專利名稱：掩膜板檢測裝置及檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體器件制造工藝中的掩膜板檢測技術(shù)，尤其涉及一種掩膜板檢測 裝置及檢測方法。
背景技術(shù)：
在液晶顯示器(Liquid Crystal Display ；以下簡稱LCD)基板上的膜層等半導 體器件的制造流程中，掩膜刻蝕是一種常用工藝。掩膜刻蝕工藝中需要用到掩膜板(Mask)， 掩膜板上具有設(shè)定的圖案，進行曝光時，光線從掩膜板圖案之間的空隙中透過，以便使待刻 蝕的膜層形成相應(yīng)的圖案。由此可見，掩模板上的圖案精度決定著膜層后續(xù)刻蝕出的圖案 精度。在實際的生產(chǎn)環(huán)境中，可能會有小異物顆粒掉落附著在掩膜板上，當異物顆粒遮 擋了圖案之間的空隙時，就會影響曝光光線透過，進而影響膜層上對應(yīng)位置的圖案，出現(xiàn)重 復(fù)性(Repeat)不良。如不能及時檢測出掩膜板上的異物，就會使掩膜板的不良影響到多塊 待曝光的基板，從掩膜曝光工藝到基板的檢測工藝之間可能會距離較長時間，這段時間內(nèi) 將產(chǎn)生大量不良產(chǎn)品。現(xiàn)有技術(shù)中提供了一種檢測掩膜板上異物顆粒的方法，即采用一檢測光沿掩膜板 的表面照射到掩膜板上，在掩膜板的表面設(shè)置有面?zhèn)鞲衅鳎糜跈z測是否有反射光，若有則 證明掩膜板上存在異物遮擋使光反射。但是上述檢測技術(shù)的誤報警率很大，可操作性不強， 各廠商都已放棄使用這一方案。因此，在進行掩膜曝光之前，能夠準確地檢測到掩膜板上圖案因異物顆粒等因素 的影響而產(chǎn)生的變化是急待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種掩膜板檢測裝置及檢測方法，以實現(xiàn)對掩膜板上圖案變 化的準確檢測。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種掩膜板檢測裝置，包括檢測板，由絕緣材料制成；電阻塊，采用感光電阻材料制成，設(shè)置在所述檢測板的表面上，用于在檢測板與掩 膜板平行且重疊設(shè)置時，接受穿過所述掩膜板照射在檢測板上的光線；控制模塊，與所述電阻塊相連，用于檢測所述電阻塊的電阻值并進行識別，當識別 出電阻塊的電阻值變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種掩膜板檢測方法，包括將絕緣材料的檢測板與掩膜板平行且重疊布設(shè)，所述檢測板上設(shè)置有感光電阻材 料制成的電阻塊；發(fā)射光線穿過所述掩膜板照射到所述檢測板的電阻塊上；檢測所述電阻塊的電阻值并進行識別，當識別出電阻塊的電阻值變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的技術(shù)方案利用了感光電阻材料的電阻塊，結(jié)合曝 光光線照射，實現(xiàn)了對掩膜板圖案變化的檢測，具有較高的檢測準確性，能夠預(yù)防掩膜板圖 案變化對后續(xù)曝光刻蝕操作的影響。


圖1為本發(fā)明實施例一提供的掩膜板檢測裝置的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例一提供的掩膜板檢測裝置的檢測狀態(tài)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例二提供的掩膜板檢測裝置的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例二提供的掩膜板檢測裝置的檢測狀態(tài)示意圖；圖5為本發(fā)明實施例二提供的掩膜板檢測裝置沒檢測到異物顆粒的俯視結(jié)構(gòu)示 意圖；圖6為本發(fā)明實施例二提供的掩膜板檢測裝置檢測到異物顆粒的俯視結(jié)構(gòu)示意 圖；圖7為本發(fā)明實施例三提供的掩膜板檢測裝置中控制模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實施例四提供的掩膜板檢測方法的流程圖；圖9為本發(fā)明實施例五提供的掩膜板檢測方法中比較步驟的流程圖；圖10為本發(fā)明實施例六提供的掩膜板檢測方法中比較步驟的流程圖。
具體實施例方式下面通過具體實施例并結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步的詳細描述。實施例一圖1為本發(fā)明實施例一提供的掩膜板檢測裝置的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。該檢測裝置包 括檢測板10、電阻塊20和控制模塊30。其中，檢測板10由絕緣材料制成，例如可以為玻璃 基板。電阻塊20采用感光電阻材料制成，例如為高靈敏度感光電阻材料硫化鎘，電阻塊20 設(shè)置在檢測板10的表面上，具體可以采用沉膜等工藝按照設(shè)定圖案鍍設(shè)在檢測板10的表 面，電阻塊20用于在檢測板10與掩膜板40平行且重疊設(shè)置時，接受穿過掩膜板40照射在 檢測板10上的光線，照射所用的光線可以為紫外線、紅外線等多種光線?？刂颇K30可以 是由軟件和/或硬件實現(xiàn)的功能模塊，與電阻塊20相連，用于檢測電阻塊20的電阻值并進 行識別，當識別出電阻塊20的電阻值變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息?？刂颇K30對電阻值變化量的識別可以有多種方式，本實施例中的控制模塊30 具體包括阻值檢測單元31和標準值比較單元32。其中，阻值檢測單元31與電阻塊20相 連，用于檢測電阻塊20的電阻值；標準值比較單元32與阻值檢測單元31相連，用于將檢測 出的電阻值與預(yù)存儲的標準值進行比較獲得變化量，當識別出變化量大于或等于設(shè)定值時 產(chǎn)生報警信息。本實施例掩膜板檢測裝置的具體工作狀態(tài)如圖2所示，操作過程為將檢測板10 放在玻璃基臺上，經(jīng)過設(shè)備機械預(yù)對位后，使得檢測板10與掩膜板40平行且重疊布設(shè)，使 得掩膜板40上的圖案能夠落入檢測板10上電阻塊20的面積范圍內(nèi)；而后發(fā)射光線穿過掩 膜板40照射到檢測板10的電阻塊20上，此時掩膜板40上的圖案將投影在電阻塊20上，形成陰影，由于電阻塊20采用感光材料制成，陰影的出現(xiàn)會改變電阻塊20的電阻值；隨后，檢測電阻塊20的電阻值并識別變化量，具體的識別方式可以是將檢測出的電阻值與預(yù)存 儲的標準值進行比較獲得，當識別出變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。本實施例技術(shù)方案所基于的原理是感光材料制成的電阻塊，當所照射的光線量 變化時電阻值會隨之變化。在使用掩膜板進行曝光前，首先以檢測板來檢測掩膜板上圖案 是否發(fā)生變化。若掩膜板上存在異物顆粒影響了圖案，則投射在檢測板上的圖案也會發(fā)生 變化，類似的，若掩膜板上的圖案被腐蝕或劃損而有所缺少，也會導致圖案的改變。這些圖 案的變化都會反映到電阻塊電阻值的變化上。通過識別變化量，例如當變化量大于或等于 20% 30%時，則產(chǎn)生報警信息，令技術(shù)人員去清潔掩膜板或?qū)ρ谀ぐ鍒D案進行修補，以避 免掩膜板的圖案變化影響到后續(xù)基板圖案，進行降低了產(chǎn)品不良率，節(jié)約了成本。本實施例的技術(shù)方案中，電阻塊的數(shù)量和形狀并不限于為圖1中所示，電阻塊的 數(shù)量可以為一塊，也可以為多塊，多塊電阻塊可以彼此間隔地設(shè)置在檢測板上。設(shè)置多塊電 阻塊的優(yōu)勢在于能夠提高檢測的精確度，避免由于陰影增加、減少的抵消而無法正確體現(xiàn) 變化量。電阻塊的形狀應(yīng)與掩膜板上的圖案相對應(yīng)。在LCD的不同制造工序中，例如制備 柵極線、制備像素電極時會用到不同圖案的掩膜板，電阻塊的形狀可以隨之變化，多塊電阻 塊之間的間隔可以隨之調(diào)整。對于電阻塊電阻值變化量的識別，可以預(yù)先存儲一個或多個標準值，通過比較來 進行識別。若每塊電阻塊的形狀或面積不一致，掩膜板在其上投影的圖案不一致，則可以分 別測定其對應(yīng)的標準值，分別進行比較。根據(jù)比較的策略，若一個或多個變化量達到設(shè)定值 時即產(chǎn)生報警信息。本實施例的技術(shù)方案利用了感光電阻材料的電阻塊，結(jié)合曝光光線照射，實現(xiàn)了 對掩膜板圖案變化的檢測，具有較高的檢測準確性，能夠預(yù)防掩膜板圖案變化對后續(xù)曝光 刻蝕操作的影響。實施例二圖3為本發(fā)明實施例二提供的掩膜板檢測裝置的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，本實施例與實 施例一的區(qū)別在于電阻塊20的數(shù)量為多塊。并且，各電阻塊20的面積相等，且每個電阻 塊20的面積對應(yīng)一個或多個像素區(qū)域的面積。掩膜板40上的圖案多是與待曝光刻蝕的基 板上的像素區(qū)域相對應(yīng)的，檢測板10上電阻塊20的面積即與一個或多個像素區(qū)域的形狀 相對應(yīng)，可以完全相同，優(yōu)選的是略大于一個或多個像素區(qū)域的面積，以便掩膜板40上像 素區(qū)域的圖案可以完全落入電阻塊20的范圍內(nèi)。本實施例檢測裝置的工作狀態(tài)如圖4所示，具體工作過程如下將檢測板10與掩 膜板40平行且重疊布設(shè)，使得掩膜板40上對應(yīng)一個或多個像素區(qū)域的圖案分別落入檢測 板10上各電阻塊20的面積范圍內(nèi)，本實施例以每個電阻塊20對應(yīng)一列像素區(qū)域的圖案 為例進行說明，且該掩膜板40具體為刻蝕薄膜晶體管(Thin Film Transistor ；以下簡稱 TFT)圖案的；而后發(fā)射光線穿過掩膜板40照射到檢測板10的電阻塊20上，如圖5所示為 掩膜板40上的各列像素區(qū)域的圖案分別落入一塊電阻塊20內(nèi)，則在該列像素區(qū)域圖案的 遮擋下，電阻塊20上有陰影部分沒有照射到光線；分別檢測各電阻塊20的電阻值并進行 識別，具體識別變化量的方式可以為比較各電阻塊電阻值之間的差值作為變化量，當變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。若掩膜板40上沒有異物顆?；驁D案缺失，則面積相 等、且對應(yīng)像素區(qū)域圖案相同的每個電阻塊20上的陰影區(qū)域應(yīng)該相同，電阻塊20的阻值也 相同，若掩膜板40上有異物顆粒，則可能出現(xiàn)圖6所示的陰影效果，使得有異物顆粒對應(yīng)的 電阻塊20的阻值區(qū)別于其他電阻塊20。通過電阻值的比較，若某個或某些電阻塊20的阻 值與其他電阻塊20阻值的差值達到了設(shè)定值，例如差異達20% 30%，則可以確定掩膜板 40上存在異物顆?；蛴袌D案缺失，應(yīng)發(fā)出報警信息，令技術(shù)人員處理?；谏鲜鲭娮鑹K20布設(shè)形式，控制模塊30可以采用實施例一的結(jié)構(gòu)，或者優(yōu)選的 是可以包括阻值檢測單元31、均值計算單元33和均值比較單元34。其中，阻值檢測單元 31與電阻塊20相連，用于檢測電阻塊20的電阻值，具體的是分別與各塊電阻塊20相連；均 值計算單元33與阻值檢測單元31相連，用于計算各電阻值的平均值；均值比較單元34與 阻值檢測單元31和均值計算單元33分別相連，用于將各電阻值與平均值進行比較獲得變 化量，當識別出變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。采用本實施例的技術(shù)方案，每個電阻塊可以分別對應(yīng)一個像素單元，多個電阻塊 還可以為相互平行的多個長條狀電阻塊，對應(yīng)一列像素單元或一行像素單元，或者，多個電 阻塊也可以為呈矩陣形式排列，對應(yīng)矩陣形式排列的一個或者多個像素單元。本實施例的技術(shù)方案可以在掩膜板進行正式曝光之前對圖案進行檢測，設(shè)置多塊 對應(yīng)像素圖案的電阻塊，可以分別檢測各個像素圖案的變化，精確度顯著提高。另外，通過 比較電阻塊電阻值之間的差值，可以不必預(yù)先設(shè)定標準值，可操作性進一步改善。實施例三圖7為本發(fā)明實施例三提供的掩膜板檢測裝置中控制模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。本實施 例與實施例二的區(qū)別在于控制模塊30的結(jié)構(gòu)變化?？刂颇K30具體包括阻值檢測單元31 和阻值比較單元35。其中，阻值檢測單元31與電阻塊20相連，用于檢測電阻塊20的電阻 值，具體是與各塊電阻塊20分別相連；阻值比較單元35用于按照設(shè)定規(guī)律將兩個電阻值進 行比較獲得變化量，當識別出變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息，并停止比較操作。本實施例中控制模塊的具體工作過程為分別識別各電阻塊的電阻值，而后將各 個電阻值進行比較。設(shè)定規(guī)律可以有多種形式，例如，將各電阻值先進行排序，然后，將每個 電阻值逐次與第一個電阻值進行比較，當比較出的變化量達到設(shè)定值即產(chǎn)生報警信息，說 明掩膜板的圖案變化已不能接受了，則后續(xù)各個電阻值之間的比較已經(jīng)沒有必要再進行， 可以停止比較操作。若變化量未達到設(shè)定值，則可以繼續(xù)將各電阻值與第二個電阻值進行 比較，依此類推，直至比較結(jié)束，或識別出達到設(shè)定值的變化量。本實施例技術(shù)方案的精確性更高，尤其適用于電阻塊的面積較大、數(shù)量較少的情 況，可以檢測出任意兩個電阻塊之間的電阻值差異。實施例二的技術(shù)方案更適用于電阻塊 面積較小、數(shù)量較多的情況，能夠減少計算量。具體應(yīng)用中，可以結(jié)合實際情況去設(shè)定控制模塊的結(jié)構(gòu)和識別變化量的策略。例 如，當工作環(huán)境的潔凈度較高時，掩膜板的圖案變化概率較低，則可以設(shè)置電阻塊的數(shù)量較 少，以均值相比較即可以滿足檢測要求。采用本發(fā)明的上述技術(shù)方案，不僅可以提高異物檢出率，而且還能夠有效地進行 異物的定位，例如，當將電阻值與標準值比較時，若出現(xiàn)電阻值存在差異的，即在確定存在 異物的同時還能夠確定該塊電阻塊所對應(yīng)的區(qū)域中存在異物。若將電阻值兩兩進行比較，同樣可以在確定存在異物的同時定位異物所在的一塊或兩塊電阻塊區(qū)域。異物區(qū)域范圍的定位，能夠簡化后續(xù)工作人員的定位、維修工序。實施例四圖8為本發(fā)明實施例四提供的掩膜板檢測方法的流程圖，本發(fā)明的檢測方法具體 可以應(yīng)用本發(fā)明的掩膜板檢測裝置來實施，具體步驟如下步驟100、將絕緣材料的檢測板與掩膜板平行且重疊布設(shè)，該檢測板上設(shè)置有感光 電阻材料制成的電阻塊；步驟200、發(fā)射光線穿過掩膜板照射到檢測板的電阻塊上；步驟300、檢測電阻塊的電阻值并進行識別，當識別出電阻塊的電阻值變化量大于 或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。其中，步驟300可以具體為步驟301、檢測設(shè)置在檢測板上的一塊或間隔設(shè)置地多塊電阻塊的電阻值；步驟302、將檢測出的電阻值與預(yù)存儲的標準值進行比較獲得變化量，當識別出變 化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。本實施例的具體工作流程可參見上述實施例所述，該技術(shù)方案利用了感光電阻材 料的電阻塊，結(jié)合曝光光線照射，掩膜板圖案的變化會反映到電阻塊電阻值的變化上，通過 識別電阻值的變化量即可以識別到掩膜板的圖案變化而發(fā)出報警信息，具有較高的檢測準 確性，能夠預(yù)防掩膜板圖案變化對后續(xù)曝光刻蝕操作的影響。實施例五圖9為本發(fā)明實施例五提供的掩膜板檢測方法中比較步驟的流程圖，本實施例可 以上述實施例四為基礎(chǔ)，且電阻塊的數(shù)量為多塊，彼此間隔地設(shè)置在檢測板上，各電阻塊的 面積相等，且每個電阻塊的面積對應(yīng)一個或多個像素區(qū)域的面積，則步驟300具體為包括 下述步驟步驟311、分別檢測各電阻塊的電阻值；步驟312、計算各電阻值的平均值；步驟313、將各電阻值與平均值進行比較獲得變化量，當識別出變化量大于或等于 設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。本實施例的具體工作流程可參見上述實施例所述，本實施例的技術(shù)方案可以在掩 膜板進行正式曝光之前對圖案進行檢測，設(shè)置多塊對應(yīng)像素圖案的電阻塊，可以分別檢測 各個像素圖案的變化，精確度顯著提高。另外，通過比較電阻塊電阻值之間的差值，可以不 必預(yù)先設(shè)定標準值，可操作性進一步改善。實施例六圖10為本發(fā)明實施例六提供的掩膜板檢測方法中比較步驟的流程圖，本實施例 可以上述實施例四為基礎(chǔ)，且電阻塊的數(shù)量為多塊，彼此間隔地設(shè)置在檢測板上，各電阻塊 的面積相等，且每個電阻塊的面積對應(yīng)一個或多個像素區(qū)域的面積，則步驟300具體為包 括下述步驟步驟321、分別檢測各電阻塊的電阻值；步驟322、按照設(shè)定規(guī)律將兩個電阻值進行比較獲得變化量，當識別出變化量大于 或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息，并停止比較操作。
本實施例的具體工作流程可參見上述實施例所述，本實施例的技術(shù)方案可以在掩 膜板進行正式曝光之前對圖案進行檢測，設(shè)置多塊對應(yīng)像素圖案的電阻塊，可以分別檢測 各個像素圖案的變化，精確度顯著提高。另外，本實施例技術(shù)方案尤其適用于電阻塊的面積 較大、數(shù)量較少的情況，可以檢測出任意兩個電阻塊之間的電阻值差異，精確度更高。實施 例五的技術(shù)方案更適用于電阻塊面積較小、數(shù)量較多的情況，能夠減少計算量。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過 程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序 在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者 光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡 管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解其依然 可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
一種掩膜板檢測裝置，其特征在于，包括檢測板，由絕緣材料制成；電阻塊，采用感光電阻材料制成，設(shè)置在所述檢測板的表面上，用于在檢測板與掩膜板平行且重疊設(shè)置時，接受穿過所述掩膜板照射在檢測板上的光線；控制模塊，與所述電阻塊相連，用于檢測所述電阻塊的電阻值并進行識別，當識別出電阻塊的電阻值變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板檢測裝置，其特征在于所述電阻塊的數(shù)量為多塊，彼 此間隔地設(shè)置在所述檢測板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜板檢測裝置，其特征在于，所述控制模塊包括 阻值檢測單元，與所述電阻塊相連，用于檢測所述電阻塊的電阻值；標準值比較單元，與所述阻值檢測單元相連，用于將檢測出的電阻值與預(yù)存儲的標準 值進行比較獲得變化量，當識別出所述變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板檢測裝置，其特征在于各所述電阻塊的面積相等，且 每個所述電阻塊的面積對應(yīng)一個或多個像素區(qū)域的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜板檢測裝置，其特征在于所述多個電阻塊為相互平行 的多個長條狀電阻塊，或呈矩陣形式排列的多個電阻塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜板檢測裝置，其特征在于，所述控制模塊包括 阻值檢測單元，與所述電阻塊相連，用于檢測所述電阻塊的電阻值；均值計算單元，與所述阻值檢測單元相連，用于計算各電阻值的平均值； 均值比較單元，與所述阻值檢測單元和均值計算單元分別相連，用于將各電阻值與所 述平均值進行比較獲得變化量，當識別出所述變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜板檢測裝置，其特征在于，所述控制模塊包括 阻值檢測單元，與所述電阻塊相連，用于檢測所述電阻塊的電阻值；阻值比較單元，用于按照設(shè)定規(guī)律將兩個所述電阻值進行比較獲得變化量，當識別出 所述變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息，并停止比較操作。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板檢測裝置，其特征在于所述電阻塊的材質(zhì)為硫化鎘。
9.一種掩膜板檢測方法，其特征在于，包括將絕緣材料的檢測板與掩膜板平行且重疊布設(shè)，所述檢測板上設(shè)置有感光電阻材料制 成的電阻塊；發(fā)射光線穿過所述掩膜板照射到所述檢測板的電阻塊上；檢測所述電阻塊的電阻值并進行識別，當識別出電阻塊的電阻值變化量大于或等于設(shè) 定值時產(chǎn)生報警信息。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜板檢測方法，其特征在于，檢測所述電阻塊的電阻值并 進行識別，當識別出電阻塊的電阻值變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息包括檢測設(shè)置在所述檢測板上的一塊或間隔設(shè)置地多塊所述電阻塊的電阻值； 將檢測出的電阻值與預(yù)存儲的標準值進行比較獲得變化量，當識別出所述變化量大于 或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜板檢測方法，其特征在于，所述電阻塊的數(shù)量為多塊， 彼此間隔地設(shè)置在所述檢測板上，各所述電阻塊的面積相等，且每個所述電阻塊的面積對應(yīng)一個或多個像素區(qū)域的面積，則檢測所述電阻塊的電阻值并進行識別，當識別出電阻塊 的電阻值變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息包括 分別檢測各所述電阻塊的電阻值； 計算各電阻值的平均值；將各電阻值與所述平均值進行比較獲得變化量，當識別出所述變化量大于或等于設(shè)定 值時產(chǎn)生報警信息。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜板檢測方法，其特征在于，所述電阻塊的數(shù)量為多塊， 彼此間隔地設(shè)置在所述檢測板上，各所述電阻塊的面積相等，且每個所述電阻塊的面積對 應(yīng)一個或多個像素區(qū)域的面積，則檢測所述電阻塊的電阻值并進行識別，當識別出電阻塊 的電阻值變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息包括 分別檢測各所述電阻塊的電阻值；按照設(shè)定規(guī)律將兩個所述電阻值進行比較獲得變化量，當識別出所述變化量大于或等 于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息，并停止比較操作。
全文摘要
本發(fā)明提供一種掩膜板檢測裝置及檢測方法。該檢測裝置包括檢測板，由絕緣材料制成；電阻塊，采用感光電阻材料制成，設(shè)置在檢測板的表面上；控制模塊，與電阻塊相連，用于檢測電阻塊的電阻值并進行識別，當識別出電阻塊的電阻值變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。該檢測方法包括將絕緣材料的檢測板與掩膜板平行且重疊布設(shè)；發(fā)射光線穿過掩膜板照射到檢測板的電阻塊上；檢測電阻塊的電阻值并進行識別，當識別出電阻塊的電阻值變化量大于或等于設(shè)定值時產(chǎn)生報警信息。本發(fā)明利用了感光電阻材料的電阻塊，結(jié)合曝光光線照射，實現(xiàn)了對掩膜板圖案變化的檢測，具有較高的檢測準確性，能夠預(yù)防掩膜板圖案變化對后續(xù)曝光刻蝕操作的影響。
文檔編號H01L21/66GK101989038SQ20091008998
公開日2011年3月23日 申請日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月30日
發(fā)明者彭志龍, 董云 申請人:北京京東方光電科技有限公司