晶圓背面清洗裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開一種晶圓背面清洗裝置，通過對吸附裝置的結(jié)構(gòu)設(shè)計，在進行晶圓背面清洗時，可將晶圓背面的污染顆粒牢固的吸附于吸附管上，并可多次反復進行確保晶圓背面不同尺寸的污染顆粒被吸附。進而避免了污染顆粒由于受靜電力的影響，無法通過有機溶劑完全有效去除，導致在使用光刻機進行曝光定義電路圖形時，晶圓會產(chǎn)生局部區(qū)域的失焦，使得圖形定義不完整而造成缺陷的情況，降低了晶圓的曝光失焦，提高了晶圓清洗的效率。
【專利說明】晶圓背面清洗裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導體制造領(lǐng)域，尤其涉及晶圓背面清洗裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導體集成電路器件的制造過程中，需要使半導體晶圓的表面始終保持清潔，不僅要求晶圓的正面始終保持清潔，晶圓的背面同樣要求始終保持清潔，以避免晶圓在傳輸過程中造成交叉污染，因此需要對晶圓的正面及背面進行清洗處理。
[0003]目前晶圓表面的污染物，根據(jù)污染物發(fā)生的情況，大致可分為顆粒、有機物、金屬污染物及氧化物。污染物附著的機理主要有靜電力，范德華力，化學鍵等。通常用于晶圓清洗污染物的方法是槽式清洗法，即將多片晶圓浸泡在清洗槽中清洗，該方法雖然能夠同時去除晶圓正面和晶圓背面的污染物。但是，由于去除的污染物仍留在清洗液中，污染物可能會再次附著在晶圓上，造成交叉污染，從而降低半導體集成電路器件的品質(zhì)。
[0004]在半導體芯片的制造中，光刻工藝是所有四個基本工藝中最關(guān)鍵工藝，由光刻工藝來確定器件的關(guān)鍵尺寸。光刻過程中的錯誤可造成圖形歪曲或套準不好，最終可轉(zhuǎn)化為對器件的電特性產(chǎn)生影響。圖形的錯位也會導致類似的不良結(jié)果。光刻工藝中的另一個問題是由于污染物所造成的缺陷問題。事實上由于光刻在晶圓生產(chǎn)過程中要完成5層至20層或更多，所以污染問題將會放大。為了防止光刻工藝中污染物所造成的缺陷，特別是防止光阻涂布過程有機物光阻污染晶圓背面，一般采用在背面噴射有機溶劑的方法，以化學溶解的方法來清除光阻污染。
[0005]但是對于靜電力附著的顆粒，有機溶劑并不能完全有效去除，在使用光刻機進行曝光來定義電路圖形時，若晶圓背面有顆粒污染，在曝光的過程中，會產(chǎn)生局部區(qū)域失焦，使得圖形定義不完整而造成缺陷。
實用新型內(nèi)容
[0006]本實用新型的目的在于提供一種晶圓背面清洗裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓背面的污染顆粒，由于受靜電力的影響，無法通過有機溶劑完全有效去除，導致在使用光刻機進行曝光定義電路圖形時，晶圓會產(chǎn)生局部區(qū)域的失焦，使得圖形定義不完整而造成缺陷的問題。
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種晶圓背面清洗裝置，所述晶圓背面清洗裝置，包括:驅(qū)動裝置、吸附裝置及支撐桿；
[0008]所述吸附裝置設(shè)置于所述驅(qū)動裝置上；
[0009]所述支撐桿設(shè)置于所述驅(qū)動裝置上并貫穿所述吸附裝置。
[0010]可選的，在所述的晶圓背面清洗裝置中，所述吸附裝置包括:吸附管及與所述吸附管相連的吸附塊。
[0011]可選的，在所述的晶圓背面清洗裝置中，所述吸附塊的橫截面為圓形、長方形或者正方形。
[0012]可選的，在所述的晶圓背面清洗裝置中，所述吸附塊的截面寬度大于等于晶圓的直徑。
[0013]可選的，在所述的晶圓背面清洗裝置中，所述吸附管的數(shù)量為多個；多個所述吸附管的形狀相同，并均勻分布于所述吸附塊的上表面。
[0014]可選的，在所述的晶圓背面清洗裝置中，所述吸附管及所述吸附塊的材質(zhì)均為S12和HMDS的混合材質(zhì)或者Si和HMDS的混合材質(zhì)。
[0015]可選的，在所述的晶圓背面清洗裝置中，所述支撐桿的數(shù)量為三個；三個所述支撐桿呈三角形分布于所述驅(qū)動裝置上。
[0016]可選的，在所述的晶圓背面清洗裝置中，所述支撐桿為中空的可伸縮的桿。
[0017]可選的，在所述的晶圓背面清洗裝置中，所述支撐桿的長度為5cm?10cm。
[0018]在本實用新型所提供的晶圓背面清洗裝置中，通過對吸附裝置的結(jié)構(gòu)設(shè)計，在進行晶圓背面清洗時，可將晶圓背面的污染顆粒牢固的吸附于吸附管上，并可多次反復進行確保晶圓背面不同尺寸的污染顆粒被吸附。進而避免了污染顆粒由于受靜電力的影響，無法通過有機溶劑完全有效去除，導致在使用光刻機進行曝光定義電路圖形時，晶圓會產(chǎn)生局部區(qū)域的失焦，使得圖形定義不完整而造成缺陷的情況，降低了晶圓的曝光失焦，提高了晶圓清洗的效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是本實用新型晶圓背面清洗裝置的俯視圖；
[0020]圖2是本實用新型晶圓背面清洗裝置的剖面示意圖。

【具體實施方式】
[0021]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型提出的晶圓背面清洗裝置作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
[0022]請參考圖1及圖2，其為本實用新型實施例的晶圓背面清洗裝置的相關(guān)示意圖。如圖1所示，所述晶圓背面清洗裝置包括:驅(qū)動裝置1、吸附裝置2及支撐桿3 ;所述吸附裝置2設(shè)置于所述驅(qū)動裝置I上；所述支撐桿3設(shè)置于所述驅(qū)動裝置I上并貫穿所述吸附裝置2。
[0023]本實用新型的晶圓背面清洗裝置應用的原理:
[0024]參照圖2，當對晶圓背面進行清洗時:
[0025]第一步，由支撐桿3裝載需要清洗的晶圓；
[0026]第二步，調(diào)整驅(qū)動裝置I驅(qū)動支撐桿3收縮，使支撐桿3上的晶圓背面靠近吸附裝置2 ;
[0027]第三步，調(diào)整驅(qū)動裝置I驅(qū)動支撐桿3做伸縮運動反復多次(若想晶圓背面的污染顆粒更完全的去除，可以多進行幾次)；
[0028]第四步，調(diào)節(jié)驅(qū)動裝置I驅(qū)動支撐桿3伸長卸載支撐桿3上的晶圓；
[0029]第五步，結(jié)束晶圓背面的清洗操作，將清洗后的晶圓放置于光刻機上進行后續(xù)的曝光工序。
[0030]優(yōu)選的，所述吸附裝置包括:吸附管22及與所述吸附管22相連的吸附塊21。
[0031]優(yōu)選的，所述吸附塊21的橫截面為圓形、長方形或者正方形，并且所述吸附塊21的截面寬度大于等于晶圓的直徑。具體的，晶圓橫截面小于吸附裝置2的橫截面，當晶圓靠近吸附裝置2時，晶圓背面充分接觸吸附裝置2，使晶圓背面的污染顆粒被吸附裝置2所吸附。
[0032]優(yōu)選的，所述吸附管22的數(shù)量為多個；多個所述吸附管22的形狀相同，并均勻分布于所述吸附塊21的上表面。具體的，吸附管22的設(shè)置，進一步確保吸附的污染顆粒能夠牢固的黏附與吸附裝置上，相比不設(shè)置吸附管22，僅僅是一個平面的吸附結(jié)構(gòu)，在裝載有晶圓的支撐桿3上移時，避免已被吸附的污染顆?？赡苤匦卤痪A帶走。
[0033]優(yōu)選的，所述吸附管22及所述吸附塊21的材質(zhì)均為S12和HMDS的混合材質(zhì)或者Si和HMDS的混合材質(zhì)。S12和HMDS的混合材質(zhì)或者Si和HMDS的混合材質(zhì)可以較好的吸附晶圓背面的污染顆粒，通過吸附的黏著力，克服污染顆粒與晶圓之間的靜電力，從而達到去除污染顆粒的目的。
[0034]優(yōu)選的，所述支撐桿3的數(shù)量為三個；三個所述支撐桿3呈三角形分布于所述驅(qū)動裝置I上。具體的，為了晶圓能夠平穩(wěn)的放置于支撐桿3上，不存在晶圓表面傾斜的情況。在晶圓背面清洗時，由于晶圓背面不夠水平，在晶圓靠近吸附裝置時，部分污染顆粒無法被吸附，達不到較佳的吸附效果。
[0035]優(yōu)選的，所述支撐桿3為中空的可伸縮的桿。具體的，支撐桿3設(shè)計為中空結(jié)構(gòu)，有利于對晶圓的真空吸附固定；其可伸縮性可在驅(qū)動裝置I的驅(qū)動下做上下移動的操作，進而完成晶圓的裝載、卸載及清洗操作。
[0036]優(yōu)選的，所述支撐桿3的長度為5cm?10cm。支撐桿可根據(jù)需要靠近吸附裝置2或遠離吸附裝置2，完成晶圓背面的清洗操作。
[0037]綜上，在本實用新型所提供的晶圓背面清洗裝置中，通過對吸附裝置的結(jié)構(gòu)設(shè)計，在進行晶圓背面清洗時，可將晶圓背面的污染顆粒牢固的吸附于吸附管上，并可多次反復進行確保晶圓背面不同尺寸的污染顆粒被吸附。進而避免了污染顆粒由于受靜電力的影響，無法通過有機溶劑完全有效去除，導致在使用光刻機進行曝光定義電路圖形時，晶圓會產(chǎn)生局部區(qū)域的失焦，使得圖形定義不完整而造成缺陷的情況，降低了晶圓的曝光失焦，提高了晶圓清洗的效率。
[0038]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包括這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓背面清洗裝置，其特征在于，包括:驅(qū)動裝置、吸附裝置及支撐桿； 所述吸附裝置設(shè)置于所述驅(qū)動裝置上； 所述支撐桿設(shè)置于所述驅(qū)動裝置上并貫穿所述吸附裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓背面清洗裝置，其特征在于，所述吸附裝置包括:吸附管及與所述吸附管相連的吸附塊。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓背面清洗裝置，其特征在于，所述吸附塊的橫截面為圓形、長方形或者正方形。
4.如權(quán)利要求3所述的晶圓背面清洗裝置，其特征在于，所述吸附塊的截面寬度大于等于晶圓的直徑。
5.如權(quán)利要求2所述的晶圓背面清洗裝置，其特征在于，所述吸附管的數(shù)量為多個；多個所述吸附管的形狀相同，并均勻分布于所述吸附塊的上表面。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓背面清洗裝置，其特征在于，所述支撐桿的數(shù)量為三個；三個所述支撐桿呈三角形分布于所述驅(qū)動裝置上。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓背面清洗裝置，其特征在于，所述支撐桿為中空的可伸縮桿。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓背面清洗裝置，其特征在于，所述支撐桿的長度為5cm?1cm0
【文檔編號】H01L21/02GK203967038SQ201420240863
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2014年5月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月12日
【發(fā)明者】孔德平, 胡華勇 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司