銅箔、附有載體的銅箔、覆銅積層體、印刷配線板、半導(dǎo)體封裝用電路形成基板、半導(dǎo)體封 ...的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種銅錐、附有載體的銅錐、覆銅積層體、印刷配線板、半導(dǎo)體封裝用 電路形成基板、半導(dǎo)體封裝、電子機(jī)器、樹脂襯底、電路的形成方法、半加成法、印刷配線板 的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 印刷配線基板及半導(dǎo)體封裝基板的電路形成方法W減成法為主流，近年來(lái)，因配 線進(jìn)一步微細(xì)化，m-SAP(ModifiedSemi-AdditiveProcess,改良半加成法）或使用銅錐的 表面輪廓的半加成法等新穎方法正在興起。
[0003] 在運(yùn)些新穎的電路形成方法中，作為后者的使用銅錐的表面輪廓的半加成法的一 個(gè)示例，可列舉下述方法。目P，首先對(duì)積層于樹脂襯底上的銅錐進(jìn)行整面蝕刻，利用激光等 對(duì)轉(zhuǎn)印有銅錐表面輪廓的蝕刻襯底面進(jìn)行開孔，實(shí)施用W使開孔部導(dǎo)通的無(wú)電解鍛銅層， 利用干膜覆蓋無(wú)電解鍛銅表面，通過(guò)UV曝光及顯影而去除電路形成部的干膜，對(duì)未被干膜 覆蓋的無(wú)電解鍛銅面實(shí)施電氣鍛銅，并將干膜剝離，最后通過(guò)含有硫酸、過(guò)氧化氨溶液的蝕 刻液等對(duì)無(wú)電解鍛銅層進(jìn)行蝕刻（快閃蝕刻、快速蝕刻），由此形成微細(xì)的電路。再者，在本 制造工藝示例中，用于無(wú)電解鍛銅的催化劑處理、用來(lái)清潔銅表面的酸洗處理等因各公司 而異，故而省略其記載。（專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2)。
[0004] [專利文獻(xiàn)1]日本特開2006-196863號(hào)公報(bào) 陽(yáng)0化][專利文獻(xiàn)2]日本特開2007-242975號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為了形成微細(xì)配線，優(yōu)選為所轉(zhuǎn)印的銅錐的表面輪廓較小，但若輪廓過(guò)小，則會(huì)存 在無(wú)電解鍛銅膜的結(jié)合力變?nèi)?，而損害印刷配線基板或半導(dǎo)體封裝基板所要求的可靠性的 顧慮。
[0007] 因此，本發(fā)明的目的在于提供一種銅錐、使用該銅錐的半導(dǎo)體封裝用覆銅積層體、 樹脂襯底及半加成法，該銅錐積層于樹脂襯底并進(jìn)行整面蝕刻時(shí)，轉(zhuǎn)印有銅錐表面輪廓的 樹脂襯底的蝕刻面與鍛敷膜層的結(jié)合力變得良好。
[0008] 本發(fā)明者反復(fù)努力地研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)：通過(guò)對(duì)形成有具有適度的粗糖度的粗化處 理層的基底銅錐實(shí)施適當(dāng)?shù)姆勒T處理，可獲得適合于本方法的銅錐。
[0009] 基于W上的見(jiàn)解而完成的本發(fā)明在一方面是一種銅錐，其依序具備銅錐主體層、 粗化處理層及含有銘的防誘處理層。
[0010] 在將該銅錐自具有該粗化處理層的面?zhèn)确e層于樹脂襯底上，并使用蝕刻液對(duì)該銅 錐進(jìn)行整面蝕刻的情況下，將借助對(duì)該整面蝕刻后的該樹脂襯底的蝕刻面進(jìn)行表面分 析時(shí)的Cr、Zn、C、0、Si的重量濃度（wt%)分別設(shè)為A、B、C、D、E時(shí)，Cr含量比率（％)[ = A/(A+B+C+D巧）X100]為 0. 1 ~10 %。
[0011] 本發(fā)明在另一方面是一種銅錐，其依序具備銅錐主體層、粗化處理層、含有銘的防 誘處理層及樹脂層，
[0012] 在將該銅錐自具有該樹脂層的面?zhèn)确e層于樹脂襯底上，并使用蝕刻液對(duì)該銅錐的 銅錐主體層至防誘處理層進(jìn)行整面蝕刻的情況下，將借助對(duì)該整面蝕刻后的該樹脂襯 底上的該樹脂層的蝕刻面進(jìn)行表面分析時(shí)的化、Zn、C、0、Si的重量濃度（wt% )分別設(shè)為 A、B、C、D、E時(shí)，Cr含量比率（％ ) [ =A/(A+B+C+D巧）X100]為 0. 1 ~10%。
[0013] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種銅錐，其依序具備銅錐主體層、含有銘的防誘處理 層及樹脂層，且
[0014] 在將該銅錐自具有該樹脂層的面?zhèn)确e層于樹脂襯底上，并使用蝕刻液對(duì)該銅錐的 銅錐主體層至防誘處理層進(jìn)行整面蝕刻的情況下，將借助對(duì)該整面蝕刻后的該樹脂襯 底上的該樹脂層的蝕刻面進(jìn)行表面分析時(shí)的化、Zn、C、0、Si的重量濃度（wt% )分別設(shè)為 A、B、C、D、E時(shí)，Cr含量比率（％ ) [ =A/(A+B+C+D巧）X100]為 0. 1 ~10%。
[0015] 本發(fā)明的銅錐在一實(shí)施方式中，該化含量比率（％ ) [ =A/(A+B+C+D+E)X100]為 0. 5 ~5%。
[0016] 本發(fā)明的銅錐在另一實(shí)施方式中，該化含量比率（％ ) [ =A/(A+B+C+D+E)X100] 為1~3%。
[0017] 本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，該樹脂層為接著用樹脂。
[0018] 本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，該樹脂層為底涂劑。
[0019] 本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，該樹脂層為半硬化狀態(tài)的樹脂。
[0020] 本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，該樹脂層為嵌段共聚聚酷亞胺樹脂層或含 有嵌段共聚聚酷亞胺樹脂及聚馬來(lái)亞酷胺化合物的樹脂層。
[0021] 本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，形成于該銅錐主體層與該防誘處理層之間 的該粗化處理層是由球狀粒子或微細(xì)粒子構(gòu)成，且表面粗糖度化為0. 3~4. 0μm。
[0022] 本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，在該粗化處理層與該防誘處理層之間形成 有屏障層。
[0023] 本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，在該銅錐主體層與該防誘處理層之間形成 有屏障層。
[0024] 本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，該屏障層是由鍛黃銅層或鍛鋒-儀合金層 構(gòu)成。
[00巧]本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，在樹脂襯底積層側(cè)的表面設(shè)置有硅烷偶合 劑層。
[00%] 本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，在該防誘處理層與該樹脂層之間設(shè)置有娃 燒偶合劑層。
[0027] 本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，該銅錐主體層的厚度為12μπιW下。
[0028] 本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，該蝕刻液為硫酸-過(guò)氧化氨溶液、二氯化 銅溶液、Ξ氯化鐵溶液或過(guò)硫酸鹽系溶液。
[0029] 本發(fā)明的銅錐在進(jìn)而另一實(shí)施方式中，用于半加成法。
[0030] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種附有載體的銅錐，其在載體的一表面或兩表面介隔 中間層而自該銅錐主體層側(cè)設(shè)置有本發(fā)明的銅錐。
[0031] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種附有載體的銅錐，其在該載體的一表面介隔中間層 而自該銅錐主體層側(cè)設(shè)置有本發(fā)明的銅錐，在該載體的另一表面設(shè)置有粗化處理層。
[0032] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種覆銅積層體，其使用有本發(fā)明的銅錐。
[0033] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種半導(dǎo)體封裝用覆銅積層體，其使用有本發(fā)明的銅 錐。
[0034] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種印刷配線板，其使用有本發(fā)明的銅錐。
[0035] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種樹脂襯底，其在將通過(guò)對(duì)襯底表面進(jìn)行表面分 析時(shí)的Cr、Zn、C、0、Si的重量濃度（wt%)分別設(shè)為A、B、C、D、E時(shí)，Cr含量比率（％)[ = A/(A+B+C+D巧）X100]為 0. 1 ~10 %。
[0036] 本發(fā)明的樹脂襯底在一實(shí)施方式中，表面粗糖度化為0. 3~4. 0μm。
[0037] 本發(fā)明的樹脂襯底在另一實(shí)施方式中，用于半加成法。
[0038] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種電路的形成方法，其含有下述步驟：使用本發(fā)明的 銅錐，并通過(guò)半加成法而形成電路。
[0039] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種半加成法，其使用本發(fā)明的覆銅積層體而形成電 路。
[0040] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種半加成法，其使用本發(fā)明的樹脂襯底而形成電路。
[0041] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種半導(dǎo)體封裝用電路形成基板，其在本發(fā)明的樹脂襯 底的表面，通過(guò)半加成法形成有線/間隙為30/30μmW下的電路。
[0042] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種半導(dǎo)體封裝，其具備本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝用電路形 成基板。
[0043] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種印刷配線板的制造方法，其含有下述步驟：使用本 發(fā)明的銅錐，并通過(guò)半加成法而形成電路。
[0044] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種印刷配線板，其使用有本發(fā)明的樹脂襯底。
[0045] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種電子機(jī)器，其使用有本發(fā)明的印刷配線板。
[0046] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種印刷配線板的制造方法，其含有下述步驟：準(zhǔn)備本 發(fā)明的附有載體的銅錐及絕緣基板；
[0047] 將該附有載體的銅錐與絕緣基板積層；
[0048] 在將該附有載體的銅錐與絕緣基板積層后，通過(guò)將該附有載體的銅錐的載體剝離 的步驟而形成覆銅積層板，
[0049] 其后，通過(guò)半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法而形成電 路。
[0050] 本發(fā)明在進(jìn)而另一方面是一種印刷配線板的制造方法，其含有下述步驟：在本發(fā) 明的附有載體的銅錐的該極薄銅層側(cè)表面形成電路；
[0051] W掩埋該電路的方式在該附有載體的銅錐的該極薄銅層側(cè)表面形成樹脂層；
[0052] 在該樹脂層上形成電路；
[0053] 在該樹脂層上形成電路后，將該載體剝離；及
[0054] 將該載體剝離后，去除該極薄銅層，由此使形成于該極薄銅層側(cè)表面的掩埋于該 樹脂層的電路露出。
[0055]根據(jù)本發(fā)明，可提供一種銅錐，其積層于樹脂襯底并進(jìn)行整面蝕刻時(shí)，轉(zhuǎn)印有銅錐 表面輪廓的樹脂襯底的蝕刻面與鍛敷膜層的結(jié)合力變得良好。
【附圖說(shuō)明】
[0056] 圖1表示使用銅錐的輪廓的半加成法的概略例。
[0057]圖2表示用W獲得實(shí)施例及比較例的資料的樣品制作流程。 陽(yáng)化引圖3表示實(shí)施例1的銅錐表面的沈Μ照片。
[0059]圖4表示實(shí)施例2的銅錐表面的沈Μ照片。 W60] 圖5表示實(shí)施例3的銅錐表面的SEM照片。
[0061]圖6表示實(shí)施例4的銅錐表面的SEM照片。 陽(yáng)06引圖7表示實(shí)施例5的銅錐表面的SEM照片。 陽(yáng)06引圖8表示實(shí)施例6的銅錐表面的沈Μ照片。 W64] 圖9表示比較例2的銅錐表面的SEM照片。 W65] 圖10表示比較例6的銅錐表面的沈Μ照片。
[0066] 圖11表示比較例9的銅錐表面的沈Μ照片。
【具體實(shí)施方式】
[0067] 本發(fā)明中所使用的銅錐具備：銅錐主體層；形成于銅錐主體層上的粗化處理層； 及形成于粗化處理層上的含有銘的防誘處理層。再者，也可在銅錐主體層與粗化處理層之 間設(shè)置其他層。又，也可在粗化處理層與含有銘的防誘處理層之間設(shè)置其他層。銅錐主體 層可由電解銅錐或壓延銅錐的任一者形成。
[0068] 在本發(fā)明中，所謂"銅錐主體層"，表示除粗化處理層、屏障層、防誘層、硅烷偶合層 等表面處理層W外的銅錐本體（生銅錐）部分。
[0069] 又，就減少印刷配線基板或半導(dǎo)體封裝基板制造工藝中的銅錐蝕刻量的觀點(diǎn)而 言，可使用銅厚12μmW下的極薄銅錐（包括附有載體的極薄銅錐）。
[0070] 粗化處理層可使用含有選自硫酸烷基醋鹽、鶴離子、神離子中的至少一種W上物 質(zhì)的由硫酸-硫酸銅構(gòu)成的電解浴而形成，可通過(guò)適當(dāng)調(diào)整電解處理?xiàng)l件而獲得所需的 表面粗糖度。粗化處理層優(yōu)選為由球狀粒子或微細(xì)粒子構(gòu)成，且表面粗糖度化為0. 3~ 4.0 μ m。若表面粗糖度化未達(dá)0.3μ m，則對(duì)微細(xì)配線形成能力發(fā)揮有利作用，但有無(wú)電 解鍛銅與襯底的結(jié)合力降低，而損害印刷配線基板或半導(dǎo)體封裝基板所要求的可靠性的顧 慮。例如有在印刷配線板制造商、半導(dǎo)體封裝基板制造商或其等的將來(lái)的顧客制造工藝中 產(chǎn)生銅電路自襯底剝離的問(wèn)題的顧慮。若表面粗糖度化超過(guò)4.0 μ m，則因轉(zhuǎn)印有銅錐的輪 廓的襯底側(cè)的投錯(cuò)效應(yīng)（anchoreffect)而使無(wú)電解鍛銅與襯底的結(jié)合力提高，但有在半 加成法中的上述快閃蝕刻制造過(guò)程（工藝）制造方法中產(chǎn)生微細(xì)配線形成能力劣化的問(wèn)題 的顧慮。又，表面粗糖度化優(yōu)選為0. 3~3.0 μ m，更優(yōu)選為0. 5~2.0 μ m。粗化處理可適 當(dāng)調(diào)整公知的方法而進(jìn)行，W下表示粗化處理的條件作為示例。
[0071](處理液組成）
[0072] CuS〇4 · 5&0 :39. 3 ~118g/L
[0073] Cu:10 ~30g/L
[0074] &5〇4:10 ~150g/L W巧]胞2胖〇4· 2&0 :0 ~90mg/L
[0076] W:0 ~50mg/L
[0077] 十二烷基硫酸鋼：0~50mg/L W78] &43