專利名稱：發(fā)光器件、其制備方法和使用該器件的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光(有機(jī)EL)元件，更特別是，涉及一種具有優(yōu)良 的出光效率的發(fā)光二極管，使得有機(jī)EL元件發(fā)出的光不會(huì)泄漏到有機(jī)EL元件的相鄰區(qū) 域，和使用該發(fā)光二極管的顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)EL元件是一種發(fā)光元件，其原理是，當(dāng)被施加電場時(shí)，熒光材料通過由陽 極注入的空穴和由陰極注入的電子的結(jié)合能而發(fā)光。EASTMANKODAK公司的C.W.Tang 和 S.A.VanSlyke 在 Applied Physics Letters，Vol.51, pp.913 (1987)報(bào)道了使用層疊裝置的 低電壓驅(qū)動(dòng)的有機(jī)EL元件之后，已經(jīng)對(duì)由有機(jī)材料組成的有機(jī)EL元件進(jìn)行了研究。Tang等在玻璃基底上使用三(8-羥基喹啉)鋁作為發(fā)光層以及三苯基二胺衍生物 作為空穴傳輸層來制備有機(jī)EL元件。這種層疊類型結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于可以提高空穴注入發(fā) 光層的效率，通過阻擋從陰極注入電子可以提高由復(fù)合產(chǎn)生激子的效率，并且可以捕獲 發(fā)光層產(chǎn)生的激子。對(duì)于上述有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)而言，由空穴傳輸(注入)層和可傳輸 空穴的發(fā)光層組成的兩層類型，或者由空穴傳輸(注入)層、發(fā)光層和電子傳輸(注入) 層組成的三層類型在本領(lǐng)域是眾所周知的。為了提高層疊類型元件中注入的電子和空穴的復(fù)合效率，對(duì)元件結(jié)構(gòu)或其形成 方法進(jìn)行了研究。然而，由于當(dāng)載流子被復(fù)合時(shí)取決于自旋統(tǒng)計(jì)，所以有機(jī)EL元件中產(chǎn)生單重態(tài) 的幾率受到限制，導(dǎo)致發(fā)光幾率有一個(gè)上限。預(yù)計(jì)該上限的值約為25%。此外，由于 有機(jī)EL元件中發(fā)光體的折射率，入射角大于臨界角的光被全反射，結(jié)果光可以不從基底 發(fā)出去。當(dāng)發(fā)光體的折射率為1.6時(shí)，預(yù)計(jì)只有20%的總發(fā)射光是有效的，因而能量轉(zhuǎn) 換效率不可避免地變低，即使加入單重態(tài)產(chǎn)生的幾率，總的能量轉(zhuǎn)換效率被限制為約5% (0.25x0.2 = 0.05), Tsutsui Tetsuo在“有機(jī)電致發(fā)光裝置的現(xiàn)象和發(fā)展趨勢(shì)”，Monthly Display, Vol.1, No.3, PP.11, September(1995)中對(duì)此作出了報(bào)道。在發(fā)光幾率非常 有限的有機(jī)EL元件中，上述低的出光效率導(dǎo)致能量轉(zhuǎn)換效率受到強(qiáng)烈且不利的影響而降 低。關(guān)于提高出光效率的技術(shù)，已提出使用發(fā)光二極管的幾個(gè)建議，該發(fā)光二極管 具有與現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)EL元件的同樣結(jié)構(gòu)。例如日本專利公開號(hào)1988-314795公開了一 種在具有聚焦性能的基底上形成透鏡以提高效率的方法，這對(duì)于有大發(fā)射區(qū)的裝置來說 是有效的，不過，難以在諸如點(diǎn)陣顯示裝置(其每一象素區(qū)都是精細(xì)的)的裝置中形成具 有聚焦性能的透鏡。此外，日本專利公開號(hào)1987-172691公開了一種通過引入平坦層形 成反-折射層的方法，該平坦層的介質(zhì)折射率介于玻璃基底和發(fā)光層之間，這提高了向前方向的出光效率，不過可能不能有效防止全反射。因此，對(duì)于具有較低折射率的有機(jī) EL元件是無效的，但對(duì)于具有高折射率的有機(jī)EL元件是有效的。此外，日本專利公開號(hào)2000-231985公開一種用來減少與基底的有機(jī)EL元件不 相接觸的平面上發(fā)生全反射的方法，是通過使用平面具有散射光功能的技術(shù)，不過其效 果并不明顯，因?yàn)樵谟袡C(jī)EL元件和通常使用的玻璃基底之間的界面上的全反射光的比例 尚o此外，使用具有這種光散射功能的基底來制備其中布置有多個(gè)有機(jī)EL元件的發(fā) 光二極管時(shí)，有機(jī)EL元件發(fā)出的光到達(dá)與元件鄰接的象素區(qū)，這導(dǎo)致光被泄漏，甚至在 不發(fā)光的象素處都可以觀察到。日本專利公開號(hào)1999-8070公開了一種在基底和有機(jī)EL 元件之間形成黑掩模和光散射層的技術(shù)，以解決漏光問題。不過，一些光被黑掩模吸收，結(jié)果出光效率進(jìn)一步降低。因此，用來提高使用有機(jī)EL元件的發(fā)光二極管的出光效率和防止其漏光的方法 并不是足夠的，而且上述問題不可避免地必須被克服，以使有機(jī)EL元件獲得實(shí)際應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的是，通過防止發(fā)光二極管的漏光和提高使用有機(jī)EL元件的出 光效率，從而提供高性能的發(fā)光二極管和顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求1，提供一種發(fā)光二極管，至少包括在可透射光的基底上 的高折射率層；和由介于透明的第一電極和第二電極之間的一層有機(jī)薄膜層或多層有機(jī) 薄膜層形成的有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件，其中，高折射率層的折射率為1.65或更高，而且 高折射率層和可透射光的基底之間界面的中心線平均粗糙度為0.01 u m-0.6 u m。根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求2，提供一種發(fā)光二極管，至少包括在可透射光的基 底上的高折射率層；和由介于透明的第一電極和第二電極之間的一層有機(jī)薄膜層或 多層有機(jī)薄膜層形成的有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件，其中，高折射率層的折射率高于發(fā) 光層的折射率，而且高折射率層和可透射光的基底之間界面的中心線平均粗糙度為 0.01 u m-0.6 u m。根據(jù)如權(quán)利要求1所要求的權(quán)利要求3，可透射光的基底和高折射率層之間界面 的展開面積比為1.02或更高。根據(jù)如權(quán)利要求2所要求的權(quán)利要求4，可透射光的基底和高折射率層之間界面 的展開面積比為1.02或更高。根據(jù)如權(quán)利要求1或3所要求的權(quán)利要求5，由Si3N4形成高折射率層。根據(jù)如權(quán)利要求2或4所要求的權(quán)利要求6，由Si3N4形成高折射率層。根據(jù)如權(quán)利要求1、3和5任何之一所要求的權(quán)利要求7，由多層可透射光層形成 可透射光的基底，并且與高折射率層接觸的可透射光層的折射率低于其余的可透射光層 的折射率。根據(jù)如權(quán)利要求2、4和6任何之一所要求的權(quán)利要求8，由多層可透射光層形成 可透射光的基底，并且與高折射率層接觸的可透射光層的折射率低于其余的可透射光層 的折射率。根據(jù)如權(quán)利要求7所要求的權(quán)利要求9，與高折射率層接觸的可透射光層是由多孔硅形成的。根據(jù)如權(quán)利要求8所要求的權(quán)利要求10，與高折射率層接觸的可透射光層是由 多孔硅形成的。根據(jù)如權(quán)利要求1、3、5、7和9任何之一所要求的權(quán)利要求11，高折射率層和 可透射光的基底之間界面是通過相對(duì)于可透射光的基底的背濺射法而形成的。根據(jù)如權(quán)利要求2、4、6、8和10任何之一所要求的權(quán)利要求12，高折射率層和 可透射光的基底之間界面是通過相對(duì)于可透射光的基底的背濺射法而形成的。根據(jù)如權(quán)利要求1、3、5、7和9任何之一所要求的權(quán)利要求13，高折射率層和 可透射光的基底之間的界面被形成，使得其成為在可透射光的基底上有覆蓋率為1或更 少的薄膜層，然后蝕刻具有薄膜層的基底。根據(jù)如權(quán)利要求2、4、6、8和10任何之一所要求的權(quán)利要求14，高折射率層和 可透射光的基底之間的界面被形成，使得其成為在可透射光的基底上有覆蓋率為1或更 少的薄膜層，然后蝕刻具有薄膜層的基底。根據(jù)如權(quán)利要求1、3、5、7、9、11和13任何之一所要求的權(quán)利要求15，高折 射率層的厚度為0.4 u m-2 u m。根據(jù)如權(quán)利要求2、4、6、8、10、12和14任何之一所要求的權(quán)利要求16，高折 射率層的厚度為0.4 u m-2 u m。根據(jù)如權(quán)利要求1、3、5、7、9、11、13和15任何之一所要求的權(quán)利要求17，
提供一種其中布置有多層發(fā)光二極管的顯示裝置。根據(jù)如權(quán)利要求2、4、6、8、10、12、14和16任何之一所要求的權(quán)利要求18，
提供一種其中布置有多層發(fā)光二極管的顯示裝置。


通過參考附圖詳細(xì)描述的優(yōu)選實(shí)施方案，本發(fā)明的以上及其他特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于 本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說將是更明顯的，其中圖1是本發(fā)明的發(fā)光二極管的橫剖面圖；圖2是用于本發(fā)明的有機(jī)EL元件的橫剖面圖；圖3是用于本發(fā)明的有機(jī)EL元件的橫剖面圖；圖4是用于本發(fā)明的有機(jī)EL元件的橫剖面圖；圖5是用于本發(fā)明的有機(jī)EL元件的橫剖面圖；和圖6是用于本發(fā)明的有機(jī)EL元件的橫剖面圖。此外，標(biāo)記1表示可透射光的基底。標(biāo)記2表示第一電極。標(biāo)記3表示空穴傳 輸層。標(biāo)記4表示發(fā)光層。標(biāo)記5表示電子傳輸層。標(biāo)記6表示第二電極。標(biāo)記7表 示有機(jī)薄膜層(例如空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5)。標(biāo)記8表示高折射率層。 標(biāo)記9表示低折射率的可透射光的層。
具體實(shí)施例方式以下參考表示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的附圖更全面地描述本發(fā)明。然而本發(fā)明可 以以不同的方式實(shí)施，而不應(yīng)被解釋是為是對(duì)這里提出的實(shí)施方案的限制。
本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)真研究了在使用有機(jī)EL元件的發(fā)光二極管中出現(xiàn)的上述問 題，并發(fā)現(xiàn)漏光可以被抑制以提高出光效率，這是通過在可透射光的基底上形成高折 射率層，使得其折射率高于有機(jī)EL元件發(fā)光層的折射率，或者折射率的值高于1.65， 形成有機(jī)EL元件，高折射率層和可透射光的基底之間界面的中心線平均粗糙度為 0.01 u m-0.6 u m。此外，他們發(fā)現(xiàn)，通過使高折射率層的厚度為Odiimlym，并且界面的展開 面積比為1.02或更高，漏光可以被進(jìn)一步抑制，以得到出光效率提高的發(fā)光二極管。在此情況下，展開面積比是指由S2/S1得到的值，其中S1表示可透射光的基底 上粗糙部分被投射到可透射光的基底上的面積，S2表示可透射光的基底上粗糙部分的表 面積。此外，他們發(fā)現(xiàn)，通過用多層可透射光的層形成可透射光的基底，和使與高折 射率層接觸的可透射光的層的折射率小于其余可透射光的層的折射率，漏光可以被進(jìn)一 步抑制，以得到出光效率提高的發(fā)光二極管。圖1和圖2是本發(fā)明發(fā)光二極管的橫剖面圖。常規(guī)的有機(jī)EL元件中，由于在有 機(jī)EL元件和基底之間以及基底和空氣之間兩個(gè)界面的損失，發(fā)光層發(fā)出的光只有約20% 被有效發(fā)出?？梢栽诘谝煌该麟姌O和可透射光的基底之間形成折射率高于1.65或折射率 高于發(fā)光層折射率的高折射率層，這降低了由于有機(jī)EL元件中的捕獲而造成光損失的比 例，而且向高折射率層發(fā)出更多的光，不過，由于在高折射率層和可透射光的基底之間 以及可透射光的基底和空氣之間界面損失的光比例增加，所以總出光效率沒有改變?？墒垢哒凵渎蕦雍涂赏干涔獾幕字g的界面粗糙化，使光從界面的幾個(gè)方向 發(fā)出和反射，這可以降低未從高折射率層向可透射光的基底發(fā)出的光的比例，然而，由 于可透射光的基底和空氣之間界面的光損失比例增加，這種各向同性的散射仍不但導(dǎo)致 降低的出光率而且導(dǎo)致向相鄰象素的漏光。在此情況下，當(dāng)使高折射率層和可透射光的基底之間界面粗糙化，以使中心線 平均粗糙度為O.Oliim到0.6iim時(shí)，從高折射率層向可透射光的基底引入的光中，在可 透射光的基底的基底平面法線方向傳播的光的比例增加。向可透射光的基底法線方向傳 播的光成分在可透射光的基底和空氣之間界面上不被反射，而是進(jìn)入空氣中，這樣可降 低在高折射率層和可透射光的基底之間界面上損失的光，并可提高出光率。此外，當(dāng)在 可透射光的基底法線方向傳播的光成分增加時(shí)，則降低了在平行于可透射光的基底平面 方向傳播的光成分的比例，其增加相鄰象素之間的漏光。當(dāng)可透射光的基底和有機(jī)EL元件之間未形成高折射率層時(shí)，在有機(jī)EL元件中 被捕獲的光的比例明顯高，結(jié)果提高的出光率仍是相同的。此外，借助于可透射光的基 底和高折射率層之間界面的為1.02或更高的展開面積比，進(jìn)一步提高了在基底平面的法 線方向傳播的光的比例，這更有效地抑制了漏光。此外，當(dāng)形成厚度為OdiimHiim的高折射率層時(shí)，平行于基底平面方向散 射的光可以被抑制在高折射率層內(nèi)，漏光被有效抑制。而且，當(dāng)可透射光的基底是由多 層層疊的可透射光層組成，并且與高折射率層接觸的可透射光層的折射率小于其余可透 射光層的折射率時(shí)，高折射率層和可透射光的基底之間界面的光損失被進(jìn)一步減少，在 基底平面的法線方向傳播光的比例進(jìn)一步增加，導(dǎo)致更高的出光率。
可通過任何技術(shù)使高折射率層和可透射光的基底之間的界面粗糙化，例如，背 濺射法，或者一種用來形成覆蓋率為1或更少的薄膜層，并使用同樣的掩模進(jìn)行蝕刻的 方法，根據(jù)可透射光的基底的不同可使用這些方法，由此在諸如CVD或真空沉積Si3N4 層的真空工藝過程中形成高折射率層，并且在連續(xù)的真空工藝中形成這樣的界面，從而 低成本地得到該結(jié)構(gòu)。當(dāng)使用濺射和真空沉積法形成有機(jī)EL元件時(shí)，可通過連續(xù)真空工藝(從可透射 光的基底到發(fā)光二極管)制備該元件，這進(jìn)一步增加了簡化真空工藝的效果。換言之，本發(fā)明涉及如下所述(1)-(10)的發(fā)光二極管。(1) 一種發(fā)光二極管，至少包括在可透射光的基底上的高折射率層；和由介 于在高折射率層上形成的透明的第一電極和第二電極之間的一層有機(jī)薄膜層或多層有機(jī) 薄膜層形成的有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件，其中，高折射率層的折射率為1.65或更高，高折 射率層和可透射光的基底之間界面的中心線平均粗糙度為0.01 u m-0.6 u m。(2) 一種發(fā)光二極管，至少包括在可透射光的基底上的高折射率層；和由介 于透明的第一電極和第二電極之間的一層有機(jī)薄膜層或多層有機(jī)薄膜層形成的有機(jī)電致 發(fā)光(EL)元件，其中，高折射率層的折射率高于發(fā)光層的折射率，高折射率層和可透射 光的基底之間界面的中心線平均粗糙度為0.01 u m-0.6 u m。(3)在(1)中描述的發(fā)光二極管，其中，可透射光的基底和高折射率層之間界面 的展開面積比為1.02或更高。(4)在(2)中描述的發(fā)光二極管，其中，可透射光的基底和高折射率層之間界面 的展開面積比為1.02或更高。(5)在⑴或(3)中描述的發(fā)光二極管，其中，由Si3N4形成高折射率層。(6)在(7)或(9)中描述的發(fā)光二極管，其中，由Si3N4形成高折射率層。(7)在(1)、(3)和(5)任何之一中描述的發(fā)光二極管，其中，由多層可透射光 層形成可透射光的基底，并且與高折射率層接觸的可透射光層的折射率低于其余的可透 射光層的折射率。(8)在(2)、(4)和(6)任何之一中描述的發(fā)光二極管，其中，由多層可透射光 層形成可透射光的基底，并且與高折射率層接觸的可透射光層的折射率低于其余的可透 射光層的折射率。(9)在(7)中描述的發(fā)光二極管，其中，與高折射率層接觸的可透射光層是由多 孔硅形成的。(10)在(8)中描述的發(fā)光二極管，其中，與高折射率層接觸的可透射光層是由 多孔硅形成的。(11)在(1)、(3)、(5)、(7)和(9)任何之一中描述的發(fā)光二極管，其中，高折 射率層和可透射光的基底之間界面是通過相對(duì)于可透射光的基底的背濺射法而形成的。(12)在⑵、(4)、(6)、(8)和(10)任何之一中描述的發(fā)光二極管，其中，高折 射率層和可透射光的基底之間界面是通過相對(duì)于可透射光的基底的背濺射法而形成的。(13)在(1)、(3)、(5)、(7)和(9)任何之一中描述的發(fā)光二極管，其中，高折 射率層和可透射光的基底之間的界面被形成，使得其成為在可透射光的基底上有覆蓋率 為1或更少的薄膜層，然后蝕刻具有薄膜層的基底。
(14)在⑵、(4)、(6)、(8)和(10)任何之一中描述的發(fā)光二極管，其中，高折 射率層和可透射光的基底之間界面被形成，使得其成為在可透射光的基底上有覆蓋率為1 或更少的薄膜層，然后蝕刻具有薄膜層的基底。(15)在(1)、(3)、(5)、(7)、(9)、(11)和(13)任何之一中描述的發(fā)光二極 管，其中，高折射率層的厚度為Ojymliim。(16)在(2)、(4)、(6)、(8)、(10)、(12)和(14)任何之一中描述的發(fā)光二極 管，其中，高折射率層的厚度為Ojymliim。(17)提供一種在其中布置有多層(1)、(3)、(5)、(7)、(9)、(11)、(13)和 (15)任何之一中描述的發(fā)光二極管的顯示裝置。(18)提供一種在其中布置有多層(2)、 (4)、(6)、(8)、(10)、(12)、(14)和(16)任何之一中描述的發(fā)光二極管的顯示裝置<優(yōu)選實(shí)施方案>本發(fā)明有機(jī)EL元件的裝置結(jié)構(gòu)除了其含有一層有機(jī)層或多層有機(jī)層(在第一 電極和第二電極之間至少包括發(fā)光層)外，沒有特別限定。第一和第二電極之一作為陽 極，另一個(gè)作為陰極。當(dāng)?shù)谝浑姌O是陽極且第二電極是陰極時(shí)，如圖3-圖6所示的有機(jī) EL元件的實(shí)施例，可使用的結(jié)構(gòu)如①陽極、發(fā)光層、陰極，②陽極、空穴傳輸層、發(fā)光 層、電子傳輸層、陰極，③空穴傳輸層、發(fā)光層、陰極，或④陽極、發(fā)光層、電子傳輸 層、陰極。此外，為了提高電荷注入性能、抑制絕緣覆蓋率或提高發(fā)光效率，可以在有 機(jī)層之間和有機(jī)層電極之間插入由絕緣材料和諸如LiF、MgF、SiO、Si02、Si3N4的無機(jī) 介電材料形成的薄層、由有機(jī)層和電極材料或金屬形成的復(fù)合層、或者諸如聚苯胺、聚 乙炔衍生物、聚二乙炔衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚對(duì)苯基亞乙烯基衍生物的有機(jī) 高分子薄膜層。任何典型的發(fā)光材料可用于本發(fā)明使用的發(fā)光二極管。舉例來說，可使用諸如三(8-羥基喹啉)鋁配合物(Alq3)[式1]、雙-二苯乙烯 聯(lián)苯(BDPVBi)[式 2]、1，3-雙(p-t- 丁基苯基-1，3，4-oxadiazolil (氧代二氮雜 lil)苯 (OXD-7)[式3]、N，N，-雙(2，5_di_t-丁基苯基)茈四羧酸二酰亞胺(BPPC)[式4]、 1，4-雙(N-p-tril-N_4-(4-甲基肉桂基)苯氨基)萘[式5]的小分子發(fā)光材料，或者諸 如聚亞苯基乙烯聚合物的高分子發(fā)光材料，由下式表示[化合物1]
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，包括在可透射光的基底上的高折射率層；和由介于透明的第 一電極和第二電極之間的一層有機(jī)薄膜層或多層有機(jī)薄膜層形成的有機(jī)電致發(fā)光(EL)元 件，其中，高折射率層的折射率至少為1.65，并且高折射率層和可透射光的基底之間界 面的中心線平均粗糙度為0.01 μ m-0.6 μ m。
2.—種發(fā)光二極管，包括在可透射光的基底上的高折射率層；和由介于透明的第 一電極和第二電極之間的一層有機(jī)薄膜層或多層有機(jī)薄膜層形成的有機(jī)電致發(fā)光(EL)元 件，其中，高折射率層的折射率高于發(fā)光層的折射率，并且高折射率層和可透射光的基 底之間界面的中心線平均粗糙度為0.01 μ m-0.6 μ m。
3.如權(quán)利要求1所要求的發(fā)光二極管，其中可透射光的基底和高折射率層之間界面的 展開面積比至少為1.02。
4.如權(quán)利要求2所要求的發(fā)光二極管，其中可透射光的基底和高折射率層之間界面的 展開面積比至少為1.02。
5.如權(quán)利要求1或3所要求的發(fā)光二極管，其中由Si3N4形成高折射率層。
6.如權(quán)利要求2或4所要求的發(fā)光二極管，其中由Si3N4形成高折射率層。
7.如權(quán)利要求1、3和5任何之一所要求的發(fā)光二極管，其中可透射光的基底由多層 可透射光層形成，并且與高折射率層接觸的可透射光層的折射率低于其余的可透射光層 的折射率。
8.如權(quán)利要求2、4和6任何之一所要求的發(fā)光二極管，其中可透射光的基底由多層 可透射光層形成，并且與高折射率層接觸的可透射光層的折射率低于其余的可透射光層 的折射率。
9.如權(quán)利要求7所要求的發(fā)光二極管，其中與高折射率層接觸的可透射光層是由多孔 硅形成的。
10.如權(quán)利要求8所要求的發(fā)光二極管，其中與高折射率層接觸的可透射光層是由多 孔硅形成的。
11.如權(quán)利要求1、3、5、7和9任何之一所要求的發(fā)光二極管，其中高折射率層和可 透射光的基底之間界面是通過相對(duì)于可透射光的基底的背濺射法而形成的。
12.如權(quán)利要求2、4、6、8和10任何之一所要求的發(fā)光二極管，其中高折射率層和 可透射光的基底之間界面是通過相對(duì)于可透射光的基底的背濺射法而形成的。
13.如權(quán)利要求1、3、5、7和9任何之一所要求的發(fā)光二極管，其中高折射率層和可 透射光的基底之間的界面被形成，使得其成為在可透射光的基底上有覆蓋率最多為1的 薄膜層，然后蝕刻具有該薄膜層的基底。
14.如權(quán)利要求2、4、6、8和10任何之一所要求的發(fā)光二極管，其中高折射率層和 可透射光的基底之間的界面被形成，使得其成為在可透射光的基底上有覆蓋率最多為1 的薄膜層，然后蝕刻具有該薄膜層的基底。
15.如權(quán)利要求1、3、5、7、9、11和13任何之一所要求的發(fā)光二極管，其中高折射 率層的厚度為0.4μιη-2μιη。
16.如權(quán)利要求2、4、6、8、10、12和14任何之一所要求的發(fā)光二極管，其中高折 射率層的厚度為0.4 μ m-2 μ m。
17.—種顯示裝置，其中布置多個(gè)權(quán)利要求1、3、5、7、9、11、13和15任何之一所要求的發(fā)光二極管。
18. —種顯示裝置，其中布置多個(gè)權(quán)利要求2、4、6、8、10、12、14和16任何之一 所要求的發(fā)光二極管被。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管及其制備方法，以及使用該發(fā)光二極管的顯示裝置，其中發(fā)光二極管至少包括一種載在可透射光的基底上的高折射率層；一種有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件，是由介于在高折射率層形成的透明的第一電極和第二電極之間的一層有機(jī)薄膜層或多層有機(jī)薄膜層形成的，并且高折射率層的折射率高于發(fā)光層的折射率或者折射率為1.65或更高，而且高折射率層和可透射光的基底之間的界面被粗糙化，使得其中心線平均粗糙度為0.01μm-0.6μm，結(jié)果防止了漏光且出光效率更高。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102024913SQ20101050991
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2003年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月29日
發(fā)明者東口達(dá), 小田敦, 石川仁志 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社