本發(fā)明涉及有機半導(dǎo)體在有機發(fā)光器件的應(yīng)用，尤其是一種平衡電荷注入與傳輸?shù)挠袡C半導(dǎo)體材料，可作為主體材料應(yīng)用于有機發(fā)光器件，改善器件性能。

背景技術(shù)：

有機半導(dǎo)體材料屬于新型光電材料，其大規(guī)模研究起源于1977年由白川英樹，A. Heeger及A. McDiamid共同發(fā)現(xiàn)了導(dǎo)電率可達銅水平的摻雜聚乙炔。隨后，1987年KodaK公司的C. Tang等發(fā)明了有機小分子發(fā)光二極管（OLED），和1990年劍橋大學(xué)的R. Friend及A. Holmes發(fā)明了聚合物發(fā)光二極管P-OLED，以及1998年S. Forrest與M. Thomson發(fā)明了效率更高的有機磷光發(fā)光二極管PHOLED。由于有機半導(dǎo)體材料具有結(jié)構(gòu)易調(diào)可獲得品種多樣，能帶可調(diào)，甚至如塑料薄膜加工一樣的低成本好處，加上有機半導(dǎo)體在導(dǎo)電薄膜，靜電復(fù)印，光伏太陽能電池應(yīng)用，有機薄膜晶體管邏輯電路，和有機發(fā)光OLED平板顯示與照明等眾多應(yīng)用，白川-Heeger-McDiamid三位科學(xué)家于2000年獲得諾貝爾化學(xué)獎。

作為下一代平板顯示應(yīng)用的有機發(fā)光二極管，有機光電半導(dǎo)體要求有：1. 高發(fā)光效率；2. 優(yōu)良的電子與空穴穩(wěn)定性；3. 合適的發(fā)光顏色；4. 優(yōu)良的成膜加工性。原則上，大部分共軛性有機分子（包含星射體），共軛性聚合物，和含有共軛性發(fā)色團配體的有機重金屬絡(luò)合物都有具備電激發(fā)光性能，應(yīng)用在各類發(fā)光二極管，如有機小分子發(fā)光二極管（OLED），聚合物有機發(fā)光二極管（POLED），有機磷光發(fā)光二極管（PHOLED）。磷光PHOLED兼用了單線激發(fā)態(tài)（熒光）和三線激發(fā)態(tài)（磷光）的發(fā)光機理，顯然比小分子OLED及高分子POLED高得多的發(fā)光效率。PHOLED制造技術(shù)和出色的PHOLED材料都是實現(xiàn)低功耗OLED顯示和照明所必不可少的。PHOLED的量子效率和發(fā)光效率是熒光OLED材料的3~4倍，因此也減少了產(chǎn)生的熱量，增多了OLED顯示板的競爭力。這一點提供了使得總體上OLED顯示或照明超越LCD顯示以及傳統(tǒng)光源的可能。因而，現(xiàn)有高端OLED器件中或多或少地摻用了磷光OLED材料。

磷光OLED材料是由含有一定共軛性的有機發(fā)光團作為二齒螯合，與金屬元素形成環(huán)金屬-配合體絡(luò)合物，在高能光照下（如紫外光激發(fā)）或電荷注入（電激發(fā)）條件下，由于環(huán)金屬-配體電荷轉(zhuǎn)移（MLCT）成為激子，然后回復(fù)到基態(tài)而導(dǎo)致發(fā)光。在OLED器件中電荷的注入是通過在陽極施加正電壓后，從陽極注入空穴，陰極注入電子，分別經(jīng)過電子傳輸層與空穴轉(zhuǎn)輸層，同時進入發(fā)射層的主體材料中，電子最終進入發(fā)光摻雜劑中的最低末占分子軌道（LUMO），空穴進入發(fā)光摻雜劑中的最高占有分子軌道（HOMO）而形成激發(fā)態(tài)發(fā)光摻雜劑分子（激子態(tài)）。激子態(tài)回復(fù)劑基態(tài)后伴隨著發(fā)射光能，其發(fā)射光能波長正對應(yīng)著發(fā)光分子摻雜劑的能隙（HOMO-LUMO能級差）。

已有不少報道的重金屬有機配合體絡(luò)合物，受重金屬的影響而增強了自旋軌道作用，使得本應(yīng)較弱的磷光變得很強而呈現(xiàn)優(yōu)良磷光發(fā)射。例如發(fā)綠光的三（苯基吡啶）銥（Ⅲ）配合絡(luò)合物，簡稱為Ir(PPY)₃，和其衍生物Ir(MePPY)₃具有結(jié)構(gòu)式為：

發(fā)射藍光的FirPic具有如下結(jié)構(gòu)式： FirPic

其中的主配體4，6-二氟代苯基吡啶主宰著發(fā)光顏色。發(fā)射紅光的三（辛烷基喹啉）銥（Ⅲ）配合絡(luò)合物，具有優(yōu)異的高效發(fā)射性能（Adv. Mater. 2007，19，739）其結(jié)構(gòu)式為：Ir(piq-hex)₃，

發(fā)黃光的化合物如：Ir(tptpy)₂(acac)，具有PL=560nm （Chem. Mater. 2004, 16, 2480-2488）。

為獲得高效的有機OLED, 通常需在發(fā)光層與陽極之間添加電子注入及電子傳輸層，在發(fā)光層與陰極之間添加空穴注及空穴傳輸層，從而達到在發(fā)光層中平衡的電子與空穴。值得注意的是，有機半導(dǎo)體中，電子傳輸遷移率通常低于空穴傳輸遷移率。作為電子傳輸層材料通常是具有較低的LUMO--最低未占據(jù)軌道能級，如金屬喹啉化合物，如三-（8-羥基）鋁（Alq₃），噁二唑或三唑類。最近，文獻（Appl.Phys.Lett.,2007，90， 183503 等報）報道了由聯(lián)苯與芳胺構(gòu)成的空穴傳輸材料，但溶解性差及成膜困難。

發(fā)光層一般是由少量的發(fā)光材料作為客體摻雜劑摻入一具有更高能級的半導(dǎo)體主體材料（或本體材料Host material）中組成。近年來研究表明，對于同一種發(fā)光材料或一種顏色發(fā)光器件，主體材料的不同會導(dǎo)致不同的器件發(fā)光效率與工作壽命。因此，開發(fā)新型主體材料一直是影響有機發(fā)光二極管實際應(yīng)用的重要課題。為便于空穴、電子的注入，理想的主體材料應(yīng)具備不僅強而且平衡的空穴與電子注入和傳輸能力。為達到此目的，有不少改進的主體材料見報。K.Y.Hwang (US 2014/0225088) 披露了由吲哚喹喔啉、苯基和N-苯基咔唑所構(gòu)成的本體材料。C. Adachi (WO 2012/114745) 披露了采用吡啶與三亞苯連接的雙極性主體材料。A. Dyatkin (US 2012/0256169) 披露了由苯并噻吩、苯基和吲哚吡啶所構(gòu)成的雙極性主體材料。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種有機化合物半導(dǎo)體，由吸電性吲哚喹喔啉N原子上連接一含氮芳雜稠合環(huán)，如吡啶吲哚或咔唑，有利于改善電荷平衡注入與發(fā)光穩(wěn)定性，獲得高穩(wěn)定、高效率及長壽命的發(fā)光性能。具體應(yīng)用于一種有機發(fā)光二極管，其特征是所述的有機發(fā)光二極管由如下部分組成：

(a)一個陰極

(b)一個陽極

(c)一個夾心于陰極和陽極之間的有機半導(dǎo)體發(fā)光層，該發(fā)光層包含一主體材料和一發(fā)光材料摻雜劑，其中的主體材料具有如下結(jié)構(gòu)通式：

其中所述的化合物中Y 為 C 或 N；Ar₁為H，D，F(xiàn)，一碳原子小于18的芳環(huán)，碳原子小于18的芳雜環(huán)，一碳原子小于18的稠合芳雜環(huán)；Ar_2－3為H，一碳原子小于18的芳環(huán)，一碳原子小于18的芳雜環(huán)，一碳原子小于18的稠合芳雜環(huán)。

出于分子設(shè)計目的，有意識地選用親電性芳雜環(huán)（acceptor）吡啶吲哚和空穴傳輸性芳雜環(huán)（donor）咔唑、輔以芳環(huán)或芳雜環(huán)結(jié)合成分子，使得所述的化合物具有D-A雙極性結(jié)構(gòu)。

在不同的結(jié)構(gòu)組合中，如（I）所述的有機半導(dǎo)體化合物原理上有許許多多的不同組合，當Y為N時，其中結(jié)構(gòu)包含如下：

表1：

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在不同的結(jié)構(gòu)組合中，如（I）所述的有機半導(dǎo)體化合物原理上有許許多多的不同組合，當Y為C時，其中結(jié)構(gòu)包含如下：

表2：

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在所述的有機發(fā)光二極管中發(fā)光層主體材料中的Ar_2－3還可連接有至少1個交聯(lián)基團的單元。有許多化學(xué)基團都具備交聯(lián)功能，其中典型的包含在加熱或紫外光照耀下的交聯(lián)基團，列如連接在苯環(huán)上的如下包含乙烯基（A）、丙烯基（B）、及三氟乙烯基（C）：

原則上以上基團都可以通過化學(xué)鍵接在本專利發(fā)明的主體化合物，達到增加溶解性，以便有利于使用溶液成膜、再經(jīng)過加熱或紫外光照耀下化學(xué)交聯(lián)成不溶不熔薄膜，實現(xiàn)連續(xù)多層制成低成本、大面積OLED器件。在一種情況下，所述的有機發(fā)光二極管中發(fā)光層主體材料含有2個可交聯(lián)基團三氟乙烯基，具有如下結(jié)構(gòu)式（II）：

另一種情況下，所述的有機發(fā)光二極管中發(fā)光層主體材料具有如下結(jié)構(gòu)式（III）：

在本專利范疇內(nèi)，所述的有機發(fā)光二極管中發(fā)光層主體材料含有可交聯(lián)基團丙烯酸酯基，具有如下結(jié)構(gòu)式（IV）：

在本發(fā)明范疇下，所述的有機發(fā)光二極管中發(fā)光層主體材料還含有可交聯(lián)基團苯乙烯基，具有如下結(jié)構(gòu)式：

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II～V 結(jié)構(gòu)式中Y 為C 或N；Ar₁為H，D，F(xiàn)，一碳原子小于18的芳環(huán)，碳原子小于18的芳雜環(huán)，一碳原子小于18的稠合芳雜環(huán)；Ar_2－3為H，一碳原子小于18的芳環(huán)，一碳原子小于18的芳雜環(huán)，一碳原子小于18的稠合芳雜環(huán)。

根據(jù)本專利所述范疇，所述的帶交聯(lián)基團的有機半導(dǎo)體化合物原理上有許許多多的不同組合，其中結(jié)構(gòu)包含如下表3結(jié)構(gòu)：

表3：帶交聯(lián)基團的主體材料

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上述的有機發(fā)光二極管中發(fā)光層主體材料易溶于通常溶劑，如二甲苯，1，2－二氯乙烷，苯甲醚等，便于通過旋涂、溶液噴墨打印或是印刷等形成薄膜。在紫外光照耀下或加熱溫度大于160^oC, 又形成不溶性交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)結(jié)薄膜。例如結(jié)構(gòu)（II）可通過如下反應(yīng)形成不溶性交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)交聯(lián)結(jié)構(gòu)II-X ：

結(jié)構(gòu)（III）可通過如下反應(yīng)形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)III-X ：

結(jié)構(gòu)（IV）可通過如下反應(yīng)形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)IV-X ：

結(jié)構(gòu)（V）可通過如下反應(yīng)形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)V-X ：

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以上各種化合物原理上可通過多種化學(xué)反應(yīng)制備，其中最常用的是仲胺與鹵代芳雜環(huán)，在鈀催化劑下通過Ullmann反應(yīng)或Buchwald- Hartwig反應(yīng)而得：

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根據(jù)本專利范圍所述的有機發(fā)光二極管，其中所述的有機發(fā)光二極管中發(fā)光層中的發(fā)光材料可以為一發(fā)光波長為510-550nm 的綠光材料；發(fā)光材料也可以為一發(fā)光波長為551-580nm 的黃光材料；或為一發(fā)光波長為581-630nm 的紅光材料。為獲得高效的綠光和紅光OLED，通常是使用三線態(tài)磷光OLED，其中的發(fā)射層含有磷光發(fā)光材料，如Ir(MePPY)₃為綠光，或 Ir(Piq-Hex)₃ 作為紅光摻雜劑，用2至15%的濃度發(fā)光（重量）材料，摻雜到一個主體材料中。使用主體材料與摻雜發(fā)光材料一般通過共蒸鍍方法進行混合制成OLED發(fā)光層。近年來，越來越多也注意開發(fā)通過簡單混合溶液，使用旋涂、印刷或噴墨打印可獲得一定厚度的薄膜。使用溶液所獲得的薄膜在紫外光照耀下，或在加熱情況下，如大于或等于160^oC 下，可交聯(lián)功能團則經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)成為不溶不熔的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，一方面有利于固定摻雜劑、增加薄膜在溫度變化時的尺寸穩(wěn)定性，另一方面在進一步采用溶液旋涂、印刷或噴墨打印時仍可免受影響，為實現(xiàn)多功能層溶液制造OLED 器件提供可能。

在傳統(tǒng)的有機發(fā)光二極管芯片中，通常是采用透明導(dǎo)電玻璃，或鍍有銦-錫氧化物 ITO 上蒸鍍一層空穴注入層HIL，然后依次一層空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EML、電子傳輸層ETL、電子注入層EIL，最后加一層金屬，如鋁金屬層，作為陽極導(dǎo)電及密封層。（圖1）當ITO 接正電，鋁連接負電到一定電場后，空穴從ITO 經(jīng)HIL注入和HTL傳輸至EML, 而電子從鋁連接的EIL注入后、經(jīng)過ETL傳輸至EML。電子與空穴在EML 中相遇、復(fù)合成激發(fā)子（Exciton)，然后部分激發(fā)子以光輻射形式釋放出能量回到基態(tài)。光輻射的波長由EML層中的發(fā)光摻雜劑的能隙決定。

主體材料常用的是含咔唑或芳胺結(jié)構(gòu)類材料。一種常用的主體材料是4,4’-N,N’-二咔唑-聯(lián)苯(CBP)：

CBP，

更為高級的有IPA-PCz 及IPA－Ph-PCz：

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IPA－PCz IPA-Ph-PCz

根據(jù)本專利范圍所述的有機發(fā)光二極管，其特征是所述的有機材料有時為了獲得更高性能發(fā)光二極管，發(fā)光層中還可以含有一增加電子或空穴注入能力的輔助主體材料，也即使用混合主體材料，其中輔助主體材料與主要主體材料的配比為5-45%。作為綠色及紅色磷光OLED, 任何三線態(tài)能級大于2.4 eV的主體材料都可作為本發(fā)明的發(fā)光材料OLED 的應(yīng)用。優(yōu)選的輔助主體材料有供電性材料DBPP：，

輔助主體材料也可以是下列電負性材料MCBP：。

為達到優(yōu)良的磷光器件性能，在陽極上，可任選一空穴注入層，如酞青蘭（CuPc）或其他含芳氨的化合物 (Appl.Phys.Lett., 69, 2160(1996)，如m-TDATA，

。

同樣地，在空穴注入層與發(fā)射層EML之間，還可選擇一空穴傳輸層，如使用4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯氨基]聯(lián)苯（α-NPD），，或是聚（3，4－乙烯二氧噻吩）－聚苯乙烯磺酸（PEDOT）（CAS：155090－83－8）：

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為平衡電子與空穴的注入，提高發(fā)光效率，可任選一電子傳輸空穴阻擋（ETHB) 材料，例子是1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯TPBi，其結(jié)構(gòu)為：

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在ETHL與陰極之間，還通常使用電子注入層。電子注入層通常是功函較低的金屬鋰，LiF或其化合物如8-羥基鋰（Liq）：。

因此，OLED發(fā)光器件是一復(fù)雜的多層結(jié)構(gòu)，圖1為一典型的構(gòu)造，但不是唯一的應(yīng)用結(jié)構(gòu)。其中有機半導(dǎo)體層的總體厚度是50-250納米，優(yōu)選總厚度為80-180納米。

使用OLED發(fā)光器件，可用于平板屏顯示，如手機屏，i-Pack 屏，電視屏，電腦屏等。

附圖說明

圖1為有機發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合實施例子對本發(fā)明的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。

實施例1：化合物1-2的合成制備：

根據(jù)化學(xué)反應(yīng)式a、b，分別制備中間體化合物1-2A 和1-2B，最后反應(yīng)式c以45%產(chǎn)率制備化合物1-2。

具體實驗方案如下：

中間體1-2A的制備：將吡啶吲哚(1.67g, 10mmol)、2-氯喹啉(1.8g,11mmol)、Pd₂(dba)₃(0.1g, 0.1mmol)、sphos(0.123g, 0.3mmol)、NaOBu(2.88g, 30mmol)、35mL甲苯依次加入50mL的三口瓶中，置換氮氣三次后回流過夜，反應(yīng)結(jié)束后冷卻到室溫后，過濾，減壓濃縮，所得固體再用石油醚打漿，最終得米白色固體2.27g，收率為77%。

中間體1-2B的制備：將N-(2-喹啉)吡啶吲哚(1g,3.4mmol)溶于20mLDMF中，加入3滴乙酸，常溫下加入NBS固體(0.67g，3.75mmol，少量多次)，HPLC監(jiān)控反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后倒入水中進行反沉淀，過濾，濾餅干燥后，乙酸乙酯和石油醚混合溶劑對其打漿，最終得白色固體0.91g,收率為71.5%。

化合物1-2的制備：將吲哚喹喔啉(0.25g, 0.91mmol)、6-溴-N-(2-喹啉)吡啶吲哚(0.44g, 1.18mmol)、CuI(0.18g,0.91mmol)、環(huán)己二胺(0.21g, 1.82mmol)、無水K₃PO₄(0.58g, 2.73mmol)、DMAC 15mL依次加入100mL三口瓶中，置換氮氣三次后在165℃下攪拌過夜。反應(yīng)液降至室溫后倒入冰水中，過濾，得到褐色固體，過硅膠柱(以石油醚和乙酸乙酯為淋洗液，其體積比為5:1)，最終得黃色固體0.26g，收率為45%。

實施例2：化合物2-2的合成制備：

根據(jù)化學(xué)反應(yīng)式d制備中間體化合物2-2A，最后反應(yīng)式e以52%產(chǎn)率制備化合物2-2。

具體實驗方案如下：

中間體2-2A的制備：將3-溴咔唑(2.7g, 10mmol)、2-氯喹啉(1.63g,11mmol)、Pd₂(dba)₃(0.1g, 0.1mmol)、sphos(0.123g, 0.3mmol)、NaOBu(2.88g, 30mmol)、35mL二甲苯依次加入50mL的兩口瓶中，置換氮氣三次后回流過夜，反應(yīng)結(jié)束后冷卻至室溫，過濾，減壓濃縮，過硅膠柱得白色固體2.12g,收率為57%。

化合物2-2的制備：將吲哚喹喔啉(0.27g, 1.23mmol)、N-(2-喹啉)-3-溴咔唑(0.6g, 1.6mmol)、CuI(0.23g, 1.23mmol)、環(huán)己二胺(0.28g, 2.46mmol)、無水K₃PO₄(0.79g, 3.69mmol)、DMAC 20mL依次加入100mL三口瓶中，置換氮氣三次后在165℃下攪拌過夜。反應(yīng)液降至室溫后倒入冰水中，過濾，得到褐色固體，過硅膠柱(以石油醚和乙酸乙酯為淋洗液，其體積比為10:1)，最終得黃色固體0.37g，收率為59%。

實施例3：化合物2-6的合成制備：

根據(jù)化學(xué)反應(yīng)式f制備中間體化合物2-6A，最后反應(yīng)式h以67%產(chǎn)率制備化合物2-6。

中間體2-6A的制備：將3-溴吡啶吲哚(12.3g, 50mmol)、2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(13.2g,50mmol)、K₂CO₃ (13.8g, 100mmol) 100ml DMF依次加入250mL的三口瓶中，置換氮氣三次后回流過夜，反應(yīng)結(jié)束后冷卻至室溫,將反應(yīng)液倒入500mL的去離子水中并攪拌30min,DCM萃取有機相，濃縮，用DCM:PE=5:2過柱，得到白色固體20.1g,收率為84.5%。

中間體2-6的制備：將吲哚喹喔啉(1g, 4.57mmol)、6-溴-N-(4-間三苯三嗪)吡啶吲哚(2.8g, 5.94mmol)、CuI(0.87g, 4.57mmol)、環(huán)己二胺(1.04g, 9.14mmol)、無水K3PO4(2.9g, 13.71mmol)、DMAC 20mL依次加入100mL三口瓶中，置換氮氣三次后在165℃下攪拌過夜。反應(yīng)液降溫后倒入水中，過濾，得到黑褐色固體，過硅膠柱(淋洗液體積比為PE:EA:DCM=10:1)，得黃色固體1.87g收率為67%。

類似地，根據(jù)以上合成化學(xué)原理，在不違背本發(fā)明范疇下，合成了如下各主體材料化合物，具體所列出的化合物通過質(zhì)譜驗證了分子量及分子所具有的碎片，具體見下表4：

表4：化合物合成及表征

實施例4 高斯量子化學(xué)計算能帶HOMO\LUMO 結(jié)果

從上表計算結(jié)果表明，化合物2-2 與化合物1-2 具有類似的HOMO\LUMO能級，也就是說該2種化合物具有類似的獲得空穴、電子能力。然而，對比結(jié)果也可看出，帶吡啶吲哚的化合物1-2 的HOMO 電子云定域性更大，有利于空穴的傳輸，獲得性能改善。

實施例5蒸鍍OLED器件應(yīng)用實例：

蒸鍍OLED器件制成：在一個本底真空達10^-5帕的多源蒸發(fā)OLED 制備設(shè)備中，采用如下的器件機構(gòu)：ITO/mTDATA（100?）/NPD(400 ?)/Host:發(fā)光摻雜劑10%（300 ? ）/TPBi（300 ?）/LiF（10 ?）/Al 。

使用不同的Host OLED 發(fā)光器件以便做比較。其中各有機層及電極的真空沉積速度于時間列于表5。

對比已知主體材料：

表5說明本發(fā)明化合物為例的主體材料應(yīng)用于OLED發(fā)光器件(發(fā)光波長620 nm) 摻雜發(fā)光OLED具有明顯的提升發(fā)光性能，與對比器件A,B相比，具有更高的發(fā)光效率LE （提升高達10%）, 尤其加速老化壽命LT90% 延長超過50%。使用輔助主體材料后，如器件11，12，加速老化壽命LT90% 延長更多。

表5：真空蒸鍍OLED 器件性能(室溫@1000 nits)

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實施例6溶液制成OLED器件：

在一導(dǎo)電玻璃ITO表面，經(jīng)過溶劑、等離子清洗后，溶液旋涂PEDOT 導(dǎo)電聚合物作為空穴注入層，使用聚（三苯胺－9.9－二庚烷芴）PTW溶液旋涂膜作為空穴傳輸層，然后使用2%的主體材料/發(fā)光摻雜劑綠光Ir(Me-PPY）₃或紅光Ir(piq-hex)₃(摻雜濃度8%重量)混合溶液旋涂后，經(jīng)過氮氣下加熱到160^oC處理30分鐘，使其薄膜成為不熔不溶；其次使用溶液旋涂一層TPBi（300 ?），最后在一個本底真空達10^-5帕的多源蒸發(fā)OLED 制備設(shè)備中，蒸鍍電子注入層LiF（10 ?）/Al100 ? ，制備OLED 器件ITO/PEDOT/PTW/Host:5%發(fā)光摻雜劑/TPBi/LiF/Al。

表6：溶液旋涂OLED 器件性能(室溫@1000 nits)

對比器件C與1和器件D與2表明類似主體材料，采用可交聯(lián)主體材料的溶液旋涂OLED器件1與2具有更高的電流效率LE和更長的器件壽命。

以上表明為獲得性能更加良好的主體材料，以吲哚喹喔啉為基底、在其N原子上鍵接咔唑或吡啶吲哚為吸電中心，再引入一含氮芳雜環(huán)合成了一系列主體材料，可獲得OLED性能上顯著提升。此外，在吲哚喹喔啉N原子上相連接一含可交聯(lián)反應(yīng)基團芳雜融合環(huán)，有利于進一步采用溶液成膜制成，經(jīng)過交聯(lián)獲得不熔不溶穩(wěn)定發(fā)光層，改善器件發(fā)光效率與壽命，便于實現(xiàn)連續(xù)低成本溶液旋涂、噴墨打印多層OLED發(fā)光顯示屏。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍內(nèi)。