Pcb的鉆孔深度的檢測(cè)方法和pcb在制板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種PCB的鉆孔深度的檢測(cè)方法和PCB在制板，在本發(fā)明的PCB在制板，包括：兩個(gè)層疊的第一金屬內(nèi)層和第二金屬內(nèi)層；所述第一金屬內(nèi)層上具有第一標(biāo)記，所述第二金屬內(nèi)層上具有第二標(biāo)記，所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記在射線透視中可被發(fā)現(xiàn)；所述鉆孔的中心軸線，經(jīng)過(guò)所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記。本發(fā)明還提供了一種PCB的鉆孔深度的檢測(cè)方法，本發(fā)明能檢測(cè)到PCB的鉆孔深度是否符合要求，只開(kāi)設(shè)鉆孔即可，不需要開(kāi)設(shè)其它的輔助檢測(cè)孔，且在鉆孔工藝中，通過(guò)鉆孔設(shè)備上的射線就可檢測(cè)出深度是否符合要求，不需要在兩個(gè)外表層蝕刻工藝之后檢測(cè)。
【專利說(shuō)明】PCB的鉆孔深度的檢測(cè)方法和PCB在制板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及印刷電路板(PCB)制造【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言，涉及一種PCB的鉆孔深度的檢測(cè)方法和PCB在制板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)品向多功能化、小型化、高性能的方向發(fā)展，導(dǎo)致PCB向高層次化、高密度化、高信號(hào)完整性要求方向發(fā)展；要保持高信號(hào)完整性，要求盡量減少信號(hào)噪聲來(lái)源。
[0003]目前主要通過(guò)背鉆孔來(lái)提高信號(hào)尤其是高頻信號(hào)的完整性。背鉆孔是通過(guò)去除PCB上的金屬孔內(nèi)多余的金屬，減少這些多余金屬帶來(lái)的信號(hào)反射，從而減少信號(hào)噪聲。要去除金屬孔內(nèi)的多余的金屬，需要背鉆孔的孔徑大于PCB上金屬孔的外徑。去除金屬孔內(nèi)多余金屬的同時(shí)，還需要避免損傷金屬孔周圍用于傳輸信號(hào)的金屬圖形。
[0004]參見(jiàn)圖1，相關(guān)技術(shù)在PCB在制板上開(kāi)設(shè)兩個(gè)導(dǎo)通孔，一個(gè)導(dǎo)通孔12與要求鉆穿層導(dǎo)通，另一個(gè)導(dǎo)通孔11與不能鉆穿層導(dǎo)通。開(kāi)設(shè)背鉆孔、并在兩個(gè)導(dǎo)通孔的最外層的圖形蝕刻之后，通過(guò)測(cè)量?jī)蓚€(gè)導(dǎo)通孔與背鉆孔之間沿圖中虛線的線路的電導(dǎo)通性，確定背鉆孔的深度是否符合要求。這種方式需要開(kāi)設(shè)兩個(gè)導(dǎo)通孔、且在導(dǎo)通孔延伸在最外層的圖形蝕刻之后，才能確定背鉆孔深度是否符合要求，制作工藝繁瑣，不便于檢測(cè)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在提供一種PCB的鉆孔深度的檢測(cè)方法和PCB在制板，以解決上述鉆孔深度的檢測(cè)方法所需工藝繁瑣的問(wèn)題。
[0006]在本發(fā)明的實(shí)施例中，提供了一種包含預(yù)設(shè)鉆孔的PCB在制板，包括:兩個(gè)層疊的第一金屬內(nèi)層和第二金屬內(nèi)層；所述第一金屬內(nèi)層上具有第一標(biāo)記，所述第二金屬內(nèi)層上具有第二標(biāo)記，所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記在射線透視中可被探測(cè)，并且，沿所述預(yù)設(shè)鉆孔的鉆孔方向，所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記有交叉；沿所述預(yù)設(shè)鉆孔的鉆孔方向的中心軸線，經(jīng)過(guò)所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記。
[0007]在本發(fā)明的實(shí)施例中，還提供了一種PCB的鉆孔深度的檢測(cè)方法，包括:在形成多層PCB的過(guò)程中，在所述PCB的第一金屬內(nèi)層上的預(yù)設(shè)鉆孔的中心位置，形成第一標(biāo)記；沿鉆孔方向，在所述第一金屬內(nèi)層里側(cè)的第二金屬內(nèi)層、與所述中心位置同心的對(duì)應(yīng)位置，形成第二標(biāo)記；在所述中心位置，按照介于所述第一金屬內(nèi)層與所述第二金屬內(nèi)層之間的深度，在所述PCB上鉆孔；采用射線照射所述鉆孔，通過(guò)判斷所述第一標(biāo)記、第二標(biāo)記的完整度，確定鉆孔深度是否符合要求。
[0008]本發(fā)明的方法，能檢測(cè)到PCB的鉆孔深度是否符合要求，只開(kāi)設(shè)鉆孔即可，不需要開(kāi)設(shè)其它的輔助檢測(cè)孔，如現(xiàn)有技術(shù)中用于檢測(cè)電通/斷路的導(dǎo)通孔。另外，由于在PCB的鉆孔過(guò)程中，通過(guò)鉆孔設(shè)備上的射線就可檢測(cè)出深度是否符合要求，與采用檢測(cè)導(dǎo)通孔的電通/斷路確定鉆孔深度的方式相比，不需要在兩個(gè)最外層的表層圖形蝕刻之后檢測(cè)，提高了檢測(cè)的效率。實(shí)施例中的方法可用于各種方式形成的鉆孔，如機(jī)械或激光等，所形成的鉆孔包括現(xiàn)有技術(shù)中的背鉆孔。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0010]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中檢測(cè)鉆孔深度的PCB的示意圖；
[0011]圖2示出了實(shí)施例中的方法流程圖；
[0012]圖3示出了方法實(shí)施例中的PCB在制板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖4示出了實(shí)施例中第一種探測(cè)到的標(biāo)記的示意圖；
[0014]圖5示出了實(shí)施例中第二種探測(cè)到的標(biāo)記的示意圖；
[0015]圖6示出了實(shí)施例中第三種探測(cè)到的標(biāo)記的示意圖；
[0016]圖7示出了實(shí)施例中探測(cè)到的鉆孔深度符合要求的第一種標(biāo)記的示意圖；
[0017]圖8示出了實(shí)施例中探測(cè)到的鉆孔深度符合要求的第二種標(biāo)記的示意圖；
[0018]圖9示出了實(shí)施例中探測(cè)到的鉆孔深度符合要求的第三種標(biāo)記的示意圖；
[0019]圖10示出了實(shí)施例中探測(cè)到的鉆孔深度不符合要求的第一種標(biāo)記的示意圖；
[0020]圖11示出了實(shí)施例中探測(cè)到的鉆孔深度不符合要求的第二種標(biāo)記的示意圖；
[0021]圖12示出了實(shí)施例中探測(cè)到的鉆孔深度不符合要求的第三種標(biāo)記的示意圖；
[0022]圖13示出了實(shí)施例中包含鉆孔的PCB在制板的結(jié)構(gòu)示意圖。【具體實(shí)施方式】
[0023]下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例，來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
[0024]參見(jiàn)圖2中本發(fā)明的方法實(shí)施例的流程圖，包括以下步驟:
[0025]S21:在形成多層PCB的過(guò)程中，在所述PCB的第一金屬內(nèi)層上的預(yù)定鉆孔的中心位置，形成第一標(biāo)記；
[0026]S22:沿鉆孔方向，在所述第一金屬內(nèi)層里側(cè)的第二金屬內(nèi)層、與所述中心位置同心的對(duì)應(yīng)位置，形成第二標(biāo)記；
[0027]S23:在所述中心位置，按照介于所述第一金屬內(nèi)層與所述第二金屬內(nèi)層之間的深度，在所述PCB上鉆孔；
[0028]S24:采用射線照射所述鉆孔，通過(guò)判斷所述第一標(biāo)記、第二標(biāo)記32的完整度，確定鉆孔深度是否符合要求。
[0029]本發(fā)明的實(shí)施例，能檢測(cè)到PCB的鉆孔深度是否符合要求，只開(kāi)設(shè)鉆孔即可，不需要開(kāi)設(shè)其它的輔助檢測(cè)孔，如現(xiàn)有技術(shù)中用于檢測(cè)電通/斷路的導(dǎo)通孔。另外，由于在PCB的鉆孔過(guò)程中，通過(guò)鉆孔設(shè)備上的射線就可檢測(cè)出深度是否符合要求，與采用檢測(cè)導(dǎo)通孔的電通/斷路確定鉆孔深度的方式相比，不需要在兩個(gè)最外層的表層圖形蝕刻之后檢測(cè)，提高了檢測(cè)的效率。實(shí)施例中的方法可用于各種方式形成的鉆孔，如機(jī)械或激光等，所形成的鉆孔包括現(xiàn)有技術(shù)中的背鉆孔。
[0030]實(shí)施例中的方法形成的PCB在制板如圖3所示，第一標(biāo)記31在第一金屬內(nèi)層上，第二標(biāo)記32在第二金屬內(nèi)層上。
[0031]優(yōu)選地，參見(jiàn)圖4、圖5，沿鉆孔方向，通過(guò)射線探測(cè)到的標(biāo)記示意圖，所述第一標(biāo)記31、第二標(biāo)記32為兩條長(zhǎng)度不同的直線線段；或，所述第一標(biāo)記31、所述第二標(biāo)記32中的一個(gè)標(biāo)記為直線線段，另一個(gè)標(biāo)記為弧線線段；[0032]沿所述鉆孔方向，所述第一標(biāo)記31、第二標(biāo)記32不完全重合。
[0033]優(yōu)選地，所述第一標(biāo)記31、所述第二標(biāo)記32為兩條相互垂直的線段。圖5中弧線線段與直線線段交叉點(diǎn)處，弧線線段的切線與直線線段垂直，視為弧線線段與直線線段垂直。在垂直狀態(tài)下，能更加容易區(qū)分第一標(biāo)記31、第二標(biāo)記32的完整程度，以便于確定鉆孔深度是否符合要求。
[0034]優(yōu)選地，參見(jiàn)圖6，作為直線線段的所述第一標(biāo)記31或第二標(biāo)記32，還包括:
[0035]圓心與所述鉆孔同心、且內(nèi)徑大于所述鉆孔的孔徑的圓環(huán)；其中，作為該標(biāo)記的所述直線線段貫穿所述圓環(huán)。
[0036]在實(shí)施例中，第一標(biāo)記31除了形成的直線線段外，還形成了圓環(huán)。這樣的標(biāo)記，除了可以判斷鉆孔的深度是否符合要求，還可以判斷電路板是否出現(xiàn)了偏移。在鉆孔工藝結(jié)束后，如果鉆孔與第一標(biāo)記31中的圓環(huán)不同心，即可確定出PCB板出現(xiàn)了位置偏移。
[0037]優(yōu)選地，作為標(biāo)記的所述圓環(huán)的寬度不小于IOmil ；
[0038]優(yōu)選地，所述圓環(huán)的內(nèi)徑與所述鉆孔的孔徑的差值不小于20mil，即，在半徑位置上，不小于IOmil0
[0039]優(yōu)選地，實(shí)施例中的作為標(biāo)記的所述直線線段的寬度和所述弧線線段的寬度都不小于8mil。
[0040]在鉆孔加工結(jié)束后，如果鉆孔深度過(guò)淺，則圖4至圖6中的兩個(gè)標(biāo)記都不會(huì)被破壞；如果鉆孔深度符合要求，圖4至圖6中的第一標(biāo)記31被部分破壞，經(jīng)過(guò)XRAY探測(cè)，會(huì)形成圖7至圖9的圖形；如果鉆孔深度過(guò)深，圖4至圖6中的第一標(biāo)記31、第二標(biāo)記32被部分破壞，經(jīng)過(guò)XRAY探測(cè)，會(huì)形成圖10至圖12的圖形。
[0041]在實(shí)施例中，為便于XRAY探測(cè)，在鉆孔貫穿電路板的孔徑位置處，其余各層應(yīng)不存在金屬層，以免影響探測(cè)標(biāo)記。
[0042]優(yōu)選地，如果PCB在制板上僅有一個(gè)單元，實(shí)施例中的兩個(gè)標(biāo)記可開(kāi)設(shè)在PCB在制板的板邊位置；如果PCB在制板有多個(gè)單元，實(shí)施例中的兩個(gè)標(biāo)記可開(kāi)設(shè)兩個(gè)單元之間的
空隙位置。
[0043]本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種包含預(yù)設(shè)鉆孔的PCB在制板，參見(jiàn)圖13，包括:
[0044]兩個(gè)層疊的第一金屬內(nèi)層和第二金屬內(nèi)層；
[0045]所述第一金屬內(nèi)層上具有第一標(biāo)記31，所述第二金屬內(nèi)層上具有第二標(biāo)記32，所述第一標(biāo)記31和所述第二標(biāo)記32在射線透視中可被探測(cè)；并且，沿所述預(yù)設(shè)鉆孔的鉆孔方向，所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記有交叉；
[0046]沿所述預(yù)設(shè)鉆孔的鉆孔方向的中心軸線，經(jīng)過(guò)所述第一標(biāo)記31和所述第二標(biāo)記32。
[0047]實(shí)施例中的PCB在制板，其中的兩個(gè)標(biāo)記可被射線探測(cè)到，從而使用兩個(gè)標(biāo)記確定鉆孔的深度是否符合要求。在鉆孔工藝結(jié)束后的PCB在制板，就可確定出鉆孔的深度，且只有一個(gè)鉆孔，不需要額外開(kāi)設(shè)兩個(gè)用于檢測(cè)電通/斷路的導(dǎo)通孔，工藝、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
[0048]在實(shí)施例中，圖13所示的PCB在制板包含上述實(shí)施例中PCB在制板的技術(shù)特征，如標(biāo)記的形狀、大小、兩個(gè)標(biāo)記之間的位置關(guān)系等，不一一贅述。
[0049]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，上述的本發(fā)明的各模塊或各步驟可以用通用的計(jì)算裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，它們可以集中在單個(gè)的計(jì)算裝置上，或者分布在多個(gè)計(jì)算裝置所組成的網(wǎng)絡(luò)上，可選地，它們可以用計(jì)算裝置可執(zhí)行的程序代碼來(lái)實(shí)現(xiàn)，從而，可以將它們存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中由計(jì)算裝置來(lái)執(zhí)行，或者將它們分別制作成各個(gè)集成電路模塊，或者將它們中的多個(gè)模塊或步驟制作成單個(gè)集成電路模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣，本發(fā)明不限制于任何特定的硬件和軟件結(jié)合。
[0050]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種包含預(yù)設(shè)鉆孔的PCB在制板，其特征在于，包括: 兩個(gè)層疊的第一金屬內(nèi)層和第二金屬內(nèi)層； 所述第一金屬內(nèi)層上具有第一標(biāo)記，所述第二金屬內(nèi)層上具有第二標(biāo)記，所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記在射線透視中可被探測(cè)，并且，沿所述預(yù)設(shè)鉆孔的鉆孔方向，所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記有交叉； 沿所述預(yù)設(shè)鉆孔的鉆孔方向的中心軸線，經(jīng)過(guò)所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在制板，其特征在于，所述第一標(biāo)記、第二標(biāo)記為兩條長(zhǎng)度不同的直線線段；或，所述第一標(biāo)記、所述第二標(biāo)記中的一個(gè)標(biāo)記為直線線段，另一個(gè)標(biāo)記為弧線線段； 沿所述鉆孔方向，所述第一標(biāo)記、第二標(biāo)記不完全重合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的在制板，其特征在于，所述第一標(biāo)記、所述第二標(biāo)記為兩條相互垂直的線段。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的在制板，其特征在于，作為直線線段的所述第一標(biāo)記或第二標(biāo)記，還包括: 圓心與所述預(yù)設(shè)鉆孔同心、且內(nèi)徑大于所述預(yù)設(shè)鉆孔的孔徑的圓環(huán)；其中，作為該標(biāo)記的所述直線線段貫穿所述圓環(huán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的在制板，其特征在于，所述圓環(huán)的寬度不小于IOmil； 所述圓環(huán)的內(nèi)徑與所述鉆孔的孔徑的差值不小于20mil。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的在制板，其特征在于，所述直線線段的寬度和所述弧線線段的寬度都不小于8mil。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在制板，其特征在于，所述在制板包括多個(gè)單元； 所述第一標(biāo)記、所述第二標(biāo)記和所述鉆孔位于任意兩個(gè)單元之間。
8.—種PCB的鉆孔深度的檢測(cè)方法，其特征在于，包括: 在形成多層PCB的過(guò)程中，在所述PCB的第一金屬內(nèi)層上的預(yù)定鉆孔的中心位置，形成第一標(biāo)記； 沿鉆孔方向，在所述第一金屬內(nèi)層里側(cè)的第二金屬內(nèi)層、與所述中心位置同心的對(duì)應(yīng)位置，形成第二標(biāo)記； 在所述中心位置，按照介于所述第一金屬內(nèi)層與所述第二金屬內(nèi)層之間的深度，在所述PCB上鉆孔； 采用射線照射所述鉆孔，通過(guò)判斷所述第一標(biāo)記、第二標(biāo)記的完整度，確定鉆孔深度的范圍。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述通過(guò)判斷所述第一標(biāo)記、第二標(biāo)記的完整度，確定鉆孔深度具體為: 在所述第一標(biāo)記不完整，且第二標(biāo)記完整時(shí)，鉆孔深度在所述PCB的第一金屬內(nèi)層和第二金屬內(nèi)層之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述形成第一標(biāo)記的過(guò)程中，還包括: 將所述中心位置作為圓心，形成內(nèi)徑大于所述孔的孔徑的圓環(huán)，作為所述第一標(biāo)記的一部分；所述檢測(cè)方法進(jìn)一步包括，采用射線照射所述鉆孔時(shí)，如果所述圓環(huán)完整，則鉆孔偏移度符合要求。`
【文檔編號(hào)】H05K1/02GK103731972SQ201210389797
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2012年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月15日
【發(fā)明者】陳曦 申請(qǐng)人:重慶方正高密電子有限公司, 北大方正集團(tuán)有限公司