本發(fā)明涉及單晶硅片的清洗領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在單晶硅片的清洗過程中，通常會使用對設(shè)備零部件有較強氧化損傷的雙氧水，臭氧等化學(xué)品，如何在現(xiàn)有的槽式清洗設(shè)備和鏈式清洗設(shè)備情況下，提供一種清洗工藝，不使用對設(shè)備零部件有較強氧化損傷的雙氧水，臭氧等化學(xué)品，并且能夠把單晶硅片清洗干凈。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，如何使用現(xiàn)有的槽式清洗設(shè)備和鏈式清洗設(shè)備在不使用對設(shè)備零部件有較強氧化損傷的雙氧水，臭氧等化學(xué)品條件下，完成對單晶硅片的清洗。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種單晶硅片的清洗工藝，按照如下步驟進行
步驟一、槽式清洗，將單晶硅片浸泡在第一混酸中20-30分鐘，然后使用質(zhì)量百分比濃度為20%的KOH進行刻蝕清洗3-5分鐘，然后使用水清洗，然后使用質(zhì)量百分濃度為3%的HCl清洗3-5分鐘，然后再使用水清洗后在60攝氏度下烘干，第一混酸由HF和HCl混合而成，第一混酸中HF質(zhì)量百分比濃度為2%，HCl質(zhì)量百分濃度為3%；
步驟二、鏈式清洗，將經(jīng)過步驟一清洗過的單晶硅片浸泡在質(zhì)量百分比濃度為2%的KOH堿液中20-30分鐘，然后使用第二混酸進行刻蝕清洗3-5分鐘，然后使用水清洗，然后再使用質(zhì)量百分比濃度為5%的KOH堿液進行清洗，然后使用水清洗，然后使用質(zhì)量百分濃度為3%的HCl清洗3-5分鐘，然后再使用水清洗后在60攝氏度下烘干，第二混酸由HNO3和HF混合而成，第二混酸中HNO3質(zhì)量百分比濃度為20%，HF質(zhì)量百分比濃度為3%。
本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明不使用雙氧水，臭氧等化學(xué)品減少了對設(shè)備零部件的損壞；通過本發(fā)明清洗工藝清洗處理的單晶硅片，可以有效的提高硅片少子壽命，達到背面鈍化的效果；對硅片表面較差的砂漿切割單晶硅片，任然有效的達到清洗目的；單晶電池片的轉(zhuǎn)換效率提高了0.3%以上。
具體實施方式
一種單晶硅片的清洗工藝，按照如下步驟進行
步驟一、槽式清洗，使用現(xiàn)有的槽式清洗設(shè)備，不需要添加新設(shè)備，首先將需要清洗的單晶硅片浸泡在第一混酸中25分鐘，使單晶硅片表面被第一混酸浸潤，然后使用質(zhì)量百分比濃度為20%的KOH進行刻蝕清洗4分鐘，刻蝕量為7μm，使用第一混酸浸潤后的單晶硅片容易被刻蝕7μm左右，但是不易更深層的刻蝕，即能完成刻蝕清洗，又不會是硅片表面被刻蝕太多，然后使用水清洗，然后使用質(zhì)量百分濃度為3%的HCl清洗4分鐘，使用低濃度的HCl對硅片表面進行清洗，防止高濃度的堿液殘留對硅表面持續(xù)破壞，然后再使用水清洗后在60攝氏度下烘干，即使存在低濃度的HCl殘留，在烘干過程也會被揮發(fā)，不會對硅片表面再造成任何影響，第一混酸由HF和HCl混合而成，第一混酸中HF質(zhì)量百分比濃度為2%，HCl質(zhì)量百分濃度為3%；槽式清洗完成后，顯微鏡下硅片表面呈30μm左右的方塊結(jié)構(gòu)。
步驟二、鏈式清洗，使用現(xiàn)有的鏈式清洗設(shè)備進行清洗，將經(jīng)過步驟一清洗過的單晶硅片浸泡在質(zhì)量百分比濃度為2%的KOH堿液中30分鐘，使單晶硅片表面完全被KOH堿液浸潤，然后使用第二混酸進行刻蝕清洗4分鐘，刻蝕量為2μm，滾輪帶速控制在1.0m/min，使用低濃度KOH堿液浸潤后的單晶硅片容易被第二混酸刻蝕2μm左右，但是不易更深層的刻蝕，即能完成刻蝕清洗，又不會是硅片表面被刻蝕太多，然后使用水清洗，然后再使用質(zhì)量百分比濃度為5%的KOH堿液進行清洗，使用低濃度的KOH堿液清楚硅片表面的第二混酸殘留，然后使用水清洗，然后使用質(zhì)量百分濃度為3%的HCl清洗4分鐘，使用低濃度的HCl對硅片表面進行清洗，防止堿液殘留對硅表面持續(xù)破壞，然后再使用水清洗后在60攝氏度下烘干，即使存在低濃度的HCl殘留，在烘干過程也會被揮發(fā)，不會對硅片表面再造成任何影響，第二混酸由HNO3和HF混合而成，第二混酸中HNO3質(zhì)量百分比濃度為20%，HF質(zhì)量百分比濃度為3%。鏈式清洗工藝完成后，顯微鏡下硅片表面無變化，方塊結(jié)構(gòu)未變化。
兩次清洗工藝完成后，硅片總刻蝕量控制在9μm，顯微鏡下硅片表面為30μm左右的方塊結(jié)構(gòu)，肉眼觀察無臟污，斑點等異常。
最終對砂漿切割單晶電池片，少子壽命可以提高30μs，電池片鈍化后開路電壓Uoc提高10mV，相比普通工藝，單晶電池轉(zhuǎn)換效率提高0.8%。