對(duì)于在器件諸如有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)光伏器件、有機(jī)光傳感器、有機(jī)晶體管和存儲(chǔ)器陣列器件中的應(yīng)用，包含活性有機(jī)材料的電子器件正引起日益增加的關(guān)注。包含有機(jī)材料的器件提供諸如低重量、低功率消耗和柔性的益處。此外，可溶有機(jī)材料的使用允許在器件制造中利用溶液加工，例如噴墨印刷或者旋涂。典型的有機(jī)發(fā)光器件(“OLED”)制造在涂覆有透明陽(yáng)極例如氧化銦錫(“ITO”)的玻璃或塑料基底上。在第一電極上方提供至少一種電致發(fā)光有機(jī)材料的膜的薄層。最后，在該電致發(fā)光有機(jī)材料層上方提供陰極?？梢栽陉?yáng)極與電致發(fā)光層之間和/或在陰極與電致發(fā)光層之間提供電荷傳輸層、電荷注入層或電荷阻擋層。在操作中，空穴通過(guò)陽(yáng)極注入器件并且電子通過(guò)陰極注入器件?？昭ê碗娮釉谟袡C(jī)電致發(fā)光層中結(jié)合從而形成激子，然后所述激子發(fā)生輻射衰變從而產(chǎn)生光。在WO90/13148中，有機(jī)發(fā)光材料是共軛聚合物，例如聚(亞苯基亞乙烯基)。在US4,539,507中，有機(jī)發(fā)光材料屬于被稱為小分子材料的類別，例如三-(8-羥基喹啉)鋁(“Alq3”)。這些材料通過(guò)單重態(tài)激子的輻射衰變而電致發(fā)光(熒光)，然而自旋統(tǒng)計(jì)指示高達(dá)75％的激子是經(jīng)歷非輻射衰變的三重態(tài)激子，即對(duì)于熒光OLED而言量子效率可以低至25％—參見(jiàn)例如Chem.Phys.Lett.,1993,210,61,Nature(London),2001,409,494,Synth.Met.,2002,125,55和其中的參考文獻(xiàn)。已認(rèn)為，三重態(tài)激子(其可具有相對(duì)長(zhǎng)壽命的三重態(tài)激發(fā)態(tài))的存在可能因三重態(tài)-三重態(tài)相互作用或三重態(tài)-單重態(tài)相互作用而對(duì)OLED性能有害。WO2005/043640公開(kāi)了在有機(jī)發(fā)光器件中將苝衍生物與有機(jī)發(fā)光材料摻混能夠引起該器件壽命的小幅增加。然而，盡管較高濃度的苝衍生物引起較大的壽命改善，但這導(dǎo)致發(fā)射光譜中的顯著紅移。US2007/145886公開(kāi)了包含三重態(tài)猝滅材料以防止或減少三重態(tài)-三重態(tài)相互作用或者三重態(tài)-單重態(tài)相互作用的OLED。WO2012/086670和WO2012/086671公開(kāi)了發(fā)光材料和某些聚合物的組合物。US2005/095456公開(kāi)了具有發(fā)光層的OLED，所述發(fā)光層包含主體材料、染料或顏料以及添加劑，所述添加劑所表現(xiàn)出的吸收限的能級(jí)高于所述染料或顏料的吸收限的能級(jí)。發(fā)明概述在第一方面，本發(fā)明提供了包含發(fā)光材料、第一種三重態(tài)接受材料和第二種三重態(tài)接受材料的組合物，所述第二種三重態(tài)接受材料不同于所述第一種三重態(tài)接受材料。在第二方面，本發(fā)明提供了一種配制物，該配制物包含根據(jù)第一方面的組合物和至少一種溶劑。在第三方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光器件，其包含陽(yáng)極、陰極以及介于陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層，其中所述發(fā)光層包含根據(jù)第一方面的組合物。在第四方面，本發(fā)明提供了一種形成根據(jù)第二方面的有機(jī)發(fā)光器件的方法，所述方法包括以下步驟：在陽(yáng)極和陰極之一上方形成發(fā)光層，以及在該發(fā)光層上方形成所述陽(yáng)極和陰極中的另一個(gè)。本文所用的“三重態(tài)接受材料”是指減少發(fā)光材料的三重態(tài)激子數(shù)目(population)的材料?？梢酝ㄟ^(guò)準(zhǔn)連續(xù)波激發(fā)態(tài)吸收來(lái)測(cè)量材料對(duì)發(fā)光材料的三重態(tài)激子數(shù)目的影響。附圖簡(jiǎn)述圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件；圖2是三重態(tài)猝滅的示意圖；圖3是第一種三重態(tài)-三重態(tài)湮滅機(jī)制的示意圖；圖4是第二種三重態(tài)-三重態(tài)湮滅機(jī)制的示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的組合物的能級(jí)的示意圖；和圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的器件和比較器件的亮度相對(duì)于時(shí)間的坐標(biāo)圖。發(fā)明詳述圖1說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的OLED。該OLED100包含陽(yáng)極101、陰極105以及介于陽(yáng)極和陰極之間的熒光發(fā)光層103。該器件承載在基底107上，例如玻璃或塑料基底。在陽(yáng)極101和陰極105之間可提供一個(gè)或多個(gè)另外的層，例如空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子阻擋層。該器件可包含多于一個(gè)發(fā)光層。另外的發(fā)光層(若存在時(shí))可以是熒光發(fā)光材料或磷光發(fā)光材料。示例性的器件結(jié)構(gòu)包括:陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極陽(yáng)極/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極陽(yáng)極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極陽(yáng)極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極。優(yōu)選地，存在空穴傳輸層和空穴注入層中的至少一者。優(yōu)選地，存在空穴注入層和空穴傳輸層兩者。熒光發(fā)光層103的合適熒光發(fā)光材料包括紅色、綠色和藍(lán)色的發(fā)光材料。藍(lán)色發(fā)光材料可具有峰值在400-490nm范圍內(nèi)、任選地在420-490nm范圍內(nèi)的光致發(fā)光光譜。綠色發(fā)光材料可具有峰值在大于490nm直至580nm、任選地大于490nm直至540nm的范圍內(nèi)的光致發(fā)光光譜。紅色發(fā)光材料可任選地在其光致發(fā)光光譜中具有大于580nm直至630nm、任選地585-625nm的峰值。熒光發(fā)光層103包含熒光發(fā)光材料和至少兩種不同的三重態(tài)接受材料?？梢詫晒獍l(fā)光材料和兩種不同的三重態(tài)接受材料摻混。熒光發(fā)光材料可以是發(fā)光聚合物的重復(fù)單元。在這種情形中，所述三重態(tài)接受材料中的一種或兩種可以共價(jià)結(jié)合到所述發(fā)光聚合物：作為該聚合物重復(fù)單元的側(cè)鏈基團(tuán)；作為該聚合物主鏈中的重復(fù)單元；或者作為該聚合物的端基。因此，將理解的是，本文所述的“組合物”可以是含有熒光發(fā)光材料以及第一種三重態(tài)接受材料和第二種三重態(tài)接受材料的單一聚合物，或者它可以是兩種或更多種材料的混合物。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，熒光發(fā)光材料是聚合物；提供所述三重態(tài)接受材料中的第一種作為所述聚合物的重復(fù)單元；并且將第二種三重態(tài)接受材料與熒光發(fā)光聚合物混合。如果提供三重態(tài)接受材料作為發(fā)光聚合物的重復(fù)單元，則其優(yōu)選以如下范圍內(nèi)的量提供：至少約0.005摩爾％或至少0.01摩爾％，至多約5摩爾％，任選地至多約1摩爾％，任選地至多約0.5摩爾％。如果三重態(tài)接受材料與發(fā)光材料混合，則優(yōu)選以如下范圍內(nèi)的量提供所述三重態(tài)接受材料：發(fā)光組合物的0.1-10重量％，任選為發(fā)光組合物的1-5重量％。熒光發(fā)光層103可以基本上由熒光發(fā)光材料和三重態(tài)接受材料組成，或者可以包含另外的材料。在熒光發(fā)光材料為聚合物的情形中，第一種三重態(tài)接受材料和第二種三重態(tài)接受材料可以各自獨(dú)立地為熒光發(fā)光聚合物的重復(fù)單元或者可以與熒光發(fā)光聚合物混合。在操作中，空穴和電子注入器件中從而形成單重態(tài)和三重態(tài)的激子。熒光發(fā)光材料上的單重態(tài)激子可以經(jīng)歷輻射衰變從而產(chǎn)生熒光。三重態(tài)激子可以在第一種三重態(tài)接受材料或第二種三重態(tài)接受材料上形成，或者在熒光發(fā)光材料上形成的三重態(tài)激子可以轉(zhuǎn)移到三重態(tài)接受材料并通過(guò)如下方式從發(fā)光層除去：要么通過(guò)非輻射的三重態(tài)激子猝滅，要么通過(guò)由三重態(tài)-三重態(tài)湮滅引起的延遲熒光。因此，從含有三重態(tài)接受材料的發(fā)光層發(fā)出的基本上所有光是熒光。下面依次描述三重態(tài)猝滅和三重態(tài)-三重態(tài)湮滅的機(jī)理。為了簡(jiǎn)便起見(jiàn)，使用一種三重態(tài)接受材料描述和說(shuō)明各種機(jī)理，然而應(yīng)理解，本文所述的器件含有兩種或更多種三重態(tài)接受材料。三重態(tài)猝滅圖2說(shuō)明了用于示例性O(shè)LED的第一種能量傳遞機(jī)制。為了避免任何疑問(wèn)，本文的能級(jí)圖(包括圖2)未按任何比例繪制。圖2示出了提供有熒光發(fā)光材料的OLED的能量轉(zhuǎn)移，該熒光發(fā)光材料具有單重態(tài)激發(fā)態(tài)能級(jí)S1E和單重態(tài)基態(tài)能級(jí)S0E。具有能量S1E的單重態(tài)激子通過(guò)發(fā)射熒光hv而衰變，在圖2中以S1E和S0E之間的實(shí)箭頭示出。三重態(tài)-三重態(tài)激子相互作用或三重態(tài)-單重態(tài)激子相互作用可以在發(fā)光材料上產(chǎn)生“超激發(fā)”態(tài)。不希望受任何理論約束，認(rèn)為在發(fā)光材料上形成這些高能“超激發(fā)”態(tài)可能對(duì)器件的操作壽命有害。然而，通過(guò)提供具有低于T1E的激發(fā)三重態(tài)能級(jí)T1A的化合物，三重態(tài)激子有可能因猝滅而轉(zhuǎn)移到三重態(tài)接受聚合物，圖1中的虛線所示的從T1E到S0E的輻射衰變的選項(xiàng)是自旋禁戒過(guò)程?？梢苑謩e從發(fā)光材料的熒光和選通低溫磷光光譜測(cè)量該發(fā)光材料的S1和T1能級(jí)?？梢苑謩e從三重態(tài)接受材料的熒光和選通低溫磷光光譜測(cè)量該三重態(tài)接受材料的S1和T1能級(jí)?？梢酝ㄟ^(guò)如下方式測(cè)量材料的光致發(fā)光熒光光譜：向石英基底上流延該材料的膜以實(shí)現(xiàn)0.3-0.4的透射率值并使用Hamamatsu提供的設(shè)備C9920-02在氮?dú)猸h(huán)境中測(cè)量。本文所述的T1值可以從通過(guò)低溫磷光光譜法測(cè)量的磷光光譜的能量起點(diǎn)測(cè)得(A.vanDijken等人，JournaloftheAmericanChemicalSociety，2004,126，p7718)。具有適合用作給定發(fā)光材料的三重態(tài)接受材料的S1和T1能級(jí)的材料可以選自HandbookofPhotochemistry，第2版，StevenLMurov，IanCarmichael和GordonLHug以及其中的參考文獻(xiàn)中描述的材料，通過(guò)引用將其內(nèi)容并入本文。三重態(tài)接受化合物的最低單重態(tài)激發(fā)態(tài)能級(jí)S1A高于最低單重態(tài)激發(fā)態(tài)能級(jí)S1E。這是為了基本上或完全防止單重態(tài)激子從S1E轉(zhuǎn)移到S1A。優(yōu)選地，在能量上S1A比S1E高至少kT，以防止任何顯著的激子反向轉(zhuǎn)移以及來(lái)自三重態(tài)接受化合物的熒光。同樣，在能量上T1E優(yōu)選比T1A高至少kT。雖然能級(jí)S1A大于S1E可能是優(yōu)選的，但將理解的是，這對(duì)于為了發(fā)生三重態(tài)吸收并不是必需的。可觀察到來(lái)自三重態(tài)接受化合物的一些光發(fā)射。任選地，從熒光材料和三重態(tài)接受材料的組合物發(fā)射的光的峰值波長(zhǎng)與從單獨(dú)熒光材料發(fā)射的光的峰值波長(zhǎng)相同或者比其長(zhǎng)不超過(guò)10nm。三重態(tài)-三重態(tài)湮滅圖3示出了示例性O(shè)LED的第二種能量轉(zhuǎn)移機(jī)制。根據(jù)該實(shí)施方案，由兩個(gè)三重態(tài)接受單元之間的相互作用引起的三重態(tài)-三重態(tài)湮滅(TTA)導(dǎo)致具有高達(dá)2×T1A能量的三重態(tài)-三重態(tài)湮滅的單重態(tài)激子，其中T1A表示三重態(tài)接受材料的三重態(tài)激發(fā)態(tài)能級(jí)。在兩個(gè)三重態(tài)接受單元中的第一個(gè)上形成的這個(gè)單重態(tài)激子的能級(jí)SnA在能量上高于S1A和S1E，因此其可以轉(zhuǎn)移到S1A，并然后轉(zhuǎn)移到S1E，由此可以作為延遲熒光發(fā)射光hv。在兩個(gè)三重態(tài)接受單元中的第二個(gè)上的三重態(tài)激子可以衰變到基態(tài)T0A。最初，在T1E處形成的三重態(tài)激子轉(zhuǎn)移到T1A。通過(guò)提供具有低于T1E的能級(jí)T1A的三重態(tài)接受化合物，可以發(fā)生激子從T1E到T1A的快速轉(zhuǎn)移。與從T1E到S0E的三重態(tài)激子的衰變速率相比，這種轉(zhuǎn)移相對(duì)快速，如圖1中的虛箭頭所示，這是一種自旋禁戒過(guò)程。T1E和T1A之間的能隙優(yōu)選大于kT，以避免激子從T1A到T1E的反向轉(zhuǎn)移。同樣，S1A和S1E之間的能隙優(yōu)選大于kT，以避免激子從S1E到S1A的反向轉(zhuǎn)移。將理解的是，與磷光摻雜劑不同，三重態(tài)接受材料不提供三重態(tài)發(fā)生輻射衰變以產(chǎn)生磷光的能量有利的路徑，且作為結(jié)果被三重態(tài)接受材料吸收的三重態(tài)激子的能量基本上不以從三重態(tài)接受聚合物的磷光發(fā)射的形式從三重態(tài)接受聚合物損失。圖4示出了示例性O(shè)LED的第三種能量轉(zhuǎn)移機(jī)制。在該情形中，位于三重態(tài)接受單元上的能量為T1A的三重態(tài)激子和位于發(fā)光聚合物上的能量為T1E的三重態(tài)激子之間發(fā)生三重態(tài)-三重態(tài)湮滅。將理解的是，這導(dǎo)致具有高達(dá)T1E+T1A能量的三重態(tài)-三重態(tài)湮滅的單重態(tài)激子(TTAS)。這個(gè)單重態(tài)激子的SnA能級(jí)高于S1E能級(jí)，因此它可以將其能量傳遞到S1A，并因此傳遞到S1E，以及可由此作為延遲熒光而發(fā)射光hv。在另一機(jī)制(未示出)中，可以通過(guò)兩種不同的三重態(tài)接受材料上的三重態(tài)激子之間的TTA形成TTAS。在圖2-4中，盡管可能優(yōu)選的是能級(jí)S1A大于S1E，但是應(yīng)當(dāng)理解，這不是為發(fā)生三重態(tài)吸收所必需的。不希望受任何理論約束，認(rèn)為要么通過(guò)三重態(tài)猝滅要么通過(guò)TTA來(lái)避免在OLED驅(qū)動(dòng)期間形成的發(fā)光材料上形成超級(jí)激發(fā)態(tài)可以改善器件壽命。此外，通過(guò)利用三重態(tài)接受單元來(lái)產(chǎn)生TTA以產(chǎn)生穩(wěn)定的延遲熒光，有可能與如下相比改善效率：與其中三重態(tài)激子猝滅的器件(如圖2中所示)相比，或者與其中不存在三重態(tài)接受材料的器件相比，其中延遲熒光的強(qiáng)度可在初始OLED驅(qū)動(dòng)之后急劇下降。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的發(fā)光組合物的能級(jí)。該組合物包含具有最低單重態(tài)激發(fā)態(tài)和最低三重態(tài)激發(fā)態(tài)T1E的發(fā)光材料；具有最低單重態(tài)激發(fā)態(tài)S1A1和最低三重態(tài)激發(fā)態(tài)T1E1的第一種三重態(tài)接受材料；以及具有最低單重態(tài)激發(fā)態(tài)S1E2和最低三重態(tài)激發(fā)態(tài)T1E2的第二種三重態(tài)接受材料。下列不等式適用：S1E≤S1A1S1E≤S1A2T1E≥T1AlT1E≥T1A2可以通過(guò)準(zhǔn)連續(xù)波(quasi-cw)激發(fā)態(tài)吸收來(lái)確定材料對(duì)發(fā)光材料上的三重態(tài)激子密度的影響，要么因三重態(tài)激子猝滅要么因TTA。將理解的是，三重態(tài)接受材料會(huì)降低發(fā)光層中的三重態(tài)激子密度(要么通過(guò)三重態(tài)激子猝滅要么通過(guò)TTA)，并且如果當(dāng)三重態(tài)接受材料與發(fā)光材料組合使用時(shí)觀察到三重態(tài)激子數(shù)目相比于單獨(dú)發(fā)光材料上的實(shí)測(cè)三重態(tài)激子數(shù)目減少，存在最低三重態(tài)激發(fā)態(tài)低于發(fā)光材料的三重態(tài)接受材料。可以按以下文獻(xiàn)中所述進(jìn)行三重態(tài)數(shù)目(population)的探測(cè)：King,S.,Rothe,C.&Monkman,A.“Tripletbuildinanddecayofisolatedpolyspirobifluorenechainsindilutesolution”J.Chem.Phys.121,10803-10808(2004),以及Rothe,C.,King,S.M.,Dias,F.&Monkman,A.P.“Tripletexcitonstateandrelatedphenomenainthebeta-phaseofpoly(9,9-dioctyl)fluorene”PhysicalReviewB70,(2004)，它們描述了在780nm進(jìn)行的聚芴三重態(tài)數(shù)目的探測(cè)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解如何基于這些材料的激發(fā)態(tài)吸收特征來(lái)調(diào)整該探測(cè)用于其它發(fā)光材料。將理解的是，三重態(tài)猝滅和TTA兩者都可以在相同器件內(nèi)發(fā)生，并且延遲熒光的量將取決于諸如發(fā)光材料濃度、三重態(tài)接受材料濃度以及發(fā)光材料和三重態(tài)接受材料上的三重態(tài)激子壽命的因素。三重態(tài)猝滅材料上的三重態(tài)激子的壽命優(yōu)選不超過(guò)約20ns，或不超過(guò)約10ns。優(yōu)選地，該組合物包含有利于三重態(tài)猝滅的三重態(tài)接受材料，和有利于TTA的三重態(tài)接受材料。在含有如下組合物的器件的驅(qū)動(dòng)期間三重態(tài)猝滅材料可能劣化：該組合物包含有利于三重態(tài)猝滅的三重態(tài)接受材料以及有利于TTA的三重態(tài)接受材料。在這種情形中，經(jīng)歷TTA的三重態(tài)：猝滅的三重態(tài)的比率可以在器件驅(qū)動(dòng)期間增加。結(jié)果，在器件驅(qū)動(dòng)期間由于三重態(tài)猝滅而導(dǎo)致的效率損失可以恢復(fù)，從而抵消在器件驅(qū)動(dòng)期間通常觀察到的效率下降。停留在有利于TTA的三重態(tài)接受材料上的激發(fā)態(tài)三重態(tài)的壽命任選為至少1微秒，任選為至少10微秒，任選為至少100微秒。較高的三重態(tài)激子壽命可增加TTA的可能性。三重態(tài)激子的壽命τ是其半壽命(half-life)，可通過(guò)閃爍光解以測(cè)量單分子的三重態(tài)壽命來(lái)測(cè)量該半壽命，如HandbookofPhotochemistry，第2版，StevenLMurov，IanCarmichael和GordonLHug以及其中的參考文獻(xiàn)所述，通過(guò)引用將其內(nèi)容并入本文。從本發(fā)明的發(fā)光組合物發(fā)出的光包括如上所述的延遲熒光，以及直接由空穴和電子在發(fā)光材料上的復(fù)合而形成的單重態(tài)激子的輻射衰變所引起的熒光(“瞬時(shí)熒光”)。技術(shù)人員將知曉確定從發(fā)光組合物發(fā)射的光中存在延遲熒光的方法，這不同于瞬時(shí)熒光，例如通過(guò)在瞬時(shí)熒光之后測(cè)量來(lái)自發(fā)光組合物的光發(fā)射。在包含發(fā)光組合物的OLED的情形中，延遲熒光可要么源自TTA過(guò)程要么源自具有相對(duì)長(zhǎng)壽命的陷阱電荷的復(fù)合。通過(guò)施加負(fù)偏壓的短尖峰，同時(shí)測(cè)量延遲熒光的強(qiáng)度，可以將TTA過(guò)程與陷阱電荷復(fù)合過(guò)程區(qū)分開(kāi)，如以下文獻(xiàn)中所述：Popovic,Z.D.&Aziz,H.Delayedelectroluminescenceinsmallmoleculebasedorganiclightemittingdiodes:evidencefortriplet-tripletannihilationandrecombinationcentremediatedlightgenerationmechanism.J.Appl.Phy.98,013510-5(2005)。如果負(fù)偏壓對(duì)延遲熒光強(qiáng)度沒(méi)有持續(xù)的影響，則指示TTA(與由陷阱電荷的復(fù)合引起的非瞬時(shí)熒光相反，其中在偏壓去除后延遲熒光減少)。三重態(tài)接受材料所述第一種三重態(tài)接受材料和第二種三重態(tài)接受材料可以獨(dú)立地與熒光發(fā)光材料混合或者可以共價(jià)鍵合到熒光發(fā)光材料。如果熒光發(fā)光材料是聚合物，則所述第一種三重態(tài)接受材料和第二種三重態(tài)接受材料中的一者或兩者可以作為如下形式提供：發(fā)光聚合物主鏈中的重復(fù)單元；懸掛于聚合物主鏈的側(cè)基；或該聚合物的端基。所述三重態(tài)接受材料中的一者或兩者可作為與熒光發(fā)光材料混合的三重接受聚合物的組分而提供。本文所述的熒光發(fā)光聚合物和三重態(tài)接受聚合物可以是共軛的或非共軛的。本文所用的“共軛聚合物”是指聚合物主鏈中的重復(fù)單元共軛在一起。共軛聚合物的共軛長(zhǎng)度可以沿著聚合物主鏈的整個(gè)長(zhǎng)度延伸，或者沿主鏈的共軛可以中斷。本文所用的“非共軛聚合物”是指在聚合物主鏈中的重復(fù)單元之間基本上不存在共軛。任選地，非共軛聚合物在聚合物主鏈中基本上沒(méi)有不飽和基團(tuán)。共軛的熒光發(fā)光聚合物優(yōu)選是包含熒光發(fā)光重復(fù)單元以及一種或多種另外重復(fù)單元的共聚物。示例性的另外重復(fù)單元可以是如上所述的三重態(tài)接受單元或者另外的共聚重復(fù)單元。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，該熒光發(fā)光材料是聚合物；所述第一種三重態(tài)接受材料結(jié)合到所述發(fā)光聚合物；并且所述第二種三重態(tài)接受材料與所述發(fā)光聚合物混合。優(yōu)選地，以如下方式提供所述第一種三重態(tài)接受材料：作為發(fā)光聚合物的端基、作為發(fā)光聚合物的側(cè)鏈基團(tuán)或作為發(fā)光聚合物的重復(fù)單元。示例性的第一種三重態(tài)接受材料具有式(I)：R1和R2各自獨(dú)立地為H或取代基；R在每次出現(xiàn)時(shí)是取代基；n在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為0、1、2、3或4；并且R1和R2可以連接從而形成單環(huán)或多環(huán)。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，R2是可以為未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基的芳基或雜芳基Ar，并且Ar和R1可以連接形成環(huán)。式(I)的材料優(yōu)選以如下方式提供：作為發(fā)光聚合物的端基、側(cè)鏈基團(tuán)或重復(fù)單元，它們通過(guò)R1、R2和式(I)芴基中的任何與聚合物共價(jià)結(jié)合。式(I)的第一種三重態(tài)接受重復(fù)單元可以具有式(Ia)或(Ib)：聚合物的示例性第一種三重態(tài)接受側(cè)基或端基具有式(Ic)或(Id)：在R2是Ar的情形中，Ar可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基R5。當(dāng)存在時(shí)，取代基R5可以各自獨(dú)立地選自：烷基，任選為C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-代替，并且一個(gè)或多個(gè)H原子可以被F代替；芳基和雜芳基，其可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，優(yōu)選為取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基的苯基；F；CN和NO2。R1可以選自如下：H；烷基，任選為C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-代替，并且一個(gè)或多個(gè)H原子可以被F代替；以及芳基和雜芳基，其可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，優(yōu)選為取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基的苯基。優(yōu)選地，R1是H或C1-40烴基。如果n是正整數(shù)，則R可以選自：烷基，任選為C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-代替，并且一個(gè)或多個(gè)H原子可以被F代替；芳基和雜芳基，其可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，優(yōu)選為取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基的苯基；F；CN和NO2。優(yōu)選地，n在每次出現(xiàn)時(shí)為0。優(yōu)選地，式(I)的重復(fù)單元直接連接到聚合物主鏈中相鄰重復(fù)單元的芳基或雜芳基?？梢赃x擇用于將式(I)單元連接到聚合物主鏈中的相鄰重復(fù)單元的Ar的連接位置以便控制跨所述重復(fù)單元的共軛程度。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，Ar是可以為未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基的苯基。在式(Ia)重復(fù)單元的情形中，可以設(shè)置苯基Ar的兩個(gè)連接基團(tuán)以提供苯基至鄰近重復(fù)單元的鄰位、間位或?qū)ξ贿B接。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，Ar是芴，其可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。在式(Ib)重復(fù)單元的情形中，該重復(fù)單元可以通過(guò)芴單元的2、3、6和7位置中的任何兩個(gè)連接。示例性的式(I)重復(fù)單元可以選自以下單元：示例性的式(I)側(cè)基或端基包括以下單元。上述式(I)的重復(fù)單元、側(cè)基或端基的芴單元可以是未取代的或者取代有一個(gè)或多個(gè)如上所述的取代基R。在式(I)的重復(fù)單元、側(cè)基或端基中的R2為Ar的情形中，這時(shí)Ar可以被取代，例如如下所示：在R1和R2連接形成單環(huán)或多環(huán)的情形中，這時(shí)所述單環(huán)或多環(huán)可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。當(dāng)存在時(shí)，取代基可以各自獨(dú)立地選自上述的取代基R5。存在于聚合物側(cè)鏈中的式(Ic)或(Id)的基團(tuán)可以直接連接到聚合物的主鏈，或者可以通過(guò)間隔基團(tuán)Sp與其間隔開(kāi)。示例性的間隔基團(tuán)Sp包括：亞芳基，其可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基；C1-20烷基，其中該烷基的一個(gè)或多個(gè)非相鄰C原子可以被O、S、Si、C＝O或COO或未取代或取代的亞芳基或雜亞芳基替換。示例性的亞芳基是可以為未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基的亞苯基，例如一個(gè)或多個(gè)C1-10烷基。在其側(cè)鏈中具有式(I)單元的示例性重復(fù)單元如下所示：優(yōu)選地，第二種三重態(tài)接受材料與熒光發(fā)光材料混合。第二種三重態(tài)接受材料可以是多環(huán)芳族化合物。本文所用的“多環(huán)芳烴”是指兩個(gè)或更多個(gè)稠環(huán)的烴結(jié)構(gòu)，其中稠環(huán)的所有原子都是sp2雜化的。任選地，該多環(huán)芳烴含有不超過(guò)4個(gè)稠合苯環(huán)。所述多環(huán)芳族化合物可以是聚合物的側(cè)基、主鏈重復(fù)單元或端基。所述多環(huán)芳族化合物可以選自蒽和芘，它們各自可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。所述多環(huán)芳族化合物可以是聚合物的式(II)和(III)的重復(fù)單元：其中R4在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為取代基；每個(gè)a獨(dú)立地為0、1或2；每個(gè)b獨(dú)立地為0、1或2；并且每個(gè)c為0、1、2、3或4。式(II)的重復(fù)單元可以具有式(IIa)：任選地，一個(gè)a和/或至少一個(gè)b為至少1，并且每個(gè)R4獨(dú)立地選自C1-40烴基。任選地，至少一個(gè)a和/或至少一個(gè)b為至少1，并且每個(gè)R4獨(dú)立地選自C1-20烷基，其中C1-20烷基的非相鄰C原子可以被O、S、C＝O、COO或NR11替換，其中R11是取代基，例如C1-40烴基。式(II)和(III)的示例性重復(fù)單元包括以下：其中Alk選自C1-20烷基。在第一種和/或第二種三重態(tài)接受材料被提供作為發(fā)光聚合物的重復(fù)單元的情形中，所述第一種和第二種三重態(tài)接受重復(fù)單元可各自構(gòu)成該聚合物的重復(fù)單元的至多10摩爾％，任選至多5摩爾％，任選至多1摩爾％。如果熒光材料與第一種和第二種三重態(tài)接受材料中的一者或兩則混合，那么該熒光發(fā)光材料同與其混合的所述或每種三重態(tài)接受材料的重量比可以在80:20至99.5:0.5的范圍內(nèi)。共軛的三重態(tài)接受聚合物優(yōu)選是包含三重態(tài)接受重復(fù)單元以及一種或多種其它重復(fù)單元的共聚物。熒光或三重態(tài)接受共軛聚合物的示例性的另外共聚重復(fù)單元包括：亞苯基、芴和二氫菲重復(fù)單元，它們各自可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。所述另外共聚重復(fù)單元可以構(gòu)成該聚合物的重復(fù)單元的0.5-90摩爾％、任選5-50摩爾％或5-40摩爾％。任選地，三重態(tài)接受聚合物含有通過(guò)另外單元彼此隔開(kāi)的三重態(tài)接受重復(fù)單元。任選地，三重態(tài)接受聚合物含有交替的AB重復(fù)單元結(jié)構(gòu)，其中A是三重態(tài)接受重復(fù)單元并且B是共聚重復(fù)單元?？梢酝ㄟ^(guò)Suzuki聚合制備這種類型的聚合物。一種優(yōu)選類別的共聚重復(fù)單元具有式(VI)：其中q在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為0、1、2、3或4，任選地為1或2；n為1、2或3；并且R3在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為取代基。當(dāng)存在時(shí)，每個(gè)R3可獨(dú)立地選自于由以下構(gòu)成的組:-烷基，任選地C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰C原子可被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-替換，并且一個(gè)或多個(gè)H原子可被F替換；-芳基和雜芳基基團(tuán)，所述芳基和雜芳基基團(tuán)可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，優(yōu)選為取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基的苯基；-芳基或雜芳基基團(tuán)的直鏈或支化鏈，每個(gè)所述基團(tuán)可獨(dú)立地被取代，例如式-(Ar3)r的基團(tuán)，其中各Ar3獨(dú)立地為芳基或雜芳基并且r為至少2，優(yōu)選為苯基的支化鏈或直鏈，每個(gè)苯基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基；-式(Sp)m-TAU的基團(tuán)，其中Sp是如上所述的間隔基團(tuán)，m是0或1，并且TAU是三重態(tài)接受單元，任選地是式(I)的三重態(tài)接受單元；和-可交聯(lián)基團(tuán)，例如包含雙鍵的基團(tuán)如乙烯基或丙烯酸酯基團(tuán)，或者苯并環(huán)丁烷基團(tuán)。在R3包含芳基或雜芳基、或者芳基或雜芳基的直鏈或支化鏈的情形中，所述芳基或雜芳基或者每個(gè)芳基或雜芳基可取代有一個(gè)或多個(gè)選自以下的取代基R7:烷基，例如C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰C原子可被O、S、取代的N、C＝O和-COO-替換，并且該烷基的一個(gè)或多個(gè)H原子可被F替換；NR92、OR9、SR9、SiR93，和氟，硝基和氰基；其中各R9獨(dú)立地選自如下：烷基，優(yōu)選C1-20烷基；和芳基或雜芳基，優(yōu)選苯基，任選地取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基。取代的N，當(dāng)存在時(shí)，可以為-NR9-，其中R9為如上所述。優(yōu)選地，各個(gè)R3(當(dāng)存在時(shí))獨(dú)立地選自C1-40烴基，并且更優(yōu)選地選自：C1-20烷基；未取代的苯基；取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基的苯基；苯基的直鏈或支化鏈，其中各個(gè)苯基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基；以及可交聯(lián)基團(tuán)。如果n為1，那么示例性的式(VI)重復(fù)單元包括如下:特別優(yōu)選的式(VI)重復(fù)單元具有式(VIa):式(VIa)的取代基R3與該重復(fù)單元的連接位置鄰近，這可引起式(VIa)重復(fù)單元與鄰近重復(fù)單元之間的空間位阻，從而導(dǎo)致式(VIa)重復(fù)單元相對(duì)于一個(gè)或兩個(gè)鄰近重復(fù)單元扭曲到平面外。當(dāng)n為2或3時(shí)的示例性重復(fù)單元包括以下：優(yōu)選的重復(fù)單元具有式(VIb)：式(VIb)的兩個(gè)R3基團(tuán)可以在它們所結(jié)合的苯基環(huán)之間引起空間位阻，從而導(dǎo)致兩個(gè)苯基環(huán)相對(duì)于彼此扭曲。另一類共聚重復(fù)單元是任選取代的芴重復(fù)單元，例如式(VII)的重復(fù)單元：其中R3在每次出現(xiàn)時(shí)是相同的或不同的，并且是如關(guān)于式(VI)所述的取代基，并且其中兩個(gè)基團(tuán)R3可以連接形成未取代或取代的環(huán)；R8為取代基；以及d是0、1、2或3。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，至少一個(gè)基團(tuán)R3具有式-(Sp)m-TAU。芴重復(fù)單元的芳族碳原子可以是未取代的，或可以取代有一個(gè)或多個(gè)取代基R8。示例性取代基R8是烷基，例如C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰C原子可以被如下替換：O、S、NH或取代的N、C＝O和-COO-，任選取代的芳基，任選取代的雜芳基，烷氧基，烷硫基(alkylthio)，氟，氰基和芳基烷基。特別優(yōu)選的取代基包括C1-20烷基以及取代或未取代的芳基，例如苯基。芳基的任選取代基包括一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基。取代的N，當(dāng)存在時(shí)可以為：-NR5-，其中R5為C1-20烷基；未取代的苯基；或取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基的苯基?？赏ㄟ^(guò)以下方式控制式(VII)重復(fù)單元與鄰近重復(fù)單元的芳基或雜芳基的共軛程度：(a)通過(guò)3-和/或6-位置連接該重復(fù)單元以限制跨該重復(fù)單元的共軛程度，和/或(b)在鄰近于連接位置的一個(gè)或多個(gè)位置上用一個(gè)或多個(gè)取代基R8取代該重復(fù)單元以產(chǎn)生與鄰近的一個(gè)或多個(gè)重復(fù)單元的扭曲，例如在3-和6-位置之一或兩者上帶有C1-20烷基取代基的2,7-連接的芴。式(VII)重復(fù)單元可以為式(VIIa)的任選取代的2,7-連接的重復(fù)單元:任選地，式(VIIa)的重復(fù)單元在與2-或7-位置鄰近的位置上未被取代。通過(guò)2-和7-位置的連接以及鄰近這些連接位置不存在取代基提供了能夠跨所述重復(fù)單元提供相對(duì)高的共軛程度的重復(fù)單元。式(VII)重復(fù)單元可以是式(VIIb)的任選取代的3,6-連接的重復(fù)單元：與式(VIIa)重復(fù)單元相比，跨式(VIIb)重復(fù)單元的共軛程度可以相對(duì)低。另一種示例性的共聚重復(fù)單元具有式(VIII)：其中R3、R8和d如上文關(guān)于式(VI)和(VII)所述。R3基團(tuán)中的任一個(gè)可以連接到R3基團(tuán)中的任何另一個(gè)從而形成環(huán)。如此形成的環(huán)可以是未取代的或者取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，任選為一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基。式(VIII)的重復(fù)單元可具有式(VIIIa)或(VIIIb)：示例性的式(VIII)重復(fù)單元具有以下結(jié)構(gòu)，其中芳族碳原子可各自獨(dú)立地是未取代的或取代有取代基R8，并且其中環(huán)戊基可各自獨(dú)立地為未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，例如一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基：發(fā)光材料發(fā)光材料可以選自任何形式的有機(jī)熒光材料，包括但不限于小分子、樹(shù)枝狀和聚合的熒光材料。發(fā)光聚合物可以是包含發(fā)光重復(fù)單元的發(fā)光均聚物，或者它可以是包含發(fā)光重復(fù)單元和另外重復(fù)單元的共聚物，如例如WO00/55927中所公開(kāi)的空穴傳輸重復(fù)單元和/或電子傳輸重復(fù)單元。各重復(fù)單元可以提供在聚合物的主鏈或側(cè)鏈中。發(fā)光聚合物可以在聚合物主鏈中含有共軛在一起的重復(fù)單元。發(fā)光聚合物可以含有芳胺重復(fù)單元，例如式(IX)的重復(fù)單元：其中Ar8和Ar9在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自取代或未取代的芳基或雜芳基，g大于或等于1，優(yōu)選為1或2，R13是H或者取代基，優(yōu)選為取代基，并且c和d各自獨(dú)立地為1、2或3。當(dāng)g＞1時(shí)在每次出現(xiàn)時(shí)可以相同或不同的R13優(yōu)選地選自烷基(例如C1-20烷基)、Ar10、Ar10基團(tuán)的支化鏈或直鏈、或者直接結(jié)合到式(IX)的N原子或通過(guò)間隔基團(tuán)從其間隔開(kāi)的可交聯(lián)單元，其中Ar10在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為任選取代的芳基或雜芳基。示例性的間隔基團(tuán)是C1-20烷基、苯基和苯基-C1-20烷基。在式(IX)的重復(fù)單元中Ar8、Ar9和(如果存在時(shí)的)Ar10中的任一個(gè)可以通過(guò)直接鍵或二價(jià)連接原子或基團(tuán)連接至Ar8、Ar9和Ar10中的另一個(gè)。優(yōu)選的二價(jià)連接原子和基團(tuán)包括O、S、取代的N、以及取代的C。Ar8、Ar9和(如果存在時(shí)的)Ar10中的任一個(gè)可以取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。示例性的取代基是取代基R10，其中每個(gè)R10可以獨(dú)立地選自于由如下構(gòu)成的組：-取代或未取代的烷基，任選為C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-替換，并且一個(gè)或多個(gè)H原子可以被F替換；以及-直接連接到芴單元或者通過(guò)間隔基團(tuán)從其間隔開(kāi)的可交聯(lián)基團(tuán)，例如包含雙鍵的基團(tuán)如乙烯基或者丙烯酸酯基團(tuán)，或者苯并環(huán)丁烷基團(tuán)。優(yōu)選的式(IX)重復(fù)單元具有式1-3：該聚合物可含有一個(gè)、兩個(gè)或更多個(gè)不同的式(IX)的重復(fù)單元。在一種可選的設(shè)置中，連接到兩個(gè)N原子的中心Ar9基團(tuán)(例如式1中)是可以為未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基R10的亞苯基。在另一種可選設(shè)置中，式1的中心Ar9基團(tuán)是多環(huán)芳族基團(tuán)，其可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基R10。示例性的多環(huán)芳族基團(tuán)是萘、苝、蒽、芴、菲和二氫菲。這些多環(huán)芳基中的每一個(gè)可以取代有一個(gè)或多個(gè)取代基R10。兩個(gè)取代基R10可以連接形成取代或未取代的環(huán)。任選地，Ar8是可以為未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基R10的苯基。任選地，連接到式(IX)重復(fù)單元的唯一N原子的Ar9基團(tuán)是苯基，該苯基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基R10。式(IXa)的R13優(yōu)選為烴基，優(yōu)選C1-20烷基、未取代或取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基的苯基、或苯基的支化鏈或直鏈，其中每個(gè)所述苯基是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基。任選地，R13是Ar10，例如苯基，或是-(Ar10)r，其中r是至少2并且其中基團(tuán)-(Ar10)r形成芳族或雜芳族基團(tuán)的直鏈或支化鏈，例如3,5-二苯基苯，其中各個(gè)苯基可取代有一個(gè)或多個(gè)取代基R10，例如一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基。任選地，c、d和g各自為1，且Ar8和Ar9是由氧原子連接的苯基從而形成吩噁嗪環(huán)。胺重復(fù)單元可以提供空穴傳輸和/或發(fā)光功能。示例性的發(fā)光胺重復(fù)單元包括式(IXa)的藍(lán)色發(fā)光重復(fù)單元和式(IXb)的綠色發(fā)光重復(fù)單元：式(IXa)和(IXb)的重復(fù)單元可以是未取代的或者式(IXb)重復(fù)單元的一個(gè)或多個(gè)環(huán)可以取代有一個(gè)或多個(gè)取代基R15，優(yōu)選一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基。胺重復(fù)單元可以與一種或多種共聚重復(fù)單元一起提供在共聚物中，并且構(gòu)成發(fā)光共聚物的重復(fù)單元的約0.5摩爾％直至約50摩爾％、任選地約1-25摩爾％、任選地約1-10摩爾％。熒光發(fā)光聚合物可以包含發(fā)光重復(fù)單元和一種或多種共聚重復(fù)單元，所述共聚重復(fù)單元選自三重態(tài)接受重復(fù)單元和其它共聚重復(fù)單元。示例性的三重態(tài)接受重復(fù)單元如上所述。示例性的其它共聚重復(fù)單元包括但不限于芴、亞苯基、茚并芴、菲和二氫菲重復(fù)單元，它們各自可以是未取代的或者取代有一個(gè)或多個(gè)取代基R3，優(yōu)選一個(gè)或多個(gè)C1-40烴基取代基。發(fā)光聚合物的其它共聚重復(fù)單元可以包括上文關(guān)于三重態(tài)接受聚合物所述的共聚重復(fù)單元(VI)、(VII)和(VIII)中的一種或多種。這些重復(fù)單元中的每一個(gè)可以通過(guò)這些單元的任何兩個(gè)芳族碳原子與鄰近的重復(fù)單元連接。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，發(fā)光聚合物包含發(fā)光重復(fù)單元，任選式(IX)的重復(fù)單元和式(I)的第一種三重態(tài)接受基團(tuán)，該第一種三重態(tài)接受基團(tuán)被提供作為該發(fā)光聚合物的主鏈重復(fù)單元、側(cè)基或端基。本文中所述聚合物(包括可包含或者可不含三重態(tài)接受基團(tuán)的發(fā)光聚合物或不發(fā)光的三重態(tài)接受聚合物)的通過(guò)凝膠滲透色譜法測(cè)量的聚苯乙烯當(dāng)量數(shù)均分子量(Mn)可以在約1×103至1×108的范圍內(nèi)，并且優(yōu)選在1×104至5×106范圍內(nèi)。本文所述聚合物的聚苯乙烯當(dāng)量重均分子量(Mw)可以為1×103至1×108，且優(yōu)選為1×104至1×107。本文所述的聚合物適宜地為非晶態(tài)聚合物。聚合物合成制備共軛的發(fā)光聚合物的優(yōu)選方法包括“金屬嵌插”，其中將金屬絡(luò)合物催化劑的金屬原子嵌插在芳基或雜芳基基團(tuán)與單體的離去基團(tuán)之間。示例性的金屬插入方法是如例如WO00/53656中所述的Suzuki聚合，以及如例如以下文獻(xiàn)中所述的Yamamoto聚合：T.Yamamoto，“ElectricallyConductingAndThermallyStableπ-ConjugatedPoly(arylene)sPreparedbyOrganometallicProcesses"，ProgressinPolymerScience1993，17，1153-1205。在Yamamoto聚合的情形中，使用鎳絡(luò)合物催化劑；在Suzuki聚合的情形中，使用鈀絡(luò)合物催化劑。例如，在通過(guò)Yamamoto聚合來(lái)合成線型聚合物中，使用具有兩個(gè)反應(yīng)性鹵素基團(tuán)的單體。類似地，根據(jù)Suzuki聚合方法，至少一個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)是硼衍生基團(tuán)例如硼酸或硼酸酯，并且另一個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)是鹵素。優(yōu)選的鹵素為氯、溴和碘，最優(yōu)選溴。因此將理解的是本申請(qǐng)通篇所說(shuō)明的重復(fù)單元可衍生自帶有合適離去基團(tuán)的單體。同樣地，可通過(guò)合適離去基團(tuán)的反應(yīng)使端基或側(cè)基結(jié)合到聚合物。Suzuki聚合可以用來(lái)制備區(qū)域規(guī)則的(regioregular)、嵌段和無(wú)規(guī)的共聚物。特別地，當(dāng)一個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)為鹵素并且另一個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)為硼衍生基團(tuán)時(shí)，可以制備均聚物或無(wú)規(guī)共聚物。作為替代，當(dāng)?shù)谝粏误w的兩個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)均為硼并且第二單體的兩個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)均為鹵素時(shí)，可以制備嵌段或區(qū)域規(guī)則(特別是AB型)的共聚物。作為鹵化物的替代，能夠參與金屬嵌插的其它離去基團(tuán)包括甲苯磺酸酯(tosylate)、甲磺酸酯(mesylate)和三氟甲磺酸酯(triflate)。電荷傳輸層和電荷阻擋層在OLED的情形中，可在陽(yáng)極與一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層之間提供空穴傳輸層。同樣地，可在陰極與一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層之間提供電子傳輸層。類似地，可在陽(yáng)極和發(fā)光層之間提供電子阻擋層，以及可在陰極和發(fā)光層之間提供空穴阻擋層。傳輸層和阻擋層可結(jié)合使用。根據(jù)其HOMO和LUMO能級(jí)，單一層可既傳輸空穴和電子之一，又阻擋空穴和電子中的另一者。可以使電荷傳輸層或電荷阻擋層交聯(lián)，特別地如果從溶液來(lái)沉積覆蓋該電荷傳輸或電荷阻擋層的層的話。用于這種交聯(lián)的可交聯(lián)基團(tuán)可以是包含反應(yīng)性雙鍵的可交聯(lián)基團(tuán)例如乙烯基或丙烯酸酯基團(tuán)，或者苯并環(huán)丁烷基團(tuán)。如果存在，則位于陽(yáng)極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層的HOMO能級(jí)優(yōu)選為小于或等于5.5eV，更優(yōu)選為約4.8-5.5eV或5.1-5.3eV，通過(guò)循環(huán)伏安法測(cè)量。可選擇空穴傳輸層的HOMO能級(jí)以便在鄰近層(例如發(fā)光層)的0.2eV之內(nèi)，任選地在0.1eV之內(nèi)，以便在這些層之間提供小的空穴傳輸勢(shì)壘。如果存在，則位于發(fā)光層和陰極之間的電子傳輸層的LUMO能級(jí)優(yōu)選為約2.5-3.5eV，通過(guò)循環(huán)伏安法測(cè)量。例如，可在最接近陰極的發(fā)光層與該陰極之間提供厚度在0.2-2nm范圍內(nèi)的一氧化硅或二氧化硅的層或其它薄介電層。可使用循環(huán)伏安法測(cè)量HOMO和LUMO能級(jí)?？昭▊鬏攲涌梢院芯畚锘蚬簿畚?，所述均聚物或共聚物包含如上所述的式(IX)重復(fù)單元，例如包含一個(gè)或多個(gè)式(IX)的胺重復(fù)單元和一個(gè)或多個(gè)亞芳基重復(fù)單元(例如一個(gè)或多個(gè)選自式(VI)、(VII)和(VIII)的亞芳基重復(fù)單元)的共聚物。電子傳輸層可以含有包含任選取代的亞芳基重復(fù)單元的鏈(例如芴重復(fù)單元的鏈)的聚合物。如果空穴傳輸層或電子傳輸層與包含磷光材料的發(fā)光層相鄰，則該層的一種或多種材料的T1能級(jí)優(yōu)選地高于相鄰發(fā)光層中的磷光發(fā)射體的T1能級(jí)。空穴注入層可由導(dǎo)電性有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料形成的導(dǎo)電性空穴注入層，其可提供于如圖1所示的OLED的陽(yáng)極101和發(fā)光層103之間以輔助從陽(yáng)極到一層或多層半導(dǎo)體聚合物中的空穴注入。摻雜的有機(jī)空穴注入材料的實(shí)例包括任選取代的、摻雜的聚(乙烯二氧噻吩)(PEDT)，尤其是用下列摻雜的PEDT：電荷平衡聚酸(polyacid)，如EP0901176和EP0947123中所公開(kāi)的聚苯乙烯磺酸(PSS)、聚丙烯酸或氟化磺酸，例如如US5723873和US5798170中公開(kāi)的聚苯胺；和任選取代的聚噻吩或聚(噻吩并噻吩)。導(dǎo)電性無(wú)機(jī)材料的實(shí)例包括過(guò)渡金屬氧化物，如JournalofPhysicsD：AppliedPhysics(1996)，29(11)，2750-2753中所公開(kāi)的VOx、MoOx和RuOx。陰極陰極105選自于具有容許電子注入到OLED的發(fā)光層內(nèi)的功函數(shù)的材料。其它因素影響陰極的選擇，例如在陰極與發(fā)光材料之間的有害相互作用的可能性。陰極可以由單一材料例如鋁層構(gòu)成。作為替代，其可以包含多種導(dǎo)電材料如金屬，例如低功函數(shù)材料和高功函數(shù)材料的雙層，例如WO98/10621中公開(kāi)的鈣和鋁。陰極可以包含單質(zhì)鋇，如在WO98/57381、Appl.Phys.Lett.2002,81(4),634和WO02/84759中所公開(kāi)的。陰極可在器件的有機(jī)層與一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電陰極層之間包含金屬化合物(特別是堿金屬或堿土金屬的氧化物或氟化物)的薄層(例如1-5nm)以協(xié)助電子注入，例如在WO00/48258中公開(kāi)的氟化鋰；如在Appl.Phys.Lett.2001,79(5),2001中公開(kāi)的氟化鋇；以及氧化鋇。為了提供電子向器件內(nèi)的高效注入，陰極優(yōu)選地具有小于3.5eV、更優(yōu)選地小于3.2eV、最優(yōu)選地小于3eV的功函數(shù)。金屬的功函數(shù)可以參見(jiàn)例如Michaelson，J.Appl.Phys.48(11)，4729，1977。陰極可以是不透明的或透明的。透明陰極對(duì)于有源矩陣器件是特別有利的，因?yàn)榇┻^(guò)此類器件中的透明陽(yáng)極的發(fā)射光至少部分地被位于發(fā)光像素下方的驅(qū)動(dòng)電路阻擋。透明陰極包含電子注入材料的層，該層足夠薄以致是透明的。通常，該層的橫向?qū)щ娐视捎谄浔《?thinness)而將是低的。在該情形中，電子注入材料層與透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物的較厚層結(jié)合使用。將理解的是，透明陰極器件不需要具有透明陽(yáng)極(當(dāng)然，除非需要完全透明的器件)，并且因此可以用反射材料層例如鋁層替換或補(bǔ)充用于底部發(fā)光器件的透明陽(yáng)極。在例如GB2348316中公開(kāi)了透明陰極器件的實(shí)例。包封有機(jī)光電子器件往往對(duì)水分和氧氣敏感。因此，基底優(yōu)選地具有良好阻隔性用以防止水分和氧氣侵入器件內(nèi)。基底通常為玻璃，但是可以使用替代性的基底，特別是在器件的柔性為期望的情形中。例如，基底可以包含一個(gè)或多個(gè)塑料層，例如交替的塑料和電介質(zhì)阻擋層的基底，或者薄玻璃和塑料的疊層體?？梢杂冒獠牧?未示出)包封器件以防止水分和氧氣侵入。合適的包封材料包括玻璃片，具有合適的阻擋性質(zhì)的膜，如二氧化硅、一氧化硅、氮化硅、或聚合物與介電材料的交替疊層，或氣密性容器。在透明陰極器件的情形中，可沉積透明包封層如一氧化硅或二氧化硅達(dá)到微米級(jí)的厚度，然而在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，該層的厚度在20-300nm范圍內(nèi)。用于吸收可能滲透穿過(guò)基底或包封材料的任何大氣水分和/或氧氣的吸收材料可被設(shè)置在基底和包封材料之間。配制物加工適于形成發(fā)光層的配制物可由本發(fā)明的組合物和一種或多種合適的溶劑形成。該配制物可以是組合物在一種或多種溶劑中的溶液，或者可以是在一種或多種溶劑中的分散體(一種或多種組分不溶解于所述溶劑)。優(yōu)選地，該配制物是溶液。適合于溶解本發(fā)明組合物(特別是含有包含烷基取代基的聚合物的組合物)的溶劑包括用一個(gè)或多個(gè)C1-10烷基或C1-10烷氧基取代的苯，例如甲苯、二甲苯和甲基苯甲醚。特別優(yōu)選的溶液沉積技術(shù)包括印刷和涂覆技術(shù)，例如旋涂和噴墨印刷。旋涂特別適合于其中發(fā)光層的圖案化為不必要的器件—例如用于照明應(yīng)用或簡(jiǎn)單的單色分段顯示器。噴墨印刷特別適合于高信息內(nèi)容的顯示器，尤其是全色顯示器?？赏ㄟ^(guò)如下方式來(lái)噴墨印刷器件：在第一電極上方提供圖案化的層，和限定用于印刷一種顏色(單色器件的情形)或多種顏色(多色的情形，尤其是全色器件)的凹坑(well)。圖案化的層典型地是被圖案化以限定凹坑的光刻膠層，例如EP0880303中所述。作為凹坑的替代，可將墨印刷到圖案化層內(nèi)限定的溝道中。具體而言，可將光刻膠圖案化以形成溝道，與凹坑不同的是，所述溝道在多個(gè)像素上方延伸并且可在溝道末端封閉或開(kāi)放。其它溶液沉積技術(shù)包括浸涂、輥筒印刷和絲網(wǎng)印刷。實(shí)施例單體合成根據(jù)以下反應(yīng)方案制備單體實(shí)施例1：階段13升的三頸圓底燒瓶配備有頂置式攪拌器、回流冷凝器、加料漏斗、氮?dú)馊肟诤团艢庋b置。向燒瓶中裝入在水(1000mL)中的NaOH(153g，3.8251mol)和3,6-二溴菲-9,10-二酮(50g，0.1366mol)，并加熱至85℃持續(xù)16小時(shí)，隨后冷卻至室溫。將固體KMnO4(112.2g，0.7103mol)分若干份加入到混合物中。在完成添加后，將反應(yīng)混合物加熱至100℃并攪拌16小時(shí)，在此時(shí)之后使其冷卻至室溫。通過(guò)過(guò)濾分離所得固體沉淀物，并用1.5NHCl(1000mL)和水(1000mL)洗滌。在抽吸下干燥之后，用熱氯仿、然后用THF洗滌固體，從而得到通過(guò)HPLC測(cè)量純度為98.5％的6-二溴-9H-芴-9-酮(24g，52％產(chǎn)率)。階段21升的三頸圓底燒瓶配備有頂置式攪拌器、回流冷凝器、加料漏斗、氮?dú)馊肟诤团艢庋b置。在氮?dú)鈿夥障?，將芐基三苯基溴化鏻(35.38g，0.0816mol)溶解在甲苯(300mL)中，并在0℃下將NaOtBu(8.99g，0.0816mol)分批加入到該混合物中，并將懸浮液攪拌30分鐘。將溶液保持在0℃，并向混合物中加入3,6-二溴-9H-芴-9-酮(23g，0.0681mol)在甲苯(160mL)中的溶液，使所得混合物溫?zé)嶂潦覝夭嚢?6小時(shí)。在此時(shí)之后，將混合物再次冷卻至0℃并用冰水(200mL)猝滅。將反應(yīng)物用EtOAc(500mL)稀釋，分離有機(jī)層，用水(200mL)洗滌，在硫酸鈉上干燥，并在減壓下除去揮發(fā)物。通過(guò)快速柱色譜法將粗制材料(32g)純化，隨后從乙腈中重結(jié)晶從而得到單體1，產(chǎn)率為19％。1H-NMR(400MHz,CDCl3):δ[ppm]7.22(dd,J＝1.84,8.36Hz,1H),7.43(d,J＝8.12Hz,1H),7.45-7.50(m,4H),7.56(d,J＝7.16Hz,2H),7.66(d,J＝8.20Hz,1H),7.72(s,1H),7.81-7.83(m,2H).發(fā)光聚合物通過(guò)如WO00/53656中所述的Suzuki聚合來(lái)制備包含式(VIIa)的芴重復(fù)單元、菲重復(fù)單元、式(IX-1)的胺重復(fù)單元和式(IX-3)的胺重復(fù)單元的藍(lán)色發(fā)光聚合物L(fēng)EP1。按LEP1制備藍(lán)色發(fā)光聚合物L(fēng)EP2,區(qū)別是用源于單體1的三重態(tài)接受重復(fù)單元代替0.5摩爾％的芴重復(fù)單元。三重態(tài)接受聚合物1通過(guò)如WO00/53656中所述的Suzuki聚合使以下單體聚合來(lái)制備三重態(tài)-接受聚合物1：器件形成—一般過(guò)程制備具有以下結(jié)構(gòu)的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件：ITO/HIL(35nm)/HTL(22nm)/LE(65nm)/陰極，其中ITO是銦錫氧化物陽(yáng)極；HIL是空穴注入層；HTL是空穴傳輸層；LE是發(fā)光層；并且陰極包含與發(fā)光層接觸的金屬氟化物層以及銀層和鋁層。為了形成器件，使用紫外/臭氧清洗帶有ITO的基底。通過(guò)旋涂可獲自Plextronics公司的空穴注入材料的水性配制物形成空穴注入層。通過(guò)旋涂包含式(VIa)的亞苯基重復(fù)單元、式(IX-1)的胺重復(fù)單元和式(VIIa)的可交聯(lián)重復(fù)單元的空穴傳輸聚合物形成21nm的空穴傳輸層并且通過(guò)加熱使該聚合物交聯(lián)。通過(guò)旋涂表2中所示的聚合物混合物來(lái)形成發(fā)光層。通過(guò)蒸鍍第一層的金屬氟化物至約2nm的厚度、第二層的鋁至約100nm的厚度和第三層的銀至約100nm的厚度形成陰極。參照?qǐng)D6，與其中在發(fā)光聚合物中提供三重態(tài)接受單元以及三重態(tài)接受聚合物與發(fā)光聚合物共混的器件實(shí)施例1相比，在發(fā)光聚合物中不提供三重態(tài)接受單元的比較器件1的亮度下降更快。令人驚訝的是，與僅使用一種三重態(tài)接受材料相比，使用兩種不同的三重態(tài)接受材料增加了壽命。雖然關(guān)于具體的示例性實(shí)施方案描述了本發(fā)明，然而應(yīng)意識(shí)到在不偏離下列權(quán)利要求所述的本發(fā)明范圍的情況下，本文所公開(kāi)的特征的各種修改、改變和/或組合對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是明顯的。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3