本發(fā)明涉及太陽能技術領域,尤指一種太陽能電池硅片的清洗方法、太陽能電池的制備方法。
背景技術:
太陽能電池是一種能將太陽能轉換成電能的半導體器件,在光照條件下太陽能電池內部會產生光生電流,通過電極將電能輸出。近年來,太陽能電池生產技術不斷進步,生產成本不斷降低,轉換效率不斷提高,太陽能電池發(fā)電,即光伏發(fā)電的應用日益廣泛并成為電力供應的重要能源,硅異質結太陽能電池技術就是一種新型的高效電池技術。
現(xiàn)有高效電池的硅片清洗一般為RCA清洗技術,RCA是一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化學清洗法,即首先利用氨水(NH3·H2O)和雙氧水(H2O2)的混合溶液,對硅片進行去除硅片表面雜質的清洗,以去除硅片表面的有機物、顆粒和金屬元素等;然后利用H2O2和鹽酸(HCl)對硅片進行氧化和絡合處理,以去除硅片表面的金屬原子;最后利用氫氟酸(HF)溶液,以去除硅片表面的氧化層;清洗的最后一步也是用HF溶液清洗。
現(xiàn)有的RCA清洗技術基本可滿足擴散結晶硅電池對硅片表面潔凈度的要求,非晶硅/單晶硅異質結太陽能電池的內建電場(PN結形成的電場)在硅片表面,表面的界面態(tài)會對電池性能有著舉足輕重的影響,因此該類電池對清洗后的表面潔凈度有著更高的要求。
但目前現(xiàn)有的硅片清洗方法中HF溶液本身內部可能含有一些金屬雜質,例如銅離子等,在刻蝕氧化硅的同時引入了新的雜質,或者前面清洗不徹底,存在一些金屬離子殘留,會增加少數(shù)載流子的表面復合,會降低少子壽命,影響開路電壓,進而影響電池光電轉換效率。
因此,如何降低清洗后太陽能電池硅片表面的金屬污染,提高清洗效果已成為本領域技術人員亟需解決的問題。
技術實現(xiàn)要素:
有鑒于此,本發(fā)明實施例提供一種太陽能電池硅片的清洗方法、太陽能電池的制備方法,可以進一步加強對太陽能電池硅片表面金屬污染物的清洗效果,進而提高太陽能電池的效率。
因此,本發(fā)明實施例提供了一種太陽能電池硅片的清洗方法,包括:
對太陽能電池硅片進行預清洗使得所述太陽能電池硅片表面產生氧化;
采用氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液對經過所述預清洗后的太陽能電池硅片進行刻蝕清洗。
在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,采用氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液對經過所述預清洗后的太陽能電池硅片進行刻蝕清洗,具體包括:
將經過所述預清洗后的太陽能電池硅片放入氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中浸泡預設時間進行刻蝕清洗后取出,并用去離子水對所述太陽能電池硅片進行沖洗。
在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,在所述氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中,所述氫氟酸的質量百分比和雙氧水的質量百分比相同。
在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,在所述氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中,所述氫氟酸的質量百分比為0.1wt%至2wt%,所述雙氧水的質量百分比為0.1wt%至2wt%,所述鹽酸的質量百分比為0.5wt%至5wt%。
在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,在所述氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中,所述氫氟酸的質量百分比為1wt%至1.5wt%,所述雙氧水的質量百分比為1wt%至1.5wt%,所述鹽酸的質量百分比為1.5wt%至3wt%。
在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,在所述氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中,所述氫氟酸的質量百分比為0.1wt%,所述雙氧水的質量百分比為0.1wt%,所述鹽酸的質量百分比為0.5wt%;或,
所述氫氟酸的質量百分比為2wt%,所述雙氧水的質量百分比為2wt%,所述鹽酸的質量百分比為5wt%;或,
所述氫氟酸的質量百分比為1wt%,所述雙氧水的質量百分比為1wt%,所述鹽酸的質量百分比為3wt%。
在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,所述太陽能電池硅片在所述氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中的浸泡預設時間為0.5min至10min。
在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,對太陽能電池硅片進行預清洗使得所述太陽能電池硅片表面產生氧化,具體包括:
將太陽能電池硅片放入氨水和雙氧水的混合溶液中浸泡預設時間后取出,并用去離子水對所述太陽能電池硅片進行沖洗;
將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入鹽酸和雙氧水的混合溶液中浸泡預設時間使得所述太陽能電池硅片表面產生氧化后取出,并用去離子水對所述太陽能電池硅片進行沖洗;
在對太陽能電池硅片進行預清洗之前,還包括:
將太陽能電池硅片放入氫氧化鈉溶液中浸泡預設時間后取出,并用去離子水對所述太陽能電池硅片進行沖洗;
將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入氫氧化鈉和制絨添加劑的混合溶液中,在預設時間后取出,并用去離子水對所述太陽能電池硅片進行沖洗。
在一種可能的實現(xiàn)方式中,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,在所述氨水和雙氧水的混合溶液中,所述氨水的質量百分比為29wt%,所述雙氧水的質量百分比為30wt%;
在所述鹽酸和雙氧水的混合溶液中,所述鹽酸的質量百分比為37wt%,所述雙氧水的質量百分比為30wt%;
在所述氫氧化鈉溶液中,所述氫氧化鈉的質量百分比為10wt%至30wt%;
在所述氫氧化鈉和制絨添加劑的混合溶液中,所述氫氧化鈉的質量百分比為5wt%,所述制絨添加劑的體積百分比為0.3vol%。
本發(fā)明實施例還提供了一種太陽能電池的制備方法,包括本發(fā)明實施例提供的上述的清洗方法。
本發(fā)明實施例的有益效果包括:
本發(fā)明實施例提供的一種太陽能電池硅片的清洗方法、太陽能電池的制備方法,該清洗方法包括:對太陽能電池硅片進行預清洗使得太陽能電池硅片表面產生氧化;采用氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液對經過預清洗后的太陽能電池硅片進行刻蝕清洗。本發(fā)明實施例提供的上述清洗方法中在利用氫氟酸和雙氧水對太陽能電池硅片的微刻蝕作用的基礎上,又加入了鹽酸對金屬離子的絡合作用,可以溶解殘留的金屬離子,進一步加強對太陽能電池硅片表面金屬污染物的清洗效果,進而降低太陽能電池硅片表面的金屬離子與太陽能電池硅片中的少子的復合,提高太陽能電池硅片中少子的壽命,從而提高太陽能電池的效率。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實施例提供的一種太陽能電池硅片的清洗方法流程圖之一;
圖2為本發(fā)明實施例提供的一種太陽能電池硅片的清洗方法流程圖之二;
圖3為本發(fā)明實施例提供的一種太陽能電池硅片的清洗方法流程圖之三;
圖4為本發(fā)明實施例提供的一種太陽能電池硅片的清洗方法流程圖之四;
圖5為本發(fā)明實施例提供的一種太陽能電池硅片的清洗方法流程圖之五。
具體實施方式
下面結合附圖,對本發(fā)明實施例提供的太陽能電池硅片的清洗方法的具體實施方式進行詳細地說明。
本發(fā)明實施例提供了一種太陽能電池硅片的清洗方法,如圖1所示,具體包括以下步驟:
S101、對太陽能電池硅片進行預清洗使得太陽能電池硅片表面產生氧化;
S102、采用氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液對經過預清洗后的太陽能電池硅片進行刻蝕清洗。
本發(fā)明實施例提供的一種太陽能電池硅片的清洗方法包括:首先對太陽能電池硅片進行預清洗使得太陽能電池硅片表面產生氧化;然后采用氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液對經過預清洗后的太陽能電池硅片進行刻蝕清洗。本發(fā)明實施例提供的上述清洗方法中在利用氫氟酸和雙氧水對太陽能電池硅片的微刻蝕作用的基礎上,又加入了鹽酸對金屬離子的絡合作用,可以溶解殘留的金屬離子,進一步加強對太陽能電池硅片表面金屬污染物的清洗效果,進而降低太陽能電池硅片表面的金屬離子與太陽能電池硅片中的少子的復合,特別是對非晶硅/單晶硅異質結電池a-Si/c-Si界面的鈍化效果有顯著改善,從而提高太陽能電池硅片中少子的壽命和電池的開路電壓,從而提高太陽能電池的效率。
需要說明的是,步驟S101中進行預清洗的太陽能電池硅片為未沉積功能材料的硅片,即尚未加工處理的硅片;氫氟酸和雙氧水對太陽能電池硅片具有微刻蝕作用,是由于雙氧水具有氧化性,可以把硅氧化成硅的氧化物,氫氟酸可以溶解硅的氧化物,以致產生對硅的微刻蝕作用。鹽酸對金屬離子具有絡合作用,是由于金屬離子可以與氯離子絡合,形成絡合物而溶解。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,如圖2所示,步驟S102采用氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液對經過預清洗后的太陽能電池硅片進行刻蝕清洗,具體可以采用如下方式實現(xiàn):
S201、將經過預清洗后的太陽能電池硅片放入氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中浸泡預設時間進行刻蝕清洗后取出,并用去離子水對太陽能電池硅片進行沖洗。
需要說明的是,上述步驟S201可以進行1-3次循環(huán)清洗,即在氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中浸泡后用去離子沖洗,依次重復循環(huán)1-3次;較佳地,進行3次循環(huán)清洗,可以達到更好的清洗效果。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,在氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中,氫氟酸的質量百分比和雙氧水的質量百分比可以設置為相同的,即氫氟酸和雙氧水的質量百分比為1:1時,清洗效果最好。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,在氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中,氫氟酸的質量百分比可以設置為0.1wt%至2wt%,雙氧水的質量百分比可以設置為0.1wt%至2wt%,鹽酸的質量百分比可以設置為0.5wt%至5wt%。
進一步地,在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,為了使清洗效果較佳,在氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中,氫氟酸的質量百分比可以設置為1wt%至1.5wt%,雙氧水的質量百分比可以設置為1wt%至1.5wt%,鹽酸的質量百分比可以設置為1.5wt%至3wt%。
進一步地,在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,為了使清洗效果更佳,在氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中,氫氟酸的質量百分比可以設置為1wt%,此時雙氧水的質量百分比可以設置為1wt%,鹽酸的質量百分比可以設置為3wt%;或,在氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中,氫氟酸的質量百分比也可以設置為0.1wt%,此時雙氧水的質量百分比可以設置為0.1wt%,鹽酸的質量百分比可以設置為0.5wt%;或,氫氟酸的質量百分比也可以設置為2wt%,此時雙氧水的質量百分比可以設置為2wt%,鹽酸的質量百分比可以設置為5wt%。
經試驗結果顯示,鹽酸的質量百分比增加有利于絡合作用的增強,但鹽酸的質量百分比過大會使氫氟酸的刻蝕效果變弱,所以不宜超過5wt%,鹽酸的質量百分比為2wt%時,氫氟酸、雙氧水和鹽酸的匹配最優(yōu),能夠發(fā)揮更好的清洗效果。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,太陽能電池硅片在氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中的浸泡預設時間可以設置為0.5min至10min,這樣設置的理由是時間低于30秒會造成氧化層刻蝕不徹底,時間過長(大于10min)會使太陽能電池硅片表面粗糙度增加,不利于表面的鈍化。進一步地,為了得到最佳的清洗效果,太陽能電池硅片在氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中的浸泡預設時間可以設置為2min至5min。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,如圖3所示,步驟S101對太陽能電池硅片進行預清洗使得太陽能電池硅片表面產生氧化,具體可以采用如下方式:
S301、將太陽能電池硅片放入氨水和雙氧水的混合溶液中浸泡預設時間后取出,并用去離子水對太陽能電池硅片進行沖洗;在該步驟中,在氨水和雙氧水的混合溶液中,氨水的質量百分比可以設置為29wt%,雙氧水的質量百分比可以設置為30wt%;
S302、將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入鹽酸和雙氧水的混合溶液中浸泡預設時間使得太陽能電池硅片表面產生氧化后取出,并用去離子水對太陽能電池硅片進行沖洗;在該步驟中,在鹽酸和雙氧水的混合溶液中,鹽酸的質量百分比可以設置為37wt%,雙氧水的質量百分比可以設置為30wt%。
需要說明的是,將太陽能電池硅片放入氨水和雙氧水的混合溶液中可以去除太陽能電池硅片表面雜質的清洗,可以去除太陽能電池硅片表面的有機物、顆粒和金屬元素等;將太陽能電池硅片放入鹽酸和雙氧水的混合溶液中可以對太陽能電池硅片進行氧化和絡合處理,進而可以去除太陽能電池硅片表面的金屬原子。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,如圖4所示,為了使太陽能電池硅片最大限度地減少光反射,提高短路電流(Isc),增加PN結面積,最終提高光電轉換效率,在執(zhí)行步驟S101對太陽能電池硅片進行預清洗使得太陽能電池硅片表面產生氧化之前,還可以具體包括以下步驟:
S401、對太陽能電池硅片進行去損傷層和制絨處理。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法中,如圖5所示,步驟S401對太陽能電池硅片進行去損傷層和制絨處理,具體可以采用如下方式:
S501、將太陽能電池硅片放入氫氧化鈉溶液中浸泡預設時間后取出,并用去離子水對太陽能電池硅片進行沖洗;在該步驟中,在氫氧化鈉溶液中,氫氧化鈉的質量百分比可以設置為10wt%至30wt%;
S502、將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入氫氧化鈉和制絨添加劑的混合溶液中,在預設時間后取出,并用去離子水對太陽能電池硅片進行沖洗;在該步驟中,在氫氧化鈉和制絨添加劑的混合溶液中,氫氧化鈉的質量百分比可以設置為5wt%,制絨添加劑的體積百分比可以設置為0.3vol%。
下面以兩個具體的實例詳細的說明本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片的清洗方法。
實例一:太陽能電池硅片的清洗方法的具體步驟如下:
步驟1、將太陽能電池硅片放入氫氧化鈉(NaOH)溶液中浸泡預設時間后取出,并用去離子水(DI water)對太陽能電池硅片進行沖洗,去除太陽能電池硅片表面的損傷層;
在具體實施時,首先,將太陽能電池硅片放入質量百分比為10wt%至30wt%的NaOH溶液中,該NaOH溶液的溫度優(yōu)選設定為75℃到85℃,將太陽能電池硅片放入NaOH溶液中2min至10min后取出,取出后用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,沖洗時間優(yōu)選為5min至10min。本發(fā)明具體實施例選擇的太陽能電池硅片的類型為N型,太陽能電池硅片的厚度為195μm,太陽能電池硅片的電阻率為1Ω·cm至5Ω·cm。
步驟2、將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入NaOH和制絨添加劑的混合溶液中,在預設時間后取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗;
在具體實施時,將太陽能電池硅片放入質量百分比為5wt%的NaOH和體積百分比為0.3vol%的制絨添加劑的混合溶液中,該混合溶液的溫度優(yōu)選設定為85℃,將太陽能電池硅片放入該混合溶液中20min后取出,取出后用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,沖洗時間優(yōu)選為5min至10min。
步驟3、將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入氨水(NH3·H2O)、雙氧水(H2O2)和水(H2O)的混合溶液中浸泡預設時間后取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗;
在具體實施時,將太陽能電池硅片放入配比為1:1:5的NH3·H2O、H2O2和H2O的混合溶液中,其中NH3·H2O的質量百分比為29wt%,H2O2的質量百分比為30wt%,該混合溶液的溫度優(yōu)選設定為75℃,將太陽能電池硅片放入該混合溶液中浸泡15min后取出,取出后用去DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,沖洗時間優(yōu)選為5min至10min。
步驟4、將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入鹽酸(HCl)、H2O2和H2O的混合溶液中浸泡預設時間使得太陽能電池硅片表面產生氧化后取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗;
在具體實施時,將太陽能電池硅片放入配比為1:1:6的HCl、H2O2和H2O的混合溶液中,其中HCl的質量百分比為37wt%,H2O2的質量百分比為30wt%,該混合溶液的溫度優(yōu)選設定為75℃,將太陽能電池硅片放入該混合溶液中浸泡15min后取出,取出后用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,沖洗時間優(yōu)選為5min至10min。
步驟5、將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入氫氟酸(HF)、H2O2和HCl的混合溶液中浸泡預設時間進行刻蝕清洗后取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗;
在具體實施時,選擇兩種條件作為比較,條件一:將太陽能電池硅片放入質量百分比為0.1wt%的HF、質量百分比為0.1wt%的H2O2和質量百分比為0.5wt%的HCl的混合溶液中進行刻蝕清洗,清洗時間優(yōu)選為2min至5min,將清洗后的太陽能電池硅片取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,沖洗時間優(yōu)選為2min至5min;條件二:將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入只具有HF的溶液中浸泡預設時間進行刻蝕清洗后取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,即將太陽能電池硅片放入質量百分比為0.1wt%的HF溶液中進行刻蝕清洗,清洗時間優(yōu)選為2min至5min,將清洗后的太陽能電池硅片取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,沖洗時間優(yōu)選為2min至5min。
至此,經過實例一提供的上述步驟1至步驟5清洗出了本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片。
實例二:太陽能電池硅片的清洗方法的具體步驟如下:
步驟6、將太陽能電池硅片放入氫氧化鈉(NaOH)溶液中浸泡預設時間后取出,并用去離子水(DI water)對太陽能電池硅片進行沖洗,去除太陽能電池硅片表面的損傷層;
在具體實施時,首先,將太陽能電池硅片放入質量百分比為10wt%至30wt%的NaOH溶液中,該NaOH溶液的溫度優(yōu)選設定為75℃到85℃,將太陽能電池硅片放入NaOH溶液中2min至10min后取出,取出后用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,沖洗時間優(yōu)選為5min至10min。本發(fā)明具體實施例選擇的太陽能電池硅片的類型為N型,太陽能電池硅片的厚度為195μm,太陽能電池硅片的電阻率為1Ω·cm至5Ω·cm。
步驟7、將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入NaOH和制絨添加劑的混合溶液中,在預設時間后取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗;
在具體實施時,將太陽能電池硅片放入質量百分比為5wt%的NaOH和體積百分比為0.3vol%的制絨添加劑的混合溶液中,該混合溶液的溫度優(yōu)選設定為85℃,將太陽能電池硅片放入該混合溶液中20min后取出,取出后用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,沖洗時間優(yōu)選為5min至10min。
步驟8、將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入氨水(NH3·H2O)、雙氧水(H2O2)和水(H2O)的混合溶液中浸泡預設時間后取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗;
在具體實施時,將太陽能電池硅片放入配比為1:1:5的NH3·H2O、H2O2和H2O的混合溶液中,其中NH3·H2O的質量百分比為29wt%,H2O2的質量百分比為30wt%,該混合溶液的溫度優(yōu)選設定為75℃,將太陽能電池硅片放入該混合溶液中浸泡15min后取出,取出后用去DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,沖洗時間優(yōu)選為5min至10min。
步驟9、將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入鹽酸(HCl)、H2O2和H2O的混合溶液中浸泡預設時間使得太陽能電池硅片表面產生氧化后取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗;
在具體實施時,將太陽能電池硅片放入配比為1:1:6的HCl、H2O2和H2O的混合溶液中,其中HCl的質量百分比為37wt%,H2O2的質量百分比為30wt%,該混合溶液的溫度優(yōu)選設定為75℃,將太陽能電池硅片放入該混合溶液中浸泡15min后取出,取出后用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,沖洗時間優(yōu)選為5min至10min。
步驟10、將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入氫氟酸(HF)、H2O2和HCl的混合溶液中浸泡預設時間進行刻蝕清洗后取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗;
在具體實施時,選擇兩種條件作為比較,條件三:將太陽能電池硅片放入質量百分比為1.5wt%的HF、質量百分比為1.5wt%的H2O2和質量百分比為3wt%的HCl的混合溶液中進行刻蝕清洗,清洗時間優(yōu)選為2min至5min,將清洗后的太陽能電池硅片取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,沖洗時間優(yōu)選為2min至5min;條件四:將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入只具有HF的溶液中浸泡預設時間進行刻蝕清洗后取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,即將太陽能電池硅片放入質量百分比為0.5wt%的HF溶液中進行刻蝕清洗,清洗時間優(yōu)選為2min至5min,將清洗后的太陽能電池硅片取出,并用DI water對太陽能電池硅片進行沖洗,沖洗時間優(yōu)選為2min至5min。
至此,經過實例二提供的上述步驟6至步驟10清洗出了本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片。
進一步地,為了比較出實例一和實例二的清洗效果,將實例一和實例二清洗出了本發(fā)明實施例提供的上述太陽能電池硅片采用等離子體增強化學氣相沉積法制作出硅異質結太陽能電池,具體步驟如下:
步驟11、分別將步驟5和步驟10清洗后的太陽能電池硅片放入甩干機中甩干;
步驟12、將甩干后的太陽能電池硅片放入PECVD設備中,在太陽能電池硅片兩面沉積非晶硅本征層和摻雜層,形成ip/c-Si/in結構;設備溫度可以設置在150℃;
步驟13、利用PVD設備,在上述步驟形成的ip/c-Si/in結構兩面各沉積100nm厚度的TCO膜層,形成電池;
步驟14、用銀漿料在上述步驟形成的電池兩面絲網(wǎng)印刷電極;
步驟15、將上述步驟制作的電池放入退火爐中,在大氣氣氛下進行退火處理,退火溫度可以設置為200℃,退火時間可以設置為30min;
步驟16、對經過退火處理后的電池進行少子壽命的測試,以及電池效率的測試。
經測試,實施例一中提供的條件一制作出的電池的少子壽命在4000-5000μs,光電轉換效率為21.5%;而條件二制作出的電池的少子壽命在2500-3500μs,光電轉換效率為21.2%;可見本發(fā)明實施例利用條件一制作出的電池的少子壽命得到了延長,光電轉換效率得到了提高。
實施例二中提供的條件三制作出的電池的少子壽命在4000-5000μs,光電轉換效率為21.6%;而條件二制作出的電池的少子壽命在2500-3500μs,光電轉換效率為21.3%;可見本發(fā)明實施例利用條件三制作出的電池的少子壽命得到了延長,光電轉換效率得到了提高。
經比較,本發(fā)明實施例利用條件三制作出的電池的光電轉換效率最高。
基于同一發(fā)明構思,本發(fā)明實施例還提供了一種太陽能電池的制備方法,包括采用上述的清洗方法。該太陽能電池的制備方法的實施可以參見上述太陽能電池硅片的清洗方法的實施例,重復之處不再贅述。
本發(fā)明實施例提供的一種太陽能電池硅片的清洗方法、太陽能電池的制備方法,該清洗方法包括:對太陽能電池硅片進行預清洗使得太陽能電池硅片表面產生氧化;采用氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液對經過預清洗后的太陽能電池硅片進行刻蝕清洗。本發(fā)明實施例提供的上述清洗方法中在利用氫氟酸和雙氧水對太陽能電池硅片的微刻蝕作用的基礎上,又加入了鹽酸對金屬離子的絡合作用,可以溶解殘留的金屬離子,進一步加強對太陽能電池硅片表面金屬污染物的清洗效果,進而降低太陽能電池硅片表面的金屬離子與太陽能電池硅片中的少子的復合,提高太陽能太陽能電池硅片中少子的壽命,從而提高太陽能電池的效率。
顯然,本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內,則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。