本實(shí)用新型涉及一種清洗裝置，具體的說是硅片輔助清洗裝置。

背景技術(shù)：

目前用于集成電路制造的硅拋光片大都采用拉晶、切片、倒角、腐蝕、拋光、清洗等工藝流程，拋光后的硅片表面附著大量顆粒，清洗為整個(gè)工藝的最后一步，因而清洗效果的好壞將直接反應(yīng)到客戶那。

目前在硅片制造過程中廣泛采用RCA清洗工藝，該清洗方法主要使用到 SC-1、DHF、SC-2等混合化學(xué)液，硅片通過花籃固定在清洗液中，通過加熱化學(xué)液和兆聲的作用將顆粒從硅片表面上去除。

業(yè)界目前使用的清洗裝置結(jié)構(gòu)如專利CN201320067211.8，在清洗過程中由于重力，使得豎立的硅片邊緣緊密接觸花籃的卡槽。致使在硅片清洗過程中，化學(xué)液不能完全接觸到與卡槽相接觸的硅片邊緣部分，則經(jīng)常出現(xiàn)硅片中央?yún)^(qū)域清洗的較為干凈而邊緣卻有臟污的質(zhì)量問題，這給清洗造成了很大的困擾，影響產(chǎn)品良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型旨在克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種新型的硅片清洗裝置，其能有效的解決硅片清洗不徹底、存在沾污死角、多次返工清洗的問題，提升產(chǎn)品的良率。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種硅片清洗裝置，主要包括矩形底座、U型硅片托桿、兩個(gè)連接臂和兩個(gè)手持裝置；所述U型硅片托桿固定在矩形底座短邊的下部，所述連接臂分別豎直設(shè)于矩形底座短邊上部，所述兩個(gè)手持裝置分別橫向設(shè)于兩個(gè)連接臂的外側(cè)。

進(jìn)一步，所述硅片托桿共設(shè)有兩根，且間距為40～60mm。

更進(jìn)一步，所述硅片托桿距離矩形底座的高度120mm，或者硅片托起的高度 30MM。

進(jìn)一步，所述硅片托桿僅設(shè)有一根，且固定于矩形底座短邊中點(diǎn)的正下方。

更進(jìn)一步，所述硅片托桿距離矩形底座的高度120mm，或者硅片托起的高度30MM。

進(jìn)一步，所述硅片托桿設(shè)有硅片固定凹槽。

更進(jìn)一步，所述硅片固定凹槽呈倒三角形、倒梯形、半圓形或矩形，優(yōu)選倒梯形。

進(jìn)一步，硅片托桿呈三角形、梯形、半圓形或矩形，優(yōu)選三角形。

進(jìn)一步，所述硅片托桿、矩形底座、連接臂和手持裝置均采用聚丙烯制成。

本實(shí)用新型的有益效果是：硅片通過本裝置放入化學(xué)液后，在清洗過程中底部的托桿可以將硅片頂起來，使其離開花籃的卡槽，這樣硅片的正面就會與花籃的卡槽分離，在兆聲和化學(xué)液的作用下可以清洗到與中間同樣的效果，解決了硅片清洗領(lǐng)域目前經(jīng)常會出現(xiàn)的清洗不徹底、存在沾污死角、多次返工清洗的問題。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明：

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1側(cè)視方向的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為圖1俯視方向的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

將裝有硅片的花籃豎直放入底座中，通過定位凹槽固定花籃，同時(shí)底部托盤會將硅片托起使其離開花籃一定位置，通過本實(shí)用新型將花籃放置在化學(xué)液中，使用化學(xué)液對硅片進(jìn)行清洗；在清洗過程前，只需一人雙手握住手持裝置，平穩(wěn)的將花籃放入化學(xué)液槽中清洗，在清洗過程中手持裝置可以放置在清洗機(jī)機(jī)臺面板上，手持裝置暴露于空氣中，未浸泡入化學(xué)清洗液中，確保整個(gè)清洗裝置不被化學(xué)液浸沒，減少了人與化學(xué)液接觸幾率，同時(shí)硅片在清洗過程中，硅片只有底部邊緣位置接觸清洗裝置，其他位置均與清洗裝置分離，整個(gè)正面是完全接觸化學(xué)液的，表面在兆聲的作用下可以清洗的更加干凈，在轉(zhuǎn)移過程中，定位凹槽可以固定住花籃，不讓其晃動，降低了硅片表面在轉(zhuǎn)移過程中由于晃動導(dǎo)致的二次沾污問題；在清洗結(jié)束后，只需抓住手持裝置將花籃移除清洗槽，再將花籃從本實(shí)用新型中直接豎直取出即可。