部。
[0018]還包括:提供一蒸鍍?cè)?，所述蒸鍍?cè)磁c所述掩膜板相對(duì)設(shè)置并位置固定。
[0019]在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，所述凸起為光阻隔離柱。
[0020]在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，所述凹槽的深度大于或等于所述基板的凸起高度。
[0021]使用時(shí)，將通孔與需要鍍膜的顏色位置相對(duì)應(yīng)，且將掩膜板本體靠近基板，使基板上的光阻隔離柱插入掩膜板本體上的凹槽位置，從而減小金屬掩膜上端面與基板之間間隙，有效避免蒸鍍材擴(kuò)散至別的顏色上，造成混色的問(wèn)題。
[0022]本發(fā)明的特點(diǎn)可參閱本案圖式及以下較好實(shí)施方式的詳細(xì)說(shuō)明而獲得清楚地了解。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的示意圖。
[0024]圖2為本發(fā)明實(shí)施例1的示意圖。
[0025]圖3為本發(fā)明實(shí)施例2的示意圖。
[0026]圖4為本發(fā)明實(shí)施例3的示意圖。
[0027]圖5為本發(fā)明實(shí)施例4的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
[0029]實(shí)施例1
[0030]參見圖2，掩膜板，包括掩膜板本體3，掩膜板本體上設(shè)置有通孔31，掩膜板本體的上端面設(shè)置有用以容納基板表面光阻隔離柱的凹槽32。
[0031 ]在本實(shí)施例中，凹槽32垂直于掩膜板本體方向的截面為倒梯形槽。
[0032]采用該掩膜板的具體蒸鍍方法，包括如下步驟:
[0033]提供一待成膜基板I，待成膜基板I包括待成膜區(qū)域及多個(gè)光阻隔離柱11;
[0034]提供一蒸鍍?cè)?，所述蒸鍍?cè)磁c所述掩膜板相對(duì)設(shè)置并位置固定；
[0035]待成膜基板I與掩膜板本體3平行設(shè)置并對(duì)位，使所述基板I的待成膜區(qū)域?qū)?yīng)所述掩膜板的通孔31，基板I的光阻隔離柱11對(duì)應(yīng)掩膜板的倒梯形槽32;沿垂直于掩膜板本體3方向移動(dòng)待成膜基板I，使待成膜基板I靠近所述掩膜板至光阻隔離柱11插入倒梯形槽32的底部;通過(guò)蒸鍍?cè)催M(jìn)行蒸鍍。
[0036]實(shí)施例2
[0037]參見圖3，掩膜板，包括掩膜板本體，掩膜板本體上設(shè)置有通孔，掩膜板本體的上端面設(shè)置有用以容納基板表面光阻隔離柱的凹槽。在本實(shí)施例中，凹槽33垂直于所述掩膜板本體方向的截面為方形。
[0038]采用該掩膜板的具體蒸鍍方法，包括如下步驟:
[0039]待成膜基板I與掩膜板本體3平行設(shè)置并對(duì)位，使所述基板I的待成膜區(qū)域?qū)?yīng)所述掩膜板的通孔31，基板I的光阻隔離柱11對(duì)應(yīng)掩膜板的方形凹槽33;沿垂直于掩膜板本體3方向移動(dòng)待成膜基板I，使待成膜基板I靠近所述掩膜板至光阻隔離柱11插入方形凹槽33的底部;通過(guò)蒸鍍?cè)催M(jìn)行蒸鍍。
[0040] 實(shí)施例3
[0041 ]參見圖4，掩膜板，包括掩膜板本體，掩膜板本體上設(shè)置有通孔，掩膜板本體的上端面設(shè)置有用以容納基板表面光阻隔離柱的凹槽。在本實(shí)施例中，凹槽34垂直于所述掩膜板本體方向的截面為弧形槽。
[0042]采用該掩膜板的具體蒸鍍方法，包括如下步驟:
[0043]待成膜基板I與掩膜板本體3平行設(shè)置并對(duì)位，使所述基板I的待成膜區(qū)域?qū)?yīng)所述掩膜板的通孔31，基板I的光阻隔離柱11對(duì)應(yīng)掩膜板的弧形槽34;沿垂直于掩膜板本體3方向移動(dòng)待成膜基板I，使待成膜基板I靠近所述掩膜板至光阻隔離柱11插入弧形槽34的底部;通過(guò)蒸鍍?cè)催M(jìn)行蒸鍍。
[0044]實(shí)施例4
[0045]參見圖5，掩膜板，包括掩膜板本體，掩膜板本體上設(shè)置有通孔，掩膜板本體的上端面設(shè)置有用以容納基板表面光阻隔離柱的凹槽。在本實(shí)施例中，凹槽35為條狀。
[0046]采用該掩膜板的具體蒸鍍方法，包括如下步驟:
[0047]待成膜基板I與掩膜板本體3平行設(shè)置并對(duì)位，使所述基板I的待成膜區(qū)域?qū)?yīng)所述掩膜板的通孔31，基板I的光阻隔離柱11對(duì)應(yīng)掩膜板的條狀凹槽35;沿垂直于掩膜板本體3方向移動(dòng)待成膜基板I，使待成膜基板I靠近所述掩膜板至光阻隔離柱11插入條狀凹槽35的底部;通過(guò)蒸鍍?cè)催M(jìn)行蒸鍍。
[0048]實(shí)施例5
[0049]掩膜板，包括掩膜板本體，掩膜板本體上設(shè)置有通孔，掩膜板本體的上端面設(shè)置有用以容納基板表面光阻隔離柱的凹槽。在本實(shí)施例中，凹槽為島狀分布。
[0050]本發(fā)明減小金屬掩膜上端面與基板之間間隙，有效避免蒸鍍材擴(kuò)散至別的顏色上，造成混色的問(wèn)題。以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書中描述的只是本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種掩膜板，包括掩膜板本體，所述掩膜板本體上設(shè)置有通孔，其特征在于，所述掩膜板本體的第一表面上未設(shè)置所述通孔處設(shè)置有凹槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述凹槽為島狀分布。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述凹槽垂直于所述掩膜板本體方向的截面為方形。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述凹槽垂直于所述掩膜板本體方向的截面為弧形槽。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述凹槽垂直于所述掩膜板本體方向的截面為倒梯形槽。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述凹槽為條狀。7.一種蒸鍍裝置，包括如權(quán)I至權(quán)6任一項(xiàng)所述的掩膜板。8.一種蒸鍍方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供一如權(quán)I至權(quán)6任一項(xiàng)所述的掩膜板； 提供一待成膜基板，所述基板包括待成膜區(qū)域及多個(gè)凸起； 所述待成膜基板與所述掩膜板平行設(shè)置并對(duì)位，使所述基板的所述待成膜區(qū)域?qū)?yīng)所述掩膜板的所述通孔，所述基板的凸起對(duì)應(yīng)所述掩膜板的所述凹槽;以及 沿垂直于掩膜板方向移動(dòng)所述待成膜基板，使所述待成膜基板靠近所述掩膜板至所述凸起插入所述凹槽。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蒸鍍方法，其特征在于，還包括:提供一蒸鍍?cè)?，所述蒸鍍?cè)磁c所述掩膜板相對(duì)設(shè)置并位置固定。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蒸鍍方法，其特征在于，所述凸起為光阻隔離柱。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蒸鍍方法，其特征在于，所述凹槽的深度大于或等于所述基板的凸起高度。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種掩膜板、蒸鍍裝置及蒸鍍方法，掩膜板包括掩膜板本體，所述掩膜板本體上設(shè)置有通孔，所述掩膜板本體的第一表面上未設(shè)置通孔處設(shè)置有凹槽。使用時(shí)，將通孔與需要鍍膜的顏色位置相對(duì)應(yīng)，且將掩膜板本體靠近基板，使基板上的光阻隔離柱插入掩膜板本體上的凹槽位置，從而減小金屬掩膜上端面與基板之間間隙，有效避免蒸鍍材擴(kuò)散至別的顏色上，造成混色的問(wèn)題。
【IPC分類】C23C14/24, C23C14/04, C23C14/12
【公開號(hào)】CN105714249
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610242604
【發(fā)明人】薛麗紅, 康潤(rùn)芳
【申請(qǐng)人】上海和輝光電有限公司