本發(fā)明屬于平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝蓋的制作方法、封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

在平板顯示技術(shù)中，有機(jī)發(fā)光顯示器，因其具有自主發(fā)光、對(duì)比度高、厚度薄、反應(yīng)速度快、功率低、視角廣、顏色豐富等一系列優(yōu)點(diǎn)，正在逐漸取代液晶顯示器，占據(jù)市場前沿地位。

有機(jī)發(fā)光顯示器(Organic Light-Emitting Diode，簡稱OLED)屏體的基本結(jié)構(gòu)，參見圖1至圖3所示：包括基板1’、及設(shè)置于基板1’上方的封裝蓋2’，基板1’和封裝蓋2’形成容置空間4’，用于封裝OLED發(fā)光元件(未圖示)?；?’和封裝蓋2’之間一般通過膠體3’封裝，封裝蓋2’上設(shè)有一圈凸起21’，膠體3’涂抹在一圈凸起21’的端面上，封裝蓋2’蓋在基板1’對(duì)應(yīng)的封裝位置，等膠體3’凝固則完成封裝。這種封裝方式，在基板1’和封裝蓋2’之間、凸起21’的內(nèi)側(cè)和外側(cè)部位，均會(huì)出現(xiàn)溢膠現(xiàn)象，影響OLED顯示器的顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了解決上述問題，提供一種封裝蓋的制作方法、封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，解決了溢膠問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種封裝蓋的制作方法，具體步驟如下：

選取所需厚度的封裝蓋，切割成所需尺寸；

對(duì)切割后的封裝蓋進(jìn)行刻蝕處理，在封裝蓋一側(cè)的表面進(jìn)行刻蝕，形成一圈凸起；

對(duì)刻蝕處理后的封裝蓋進(jìn)行圖形化處理，在所述凸起的端面上，刻出一圈凹槽。

進(jìn)一步的，所述圖形化處理后的凹槽的深度大于所述凸起的高度。

進(jìn)一步的，對(duì)進(jìn)行圖形化處理后的封裝蓋，進(jìn)行深度化處理。

進(jìn)一步的，所述深度化處理為對(duì)所述凹槽進(jìn)行噴砂處理。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置于基板上方的封裝蓋、及用于粘合所述封裝蓋和基板的粘合劑，所述基板上設(shè)有一圈凸起，其中，所述凸起的縱向方向開設(shè)有一圈凹槽，所述粘合劑容置于所述凹槽內(nèi)，通過該粘合劑使得所述封裝蓋粘合于所述基板。

進(jìn)一步的，所述凹槽的深度大于所述凸起的高度。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，具體步驟如下：

選取所需厚度的基板和封裝蓋，切割成所需尺寸的基板和封裝蓋；

對(duì)封裝蓋進(jìn)行刻蝕處理，在封裝蓋一側(cè)的表面進(jìn)行刻蝕，形成一圈凸起；

對(duì)封裝蓋進(jìn)行圖形化處理，在所述凸起的端面上，刻出一圈凹槽；

將封裝蓋和基板進(jìn)行粘合封裝，以粘合劑灌入凹槽的形式，粘合封裝蓋和基板。

進(jìn)一步的，所述粘合劑為膠水。

進(jìn)一步的，所述粘合劑容置于所述凹槽內(nèi)后，其高度小于所述凹槽的深度。

進(jìn)一步的，對(duì)進(jìn)行圖形化處理后的封裝蓋，進(jìn)行深度化處理。

進(jìn)一步的，所述深度化處理為對(duì)所述凹槽進(jìn)行噴砂處理。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的一種封裝蓋的制作方法制成的封裝蓋，進(jìn)一步制成封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)的凹槽具有足夠的用于收容粘合劑的空間，避免了封裝蓋和基體在粘合的過程中出現(xiàn)溢膠的問題。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖2為基于圖1中A-A線的封裝結(jié)構(gòu)未完成安裝前的剖面示意圖。

圖3為基于圖1中A-A線的封裝結(jié)構(gòu)安裝完成后的剖面示意圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖5為基于圖4中B-B線的封裝結(jié)構(gòu)組裝完成前的剖面示意圖。

圖6為基于圖4中B-B線的封裝結(jié)構(gòu)組裝完成后的剖面示意圖。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種封裝蓋的制作方法的流程示意圖。

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種封裝蓋的制作方法中進(jìn)行刻蝕處理后的剖面示意圖。

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種封裝蓋的制作方法中進(jìn)行圖形化處理后的剖面示意圖。

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參閱圖9所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種封裝蓋，封裝蓋2上設(shè)有一圈凸起21，在凸起21的縱向方向開設(shè)有一圈凹槽22。在本發(fā)明實(shí)施方式中，凹槽22的深度大于凸起21的高度，在其它實(shí)施方式中，凹槽22的深度也可以等于或小于凸起21的高度。本發(fā)明實(shí)施方式中，封裝蓋2優(yōu)選為玻璃材料，在其它實(shí)施方式中，也可以采用其它材料。

參閱圖6至圖9所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種封裝蓋的制作方法，具體步驟如下：

步驟S11：選取所需厚度的封裝蓋，切割成所需尺寸。

選取所需厚度封裝蓋，然后進(jìn)行切割。對(duì)于封裝蓋2，可以切成3寸、5寸、或21寸等所需規(guī)格的矩形封裝蓋2等。當(dāng)然，也可以根據(jù)需要，切割成其它形狀。

步驟S12：對(duì)切割后的封裝蓋2進(jìn)行刻蝕處理，在封裝蓋2一側(cè)的表面進(jìn)行刻蝕，形成一圈凸起21。

參見圖8所示，圖中為封裝蓋2及凸起21的剖面示意圖。

步驟S13：對(duì)刻蝕處理后的封裝蓋2進(jìn)行圖形化處理，在凸起21的端面上，刻出一圈凹槽22。

對(duì)位于封裝蓋2一側(cè)的凸起21進(jìn)行圖形化處理，具體的，即是在凸起21的端面上，刻出一圈凹槽22結(jié)構(gòu)。參見圖9所示，圖中為封裝蓋2、凸起21、凹槽22的剖面示意圖。

步驟S14：對(duì)進(jìn)行圖形化處理后的封裝蓋2，進(jìn)行深度化處理。

深度化處理的一種方式為噴砂。在本實(shí)施方式中，可以對(duì)凹槽22進(jìn)行噴砂作為深度化處理，以使得凹槽22達(dá)到更高的精度。

參閱圖4至圖6所示，對(duì)應(yīng)本發(fā)明實(shí)施例的一種封裝結(jié)構(gòu)，包括基板1、及設(shè)置于基板1上方的封裝蓋2?；?呈矩形，封裝蓋2也呈矩形，且封裝蓋2的面積小于基板1的面積。封裝蓋2上設(shè)有一圈凸起21，封裝蓋2蓋在基板1對(duì)應(yīng)的安裝位置，封裝蓋2、凸起21、基板1三者形成一個(gè)容置空間4，用于封裝OLED發(fā)光元件(未圖示)。凸起21的縱向中心開設(shè)有一圈凹槽22，用于收容膠體3。在本發(fā)明實(shí)施方式中，凹槽22的深度大于凸起21的高度，在其它實(shí)施方式中，凹槽22的深度也可以等于或小于凸起21的高度。本發(fā)明實(shí)施方式中，基板1和封裝蓋2優(yōu)選為玻璃材料，在其它實(shí)施方式中，也可以采用其它材料。

如圖5所示，在封裝前，將膠體3灌裝在封裝蓋2的凹槽22內(nèi)，所灌入膠體3的容積小于凹槽22的容積。然后封裝蓋2蓋在基板1對(duì)應(yīng)的封裝位置。如圖6所示，封裝蓋2和基板1貼合后，膠體3收容在凹槽22內(nèi)，膠體3在凹槽22內(nèi)高度等于凹槽22本身的深度，在其它實(shí)施方式中，膠體3在凹槽22內(nèi)高度可以小于凹槽22本身的深度。等膠體3凝固，則完成封裝蓋2和基板1的封裝，避免了溢膠的現(xiàn)象。

參閱圖4至圖6、及圖10所示，對(duì)應(yīng)本發(fā)明實(shí)施例的一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，具體步驟包括：

步驟S21：選取所需厚度的基板和封裝蓋，切割成所需尺寸的基板1和封裝蓋2。

選取所需厚度的基板1和封裝蓋2，然后進(jìn)行切割。對(duì)于基板1，可以采用二次切割的工藝進(jìn)行切割，切成3寸、5寸、或21寸等所需規(guī)格的矩形基板等。封裝蓋2也切割為矩形，其尺寸小于基板的尺寸。當(dāng)然，也可以根據(jù)需要，切割成其它形狀。

步驟S22：對(duì)封裝蓋2進(jìn)行刻蝕處理，在封裝蓋2一側(cè)的表面進(jìn)行刻蝕，形成一圈凸起21，參見圖8所示，圖中為封裝蓋2及凸起21的剖面示意圖。

步驟S23：對(duì)封裝蓋2進(jìn)行圖形化處理，在凸起21的端面上，刻出一圈凹槽22。

對(duì)位于封裝蓋2一側(cè)的凸起21進(jìn)行圖形化處理，具體的，即是在凸起21的端面上，刻出一圈凹槽22。參見圖9所示，圖中為封裝蓋2、凸起21、凹槽22的剖面示意圖。其中，對(duì)進(jìn)行圖形化處理后的封裝蓋2，還可以對(duì)其凹槽22進(jìn)行噴砂作為深度化處理。

步驟S24：將封裝蓋2和基板1以粘合劑進(jìn)行粘合封裝，以粘合劑灌入凹槽22的形式，粘合封裝蓋2和基板1。

在本發(fā)明實(shí)施方式中，以膠體3作為粘合劑，進(jìn)行封裝。具體的，將膠體3灌裝在封裝蓋2的凹槽22內(nèi)，然后將封裝蓋2蓋在基板1對(duì)應(yīng)的封裝位置。封裝蓋2和基板1貼合后，膠體3收容在凹槽22內(nèi)，避免了溢膠的現(xiàn)象。等膠體3完全凝固，則完成封裝蓋2和基板1的封裝。

根據(jù)基板1的尺寸大小，放置于對(duì)應(yīng)規(guī)格的存儲(chǔ)盤中，進(jìn)行存儲(chǔ)，等待進(jìn)入下一步的包裝固定流程。

綜上所述，本發(fā)明提供的一種封裝蓋的制作方法制成的封裝蓋，進(jìn)一步制成封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)的凹槽具有足夠的用于收容粘合劑的空間，避免了封裝蓋和基體在粘合的過程中出現(xiàn)溢膠的問題。

以上所述的具體實(shí)例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。