電解質(zhì)接觸， W保證固體電解電容器的耐電壓，但是同時(shí)也完全阻斷了高電導(dǎo)率的導(dǎo)電高分子第二固體 電解質(zhì)與電介質(zhì)層接觸的通道，可能無法很好地保持固體電解電容器低等效串聯(lián)電阻。同 時(shí)控制二氧化儘第一固體電解質(zhì)的平均厚度為0. 11~IOym，更優(yōu)地為0.5~Siim，如果 平均厚度小于0. 11ym，采用浸潰、噴涂等溶液法不能達(dá)到要求，就不能保證本實(shí)用新型的 工藝可操作性，也不能保證固體電解電容器的耐電壓。如果二氧化儘第一固體電解質(zhì)的平 均厚度大于10ym，固體電解電容器的等效串聯(lián)電阻將太大。
[0037] 本實(shí)用新型步驟（2)中，導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)必須完全覆蓋電介質(zhì)層的剩 余表面及二氧化儘第一固體電解質(zhì)的表面。如果存在裸露的電介質(zhì)層，那么下一步驟的導(dǎo) 電碳層將直接與電介質(zhì)層接觸而短路，而且固體電解電容器的容量引出率也將降低。導(dǎo)電 高分子第二固體電解質(zhì)的平均厚度與二氧化儘第一固體電解質(zhì)的平均厚度比值為80:1~ 1:1，更優(yōu)地比值為40:1~2:1。
[0038] 本實(shí)用新型步驟（2)中通過化學(xué)聚合方法或電化學(xué)聚合方法制備高電導(dǎo)率的導(dǎo) 電高分子第二固體電解質(zhì)。導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)為導(dǎo)電聚化咯及其衍生物、聚嚷吩 及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚苯乙締及其衍生物、聚化晚及其衍生物、聚對苯及其衍 生物、聚哇嘟及其衍生物中的至少一種。其中聚化咯，聚3, 4-乙締二氧嚷吩已經(jīng)應(yīng)用于商 業(yè)化的固體電解電容器中。
[0039] 在本實(shí)用新型中，固體電解電容器中包含復(fù)合固體電解質(zhì)的忍子可W為塊狀、片 狀或帶狀，W疊層或卷繞組裝，并封裝成塊狀、片狀、柱狀外型中的任一種，也可W組裝成不 規(guī)則外型的固體電解電容器。
[0040] 本實(shí)用新型用下列實(shí)施例來進(jìn)一步說明本實(shí)用新型，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并 不限于下列實(shí)施例。 柳41] 實(shí)施例1
[0042] W腐蝕侶錐為陽極，將腐蝕侶錐浸潰于80°C，150g/L己二酸錠溶液中，在35V電壓 下陽極氧化30min，在腐蝕侶錐表面制備=氧化二侶電介質(zhì)層。將包含=氧化二侶層的腐 蝕侶錐浸潰于0.Imol/L硝酸儘溶液中，再300°C熱分解30min，重復(fù)浸潰和熱分解3次，在 =氧化二侶層的表面制備二氧化儘第一固體電解質(zhì)。二氧化儘第一固體電解質(zhì)與外加電極 相連接作為陽極，W不誘鋼導(dǎo)電電極為陰極，在0.Imol/L化咯及0.Imol/L對甲苯橫酸鋼的 溶液中，3mA/cm2恒電流下電化學(xué)聚合30min，再60°C烘干30min，制備導(dǎo)電高分子第二固體 電解質(zhì)。在導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)表面依次涂覆導(dǎo)電碳漿和銀漿，組裝并用環(huán)氧塑封 料封裝，制備固體侶電解電容器。其中S氧化二侶層的40%表面覆蓋平均厚度為0. 1ym 的二氧化儘第一固體電解質(zhì)，=氧化二侶層的60%表面及二氧化儘的表面覆蓋平均厚度為 8ym的導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)。 陽0創(chuàng)實(shí)施例2
[0044] W腐蝕侶錐為陽極，將腐蝕侶錐浸潰于80°C，150g/L己二酸錠溶液中，在35V電壓 下陽極氧化30min，在腐蝕侶錐表面制備=氧化二侶電介質(zhì)層。將包含=氧化二侶層的腐 蝕侶錐浸潰于0.Imol/L硝酸儘溶液中，再300°C熱分解30min，重復(fù)浸潰和熱分解3次，在 =氧化二侶層的表面制備二氧化儘第一固體電解質(zhì)。二氧化儘第一固體電解質(zhì)與外加電極 相連接作為陽極，W不誘鋼導(dǎo)電電極為陰極，在0. 2mol/L化咯及0. 2mol/L對甲苯橫酸鋼的 溶液中，3mA/cm2恒電流下電化學(xué)聚合30min，再60°C烘干30min，制備導(dǎo)電高分子第二固體 電解質(zhì)。在導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)表面依次涂覆導(dǎo)電碳漿和銀漿，組裝并用環(huán)氧塑封 料封裝，制備固體侶電解電容器。其中S氧化二侶層的50%表面覆蓋平均厚度為0.3ym 的二氧化儘第一固體電解質(zhì)，=氧化二侶層的50%表面及二氧化儘的表面覆蓋平均厚度為 ISym的導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)。 W45] 實(shí)施例3
[0046]W腐蝕侶錐為陽極，將腐蝕侶錐浸潰于80°C，150g/L己二酸錠溶液中，在35V電壓 下陽極氧化30min，在腐蝕侶錐表面制備=氧化二侶電介質(zhì)層。將包含=氧化二侶層的腐 蝕侶錐浸潰于0.Imol/L硝酸儘溶液中，再300°C熱分解30min，重復(fù)浸潰和熱分解3次，在 =氧化二侶層的表面制備二氧化儘第一固體電解質(zhì)。將二氧化儘第一固體電解質(zhì)與外加電 極相連接作為陽極，W不誘鋼導(dǎo)電電極為陰極，在0. 3mol/L化咯及0. 3mol/L對甲苯橫酸鋼 的溶液中，3mA/cm2恒電流下電化學(xué)聚合30min，再60°C烘干30min，制備導(dǎo)電高分子第二固 體電解質(zhì)。在導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)表面依次涂覆導(dǎo)電碳漿和銀漿，組裝并用環(huán)氧塑 封料封裝，制備固體侶電解電容器。其中S氧化二侶層的60%表面覆蓋平均厚度為0.5ym 的二氧化儘第一固體電解質(zhì)，=氧化二侶層的40%表面及二氧化儘的表面覆蓋平均厚度 為20ym的導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)。
[0047] 實(shí)施例4
[0048] W腐蝕侶錐為陽極，將腐蝕侶錐浸潰于80°C，150g/L己二酸錠溶液中，在35V電壓 下陽極氧化30min，在腐蝕侶錐表面制備=氧化二侶電介質(zhì)層。將包含=氧化二侶層的腐蝕 侶錐浸潰于0.Imol/L硝酸儘溶液中，再300°C熱分解30min，重復(fù)浸潰和熱分解3次，在S 氧化二侶層的表面制備二氧化儘第一固體電解質(zhì)。二氧化儘第一固體電解質(zhì)與外加電極相 連接作為陽極，W不誘鋼導(dǎo)電電極為陰極，在0. 4mol/L化咯及0. 4mol/L對甲苯橫酸鋼的溶 液中，3mA/cm2恒電流下電化學(xué)聚合30min，再60°C烘干30min，制備導(dǎo)電高分子第二固體電 解質(zhì)。在導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)表面依次涂覆導(dǎo)電碳漿和銀漿，組裝并用環(huán)氧塑封料 封裝，制備固體侶電解電容器。其中=氧化二侶層的70%表面覆蓋平均厚度為Iym的二氧 化儘第一固體電解質(zhì)，=氧化二侶層的30%表面及二氧化儘的表面覆蓋平均厚度為30ym 的導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)。 W49] 對比例1
[0050] W腐蝕侶錐為陽極，將腐蝕侶錐浸潰于80°C，150g/L己二酸錠溶液中，在35V電壓 下陽極氧化30min，在腐蝕侶錐表面制備S氧化二侶電介質(zhì)層。侶錐浸潰于0. 2mol/L化咯 及0. 2mol/L對甲苯橫酸鋼的水溶液中5min，再60°C烘干30min，浸潰于0. 2mol/L過硫酸錠 水溶液中5min，再60°C烘干30min，循環(huán)浸潰和烘干5次，W化學(xué)聚合方法制備導(dǎo)電高分子 第一固體電解質(zhì)。導(dǎo)電高分子第一固體電解質(zhì)與外加電極相連接作為陽極，W不誘鋼導(dǎo)電 電極為陰極，在0.Imol/L化咯及0.Imol/L對甲苯橫酸鋼的溶液中，3mA/cm2恒電流下電化 學(xué)聚合30min，制備導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)。在導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)表面依次涂 覆導(dǎo)電碳漿和銀漿，組裝并用環(huán)氧塑封料封裝，制備導(dǎo)電高分子固體侶電解電容器。 陽0川 實(shí)施例5
[0052] W燒結(jié)粗塊為陽極體，將燒結(jié)粗塊浸潰于80°C，150g/L憐酸溶液中，在90V電壓下 陽極氧化30min，在燒結(jié)粗塊表面形成五氧化二粗電介質(zhì)層。在五氧化二粗層的表面噴涂 0.Imol/L硝酸儘溶液，再300°C熱分解30min，重復(fù)浸潰和熱分解2次，在五氧化二粗層的表 面制備二氧化儘第一固體電解質(zhì)。二氧化儘第一固體電解質(zhì)與外加電極相連接作為陽極， W不誘鋼導(dǎo)電電極為陰極，在0. 25mol/L化咯及0. 25mol/L對甲苯橫酸鋼的溶液中，3mA/ cm2恒電流下電化學(xué)聚合30min，制備導(dǎo)電高分子第二固體電解質(zhì)。在導(dǎo)電高分子第二固體 電解質(zhì)表面依次涂覆導(dǎo)電碳漿和銀漿，組裝并用環(huán)氧塑封料封裝，制備固體粗電解電容器。 其中五氧化二粗層的80%表面覆蓋平均厚度為2ym的二氧化儘第一固體電解質(zhì)，五氧化 二粗層的20%表面及二氧化儘的表面覆蓋平均厚度為40ym的導(dǎo)電高分子第二固體電解 質(zhì)。 陽〇5引實(shí)