本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED封裝方法與OLED封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對(duì)比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

OLED按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動(dòng)顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

OLED器件通常包括：基板、設(shè)于基板上的陽極、設(shè)于陽極上的空穴注入層、設(shè)于空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層、設(shè)于電子傳輸層上的電子注入層、及設(shè)于電子注入層上的陰極。OLED器件的發(fā)光原理為半導(dǎo)體材料和有機(jī)發(fā)光材料在電場驅(qū)動(dòng)下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光。具體的，OLED器件通常采用氧化銦錫(ITO)電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅(qū)動(dòng)下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

OLED器件的封裝材料多使用致密度高且具有良好導(dǎo)熱性的材料，以確保OLED器件中的有機(jī)層及電極層材料與外界環(huán)境完全隔離，并有效排出OLED器件長時(shí)間工作所產(chǎn)生的熱能。類金剛石(Diamond-Like Carbon，DLC)具有良好的抗磨耗性能、較佳的耐腐蝕性、高致密度以及高熱傳導(dǎo)性，同時(shí)對(duì)濕氣具有較低的水穿透率，因此相對(duì)于一般的有機(jī)材料或陶瓷材料來說，在OLED的封裝工藝上具有一定的優(yōu)勢。

目前，應(yīng)用DLC材料的OLED封裝結(jié)構(gòu)一般采用DLC膜/緩沖層/DLC膜/緩沖層交替的結(jié)構(gòu)，如Kuang-Jung Chen在專利US20040056269中的封裝結(jié)構(gòu)采用DLC膜與緩沖層交替的方式，DLC膜用于阻隔外界的水氧，緩沖層用于緩解應(yīng)力。隨后，在CN1328936C、US20060078677等專利中都可以看到一系列此類型的封裝工藝。然而，由于純DLC膜的密度較高，因此光穿透性不高，而且膜的應(yīng)力很大，在彎曲時(shí)容易出現(xiàn)裂痕。

Xiaowei Li等人在Elsevier上報(bào)道了采用不同濃度的鈦(Ti)摻雜DLC后對(duì)DLC膜的應(yīng)力大小的影響，結(jié)果表明，隨著Ti含量的增加，膜應(yīng)力呈現(xiàn)先減小后增大的趨勢，該研究為解決DLC膜在彎曲時(shí)易出現(xiàn)裂痕的問題提供了很好的指導(dǎo)方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED封裝方法，能夠提高OLED薄膜封裝層的光透過率、彎折特性、熱傳導(dǎo)能力及阻隔水氧能力，進(jìn)而提高柔性O(shè)LED顯示面板的使用性能與使用壽命。

本發(fā)明的目的還在于提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，能夠提高OLED薄膜封裝層的光透過率、彎折特性、熱傳導(dǎo)能力及阻隔水氧能力，進(jìn)而提高柔性O(shè)LED顯示面板的使用性能與使用壽命。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種OLED封裝方法的第一實(shí)施例，包括如下步驟：

步驟1、提供OLED器件，在所述OLED器件上形成第一無機(jī)層，所述第一無機(jī)層整面覆蓋所述OLED器件；

步驟2、在所述第一無機(jī)層上形成第一鈦摻雜類金剛石膜層，所述第一鈦摻雜類金剛石膜層整面覆蓋所述第一無機(jī)層；

步驟3、在所述第一鈦摻雜類金剛石膜層上形成第一有機(jī)層，所述第一有機(jī)層整面覆蓋所述第一鈦摻雜類金剛石膜層；

步驟4、在所述第一有機(jī)層上形成第二無機(jī)層，所述第二無機(jī)層整面覆蓋所述第一有機(jī)層。

本發(fā)明還提供一種OLED封裝方法的第二實(shí)施例，其與上述OLED封裝方法的第一實(shí)施例的區(qū)別在于，還包括：

步驟5、在所述第二無機(jī)層上形成第二鈦摻雜類金剛石膜層，所述第二鈦摻雜類金剛石膜層整面覆蓋所述第二無機(jī)層。

本發(fā)明還提供一種OLED封裝方法的第三實(shí)施例，其與上述OLED封裝方法的第一實(shí)施例的區(qū)別在于，還包括：

步驟5’、在所述第二無機(jī)層上形成第二有機(jī)層，所述第二有機(jī)層整面覆蓋所述第二無機(jī)層；

在所述第二有機(jī)層上形成第三無機(jī)層，所述第三無機(jī)層整面覆蓋所述第二有機(jī)層。

本發(fā)明還提供一種OLED封裝方法的第四實(shí)施例，其與上述OLED封裝方法的第二實(shí)施例的區(qū)別在于，還包括：

步驟6、在所述第二鈦摻雜類金剛石膜層上形成第二有機(jī)層，所述第二有機(jī)層整面覆蓋所述第二鈦摻雜類金剛石膜層；

在所述第二有機(jī)層上形成第三無機(jī)層，所述第三無機(jī)層整面覆蓋所述第二有機(jī)層。

本發(fā)明還提供一種OLED封裝方法的第五實(shí)施例，其與上述OLED封裝方法的第四實(shí)施例的區(qū)別在于，還包括：

步驟7、在所述第三無機(jī)層上形成第三鈦摻雜類金剛石膜層，所述第三鈦摻雜類金剛石膜層整面覆蓋所述第三無機(jī)層。

本發(fā)明還提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例，包括OLED器件、設(shè)于OLED器件上且整面覆蓋所述OLED器件的第一無機(jī)層、設(shè)于第一無機(jī)層上且整面覆蓋所述第一無機(jī)層的第一鈦摻雜類金剛石膜層、設(shè)于第一鈦摻雜類金剛石膜層上且整面覆蓋所述第一鈦摻雜類金剛石膜層的第一有機(jī)層、以及設(shè)于第一有機(jī)層上且整面覆蓋所述第一有機(jī)層的第二無機(jī)層。

本發(fā)明還提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例，其與上述OLED封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的區(qū)別在于，還包括：設(shè)于所述第二無機(jī)層上且整面覆蓋所述第二無機(jī)層的第二鈦摻雜類金剛石膜層。

本發(fā)明還提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例，其與上述OLED封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的區(qū)別在于，還包括：設(shè)于所述第二無機(jī)層上且整面覆蓋所述第二無機(jī)層的第二有機(jī)層、以及設(shè)于所述第二有機(jī)層上且整面覆蓋所述第二有機(jī)層的第三無機(jī)層。

本發(fā)明還提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例，其與上述OLED封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的區(qū)別在于，還包括：設(shè)于所述第二鈦摻雜類金剛石膜層上且整面覆蓋所述第二鈦摻雜類金剛石膜層的第二有機(jī)層、以及設(shè)于所述第二有機(jī)層上且整面覆蓋所述第二有機(jī)層的第三無機(jī)層。

本發(fā)明還提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例，其與上述OLED封裝結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例的區(qū)別在于，還包括：設(shè)于所述第三無機(jī)層上且整面覆蓋所述第三無機(jī)層的第三鈦摻雜類金剛石膜層。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種OLED封裝方法與OLED封裝結(jié)構(gòu)，通過在OLED薄膜封裝層中引入鈦摻雜類金剛石膜層，利用鈦摻雜類金剛石膜層較高的光透過率、較好的柔性、高熱傳導(dǎo)性以及較低的水氧透過率，來提高OLED薄膜封裝層的光透過率、彎折特性、熱傳導(dǎo)能力及阻隔水氧能力，進(jìn)而提高柔性O(shè)LED顯示面板的使用性能與使用壽命。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的OLED封裝方法的第一實(shí)施例的流程圖；

圖2-3為本發(fā)明的OLED封裝方法的第一實(shí)施例的步驟1的示意圖；

圖4為本發(fā)明的OLED封裝方法的第一實(shí)施例的步驟2的示意圖；

圖5為本發(fā)明的OLED封裝方法的第一實(shí)施例的步驟3的示意圖；

圖6為本發(fā)明的OLED封裝方法的第一實(shí)施例的步驟4的示意圖暨本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的剖視示意圖；

圖7為本發(fā)明的OLED封裝方法的第二實(shí)施例的步驟5的示意圖暨本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的剖視示意圖；

圖8為本發(fā)明的OLED封裝方法的第三實(shí)施例的步驟5’的示意圖暨本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的剖視示意圖；

圖9為本發(fā)明的OLED封裝方法的第四實(shí)施例的步驟6的示意圖暨本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例的剖視示意圖；

圖10為本發(fā)明的OLED封裝方法的第五實(shí)施例的步驟7的示意圖暨本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例的剖視示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖1，為本發(fā)明的OLED封裝方法的第一實(shí)施例，其包括如下步驟：

步驟1、如圖2與圖3所示，提供OLED器件101，在所述OLED器件101上形成第一無機(jī)層201，所述第一無機(jī)層201整面覆蓋所述OLED器件101。

具體的，所述步驟1中，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)、脈沖激光沉積(Pulsed Laser Deposition，PLD)、或者濺射(Sputter)的方式形成第一無機(jī)層201。

具體的，所述第一無機(jī)層201的材料包括氧化鋁(Al₂O₃)、二氧化鈦(TiO₂)、氮化硅(SiN_x)、碳氮化硅(SiCN_x)、及氧化硅(SiO_x)中的一種或多種。

具體的，所述第一無機(jī)層201的厚度為0.5μm-1μm。

具體的，所述第一無機(jī)層201的作用在于阻隔外界水氧對(duì)OLED器件101的侵蝕。

步驟2、如圖4所示，在所述第一無機(jī)層201上形成第一鈦摻雜類金剛石膜(Ti doped in DLC film)層301，所述第一鈦摻雜類金剛石膜層301整面覆蓋所述第一無機(jī)層201。

具體的，所述步驟2中，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、高密度電漿化學(xué)氣相沉積(High Density Plasma CVD，HDPCVD)、或者感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積(Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition，ICPCVD)的方式形成第一鈦摻雜類金剛石膜層301。

具體的，所述第一鈦摻雜類金剛石膜層301的材料為摻雜鈦元素的類金剛石，其中，鈦元素的含量為1wt％～10wt％。

具體的，所述第一鈦摻雜類金剛石膜層301的厚度為1nm-1000nm。

通過將鈦元素?fù)饺腩惤饎偸ぶ校梢越档皖惤饎偸さ拿芏?，從而提高類金剛石膜的光透過率，同時(shí)降低類金剛石膜的應(yīng)力，提高類金剛石膜的柔性；因此，本發(fā)明通過在OLED薄膜封裝層中設(shè)置第一鈦摻雜類金剛石膜層301，利用第一鈦摻雜類金剛石膜層301較高的光透過率、較好的柔性、高熱傳導(dǎo)性、以及較低的水氧透過率，來提高OLED薄膜封裝層的光透過率、彎折特性、熱傳導(dǎo)能力及阻隔水氧能力，進(jìn)而提高柔性O(shè)LED顯示面板的使用性能與使用壽命。

具體的，通過提高OLED薄膜封裝層的光透過率，可以提高OLED器件101的光輸出效率；通過提高OLED薄膜封裝層的熱傳導(dǎo)能力，可以有效的將OLED器件101中的熱量傳遞到外界，提高OLED器件101的使用壽命；通過提高OLED薄膜封裝層的阻隔水氧能力，可以保護(hù)OLED器件101不受外界水氧的侵蝕，進(jìn)一步提高OLED器件101的使用壽命；通過提高OLED薄膜封裝層的彎折特性，可以防止OLED薄膜封裝層在彎曲時(shí)出現(xiàn)裂紋，提高OLED薄膜封裝層的使用壽命。

步驟3、如圖5所示，在所述第一鈦摻雜類金剛石膜層301上形成第一有機(jī)層401，所述第一有機(jī)層401整面覆蓋所述第一鈦摻雜類金剛石膜層301。

具體的，所述步驟3中，利用噴墨打印(Ink Jet Printing，IJP)或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方式形成第一有機(jī)層401。

具體的，所述第一有機(jī)層401的材料包括丙烯酸脂(Acrylic)、六甲基二甲硅醚(HMDSO)、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一種或多種。

具體的，所述第一有機(jī)層401的厚度為4μm-8μm。

具體的，所述第一有機(jī)層401主要起到緩解柔性O(shè)LED顯示面板在彎曲、折疊時(shí)的應(yīng)力以及平坦化的作用。

步驟4、如圖6所示，在所述第一有機(jī)層401上形成第二無機(jī)層202，所述第二無機(jī)層202整面覆蓋所述第一有機(jī)層401。

具體的，所述步驟4中，所述第二無機(jī)層202的材質(zhì)、厚度及制備工藝與所述第一無機(jī)層201相同。

請(qǐng)參閱圖2至圖6，同時(shí)參閱圖7，為本發(fā)明的OLED封裝方法的第二實(shí)施例，所述OLED封裝方法的第二實(shí)施例的步驟1至步驟4與所述OLED封裝方法的第一實(shí)施例相同，區(qū)別在于，還包括：

步驟5、如圖7所示，在所述第二無機(jī)層202上形成第二鈦摻雜類金剛石膜層302，所述第二鈦摻雜類金剛石膜層302整面覆蓋所述第二無機(jī)層202。

具體的，所述步驟5中，所述第二鈦摻雜類金剛石膜層302的材質(zhì)、厚度及制備工藝與所述第一鈦摻雜類金剛石膜層301相同。

請(qǐng)參閱圖2至圖6，同時(shí)參閱圖8，為本發(fā)明的OLED封裝方法的第三實(shí)施例，所述OLED封裝方法的第三實(shí)施例的步驟1至步驟4與所述OLED封裝方法的第一實(shí)施例相同，區(qū)別在于，還包括：

步驟5’、如圖8所示，在所述第二無機(jī)層202上形成第二有機(jī)層402，所述第二有機(jī)層402整面覆蓋所述第二無機(jī)層202；

在所述第二有機(jī)層402上形成第三無機(jī)層203，所述第三無機(jī)層203整面覆蓋所述第二有機(jī)層402。

具體的，所述步驟5’中，所述第二有機(jī)層402的材質(zhì)、厚度及制備工藝與所述第一有機(jī)層401相同；所述第三無機(jī)層203的材質(zhì)、厚度及制備工藝與所述第一無機(jī)層201及第二無機(jī)層202相同。

請(qǐng)參閱圖2至圖7，同時(shí)參閱圖9，為本發(fā)明的OLED封裝方法的第四實(shí)施例，所述OLED封裝方法的第四實(shí)施例的步驟1至步驟5與所述OLED封裝方法的第二實(shí)施例相同，區(qū)別在于，還包括：

步驟6、如圖9所示，在所述第二鈦摻雜類金剛石膜層302上形成第二有機(jī)層402，所述第二有機(jī)層402整面覆蓋所述第二鈦摻雜類金剛石膜層302；

在所述第二有機(jī)層402上形成第三無機(jī)層203，所述第三無機(jī)層203整面覆蓋所述第二有機(jī)層402。

具體的，所述步驟6中，所述第二有機(jī)層402的材質(zhì)、厚度及制備工藝與所述第一有機(jī)層401相同；所述第三無機(jī)層203的材質(zhì)、厚度及制備工藝與所述第一無機(jī)層201及第二無機(jī)層202相同。

請(qǐng)參閱圖2至圖7、圖9，同時(shí)參閱圖10，為本發(fā)明的OLED封裝方法的第五實(shí)施例，所述OLED封裝方法的第五實(shí)施例的步驟1至步驟6與所述OLED封裝方法的第四實(shí)施例相同，區(qū)別在于，還包括：

步驟7、如圖10所示，在所述第三無機(jī)層203上形成第三鈦摻雜類金剛石膜層303，所述第三鈦摻雜類金剛石膜層303整面覆蓋所述第三無機(jī)層203。

具體的，所述步驟7中，所述第三鈦摻雜類金剛石膜層303的材質(zhì)、厚度及制備工藝與所述第一鈦摻雜類金剛石膜層301及第二鈦摻雜類金剛石膜層302相同。

上述OLED封裝方法，通過在OLED薄膜封裝層中引入鈦摻雜類金剛石膜層，利用鈦摻雜類金剛石膜層較高的光透過率、較好的柔性、高熱傳導(dǎo)性以及較低的水氧透過率，來提高OLED薄膜封裝層的光透過率、彎折特性、熱傳導(dǎo)能力及阻隔水氧能力，進(jìn)而提高柔性O(shè)LED顯示面板的使用性能與使用壽命。

基于上述OLED封裝方法，本發(fā)明還提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參閱圖6，為本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例，其包括OLED器件101、設(shè)于OLED器件101上且整面覆蓋所述OLED器件101的第一無機(jī)層201、設(shè)于第一無機(jī)層201上且整面覆蓋所述第一無機(jī)層201的第一鈦摻雜類金剛石膜層301、設(shè)于第一鈦摻雜類金剛石膜層301上且整面覆蓋所述第一鈦摻雜類金剛石膜層301的第一有機(jī)層401、以及設(shè)于第一有機(jī)層401上且整面覆蓋所述第一有機(jī)層401的第二無機(jī)層202。

具體的，所述第一無機(jī)層201的材料包括氧化鋁(Al₂O₃)、二氧化鈦(TiO₂)、氮化硅(SiN_x)、碳氮化硅(SiCN_x)、及氧化硅(SiO_x)中的一種或多種。

具體的，所述第一無機(jī)層201的厚度為0.5μm-1μm。

具體的，所述第一鈦摻雜類金剛石膜層301的材料為摻雜鈦元素的類金剛石，其中，鈦元素的含量為1wt％～10wt％。

具體的，所述第一鈦摻雜類金剛石膜層301的厚度為1nm-1000nm。

具體的，所述第一有機(jī)層401的材料包括丙烯酸脂(Acrylic)、六甲基二甲硅醚(HMDSO)、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一種或多種。

具體的，所述第一有機(jī)層401的厚度為4μm-8μm。

具體的，所述第二無機(jī)層202的材質(zhì)及厚度與所述第一無機(jī)層201相同。

請(qǐng)參閱圖7，為本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例，所述OLED封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例與所述OLED封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施的區(qū)別在于，還包括：設(shè)于所述第二無機(jī)層202上且整面覆蓋所述第二無機(jī)層202的第二鈦摻雜類金剛石膜層302。

具體的，所述第二鈦摻雜類金剛石膜層302的材質(zhì)及厚度與所述第一鈦摻雜類金剛石膜層301相同。

請(qǐng)參閱圖8，為本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例，所述OLED封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例與所述OLED封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的區(qū)別在于，還包括：設(shè)于所述第二無機(jī)層202上且整面覆蓋所述第二無機(jī)層202的第二有機(jī)層402、以及設(shè)于所述第二有機(jī)層402上且整面覆蓋所述第二有機(jī)層402的第三無機(jī)層203。

具體的，所述第二有機(jī)層402的材質(zhì)及厚度與所述第一有機(jī)層401相同；所述第三無機(jī)層203的材質(zhì)及厚度與所述第一無機(jī)層201及第二無機(jī)層202相同。

請(qǐng)參閱圖9，為本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例，所述OLED封裝結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例與所述OLED封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的區(qū)別在于，還包括：

設(shè)于所述第二鈦摻雜類金剛石膜層302上且整面覆蓋所述第二鈦摻雜類金剛石膜層302的第二有機(jī)層402、以及設(shè)于所述第二有機(jī)層402上且整面覆蓋所述第二有機(jī)層402的第三無機(jī)層203。

具體的，所述第二有機(jī)層402的材質(zhì)及厚度與所述第一有機(jī)層401相同；所述第三無機(jī)層203的材質(zhì)及厚度與所述第一無機(jī)層201及第二無機(jī)層202相同。

請(qǐng)參閱圖10，為本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例，所述OLED封裝結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例與所述OLED封裝結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例的區(qū)別在于，還包括：設(shè)于所述第三無機(jī)層203上且整面覆蓋所述第三無機(jī)層203的第三鈦摻雜類金剛石膜層303。

具體的，所述第三鈦摻雜類金剛石膜層303的材質(zhì)及厚度與所述第一鈦摻雜類金剛石膜層301及第二鈦摻雜類金剛石膜層302相同。

上述OLED封裝結(jié)構(gòu)，通過在OLED薄膜封裝層中引入鈦摻雜類金剛石膜層，利用鈦摻雜類金剛石膜層較高的光透過率、較好的柔性、高熱傳導(dǎo)性以及較低的水氧透過率，來提高OLED薄膜封裝層的光透過率、彎折特性、熱傳導(dǎo)能力及阻隔水氧能力，進(jìn)而提高柔性O(shè)LED顯示面板的使用性能與使用壽命。

綜上所述，本發(fā)明的OLED封裝方法與OLED封裝結(jié)構(gòu)，通過在OLED薄膜封裝層中引入鈦摻雜類金剛石膜層，利用鈦摻雜類金剛石膜層較高的光透過率、較好的柔性、高熱傳導(dǎo)性以及較低的水氧透過率，來提高OLED薄膜封裝層的光透過率、彎折特性、熱傳導(dǎo)能力及阻隔水氧能力，進(jìn)而提高柔性O(shè)LED顯示面板的使用性能與使用壽命。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。