發(fā)光器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種密封部的量子點不易因氣體或水分等而劣化，能夠?qū)崿F(xiàn)器件的長壽命化的發(fā)光器件。發(fā)光器件(1)包括器件主體(10)、光源(20)、發(fā)光部(30)和蓋部件(40)。器件主體(10)具有凹部(13)。光源(20)配置在凹部(13)的底壁(13b)上。發(fā)光部(30)以來自光源(20)的光入射該發(fā)光部的方式配置于凹部(13)內(nèi)。發(fā)光部(30)含有量子點。蓋部件(40)遮蓋凹部(13)。蓋部件(40)與器件主體(10)一起將光源(20)和發(fā)光部(30)密封。
【專利說明】
發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光器件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，使用了發(fā)光二極管的發(fā)光器件的進展顯著，并被用于液晶的背光源、大型顯示器等。特別是通過短波長光的發(fā)光元件的半導(dǎo)體材料的發(fā)展而得到了短波長的光，因此，使用該材料激發(fā)熒光體，能夠得到更多種波長的光。
[0003]目前，已知有使用了量子點的發(fā)光器件。例如，專利文獻I中公開有一種發(fā)光器件，其具備藍色LED和將藍色LED密封的密封部，密封部由含有量子點的樹脂組合物構(gòu)成。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻I:日本特開2010-126596號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0008]但是，在專利文獻I所示那樣的發(fā)光器件的情況下存在如下問題，密封部的量子點易于因發(fā)光器件的使用環(huán)境下存在的氣體或水分等而劣化，量子點發(fā)出的熒光強度降低。
[0009]本發(fā)明主要的目的在于，提供一種密封部的量子點不易因氣體或水分等而劣化，能夠?qū)崿F(xiàn)器件的長壽命化的發(fā)光器件。
[0010]解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
[0011]本發(fā)明的發(fā)光器件，其包括器件主體、光源、發(fā)光部和蓋部件。器件主體具有凹部。光源配置于凹部的底壁上。發(fā)光部以來自光源的光入射該發(fā)光部的方式配置在凹部內(nèi)。發(fā)光部含有量子點。蓋部件遮蓋凹部。蓋部件與器件主體一起將光源和發(fā)光部密封。
[0012]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:發(fā)光部含有分散有量子點的樹脂。
[0013]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:發(fā)光部以覆蓋光源的方式設(shè)置于光源的正上方。
[0014]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:發(fā)光部的表面為凹面。
[0015]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:發(fā)光部充填于由器件主體和蓋部件劃分形成的密封空間中。
[0016]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:發(fā)光部設(shè)置在蓋部件的凹部側(cè)的表面上。
[0017]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:發(fā)光部被光源支承。
[0018]優(yōu)選本發(fā)明的發(fā)光器件還包括擴散部件，該擴散部件配置于發(fā)光部與光源之間，將來自光源的光擴散。
[0019]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:蓋部件和器件主體焊接。
[0020]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:蓋部件和器件主體陽極接合。
[0021]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:蓋部件和器件主體由無機接合材料接合。
[0022]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:器件主體的一部分由金屬構(gòu)成。
[0023]本發(fā)明的發(fā)光器件中，優(yōu)選器件主體的由金屬構(gòu)成的部分與發(fā)光部接觸。
[0024]本發(fā)明的發(fā)光器件中，優(yōu)選蓋部件的厚度為1.0mm以下。
[0025]本發(fā)明的發(fā)光器件中，優(yōu)選蓋部件的折射率為1.70以下。
[0026]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:蓋部件具有晶界。
[0027]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:蓋部件含有光散射劑。
[0028]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:蓋部件由陶瓷構(gòu)成。
[0029]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:由器件主體和蓋部件劃分形成的密封空間被減壓。
[0030]本發(fā)明的發(fā)光器件中，也可以為:由器件主體和蓋部件劃分形成的密封空間為不活潑氣體氣氛。
[0031]本發(fā)明的發(fā)光器件的制造方法中，在具有凹部的器件主體的凹部的底壁上配置光源。通過將分散有量子點的樹脂配置于凹部內(nèi)而形成發(fā)光部。以遮蓋凹部的方式配置蓋部件而將光源和發(fā)光部密封。在密封工序之前，將樹脂加熱至100°C以上。
[0032]發(fā)明效果
[0033]根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)使用了量子點的發(fā)光器件的長壽命化。
【附圖說明】
[0034]圖1是第一實施方式的發(fā)光器件的示意性的剖視圖。
[0035]圖2是第二實施方式的發(fā)光器件的示意性的剖視圖。
[0036]圖3是第三實施方式的發(fā)光器件的示意性的剖視圖。
[0037]圖4是第四實施方式的發(fā)光器件的示意性的剖視圖。
[0038]圖5是第五實施方式的發(fā)光器件的示意性的剖視圖。
[0039]圖6是第六實施方式的發(fā)光器件的示意性的剖視圖。
[0040]圖7是第七實施方式的發(fā)光器件的示意性的剖視圖。
[0041 ]圖8是第八實施方式的發(fā)光器件的示意性的剖視圖。
【具體實施方式】
[0042]以下，對實施本發(fā)明的優(yōu)選方式進行說明。但是，下述的實施方式僅是示例。本發(fā)明不限定于下述實施方式。
[0043]另外，實施方式等中參照的各附圖中，具有實際上相同的功能的部件以相同的標(biāo)記進行參照。另外，實施方式等中參照的附圖是示意性地記載的圖。附圖中描繪的物體的尺寸比率等有時與現(xiàn)實物體的尺寸比率等不同。附圖相互間，物體的尺寸比率等也有時不同。具體的物體的尺寸比率等應(yīng)參考以下的說明進行判斷。
[0044](第一實施方式)
[0045]圖1是第一實施方式的發(fā)光器件I的示意性的剖視圖。
[0046]發(fā)光器件I是激發(fā)光入射時射出與激發(fā)光不同的波長的光的器件。發(fā)光器件I也可以是射出激發(fā)光和通過激發(fā)光的照射而產(chǎn)生的光的混合光的發(fā)光器件。
[0047]發(fā)光器件I具有器件主體10。器件主體10具有第一部件11和第二部件12。第二部件12設(shè)置在第一部件11上。第二部件12設(shè)置有向第一部件11開口的貫通孔12a。由該貫通孔12a構(gòu)成凹部13。此外，貫通孔12a向第一部件11側(cè)逐漸變細。因此，凹部13的側(cè)壁13a相對于第一部件11的主面傾斜。
[0048]器件主體10可以由任何材料構(gòu)成。器件主體10例如可以由低溫共燒陶瓷等陶瓷、金屬、樹脂、玻璃等構(gòu)成。構(gòu)成第一部件11的材料和構(gòu)成第二部件12的材料可以相同，也可以不同。本實施方式中，對器件主體10的一部分由金屬構(gòu)成的例子進行說明。具體而言，對器件主體10中的構(gòu)成側(cè)壁13a的第二部件12由金屬構(gòu)成的例子進行說明。此外，作為構(gòu)成器件主體10的金屬的優(yōu)選具體例，例如可舉出鋁、銅、鐵及由這些成分構(gòu)成的合金等。
[0049]在器件主體10的凹部13的底壁13b上配置有光源20。光源20能夠由例如LED(LightEmitting D1de:發(fā)光二極管)元件、LD(Laser D1de:激光二極管)元件等構(gòu)成。本實施方式中，對光源20由LED構(gòu)成的例子進行說明。
[0050]在凹部13內(nèi)配置有發(fā)光部30。發(fā)光部30以來自光源20的光入射該發(fā)光部的方式配置。具體而言，發(fā)光部30以遮蓋光源20的方式配置于光源20上。
[0051 ]發(fā)光部30含有量子點。發(fā)光部30可以含有I種量子點，也可以含有多種量子點。
[0052]此外，量子點在量子點的激發(fā)光入射時，射出與激發(fā)光不同的波長的光。從量子點射出的光的波長依賴于量子點的粒徑。即，通過改變量子點的粒徑，能夠調(diào)整得到的光的波長。因此，量子點的粒徑為與要得到的光的波長相應(yīng)的粒徑。量子點的粒徑通常為2nm?1nm0
[0053]例如，作為當(dāng)照射波長300nm?440nm的紫外?近紫外的激發(fā)光時發(fā)出藍色的可見光(波長440nm?480nm的焚光)的量子點的具體例，可舉出粒徑為2.0nm?3.0nm左右的CdSe/ZnS的微晶等。作為當(dāng)照射波長300nm?440nm的紫外?近紫外的激發(fā)光或波長440nm?480nm的藍色的激發(fā)光時發(fā)出綠色的可見光(波長為500nm?540nm的焚光)的量子點的具體例，可舉出粒徑為3.0nm?3.3nm左右的CdSe/ZnS的微晶等。作為當(dāng)照射波長300nm?440nm的紫外?近紫外的激發(fā)光或波長440nm?480nm的藍色的激發(fā)光時發(fā)出黃色的可見光(波長為540nm?595nm的熒光)的量子點的具體例，可舉出粒徑為3.3nm?4.5nm左右的CdSe/ZnS的微晶等。作為當(dāng)照射波長300nm?440nm的紫外?近紫外的激發(fā)光或波長440nm?480nm的藍色的激發(fā)光時發(fā)出紅色的可見光(波長為600nm?700nm的熒光)的量子點的具體例，可舉出粒徑為4.5nm?I Onm左右的CdSe/ZnS的微晶等。
[0054]本實施方式中，發(fā)光部30為固體。具體而言，發(fā)光部30含有分散有量子點的樹脂。作為優(yōu)選使用的樹脂的具體例，例如可舉出:硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂等。
[0055]此外，發(fā)光部30除了樹脂和量子點以外，也可以還含有例如光分散劑等。
[0056]發(fā)光部30以覆蓋光源20的方式設(shè)置于光源20的正上方。發(fā)光部30包含設(shè)置有光源20的部分，且跨越底壁13b的上方和側(cè)壁13a的上方而設(shè)置。因此，由金屬構(gòu)成的第二部件12和發(fā)光部30接觸。
[0057]發(fā)光部30的表面30a為凹面。
[0058]此外，發(fā)光部30也可以由多層發(fā)光層的疊層體構(gòu)成。在該情況下，多層發(fā)光層也可以包含多個發(fā)光層，該多個發(fā)光層含有射出波長相互不同的光的量子點。例如也可以由包含第一發(fā)光層和第二發(fā)光層的多個發(fā)光層的疊層體構(gòu)成發(fā)光部30，第一發(fā)光層含有射出第一波長的光的量子點，第二發(fā)光層含有射出第二波長的光的量子點。
[0059]凹部13被蓋部件40遮蓋。該蓋部件40與器件主體1接合。密封空間50由蓋部件40和器件主體10劃分形成。光源20和發(fā)光部30密封于該密封空間50內(nèi)。
[0060]這樣，發(fā)光器件I中，在密封空間50內(nèi)密封有光源20和發(fā)光部30。因此，抑制發(fā)光部30所含的量子點與水分或氧接觸。因此，量子點不易因水分或氧而劣化。因此，發(fā)光器件I能夠?qū)崿F(xiàn)長壽命化。
[0061]從更有效地抑制水分或氧侵入密封空間50內(nèi)的觀點來看，優(yōu)選器件主體10和蓋部件40由不易透過水分或氧的材料構(gòu)成。優(yōu)選器件主體10和蓋部件40分別由無機材料構(gòu)成。具體而言，優(yōu)選器件主體10由金屬或陶瓷、玻璃等構(gòu)成。蓋部件40需要具有透光性，因此，優(yōu)選由例如玻璃、陶瓷等構(gòu)成。
[0062]另外，優(yōu)選發(fā)光器件I以水分或氧不易從器件主體10和蓋部件40之間的間隙侵入的方式構(gòu)成。具體而言，例如，優(yōu)選將器件主體10和蓋部件40焊接。例如，優(yōu)選使用激光等將器件主體10和蓋部件40焊接。此外，例如優(yōu)選將蓋部件40和器件主體10陽極接合。此外，例如，優(yōu)選蓋部件40和器件主體1由無機接合材料接合。
[0063]但是，量子點的溫度越高，使用了量子點的發(fā)光器件I的劣化越容易發(fā)展。發(fā)光器件I中，器件主體10的至少一部分由熱傳導(dǎo)率較高的金屬構(gòu)成。因此，光源20的熱易于經(jīng)器件主體10而散熱。發(fā)光器件I中，由金屬構(gòu)成的第二部件12和發(fā)光部30接觸。因此，發(fā)光部30的熱易于經(jīng)第二部件12而散熱。特別是發(fā)光器件I中，發(fā)光部30的表面30a以成為凹面的方式配置，因此，即使發(fā)光部30的充填量較少，也可以增大發(fā)光部30與第二部件12的接觸面積。因此，發(fā)光部30的熱易于經(jīng)第二部件12更有效地散熱。因此，發(fā)光器件I中，可實現(xiàn)更長壽命化。
[0064]發(fā)光器件I中，從更有效地抑制量子點的溫度上升的觀點來看，更優(yōu)選蓋部件40由具有較高的熱傳導(dǎo)率的陶瓷構(gòu)成。
[0065]從降低密封空間50中的水分或氧的濃度的觀點來看，優(yōu)選密封空間50被減壓。另夕卜，優(yōu)選密封空間50為氮氣氛或氬氣氛等不活潑氣體氣氛。
[0066]從更有效地抑制水分或氧侵入密封空間50的觀點來看，優(yōu)選密封空間50被加壓。
[0067]發(fā)光器件I中，優(yōu)選來自發(fā)光部30的光或來自發(fā)光部30的光與來自光源20的光的混合光的取出效率較高。從該觀點來看，優(yōu)選蓋部件40的厚度為1.0mm以下，更優(yōu)選為0.5mm以下。但是，當(dāng)蓋部件40的厚度過小時，存在蓋部件40的機械強度過低的情況。因此，蓋部件40的厚度優(yōu)選為0.005mm以上。蓋部件40的折射率優(yōu)選為1.70以下，更優(yōu)選為1.60以下。蓋部件40的折射率通常為1.46以上。
[0068]從縮小從發(fā)光器件I射出的光的強度或色度的面內(nèi)偏差的觀點來看，優(yōu)選蓋部件40具有光散射能。具體而言，優(yōu)選蓋部件40具有晶界?；蛘?，優(yōu)選蓋部件40含有光散射劑。作為優(yōu)選使用的光散射劑的具體例，例如可舉出:氧化鋁、二氧化鈦、二氧化硅等高反射無機化合物及高反射白色樹脂等。
[0069]發(fā)光器件I的制造方法沒有特別限定。發(fā)光器件I能夠根據(jù)例如以下要領(lǐng)制造。
[0070]首先，準(zhǔn)備具有凹部13的器件主體10。
[0071]接著，在器件主體10上配置光源20。
[0072]接著，通過將含有量子點的樹脂組合物供給至凹部13內(nèi)并使其固化而形成發(fā)光部30 ο
[0073]然后，通過將蓋部件40安裝于器件主體10上而密封光源20及發(fā)光部30。由此，能夠完成發(fā)光器件I。蓋部件40能夠通過例如激光焊接、陽極接合、使用了焊料等無機接合材料的接合等安裝于器件主體10上。
[0074]供給含有量子點的樹脂組合物且使其固化的工序及安裝蓋部件40的工序也可以在例如減壓氣氛下、不活潑氣體氣氛下進行。
[0075]優(yōu)選在進行密封工序前，加熱發(fā)光部30所含的樹脂，降低樹脂的水分濃度。具體而言，優(yōu)選將發(fā)光部30所含的樹脂加熱至100°C以上，更優(yōu)選加熱至150°C以上。此外，樹脂的加熱也可以在固化后進行，也可以在固化前、例如涂敷前進行。以下，對本發(fā)明優(yōu)選的實施方式的其它例子進行說明。以下的說明中，將具有實際上與上述第一實施方式相同的功能的部件以相同的符號進行參照并省略說明。
[0076](第二實施方式)
[0077]圖2是第二實施方式的發(fā)光器件Ia的示意性的剖視圖。
[0078]第一實施方式中，對發(fā)光部30配置于密封空間50的一部分，且發(fā)光部30具有與蓋部件40隔開間隔的表面30a的例子進行了說明。但是，本發(fā)明不限定于該結(jié)構(gòu)。
[0079]例如，第二實施方式的發(fā)光器件Ia中，發(fā)光部30充填在密封空間50中。因此，發(fā)光部30不具有與蓋部件40隔開間隔的表面。發(fā)光部30與蓋部件40的凹部13側(cè)表面密接。在該情況下，位于發(fā)光部30的光射出側(cè)的界面減少。因此，來自發(fā)光部30的光的取出效率提高。另外，能夠抑制發(fā)光部30的厚度的制造偏差。因此，能夠抑制發(fā)光器件Ia的發(fā)光強度或發(fā)光色度的偏差。
[0080](第三實施方式)
[0081 ]圖3是第三實施方式的發(fā)光器件Ib的示意性的剖視圖。
[0082]第一實施方式中，對將發(fā)光部30配置于凹部13的底壁13b上的例子進行了說明。但是，本發(fā)明不限定于該結(jié)構(gòu)。例如，第三實施方式的發(fā)光器件Ib中，將發(fā)光部30設(shè)置于蓋部件40的凹部13側(cè)的表面上。發(fā)光部30設(shè)置于蓋部件40的凹部13側(cè)的表面中露出于凹部13的部分的實質(zhì)整體上。
[0083]這種發(fā)光部30能夠通過例如在蓋部件40上涂敷含有量子點和樹脂的漿料并使其干燥而形成。在該情況下，可縮小發(fā)光部30的厚度不均。因此，能夠抑制發(fā)光器件I的發(fā)光強度或發(fā)光色度的偏差。
[0084](第四實施方式)
[0085]圖4是第四實施方式的發(fā)光器件Ic的示意性的剖視圖。
[0086]第四實施方式的發(fā)光器件Ic中，發(fā)光部30由光源20支承。發(fā)光部30設(shè)置于光源20的上表面的正上方。發(fā)光部30和光源20直接接觸。因此，發(fā)光部30與光源20之間的界面數(shù)較少。因此，能夠提高來自光源20的光向發(fā)光部30的入射效率。
[0087](第五實施方式和第六實施方式)
[0088]圖5是第五實施方式的發(fā)光器件Id的示意性的剖視圖。圖6是第六實施方式的發(fā)光器件的示意性的剖視圖。
[0089]第五實施方式的發(fā)光器件Id和第六實施方式的發(fā)光器件Ie中，在發(fā)光部30與光源20之間設(shè)置有將來自光源20的光擴散的擴散部件60。通過設(shè)置擴散部件60，能夠縮小來自光源20的光向發(fā)光部30的入射強度的偏差。因此，可縮小發(fā)光強度或發(fā)光色度的面內(nèi)偏差。
[0090]第五實施方式的發(fā)光器件Id中，發(fā)光部30設(shè)置于擴散部件60的正上方。發(fā)光部30與擴散部件60接觸。因此，能夠提高光向發(fā)光部30的入射效率。
[0091]第六實施方式的發(fā)光器件Ie中，將發(fā)光部30與光源20分離。在發(fā)光部30與光源20之間設(shè)置有空間。因此，來自光源20的熱不易傳遞至發(fā)光部30。因此，可抑制發(fā)光部30的熱劣化。
[0092]從抑制發(fā)光部30的熱劣化的觀點來看，也可以使擴散部件60與器件主體10接觸。通過這樣，光源20的熱易于經(jīng)擴散部件60和器件主體10而散熱。
[0093](第七實施方式)
[0094]圖7是第七實施方式的發(fā)光器件If的示意性的剖視圖。
[0095]第七實施方式的發(fā)光器件If中，蓋部件40和器件主體10由焊料或低熔點玻璃料等無機接合材料70接合。在該情況下，能夠局部性地抑制接合時的熱的影響，因此，能夠進一步抑制量子點的劣化。
[0096](第八實施方式)
[0097]圖8是第八實施方式的發(fā)光器件Ig的示意性的剖視圖。
[0098]第一實施方式?第七實施方式中，對在第二部件12上配置蓋部件40且以覆蓋的方式遮蓋凹部13的例子進行了說明。但是，本發(fā)明不限定于該結(jié)構(gòu)。例如，第八實施方式的發(fā)光器件Ig中，可以將設(shè)置于第二部件12z的貫通孔12az的形狀以從高度方向的中途向第一部件11側(cè)逐漸變細的方式形成而構(gòu)成凹部13z，使蓋部件40嵌合于凹部13z內(nèi)而遮蓋凹部13z。另外，本實施方式中，發(fā)光部30設(shè)置于蓋部件40的凹部13z側(cè)的表面整體。
[0099]此外，本實施方式中，對發(fā)光部30設(shè)置于蓋部件40的凹部13側(cè)的表面的例子進行了說明，但本發(fā)明不限定于該結(jié)構(gòu)。例如，也可以將發(fā)光部配置于凹部的底壁上。
[0100]附圖標(biāo)記說明
[0101]l、la、lb、lc、ld、le、lf、lg 發(fā)光器件
[0102]10器件主體
[0103]11第一部件
[0104]12、12z 第二部件
[0105]12a、12az 貫通孔
[0106]13、13z 凹部
[0107]13a 側(cè)壁
[0108]13b 底壁
[0109]20 光源
[0110]30發(fā)光部
[0111]40蓋部件
[0112]50密封空間
[0113]60擴散部件
[0114]70無機接合材料
【主權(quán)項】
1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括: 具有凹部的器件主體； 配置于所述凹部的底壁上的光源； 含有量子點的發(fā)光部，該發(fā)光部以來自所述光源的光入射該發(fā)光部的方式配置在所述凹部內(nèi)；和 蓋部件，該蓋部件遮蓋所述凹部，與所述器件主體一起將所述光源和所述發(fā)光部密封。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述發(fā)光部含有分散有所述量子點的樹脂。3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述發(fā)光部以覆蓋所述光源的方式設(shè)置于所述光源的正上方。4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述發(fā)光部的表面為凹面。5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述發(fā)光部充填于由所述器件主體和所述蓋部件劃分形成的密封空間中。6.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述發(fā)光部設(shè)置在所述蓋部件的所述凹部側(cè)的表面上。7.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述發(fā)光部被所述光源支承。8.如權(quán)利要求6或7所述的發(fā)光器件，其特征在于: 還包括擴散部件，該擴散部件配置于所述發(fā)光部與所述光源之間，將來自所述光源的光擴散。9.如權(quán)利要求1?8中任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述蓋部件與所述器件主體焊接。10.如權(quán)利要求1?8中任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述蓋部件與所述器件主體陽極接合。11.如權(quán)利要求1?8中任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述蓋部件與所述器件主體由無機接合材料接合。12.如權(quán)利要求1?11中任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述器件主體的一部分由金屬構(gòu)成。13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述器件主體的所述由金屬構(gòu)成的部分與所述發(fā)光部接觸。14.如權(quán)利要求1?13中任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述蓋部件的厚度為1.0mm以下。15.如權(quán)利要求1?14中任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述蓋部件的折射率為1.70以下。16.如權(quán)利要求1?4和6?15中任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述蓋部件具有晶界。17.如權(quán)利要求1?4和6?15中任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于: 所述蓋部件含有光散射劑。18.如權(quán)利要求1?17中任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于:所述蓋部件由陶瓷構(gòu)成。19.如權(quán)利要求1?18中任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于:由所述器件主體和所述蓋部件劃分形成的密封空間被減壓。20.如權(quán)利要求1?19中任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于:由所述器件主體和所述蓋部件劃分形成的密封空間為不活潑氣體氣氛。21.一種發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，包括:在具有凹部的器件主體的所述凹部的底壁上配置光源的工序；通過將分散有量子點的樹脂配置于所述凹部內(nèi)而形成發(fā)光部的工序；以遮蓋所述凹部的方式配置蓋部件而將所述光源和所述發(fā)光部密封的工序;和在所述密封工序之前，將所述樹脂加熱至100 °C以上的工序。
【文檔編號】H01L33/52GK106068568SQ201580013008
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2015年3月9日 公開號201580013008.4, CN 106068568 A, CN 106068568A, CN 201580013008, CN-A-106068568, CN106068568 A, CN106068568A, CN201580013008, CN201580013008.4, PCT/2015/56885, PCT/JP/15/056885, PCT/JP/15/56885, PCT/JP/2015/056885, PCT/JP/2015/56885, PCT/JP15/056885, PCT/JP15/56885, PCT/JP15056885, PCT/JP1556885, PCT/JP2015/056885, PCT/JP2015/56885, PCT/JP2015056885, PCT/JP201556885
【發(fā)明人】角見昌昭, 淺野秀樹, 西宮隆史
【申請人】日本電氣硝子株式會社