此申請要求2015年11月3日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請第10-2015-0154042號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其內(nèi)容通過引用被整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括兩個(gè)電極和位于它們之間的發(fā)射層，其中從一個(gè)電極注入的電子和從另一電極注入的空穴在發(fā)射層中結(jié)合在一起，以生成激子。激子發(fā)射能量，以發(fā)射光。有機(jī)發(fā)光二極管顯示器通過使用發(fā)射的光來顯示圖像。

有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括有機(jī)發(fā)光二極管。有機(jī)發(fā)光二極管包括陽極、陰極、以及設(shè)置在陽極和陰極之間的發(fā)射層。

可在陰極上形成覆蓋層，以提高顯示器的光提取效率。

在此背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于增強(qiáng)對發(fā)明的背景的理解，因此它可能包含不構(gòu)成本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已經(jīng)知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的簡化制造方法及通過該方法制造的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括：基板；在所述基板上的薄膜晶體管；連接到所述薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光二極管；以及在所述有機(jī)發(fā)光二極管上的覆蓋層。所述覆蓋層包括金屬氫化物。

所述有機(jī)發(fā)光二極管可以包括：連接到所述薄膜晶體管的第一電極；在所述第一電極上的發(fā)光構(gòu)件；以及在所述發(fā)光構(gòu)件上的第二電極，所述覆蓋層可以在所述第二電極上。

所述第一電極可以是反射層，所述第二電極可以是半透射層。

所述金屬氫化物可以包括鎂。

所述第二電極可以包括鎂。

所述金屬氫化物可以包括銀-鎂合金。

所述第二電極可以包括銀-鎂合金。

所述覆蓋層可以直接在所述第二電極上。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括在所述覆蓋層上的薄膜封裝層。

所述覆蓋層可以具有大于約70％的透射率和約1.5至約2.5的折射率。

根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法包括：在基板上形成薄膜晶體管；形成被連接到所述薄膜晶體管的第一電極；在所述第一電極上形成發(fā)光構(gòu)件；在所述發(fā)光構(gòu)件上形成金屬層；以及將所述金屬層的一部分與氫反應(yīng)，以形成在所述發(fā)光構(gòu)件上的第二電極和在所述第二電極上的覆蓋層。

所述覆蓋層可以包括金屬氫化物。

所述金屬層的厚度可以是所述第二電極的厚度和所述覆蓋層的厚度的總和。

形成所述第二電極和所述覆蓋層可以包括用氫等離子體處理所述金屬層。

所述金屬層和所述第二電極可以包括鎂。

所述金屬氫化物可以通過將所述鎂與氫進(jìn)行反應(yīng)而形成。

所述金屬層和所述第二電極可以包括銀-鎂合金。

所述金屬氫化物可以通過將所述銀-鎂合金與氫反應(yīng)而形成。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造工藝被簡化。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的等效電路圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的示意性截面圖。

圖3至圖5是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法的圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的布局圖。

圖7是沿圖6的線VII-VII截取的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的截面圖。

圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的示意性截面圖。

具體實(shí)施方式

在下文中將參考其中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例的附圖更充分地描述本發(fā)明的方面和特征。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到的那樣，所描述的實(shí)施例可以以各種不同的方式修改，所有這些都不脫離本發(fā)明的精神或范圍。

為了清楚地描述本發(fā)明，可以省略對于理解本發(fā)明不是必需的部分。在整個(gè)說明書中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。

在圖中，為了清楚，層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和厚度可能被夸大了。在圖中，為了更好地理解和便于描述，一些層和區(qū)域的尺寸和厚度被夸大了。此外，將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ氨贿B接到”或“被結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在另一元件或?qū)由稀⒈恢苯舆B接到或結(jié)合到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“被直接連接到”或“被直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。例如，當(dāng)?shù)谝辉幻枋鰹椤氨唤Y(jié)合”或“被連接”到第二元件時(shí)，第一元件可以被直接結(jié)合或連接到第二元件，或者第一元件可以經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)中間元件被間接結(jié)合或連接到第二元件。

將進(jìn)一步理解的是，當(dāng)在此說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括”和/或“包含”表明存在所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。出于易于描述的目的，在本文中使用了諸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空間相對術(shù)語來描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征相對于另一個(gè)元件或特征的關(guān)系。將理解的是，除了圖中描述的方位之外，空間相對術(shù)語意在包含設(shè)備在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件則將被定向?yàn)樵谄渌蛱卣鞯摹吧戏健被颉爸稀?。因此，術(shù)語“下方”可以包括上方和下方兩種方位。設(shè)備可被另外定向(例如旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方向)，本文使用的空間相對描述符可以進(jìn)行相應(yīng)的解釋。此外，如本文所用，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目的一個(gè)或多個(gè)的任意和所有組合。更進(jìn)一步，當(dāng)描述本發(fā)明的實(shí)施例時(shí)，使用“可以”指的是“本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例”。當(dāng)放在一列元件之前時(shí)，諸如“至少一個(gè)”的表述修飾的是整列元件，而不是修飾該列中的單獨(dú)元件。此外，術(shù)語“示例性”意指示例或例示。

此外，本文中公開和/或列舉的任何數(shù)值范圍意在包括包含在所列舉范圍內(nèi)的相同數(shù)值精度的所有子范圍。例如“1.0至10.0”的范圍意在包括在列舉的最小值1.0和列舉的最大值10.0之間(且包括這兩個(gè)值)的所有子范圍，也就是說，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，例如2.4至7.6。在本文中列舉的任何最大數(shù)值限制意在包括在本文中包含的所有更小數(shù)值限制，此說明書中列舉的任何最小數(shù)值限制意在包括在本文中包含的所有更大數(shù)值限制。因此，申請人保留修改此說明書(包括權(quán)利要求書)的權(quán)利，以明確列舉包含在本文中明確列舉的范圍內(nèi)的任何子范圍。所有這樣的范圍意在固有地在本說明書中描述，以便明確列舉任何這樣的子范圍的修改符合中國專利法的要求。

此外，在此說明書中，術(shù)語“在平面上”表示從上觀察某個(gè)部分，術(shù)語“在橫截面上”表示從一側(cè)觀察通過垂直切割某個(gè)部分得到的橫截面。

下面將參考圖1和圖2進(jìn)一步描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的等效電路圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的示意性截面圖。

參考圖1，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括多條信號線以及被連接到多條信號線并大體以矩陣形式排列的像素PX。

信號線包括用于傳輸柵極信號(或掃描信號)的柵極線121、用于傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線171、以及用于傳輸驅(qū)動電壓VDD的驅(qū)動電壓線172。

柵極線121被設(shè)置為大體在行方向上延伸并大體彼此平行，數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172被設(shè)置為大體在列方向上延伸并大體彼此平行。

像素PX的每一個(gè)包括開關(guān)薄膜晶體管Qs、驅(qū)動薄膜晶體管Qd、存儲電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管LD(或OLED)。

開關(guān)薄膜晶體管Qs包括控制端、輸入端和輸出端。在開關(guān)薄膜晶體管Qs中，控制端被連接到柵極線121，輸入端被連接到數(shù)據(jù)線171，輸出端被連接到驅(qū)動薄膜晶體管Qd。開關(guān)薄膜晶體管Qs響應(yīng)于施加到柵極線121的柵極信號將施加到數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)津?qū)動薄膜晶體管Qd。

驅(qū)動薄膜晶體管Qd也包括控制端、輸入端和輸出端。在驅(qū)動薄膜晶體管Qd中，控制端被連接到開關(guān)薄膜晶體管Qs，輸入端被連接到驅(qū)動電壓線172，輸出端被連接到有機(jī)發(fā)光二極管LD。驅(qū)動薄膜晶體管Qd輸出輸出電流Id，其大小根據(jù)施加在控制端和輸出端之間的電壓變化。

存儲電容器Cst被連接在驅(qū)動薄膜晶體管Qd的控制端和輸入端之間。存儲電容器Cst充入施加到驅(qū)動薄膜晶體管Qd的控制端的數(shù)據(jù)信號，并在即使開關(guān)薄膜晶體管Qs被截止之后維持充入的數(shù)據(jù)信號。

有機(jī)發(fā)光二極管LD包括連接到驅(qū)動薄膜晶體管Qd的輸出端的陽極和連接到公共電壓VSS的陰極。有機(jī)發(fā)光二極管LD發(fā)射其強(qiáng)度根據(jù)驅(qū)動薄膜晶體管Qd的輸出電流Id而變化的光，以顯示圖像。

開關(guān)薄膜晶體管Qs和驅(qū)動薄膜晶體管Qd是n溝道場效應(yīng)晶體管(FET)；然而，開關(guān)薄膜晶體管Qs和/或驅(qū)動薄膜晶體管Qd可以是p溝道FET。此外，晶體管Qs和Qd、存儲電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管LD之間的連接關(guān)系可以改變。

參考圖2，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括第一基板110、以及設(shè)置在第一基板110上的薄膜晶體管T、絕緣層170、有機(jī)發(fā)光二極管LD、像素限定層190、覆蓋層200和第二基板210。

薄膜晶體管T被設(shè)置在第一基板110上。絕緣層170覆蓋薄膜晶體管T，并被設(shè)置在第一基板110的整個(gè)表面上。在此實(shí)施例中，薄膜晶體管T可以是驅(qū)動薄膜晶體管。

有機(jī)發(fā)光二極管LD和像素限定層190被設(shè)置在絕緣層170上。

有機(jī)發(fā)光二極管LD包括第一電極191、第二電極193、以及位于第一電極191和第二電極193之間的發(fā)光構(gòu)件192(例如發(fā)光層)。有機(jī)發(fā)光二極管LD根據(jù)從薄膜晶體管T傳輸?shù)尿?qū)動信號而發(fā)光。

第一電極191是有機(jī)發(fā)光二極管LD的陽極電極并將空穴注入到發(fā)光構(gòu)件192，第二電極193是有機(jī)發(fā)光二極管LD的陰極電極并將電子注入到發(fā)光構(gòu)件192。然而，這些組件不限于此，第一電極191可以是陰極，第二電極193可以是陽極。

在本示例性實(shí)施例中，第一電極191可以是反射層，第二電極193可以是半透射層。因此，從發(fā)光構(gòu)件192產(chǎn)生的光穿過第二電極193發(fā)出。例如，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有前發(fā)射型顯示設(shè)備的諧振結(jié)構(gòu)。

反射層和半透射層包括金屬，諸如鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、鋁(Al)和/或它們的合金。在一個(gè)實(shí)施例中，反射層和半透射層可以由它們各自的厚度來確定。在一個(gè)實(shí)施例中，半透射層具有小于約200nm的厚度。隨著半透射層的厚度減小，其透光率增加，而隨著它的厚度增加，其透光率減小。

在本示例性實(shí)施例中，第一電極191可以包括金屬，諸如鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、鋁(Al)和/或它們的合金，第二電極193可以包括鎂(Mg)和/或銀-鎂(Ag-Mg)合金。

像素限定層190具有設(shè)置在第一電極191的邊緣并暴露第一電極191的開口195。

發(fā)光構(gòu)件192被設(shè)置在像素限定層190的開口195內(nèi)的第一電極191上，第二電極193被設(shè)置在發(fā)光構(gòu)件192和像素限定層190上。

覆蓋層200被設(shè)置在第二電極193上。覆蓋層200可在提高在發(fā)光構(gòu)件192中產(chǎn)生的光的外部發(fā)射效率的同時(shí)保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管LD。

覆蓋層200由金屬氫化物制成。在這樣的實(shí)施例中，所述金屬包括鎂(Mg)和/或銀-鎂(Ag-Mg)合金。覆蓋層200具有大于約70％的透光率以及約1.5至約2.5的折射率。

第二基板210被設(shè)置在覆蓋層200上，第二基板210由密封劑與第一基板110相結(jié)合，從而用作封裝基板。在此實(shí)施例中，第二基板210和有機(jī)發(fā)光二極管LD彼此隔開(例如分開)，并在第二基板210和有機(jī)發(fā)光二極管LD之間的空間中設(shè)置填充劑300。由于填充劑300填充了有機(jī)發(fā)光二極管顯示器內(nèi)的空的空間，因此有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的強(qiáng)度和耐用性可以得到提高。

可在第一基板110和第二基板210之間設(shè)置維持第一基板110和第二基板210之間的間隔的隔墊物。

下面將參考圖3至圖5進(jìn)一步描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法。

圖3至圖5是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法的圖。

參考圖3，在第一基板110上形成薄膜晶體管T之后，絕緣層170被形成在薄膜晶體管T和第一基板110上。

接下來，在絕緣層170上形成第一電極191之后，包括暴露第一電極191的至少一部分的開口195的像素限定層190被形成在第一電極191和絕緣層170上。然后，發(fā)光構(gòu)件192被形成在第一電極191上。

參考圖4和圖5，在金屬層200a被形成在發(fā)光構(gòu)件192和像素限定層190上之后，金屬層200a被氫(H₂)等離子體處理，以形成第二電極193和覆蓋層200。

金屬層200a可由鎂(Mg)和/或銀-鎂(Ag-Mg)合金形成。

當(dāng)金屬層200a經(jīng)受氫等離子體處理時(shí)，金屬層200a的金屬被氫化，使得形成金屬氫化物，金屬氫化物形成覆蓋層200。

此外，在氫等離子體處理期間，不是金屬層200a的全部(例如，少于整個(gè)金屬層200a)與氫等離子體反應(yīng)，因此，它的一部分沒有被氫化。在此實(shí)施例中，未與氫反應(yīng)的金屬形成第二電極193。例如，金屬層200a的厚度是覆蓋層200的厚度與第二電極193的厚度之和。此外，覆蓋層200的厚度和第二電極193的厚度可以通過控制氫等離子體處理的工藝條件來控制或確定。

如上所述，金屬層200a被形成，然后經(jīng)受氫等離子體處理，以形成(例如同時(shí)或并發(fā)形成)覆蓋層200和第二電極193，從而省略通常被用來形成覆蓋層200的額外的工藝和設(shè)備，諸如腔室。

因此，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造工藝被簡化。

參考圖2，在覆蓋層200上形成填充劑300之后，第二基板210被結(jié)合到第一基板110。

接下來將參考圖6和圖7詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)。

圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的布局圖。圖7是沿圖6的線VII-VII截取的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的截面圖。

參考圖6和圖7，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，在第一基板110上設(shè)置多個(gè)薄膜結(jié)構(gòu)。在下文中將更詳細(xì)地描述所述多個(gè)薄膜結(jié)構(gòu)。

在第一基板110上設(shè)置緩沖層120。第一基板110可以是由玻璃、石英、陶瓷、塑料和/或類似材料制成的透明絕緣基板。在其它實(shí)施例中，基板110可以是由不銹鋼和/或類似材料制成的金屬基板。

緩沖層120可以被形成為氮化硅(SiN_x)的單層，或可以被形成為其中氮化硅(SiN_x)和氧化硅(SiO_x)堆疊的雙層結(jié)構(gòu)。緩沖層120防止諸如雜質(zhì)或水分的不必要的材料滲透的同時(shí)用于將表面平坦化(例如填平)。根據(jù)基板110的種類和處理?xiàng)l件，緩沖層120可以被省略。

開關(guān)半導(dǎo)體層154a和驅(qū)動半導(dǎo)體層154b在緩沖層120上彼此隔開(例如間隔開)。開關(guān)半導(dǎo)體層154a由多晶硅制成，并包括開關(guān)溝道區(qū)1545a、開關(guān)源區(qū)1546a和開關(guān)漏區(qū)1547a。驅(qū)動半導(dǎo)體層154b由多晶硅制成，并包括驅(qū)動溝道區(qū)1545b、驅(qū)動源區(qū)1546b和驅(qū)動漏區(qū)1547b。在此實(shí)施例中，開關(guān)源區(qū)1546a和開關(guān)漏區(qū)1547a被設(shè)置在開關(guān)溝道區(qū)1545a的相對側(cè)，驅(qū)動源區(qū)1546b和驅(qū)動漏區(qū)1547b被設(shè)置在驅(qū)動溝道區(qū)1545b的相對側(cè)。

開關(guān)溝道區(qū)1545a和驅(qū)動溝道區(qū)1545b由未摻雜雜質(zhì)的多晶硅(例如本征半導(dǎo)體)制成，開關(guān)源區(qū)1546a和驅(qū)動源區(qū)1546b以及開關(guān)漏區(qū)1547a和驅(qū)動漏區(qū)1547b由摻雜有導(dǎo)電雜質(zhì)的多晶硅(例如雜質(zhì)半導(dǎo)體)制成。

在緩沖層120、開關(guān)半導(dǎo)體層154a和驅(qū)動半導(dǎo)體層154b上設(shè)置柵極絕緣層140。柵極絕緣層140可以是單層，或者可以具有包括氮化硅和/或氧化硅的多層結(jié)構(gòu)。

柵極線121和第一存儲電容器板128被設(shè)置在柵極絕緣層140上。

柵極線121在水平方向上延伸，以傳輸柵極信號，并包括從柵極線121突出到開關(guān)半導(dǎo)體層154a的開關(guān)柵電極124a。在此實(shí)施例中，開關(guān)柵電極124a與開關(guān)溝道區(qū)1545a重疊。

第一存儲電容器板128包括從第一存儲電容器板128突出到驅(qū)動半導(dǎo)體層154b的驅(qū)動?xùn)烹姌O124b。在此實(shí)施例中，驅(qū)動?xùn)烹姌O124b與驅(qū)動溝道區(qū)1545b重疊。

在柵極線121、第一存儲電容器板128和緩沖層120上設(shè)置層間絕緣層160。層間絕緣層160可以是單層，或可以具有包括氮化硅和/或氧化硅的多層結(jié)構(gòu)。

層間絕緣層160和柵極絕緣層140具有通過其分別暴露開關(guān)源區(qū)1546a和開關(guān)漏區(qū)1547a的開關(guān)源極暴露開口61a(例如開關(guān)源極暴露孔)和開關(guān)漏極暴露開口62a(例如開關(guān)漏極暴露孔)。此外，層間絕緣層160和柵極絕緣層140具有通過其分別暴露驅(qū)動源區(qū)1546b和驅(qū)動漏區(qū)1547b的驅(qū)動源極暴露開口61b(例如驅(qū)動源極暴露孔)和驅(qū)動漏極暴露開口62b(例如驅(qū)動漏極暴露孔)。此外，層間絕緣層160具有通過其暴露第一存儲電容器板128的一部分的第一接觸開口63(例如第一接觸孔)。

數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、開關(guān)漏電極175a和驅(qū)動漏電極175b被設(shè)置在層間絕緣層160上。

在和柵極線121相交(例如交叉)的方向上延伸的數(shù)據(jù)線171包括傳輸數(shù)據(jù)信號并且從數(shù)據(jù)線171朝開關(guān)半導(dǎo)體層154a突出的開關(guān)源電極173a。

驅(qū)動電壓線172傳輸驅(qū)動電壓，與數(shù)據(jù)線171隔開，且在與數(shù)據(jù)線171延伸方向相同的方向上延伸。驅(qū)動電壓線172包括從驅(qū)動電壓線172朝驅(qū)動半導(dǎo)體層154b突出的驅(qū)動源電極173b、以及從驅(qū)動電壓線172突出以與第一存儲電容器板128重疊的第二存儲電容器板178。在此實(shí)施例中，通過使用層間絕緣層160作為介電材料，第一存儲電容器板128和第二存儲電容器板178形成存儲電容器Cst。

開關(guān)漏電極175a面對開關(guān)源電極173a，驅(qū)動漏電極175b面對驅(qū)動源電極173b。

開關(guān)源電極173a和開關(guān)漏電極175a分別通過開關(guān)源極暴露開口61a和開關(guān)漏極暴露開口62a連接到開關(guān)源區(qū)1546a和開關(guān)漏區(qū)1547a。此外，開關(guān)漏電極175a通過穿過層間絕緣層160延伸的第一接觸開口63被電連接到第一存儲電容器板128和驅(qū)動?xùn)烹姌O124b。

驅(qū)動源電極173b和驅(qū)動漏電極175b分別通過驅(qū)動源極暴露開口61b和驅(qū)動漏極暴露開口62b被連接到驅(qū)動源區(qū)1546b和驅(qū)動漏區(qū)1547b。

開關(guān)半導(dǎo)體層154a、開關(guān)柵電極124a、開關(guān)源電極173a和開關(guān)漏電極175a形成了開關(guān)薄膜晶體管Qs，驅(qū)動半導(dǎo)體層154b、驅(qū)動?xùn)烹姌O124b、驅(qū)動源電極173b和驅(qū)動漏電極175b形成了驅(qū)動薄膜晶體管Qd。

在層間絕緣層160、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、開關(guān)漏電極175a和驅(qū)動漏電極175b上設(shè)置平坦化層180。平坦化層180可以由有機(jī)材料制成，其上表面是平坦的。平坦化層180被提供有驅(qū)動漏電極175b通過其被暴露的第二接觸開口185(例如第二接觸孔)。

有機(jī)發(fā)光二極管LD和像素限定層190被設(shè)置在平坦化層180上。

有機(jī)發(fā)光二極管LD包括第一電極191、發(fā)光構(gòu)件192和第二電極193。

第一電極191被設(shè)置在平坦化層180上，并通過形成在平坦化層180中的第二接觸開口185被電連接到驅(qū)動薄膜晶體管Qd的驅(qū)動漏電極175b。第一電極191是有機(jī)發(fā)光二極管LD的陽極。

第一電極191可以是反射層，可以包括金屬，諸如鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、鋁(Al)和/或它們的合金。

像素限定層190被設(shè)置在平坦化層180上，并在第一電極191的邊緣部分。像素限定層190具有第一電極191通過其被暴露的開口195。例如，第一電極191的邊緣部分被設(shè)置在像素限定層190的下面(例如，由其覆蓋)。

發(fā)光構(gòu)件192被設(shè)置在像素限定層190的開口195中的第一電極191上。

發(fā)光構(gòu)件192包括多個(gè)層，多個(gè)層包括發(fā)射層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)。當(dāng)發(fā)光構(gòu)件192包括以上列舉的所有層時(shí)，空穴注入層被設(shè)置在作為陽極的第一電極191上，空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層可以被順序堆疊在其上。

發(fā)光構(gòu)件192可以包括用于發(fā)射紅光的紅色發(fā)射層、用于發(fā)射綠光的綠色發(fā)射層和/或用于發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)射層。紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層被分別形成在紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素上，以實(shí)現(xiàn)彩色圖像。

此外，紅色有機(jī)發(fā)射層、綠色有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層被堆疊在第一電極191中的一些上，以分別形成紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素，從而實(shí)現(xiàn)彩色圖像。可替代地，可以在紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素的每一個(gè)中形成用于發(fā)射白光的白色有機(jī)發(fā)射層，可以在每個(gè)像素中分別形成紅色濾色器、綠色濾色器和藍(lán)色濾色器，以實(shí)現(xiàn)彩色圖像。當(dāng)彩色圖像通過使用白色有機(jī)發(fā)射層和濾色器來實(shí)現(xiàn)時(shí)，不需要用于在單個(gè)像素上沉積紅色有機(jī)發(fā)射層、綠色有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層以形成紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素的沉積掩模。

如上所述的白色有機(jī)發(fā)射層可以被形成為具有單個(gè)有機(jī)發(fā)射層，但可以進(jìn)一步包括其中堆疊有多個(gè)有機(jī)發(fā)射層以發(fā)射白光的結(jié)構(gòu)。例如，可以進(jìn)一步包括其中至少一個(gè)黃色有機(jī)發(fā)射層和至少一個(gè)藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層被組合以發(fā)射白光的結(jié)構(gòu)、其中至少一個(gè)青色有機(jī)發(fā)射層和至少一個(gè)紅色有機(jī)發(fā)射層被組合以發(fā)射白光的結(jié)構(gòu)、或者其中至少一個(gè)品紅有機(jī)發(fā)射層和至少一個(gè)綠色有機(jī)發(fā)射層被組合以發(fā)射白光的結(jié)構(gòu)。

第二電極193被設(shè)置在像素限定層190和發(fā)光構(gòu)件192上。第二電極193可以是半透射層，可以包括鎂(Mg)和/或銀-鎂(Ag-Mg)合金。第二電極193是有機(jī)發(fā)光二極管LD的陰極。

覆蓋層200被設(shè)置在第二電極193上。覆蓋層200由金屬氫化物構(gòu)成。在此實(shí)施例中，所述金屬可以是鎂(Mg)和/或銀-鎂(Ag-Mg)合金。覆蓋層200具有大于約70％的透光率以及約1.5至約2.5的折射率。

第二基板210被設(shè)置在覆蓋層200上。第二基板210通過密封劑與第一基板110組合，以充當(dāng)封裝基板。在此實(shí)施例中，第二基板210和有機(jī)發(fā)光二極管LD被彼此隔開，填充劑300被設(shè)置在第二基板210和有機(jī)發(fā)光二極管LD之間的空間中。因?yàn)樘畛鋭?00填充有機(jī)發(fā)光二極管顯示器內(nèi)空的空間，所以有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的強(qiáng)度和耐久性可以得到提高。

可在第一基板110和第二基板210之間設(shè)置維持第一基板110和第二基板210之間的間隔的隔墊物。

接下來將參考圖8描述根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的示意性截面圖。

參考圖8，除了在覆蓋層200上的薄膜封裝層400，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器與圖2所示的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器基本相同。因此，相同或基本相同的結(jié)構(gòu)、層和/或組件的描述可被省略。

薄膜封裝層400被設(shè)置在覆蓋層200上。薄膜封裝層400從外部密封并保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管LD和薄膜晶體管T。

薄膜封裝層400包括依次設(shè)置(例如依次堆疊)的基層400a、第一封裝層400b、第二封裝層400c和第三封裝層400d。

作為直接位于覆蓋層200上的層，基層400a可以接觸覆蓋層200的上表面。根據(jù)本示例性實(shí)施例，基層400a可以由具有與覆蓋層200的折射率不同的折射率的無機(jī)材料制成。然而，在其它實(shí)施例中，基層400a可以被省略。

第一封裝層400b、第二封裝層400c和第三封裝層400d被依次設(shè)置在基層400a上。

根據(jù)本示例性實(shí)施例，第一封裝層400b可以是無機(jī)層，第二封裝層400c可以是有機(jī)層，第三封裝層400d可以是無機(jī)層。形成第一封裝層400b和第三封裝層400d的無機(jī)材料可以是與形成基層400a的無機(jī)材料不同的材料。第一封裝層400b和第三封裝層400d可以包括SiON、TiO₂和/或SiN_x。然而，薄膜封裝層400不限于此，薄膜封裝層400可包括彼此堆疊的有機(jī)層、無機(jī)層和有機(jī)層。例如，有機(jī)層、無機(jī)層和有機(jī)層可被依次設(shè)置在覆蓋層200上。

盡管已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為是實(shí)際的示例性實(shí)施例描述了此發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不限于所公開的實(shí)施例，而是意在覆蓋被包括在所附權(quán)利要求及其等同方案的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。

對一些附圖標(biāo)記的說明

110：第一基板 121：柵極線

124a：開關(guān)柵電極 124b：驅(qū)動?xùn)烹姌O

128：第一存儲電容器板 140：柵極絕緣層

154a：開關(guān)半導(dǎo)體層 154b：驅(qū)動半導(dǎo)體層

171：數(shù)據(jù)線 172：驅(qū)動電壓線

173a：開關(guān)源電極 173b：驅(qū)動源電極

175a：開關(guān)漏電極 175b：驅(qū)動漏電極

178：第二存儲電容器板 180：平坦化層

191：第一電極 192：發(fā)光構(gòu)件

193：第二電極 190：像素限定層

200：覆蓋層 200a：金屬層