Mpw芯片背面金屬化方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種工藝方法，尤其是一種MPW (Multi Project Wafer)芯片背面金屬化方法，屬于集成電路制造的技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的背面金屬化工藝中，背面金屬化的主體是完整的晶圓，使用常規(guī)的晶圓背面金屬化工藝技術(shù)無法對芯片進(jìn)行背面金屬化。這是由于完整晶圓的邊緣部位都是不完整的芯片，現(xiàn)有的背面金屬化設(shè)備的夾具可以對其邊緣進(jìn)行夾取，邊緣部位沒有鍍上金屬或者有損傷等都是可以接受的。
[0003]但是對于芯片級別的背面金屬化，芯片邊緣根本沒有夾取的空間，且其可以忍受的損傷是極其輕微的，微米級別的損傷完全可能導(dǎo)致芯片報(bào)廢。同時(shí)，在整個(gè)背面金屬化的生產(chǎn)過程中，芯片正面的圖形不能被沾污、蹭傷，這又大大提高了整體工藝技術(shù)的難度。實(shí)際的生產(chǎn)過程中，芯片的尺寸規(guī)格又是多種多樣的，需要同時(shí)克服上面所有的工藝技術(shù)問題，又要適應(yīng)產(chǎn)品多樣性的需求，所以在現(xiàn)有工藝生產(chǎn)中，芯片級別的背面金屬化一直被認(rèn)為是一項(xiàng)不可能完成的任務(wù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種MPW芯片背面金屬化方法，其適用于各種尺寸及規(guī)格的芯片背面金屬化方法，可以很好地保護(hù)芯片正面并實(shí)現(xiàn)芯片的無損傷固定，達(dá)到對芯片進(jìn)行背面金屬化的目的。
[0005]按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，一種MPW芯片背面金屬化方法，所述芯片背面金屬化方法包括如下步驟:
步驟1、提供第一陪片，并對所述第一陪片進(jìn)行所需的切割與挑片，以形成芯片置位支撐塊，所述芯片置位支撐塊內(nèi)包括若干用于待背面金屬化芯片嵌置的芯片置位格；
步驟2、將待背面金屬化的芯片正面朝上放置在芯片置位支撐塊的芯片置位格內(nèi)；
步驟3、提供第二陪片，并對所述第二陪片進(jìn)行所需的切割與挑片，以在第二陪片內(nèi)形成用于芯片置位支撐塊嵌置的支撐塊置位格；
步驟4、將上述嵌置有待背面金屬化芯片的芯片置位支撐塊放置在第二陪片的支撐塊置位格內(nèi)，以形成第三陪片體；
步驟5、對第三陪片體內(nèi)所有的待背面金屬化的芯片進(jìn)行所需的背面金屬化操作，以實(shí)現(xiàn)芯片的背面金屬化。
[0006]所述第一陪片、第二陪片均為硅晶圓。
[0007]所述芯片置位支撐塊呈矩形，芯片置位格貫通芯片置位支撐塊，芯片置位格的尺寸及形狀與待背面金屬化芯片的尺寸、形狀相適配。
[0008]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):利用“多合一”的思路，化碎為整，從而避免了單顆芯片在工藝操作上帶來的難度，從整體出發(fā)不論是從工藝流程角度，還是整體可靠性方面都較單體來得更穩(wěn)定可控。本發(fā)明解決了單顆芯片無法進(jìn)行背面金屬化的問題，降低了芯片背面金屬化方法風(fēng)險(xiǎn)低，可操作性強(qiáng)。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明芯片置位支撐塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2為本發(fā)明芯片置位支撐塊嵌置在支撐塊置位格內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]附圖標(biāo)記說明:1_芯片置位支撐塊、2-芯片置位格、3-第二陪片及4-支撐塊置位格。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0013]如圖1和圖2所示:為了能很好地保護(hù)芯片正面并實(shí)現(xiàn)芯片的無損傷固定，達(dá)到對芯片進(jìn)行背面金屬化的目的，本發(fā)明的芯片背面金屬化方法包括如下步驟:
步驟1、提供第一陪片，并對所述第一陪片進(jìn)行所需的切割與挑片，以形成芯片置位支撐塊1，所述芯片置位支撐塊I內(nèi)包括若干用于待背面金屬化芯片嵌置的芯片置位格2 ;
本發(fā)明實(shí)施例中，第一陪片為硅晶圓，采用本技術(shù)領(lǐng)域常規(guī)的技術(shù)手段對第一陪片進(jìn)行切割與挑片，以形成矩形狀的芯片置位支撐塊I。通過對第一陪片進(jìn)行切割與挑片的操作，能得到多個(gè)芯片置位格2，芯片置位格2貫通芯片置位支撐塊I。
[0014]圖1中示出了芯片置位支撐塊I內(nèi)包含20個(gè)芯片置位格2的示意圖，芯片置位格2的形狀、尺寸均與待背面金屬化的芯片相匹配，即根據(jù)待背面金屬化芯片的尺寸通過切割、挑片得到芯片置位格2。
[0015]在具體實(shí)施時(shí)，待背面金屬化芯片在X方向的尺寸為A，Y方向的尺寸為B ;芯片置位格2在X方向的尺寸為a，在Y方向的尺寸為b。為了與待背面金屬化芯片相適配，在X方向上有a多A，在Y方向上有b多B。芯片置位支撐塊I在X方向上的尺寸為L，在Y方向上的尺寸為W。
[0016]步驟2、將待背面金屬化的芯片正面朝上放置在芯片置位支撐塊I的芯片置位格2內(nèi)；
本發(fā)明實(shí)施例中，在得到芯片置位支撐塊I后，需要將一個(gè)或多個(gè)待背面金屬化的芯片置入芯片置位格2內(nèi)。待背面金屬化的芯片嵌置在芯片置位格2后，待背面金屬化芯片的背面與芯片置位支撐塊I的背面位于同一側(cè)，即保證待背面金屬化芯片的正面朝上放置。由于置位支撐塊I的背面有支撐膜，待背面金屬化的芯片嵌置在芯片置位格2內(nèi)后，通過支撐膜對待背面金屬化芯片背面的支撐，確保待背面金屬化芯片在芯片置位格2內(nèi)的穩(wěn)定性。
[0017]步驟3、提供第二陪片3，并對所述第二陪片3進(jìn)行所需的切割與挑片，以在第二陪片3內(nèi)形成用于芯片置位支撐塊I嵌置的支撐塊置位格4 ;
本發(fā)明實(shí)施例中，常用本技術(shù)領(lǐng)域常用的技術(shù)手段，通過對第二陪片3進(jìn)行切割與挑片的操作，以在第二陪片3內(nèi)得到支撐塊置位格4。一般地，支撐塊置位格4位于第二陪片3的中心區(qū)域，支撐塊置位格4的形狀與芯片置位支撐塊I的形狀相適應(yīng)，支撐塊置位格4貫通第二陪片3。
[0018]在具體實(shí)施時(shí)，第二陪片3也為硅晶圓，第二陪片3內(nèi)的支撐塊置位格4也呈矩形狀，在X方向上，支撐塊置位格4的尺寸L'在Y方向上，支撐塊置位格4的尺寸為W z ;為了能使得支撐塊置位格4與芯片置位支撐塊I相適配，在X方向上有，LZ多L;在Y方向上有:W z多W ;以保證芯片置位支撐塊I能有效嵌置在支撐塊置位格4內(nèi)，如圖2所示。
[0019]當(dāng)芯片置位支撐塊I嵌置在支撐塊置位格4內(nèi)時(shí)，依然使得待背面金屬化芯片的正面朝上，芯片置位支撐塊I的背面通過第二陪片3背面的支撐膜進(jìn)行支撐。
[0020]步驟4、將上述嵌置有待背面金屬化芯片的芯片置位支撐塊I放置在第二陪片的支撐塊置位格4內(nèi)，以形成第三陪片體；
本發(fā)明實(shí)施例中，將芯片置位支撐塊I置入支撐塊置位格4內(nèi)后，芯片置位支撐塊I與第二陪片形成一個(gè)整體，即第三陪片體。
[0021]步驟5、對第三陪片體內(nèi)所有的待背面金屬化的芯片進(jìn)行所需的背面金屬化操作，以實(shí)現(xiàn)芯片的背面金屬化。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例中，第三陪片體內(nèi)包含一個(gè)或多個(gè)待背面金屬化的芯片，采用常規(guī)的背面金屬化工藝對第三陪片內(nèi)的待背面金屬化的芯片進(jìn)行背面金屬化操作，具體操作過程為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知，此處不再詳述。
[0023]本發(fā)明利用“多合一”的思路，化碎為整，從而避免了單顆芯片在工藝操作上帶來的難度，從整體出發(fā)不論是從工藝流程角度，還是整體可靠性方面都較單體來得更穩(wěn)定可控。本發(fā)明解決了單顆芯片無法進(jìn)行背面金屬化的問題，降低了芯片背面金屬化方法風(fēng)險(xiǎn)低，可操作性強(qiáng)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MPW芯片背面金屬化方法，其特征是，所述芯片背面金屬化方法包括如下步驟: 步驟1、提供第一陪片，并對所述第一陪片進(jìn)行所需的切割與挑片，以形成芯片置位支撐塊，所述芯片置位支撐塊內(nèi)包括若干用于待背面金屬化芯片嵌置的芯片置位格； 步驟2、將待背面金屬化的芯片正面朝上放置在芯片置位支撐塊的芯片置位格內(nèi)； 步驟3、提供第二陪片，并對所述第二陪片進(jìn)行所需的切割與挑片，以在第二陪片內(nèi)形成用于芯片置位支撐塊嵌置的支撐塊置位格； 步驟4、將上述嵌置有待背面金屬化芯片的芯片置位支撐塊放置在第二陪片的支撐塊置位格內(nèi)，以形成第三陪片體； 步驟5、對第三陪片體內(nèi)所有的待背面金屬化的芯片進(jìn)行所需的背面金屬化操作，以實(shí)現(xiàn)芯片的背面金屬化。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MPW芯片背面金屬化方法，其特征是:所述第一陪片、第二陪片均為硅晶圓。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MPW芯片背面金屬化方法，其特征是:所述芯片置位支撐塊呈矩形，芯片置位格貫通芯片置位支撐塊，芯片置位格的尺寸及形狀與待背面金屬化芯片的尺寸、形狀相適配。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種MPW芯片背面金屬化方法，其包括如下步驟：步驟1、對第一陪片進(jìn)行所需的切割與挑片，以形成芯片置位支撐塊；步驟2、將待背面金屬化的芯片正面朝上放置在芯片置位支撐塊的芯片置位格內(nèi)；步驟3、對所述第二陪片進(jìn)行所需的切割與挑片，以在第二陪片內(nèi)形成用于芯片置位支撐塊嵌置的支撐塊置位格；步驟4、將上述嵌置有待背面金屬化芯片的芯片置位支撐塊放置在第二陪片的支撐塊置位格內(nèi)，以形成第三陪片體；步驟5、對第三陪片體內(nèi)所有的待背面金屬化的芯片進(jìn)行所需的背面金屬化操作。本發(fā)明適用于各種尺寸及規(guī)格的芯片背面金屬化方法，可以很好地保護(hù)芯片正面并實(shí)現(xiàn)芯片的無損傷固定，達(dá)到對芯片進(jìn)行背面金屬化的目的。
【IPC分類】H01L21/3205
【公開號(hào)】CN105097501
【申請?zhí)枴緾N201510402167
【發(fā)明人】李云海, 李宗亞
【申請人】無錫中微高科電子有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年7月9日