專利名稱：一種盛載單晶硅晶圓拋光片片盒的清洗工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及單晶硅晶圓拋光片的包裝技術(shù)，特別涉及一種盛載單晶硅晶圓拋光片片盒的清洗工藝。
背景技術(shù)：
單晶硅晶圓拋光片表面吸附的顆粒會引起器件圖形缺陷、外延缺陷、影響布局的完整性，是高成品率的最大障礙，特別是硅片鍵合時，引入微隙，同時也引起位錯，影響鍵合強度和表層質(zhì)量。因此，硅片表面顆粒度的控制是硅晶片加工的關(guān)鍵。硅晶圓拋光片的加工一般主要包括單晶生長一滾磨一切片一倒角一研磨一腐蝕一背損傷一背封一去邊一拋光—清洗一包裝等過程。硅拋光片再清洗甩干后就要進行表面檢驗，合格的硅拋光片放入片盒中并進行封裝。因此，片盒的潔凈度至關(guān)重要，直接影響了客戶使用時的產(chǎn)品表面質(zhì)量。為了保證潔凈的拋光片不受到二次污染，應(yīng)該對其包裝盒的潔凈度實施嚴(yán)格管控。目前行業(yè)中主要采用英特格(Entegris)公司生產(chǎn)的免洗片盒進行包裝。但在使用中常發(fā)現(xiàn)，使用該片盒包裝合格產(chǎn)品在放置一段時間后表面顆粒度有所增加，而且使用高潔凈度的片盒不利于降低輔料成本，因此不適應(yīng)半導(dǎo)體行業(yè)的高速發(fā)展和激烈的市場競爭。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對拋光片包裝技術(shù)的現(xiàn)狀，提供一種過程簡單、高效、成本低的盛載單晶硅晶圓拋光片片盒的清洗工藝。本工藝采用ST0RM(TM)III旋轉(zhuǎn)式片盒清洗機通過去離子水的噴淋設(shè)計來清洗二手片盒。本發(fā)明是通過這樣的技術(shù)方案實現(xiàn)的一種盛載單晶硅晶圓拋光片片盒的清洗工藝，其特征在于，將英特格公司的非免洗片盒用去離子水通過旋轉(zhuǎn)式片盒清洗機清洗，以實現(xiàn)干燥且潔凈度較高的片盒，先將清洗機的濕度調(diào)至25±5% ;溫度調(diào)至90±10°C，氮氣流量200±50L/min，氮氣溫度120±20°C，清洗工藝分成十六個步驟，分別采取順時針和逆時針旋轉(zhuǎn)對片盒進行內(nèi)向沖洗；外向沖洗；內(nèi)吹熱氮氣；外吹熱氮氣程序，其每個步驟設(shè)定的清洗時間、轉(zhuǎn)速以及執(zhí)行的程序如下表
權(quán)利要求
1. 一種盛載單晶硅晶圓拋光片片盒的清洗工藝，其特征在于，將英特格公司的非免洗片盒用去離子水通過旋轉(zhuǎn)式片盒清洗機清洗，以實現(xiàn)干燥且潔凈度較高的片盒，先將清洗機的濕度調(diào)至25±5% ;溫度調(diào)至90±10°C ;氮氣流量200±50L/min ;氮氣溫度120±2(TC， 清洗工藝分成十六個步驟，分別釆取順時針和逆時針旋轉(zhuǎn)對片盒進行內(nèi)向沖洗；外向沖洗； 內(nèi)吹熱氮氣；外吹熱氮氣程序，其每個步驟設(shè)定的清洗時間、轉(zhuǎn)速以及執(zhí)行的程序如下表
全文摘要
本發(fā)明涉及單晶硅晶圓拋光片的包裝技術(shù)，特別涉及一種盛載單晶硅晶圓拋光片片盒的清洗工藝。本工藝步驟是將英特格公司的非免洗片盒用去離子水通過旋轉(zhuǎn)式片盒清洗機清洗，以實現(xiàn)干燥且潔凈度較高的片盒，先將清洗機的濕度調(diào)至25±5%；溫度調(diào)至90±10℃；氮氣流量200±50L/min；氮氣溫度120±20℃，清洗工藝分成十六個步驟，分別采取順時針和逆時針旋轉(zhuǎn)對片盒進行內(nèi)向沖洗；外向沖洗；內(nèi)吹熱氮氣；外吹熱氮氣程序，其每個步驟設(shè)定清洗時間、轉(zhuǎn)速以及執(zhí)行的程序。采用本工藝經(jīng)過清洗后的片盒替代高潔凈度的片盒，不僅省去了高潔凈度輔料的成本，而且加強了硅片表面顆粒的控制?？梢栽诎雽?dǎo)體行業(yè)的高速發(fā)展和激烈的市場競爭占據(jù)有利地位。
文檔編號H01L21/02GK102974581SQ20121053456
公開日2013年3月20日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者劉琦, 齊釗, 李諾, 孫希凱, 呂瑩 申請人:天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司