專利名稱：發(fā)光器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到發(fā)光器件，它具有由夾在陽極與陰極之間的呈現(xiàn)EL(電致發(fā)光)的發(fā)光材料構(gòu)成的薄膜(以下稱為發(fā)光層)組成的元件(以下稱為EL元件)。注意，有機(jī)EL顯示器和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)包括在本發(fā)明的發(fā)光器件中。
而且，能夠用于本發(fā)明中的發(fā)光材料包括所有通過單重態(tài)激發(fā)或三重態(tài)激發(fā)或二者發(fā)光(磷光和/或熒光)的發(fā)光材料。
而且，本發(fā)明中的摻雜劑是指作為客體被摻入到作為基質(zhì)的由有機(jī)材料構(gòu)成的薄膜中的有機(jī)材料(有機(jī)化合物)。典型情況下，摻雜劑是摻入到發(fā)光層中用來控制其發(fā)光顏色的有機(jī)材料。作為摻入發(fā)光層的摻雜劑，可以使用經(jīng)由單重激發(fā)或三重激發(fā)或二者而發(fā)光(磷光和/或熒光)的有機(jī)材料。
自Eastman Kodak公司公布發(fā)光器件利用由有機(jī)材料構(gòu)成的發(fā)光層在低驅(qū)動(dòng)電壓下發(fā)光之后，使用有機(jī)材料的發(fā)光器件受到了廣泛的關(guān)注。在Kodak公司的公布中，其特點(diǎn)在于將元件結(jié)構(gòu)制成疊層類型，從而能夠降低發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓。多家公司正對疊層式元件結(jié)構(gòu)進(jìn)行研發(fā)。
圖2是本發(fā)明人所做試驗(yàn)(比較例)的投影圖，因此在提出本發(fā)明申請時(shí)還不是眾所周知的技術(shù)。
在圖2中，參考號201表示玻璃襯底，202表示由ITO(氧化銦錫)構(gòu)成的陽極，203表示由PEDOT(聚噻吩)構(gòu)成的空穴注入層(20nm厚)，204表示由STAD(螺旋-三苯胺衍生物)構(gòu)成的空穴輸運(yùn)層(20nm厚)，205表示由α-NPD(4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯(lián)苯)構(gòu)成的空穴輸運(yùn)層(10nm厚)，206表示由SDPVBi(螺旋-聯(lián)苯乙烯聯(lián)苯)構(gòu)成的發(fā)光層(10nm厚)(以下稱為藍(lán)光發(fā)光層)，207表示由Alq3(三-8-喹啉-鋁絡(luò)合物)構(gòu)成的摻有DCM摻雜劑的發(fā)光層(10nm厚)(以下將該發(fā)光層稱為紅光發(fā)光層)，208表示由Alq3構(gòu)成的發(fā)光層(40nm厚)(以下稱為綠光發(fā)光層)，而209表示由Yb(鐿)膜構(gòu)成的陰極。
在此，本發(fā)明人借助于同時(shí)蒸發(fā)(一種從不同的蒸發(fā)源同時(shí)蒸發(fā)不同的材料，從而使各個(gè)材料混合的蒸發(fā)方法)Alq3和摻雜劑而執(zhí)行薄膜淀積，從而制作紅光發(fā)光層207。然后，一旦停止同時(shí)蒸發(fā)，就僅僅蒸發(fā)Alq3，從而制作綠光發(fā)光層208。
正常情況下，在具有圖2所示疊層結(jié)構(gòu)的EL元件中，藍(lán)、紅和綠色被混合到一起以形成白光。然而，如圖8所示，在本發(fā)明人進(jìn)行的上述方法中，EL元件發(fā)射峰值在600nm附近的顏色，因而不能獲得純白色發(fā)光。
鑒于上述問題而提出了本發(fā)明，且本發(fā)明的目的是在形成由有機(jī)材料構(gòu)成的薄膜過程中，當(dāng)在薄膜中制作含有摻雜劑的層時(shí)，提高含有摻雜劑的層和不含有摻雜劑的層的連續(xù)性。
典型情況下，本發(fā)明的目的在于提供一種方法，來獲得具有含摻雜劑的發(fā)光層的EL元件的優(yōu)異發(fā)光，從而提供一種制造含有這種優(yōu)異發(fā)光性能的EL元件的發(fā)光器件的方法。
本發(fā)明人根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果對所示EL元件的制造方法進(jìn)行了各種各樣的研究。結(jié)果，本發(fā)明人得出的結(jié)論是，含有摻雜劑的發(fā)光層與不含摻雜劑的發(fā)光層之間的界面，對EL元件的發(fā)光顏色具有重要的影響。換言之，本發(fā)明人認(rèn)為，當(dāng)不同發(fā)光層間的界面處的一致性(連續(xù)性)差時(shí)，則不可能得到白色發(fā)光。
考慮到上述情況，在圖2所示的元件結(jié)構(gòu)中，本發(fā)明人借助于一起蒸發(fā)來進(jìn)行Alq3和作為摻雜劑的有機(jī)材料的薄膜淀積，從而制作紅光發(fā)光層207。然后在繼續(xù)蒸發(fā)Alq3的情況下，停止蒸發(fā)摻雜劑，僅僅蒸發(fā)Alq3，從而制作綠光發(fā)光層208。
根據(jù)本發(fā)明制造的EL元件的結(jié)構(gòu)示于圖3。在圖3中，參考號301表示玻璃襯底，302表示由ITO(氧化銦錫)構(gòu)成的陽極，303表示由PEDOT(聚噻吩)構(gòu)成的空穴注入層(20nm厚)，304表示由STAD(螺旋-三苯胺衍生物)構(gòu)成的空穴輸運(yùn)層(20nm厚)，305表示由α-NPD(4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯(lián)苯)構(gòu)成的空穴輸運(yùn)層(10nm厚)，306表示由SDPVBi(螺旋-聯(lián)苯乙烯聯(lián)苯)構(gòu)成的發(fā)光層(10nm厚)(以下稱為藍(lán)光發(fā)光層)，307表示由Alq3(三-8-喹啉-鋁絡(luò)合物)構(gòu)成的摻有DCM摻雜劑的發(fā)光層(10nm厚)(以下將該發(fā)光層稱為紅光發(fā)光層)，308表示由Alq3構(gòu)成的發(fā)光層(40nm厚)(以下稱為綠光發(fā)光層)，而309表示由Yb(鐿)膜制成的陰極。
圖3所示的本發(fā)明EL元件結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)在于，紅光發(fā)光層307和綠光發(fā)光層308之間的界面不很明顯，但它們的接觸區(qū)域具有極高的一致性(連續(xù)性)。由于這種元件結(jié)構(gòu)，致使從被實(shí)驗(yàn)的EL元件獲得了優(yōu)異的白色發(fā)光。
圖1所示曲線是本發(fā)明所獲得的白光發(fā)光的發(fā)光特性，其中各個(gè)點(diǎn)的橫軸表示波長，縱軸表示其亮度(光譜輻射強(qiáng)度)。如圖1所示，在400-700nm波長范圍內(nèi)獲得了寬的發(fā)光特性，因此顯然得到了優(yōu)異的白色發(fā)光。
鑒于上述現(xiàn)象，在制作其結(jié)構(gòu)具有含摻雜劑的發(fā)光層的EL元件的過程中，本發(fā)明人認(rèn)為連續(xù)制作各個(gè)發(fā)光層而不停止蒸發(fā)作為基質(zhì)的發(fā)光材料是可取的。特別是，在借助于在形成發(fā)光層的發(fā)光材料中摻入摻雜劑來控制EL元件的發(fā)光顏色的情況下，本發(fā)明人認(rèn)為即使當(dāng)停止或開始摻雜劑蒸發(fā)時(shí)，連續(xù)發(fā)光材料的蒸發(fā)也是可取的。
于是，本發(fā)明的制造發(fā)光器件的方法的特征在于，借助于蒸發(fā)發(fā)光材料和摻雜劑以形成發(fā)光層，然后繼續(xù)發(fā)光材料的蒸發(fā)而停止摻雜劑的蒸發(fā)以形成由該發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層，來制作EL元件。
在本發(fā)明的制造發(fā)光器件的方法中，其制造方法的進(jìn)一步特征在于，借助于用蒸發(fā)方法形成由發(fā)光材料構(gòu)成的第一發(fā)光層，然后在繼續(xù)蒸發(fā)發(fā)光材料的情況下蒸發(fā)摻雜劑，從而形成由發(fā)光材料和摻雜劑構(gòu)成的第二發(fā)光層，來制作EL元件。
利用上述制造EL元件的方法，有可能制造無源矩陣型發(fā)光器件或有源矩陣型發(fā)光器件，其中能夠獲得優(yōu)異的發(fā)光性能。
注意，本發(fā)明的應(yīng)用不局限于層疊含有摻雜劑的發(fā)光層和不含有摻雜劑的發(fā)光層。換言之，當(dāng)制作由有機(jī)材料構(gòu)成的薄膜時(shí)，本發(fā)明能夠在薄膜中形成含有摻雜劑的層的所有情況下實(shí)施。結(jié)果，含有摻雜劑的層和不含有摻雜劑的層之間的連續(xù)性得到了提高，從而可望改善發(fā)光特性、電荷注入或電荷輸運(yùn)特性。
從結(jié)合附圖的下列描述中，本發(fā)明的上述和其它的目的和特點(diǎn)將更加明顯圖1示出了EL元件的發(fā)光特性(采用本發(fā)明的情況)；圖2示出了EL元件的結(jié)構(gòu)(采用本發(fā)明的情況)；圖3示出了EL元件的結(jié)構(gòu)(采用本發(fā)明的情況)；
圖4A-4E示出了發(fā)光器件的制造工藝；圖5A-5E示出了發(fā)光器件的制造工藝；圖6A-6C示出了發(fā)光器件的制造工藝；圖7示出了發(fā)光器件所顯示圖像的替代照片；圖8示出了EL元件的發(fā)光特性(不采用本發(fā)明的情況)；以及圖9A-9F示出了各種電子裝置。
在下述各個(gè)實(shí)施方案中，將詳細(xì)解釋本發(fā)明的實(shí)施方案模式。
實(shí)施方案1下面參照圖4A-6C來解釋本發(fā)明的實(shí)施方案1。在實(shí)施方案1中，將描述同時(shí)制造象素部分以及提供在其外圍的驅(qū)動(dòng)電路部分的TFT的方法。但為了簡化其描述，對于驅(qū)動(dòng)電路，將在各個(gè)圖中示出作為基本單元的CMOS電路。
首先，如圖4A所示，在玻璃襯底500上制作300nm厚的由氮氧化硅薄膜構(gòu)成的基底膜501。在此，氮氧化硅薄膜被制作成兩層，且與玻璃襯底500接觸的層的氮濃度被比較高地設(shè)定為10-25％重量比。
接著，用等離子體CVD方法，在基底膜501上制作50nm厚的非晶硅薄膜(圖中未示出)。然后，根據(jù)日本專利公開No.Hei 7-130652公開的結(jié)晶技術(shù)，使非晶硅薄膜結(jié)晶，從而形成結(jié)晶硅薄膜502(也稱為多晶硅薄膜)。(見圖4A)然后，如圖4B所示，結(jié)晶硅膜502被圖形化，從而形成被加工成小島形狀的半導(dǎo)體膜503-506。(見圖4B)接著，在結(jié)晶硅膜502上制作130nm厚的由氧化硅膜構(gòu)成的保護(hù)膜507。然后通過保擴(kuò)層507將硼摻入到半導(dǎo)體膜503-506中。在實(shí)施方案1中，用不進(jìn)行質(zhì)量分離的等離子體摻雜方法來摻入硼。通過這一工藝，硼在半導(dǎo)體膜503-506中的濃度為1×1015-5×1017原子/cm3。此處摻入的硼被用來調(diào)節(jié)TFT的閾值電壓。(見圖4C)隨后，在保護(hù)膜507上制作抗蝕劑掩模508a和508b，并通過保護(hù)膜507摻入磷。在實(shí)施方案1中，磷是用等離子體摻雜方法摻入的。通過此工藝，半導(dǎo)體區(qū)(n-型雜質(zhì)區(qū))509被制作成含有濃度為2×1016-5×1019原子/cm3的磷。(見圖4D)接著，如圖4E所示，用等離子體CVD方法，制作柵絕緣膜510以覆蓋半導(dǎo)體膜503-506。100nm厚的氮氧化硅被用作柵絕緣膜510。
隨后，制作由50nm厚氮化鉭(TaN)膜和350nm厚的鉭(Ta)膜組成的疊層膜，從而形成柵電極511-515。在此，柵電極512被制作成經(jīng)由柵絕緣膜510覆蓋部分n-型雜質(zhì)區(qū)509。
如圖5A所示，用柵電極511-515作為掩模，以自對準(zhǔn)方式摻入濃度為1×1016-5×1018原子/cm3的磷。這樣形成的雜質(zhì)區(qū)516-523，用濃度為n-型雜質(zhì)區(qū)509濃度的1/2-1/10的磷進(jìn)行摻雜。
然后，如圖5B所示，用柵電極511-515作為掩模，以自對準(zhǔn)方式腐蝕柵絕緣膜507。在實(shí)施方案1中，使用CHF3氣體進(jìn)行干法腐蝕，從而形成柵絕緣膜524-528。
接著，如圖5C所示，制作抗蝕劑掩模，然后摻入硼，使其濃度為3×1026-3×1021原子/cm3，從而形成含有高濃度硼的雜質(zhì)區(qū)530-533。注意，雖然摻雜區(qū)530-533中已摻入了磷，但此處摻入的硼的濃度至少是磷濃度的30倍或更高。因此，之前形成的n-型雜質(zhì)區(qū)完全轉(zhuǎn)變?yōu)閜-型導(dǎo)電，并起p-型雜質(zhì)區(qū)的作用。
然后，如圖5D所示，制作抗蝕劑掩模534a-534d，并摻入磷，使其濃度為1×1020-1×1021原子/cm3，從而形成含有高濃度磷的雜質(zhì)區(qū)535-539。要指出的是，在雜質(zhì)區(qū)530-533中，雖然參考號540-543表示的區(qū)域中也類似地?fù)饺肓肆祝cp型雜質(zhì)區(qū)中的濃度相比，其中的磷濃度足夠低，因而不會(huì)從p型導(dǎo)電轉(zhuǎn)變?yōu)閚-型導(dǎo)電。
然后，在清除抗蝕劑掩模534a-534d之后，制作200nm厚的氮氧化硅作為保護(hù)膜544，并隨后對摻入的磷或硼進(jìn)行激活。在實(shí)施方案1中，借助于在電爐中于550℃溫度的氮?dú)夥障逻M(jìn)行4小時(shí)的熱處理來進(jìn)行激活。在這一熱處理過程中，由于結(jié)晶過程中使用的鎳將沿箭頭所示方向移動(dòng)，故有可能在降低稍后要形成溝道的區(qū)域中的鎳濃度。此外，在這一熱處理之后，在350℃溫度的含氫氣氛中進(jìn)行1小時(shí)的熱處理，從而執(zhí)行氫化工藝。(見圖5E)接著，如圖6A所示，制作第一層間絕緣膜545。在實(shí)施方案1中采用500nm厚的氧化硅膜層疊在保護(hù)膜544上的結(jié)構(gòu)。然后在第一層間絕緣膜545中制作接觸孔，從而形成源引線546-549以及漏引線550-552。要指出的是，在實(shí)施方案1中，用連續(xù)濺射方法，此電極被制作成具有由60nm厚鉭膜、40nm厚氮化鉭膜、含2％重量比硅的300nm厚鋁膜、以及100nm厚鈦膜組成的四層結(jié)構(gòu)的疊層膜。
接著，如圖6B所示，制作由有機(jī)樹脂構(gòu)成的第二層間絕緣膜553。在實(shí)施方案1中，制作厚度為1.5μm的聚丙烯樹脂膜作為第二層間絕緣膜553。在第二層間絕緣膜553中形成接觸孔以達(dá)及漏引線552，從而形成由氧化物導(dǎo)電膜構(gòu)成的象素電極554。制作厚度為110nm的由氧化銦與氧化錫的化合物構(gòu)成的氧化物導(dǎo)電膜作為實(shí)施方案1中的象素電極554。
然后，在象素電極554的表面上執(zhí)行臭氧處理。在實(shí)施方案1中，借助于在象素電極暴露于氧氣的情況下用紫外線照射其表面而執(zhí)行這一處理。
然后，借助于實(shí)施本發(fā)明而制作EL層555。在實(shí)施方案1中，用疊層結(jié)構(gòu)制作EL層555，其中相繼制作由PEDOT(聚噻吩)構(gòu)成的空穴注入層(20nm厚)、由STAD(螺旋-三苯胺衍生物)構(gòu)成的空穴輸運(yùn)層(20nm厚)、由SDPVBi(螺旋-聯(lián)苯乙烯聯(lián)苯)構(gòu)成的發(fā)光層(10nm厚)、由α-NPD(4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯(lián)苯)構(gòu)成的空穴輸運(yùn)層(10nm厚)、由Alq3(三-8-喹啉-鋁絡(luò)合物)構(gòu)成的摻有DCM摻雜劑的發(fā)光層(10nm厚)、以及由Alq3構(gòu)成的發(fā)光層(10nm厚)。
注意，在上述結(jié)構(gòu)中，可以用PEDOT代替PAni。摻雜劑也不局限于DCM，而是能夠使用任何呈現(xiàn)紅色熒光的有機(jī)材料。
注意，在本發(fā)明中，在制作由Alq3(三-8-喹啉-鋁絡(luò)合物)構(gòu)成的摻有DCM摻雜劑的發(fā)光層之后，在不停止Alq3的蒸發(fā)而僅僅停止摻雜劑的蒸發(fā)的情況下，制作由Alq3構(gòu)成的發(fā)光層。
本發(fā)明能夠使由摻雜劑和Alq3構(gòu)成的發(fā)光層(第一發(fā)光層)與由Alq3構(gòu)成的發(fā)光層(第二發(fā)光層)之間的邊界模糊，從而形成圖3所示的元件結(jié)構(gòu)。換言之，提高了第一發(fā)光層與第二發(fā)光層的連續(xù)性。本發(fā)明設(shè)想圖1所示的實(shí)際測得的數(shù)據(jù)與圖8所示的實(shí)際測得的數(shù)據(jù)之間的差異是各個(gè)發(fā)光層的連續(xù)性差異造成的。
接著，用蒸發(fā)方法制作厚度為400nm的由金屬膜(具體地說是鐿膜)構(gòu)成的陰極559。這樣就完成了圖6C所示結(jié)構(gòu)的有源矩陣襯底。在實(shí)施方案1中，將紫外線固化樹脂膜涂敷到圖6C所示的有源矩陣襯底頂部上，然后在將玻璃襯底鍵合到其上之后，紫外線固化樹脂就被固化，從而將元件密封。
再將柔性印刷電路(FPC)固定到有源矩陣襯底，從而完成發(fā)光器件。圖7示出了根據(jù)實(shí)施方案1制造的發(fā)光器件的顯示圖象。于是就制造了有源矩陣發(fā)光器件，其中獲得了滿意的白色發(fā)光。
實(shí)施方案2制造本發(fā)明EL元件的方法，也能夠被用于制造無源矩陣發(fā)光器件的方法中。本發(fā)明不同于熟知的制造無源型發(fā)光器件的方法僅僅在于制作EL元件部分。當(dāng)制作發(fā)光層時(shí)，若根據(jù)本發(fā)明制作發(fā)光層，則能夠獲得本發(fā)明的效果。
實(shí)施方案3在實(shí)施方案1所述的有源矩陣型發(fā)光器件中，各個(gè)元件由平面TFT構(gòu)成。但各個(gè)元件可以由底部柵極TFT(典型地說是反型TFT)構(gòu)成。此時(shí)，結(jié)晶硅膜或非晶硅膜可以被用作有源層。于是，本發(fā)明的特征是EL元件的制造工藝，因而對TFT的結(jié)構(gòu)沒有限制。
實(shí)施方案4在實(shí)施方案1中，呈現(xiàn)紅色熒光的已知有機(jī)材料可以用作待要摻入發(fā)光層中的摻雜劑。此外，也可以使用呈現(xiàn)紅色磷光的有機(jī)材料。
注意，借助于將其與實(shí)施方案1-3的任何一種結(jié)構(gòu)進(jìn)行組合，能夠?qū)崿F(xiàn)實(shí)施方案4的結(jié)構(gòu)。
實(shí)施方案5在實(shí)施方案1中，能夠用具有降低空穴注入勢壘功能的有機(jī)材料作為空穴注入層。在實(shí)施方案5中，用導(dǎo)電聚合物作為空穴注入層。更具體地說，可以使用摻碘的聚乙炔，并可以用溴代替碘。
注意，借助于將其與實(shí)施方案1-4的任何一種結(jié)構(gòu)進(jìn)行組合，能夠?qū)崿F(xiàn)實(shí)施方案5的結(jié)構(gòu)。
實(shí)施方案6在本發(fā)明中，利用發(fā)光材料作為發(fā)光層，其中來自三重激發(fā)態(tài)的磷光能夠被用來發(fā)光，這使發(fā)光外量子效率得到明顯的改善。結(jié)果，EL元件的功耗能夠降低，壽命能夠延長，重量能夠減輕。以下描述利用三重激發(fā)態(tài)改善發(fā)光外量子效率的報(bào)道(T.Tsutsui，C.Adachi，S.Saito，Photochemical Processes in Organized MolecularSystems，ed.K.Honda，(Elsevier Sci.Pub.，Tokyo，1991)p.437)。
下面示出了上述論文報(bào)道的有機(jī)材料(香豆素顏料)的分子式(化學(xué)式1) (M.A.Baldo，D.F.O’Brien，Y.You，A.Shoustikov，S.Sibley，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Nature 395(1998)，p.151)下面示出了上述論文報(bào)道的有機(jī)材料(Pt絡(luò)合物)的分子式(化學(xué)式2) (M.A.Baldo，S.Lamansky，P.E.Burrrows，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.，75(1999)p.4)，(T.Tsutsui，M.-J.Yang，M.Yahiro，K.Nakamura，T.Watanabe，T.Tsuji，Y.Fukuda，T.Wakimoto，S.Mayaguchi，Jpn.Appl.Phys.，38(12B)(1999)L1502)。
下面示出了上述論文報(bào)道的有機(jī)材料(Ir絡(luò)合物)的分子式(化學(xué)式3) 如上所述，若能夠利用來自三重激發(fā)態(tài)的磷光發(fā)射，則理論上能夠?qū)崿F(xiàn)比來自單重激發(fā)態(tài)的熒光高3-4倍的發(fā)光外量子效率。
此實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)能夠與實(shí)施方案1-5的任何一種結(jié)構(gòu)進(jìn)行自由組合。
實(shí)施方案7根據(jù)本發(fā)明制造的發(fā)光器件是自發(fā)光型器件，因而比之液晶顯示器件，在明亮處所呈現(xiàn)更優(yōu)異的顯示圖象可識別性。而且，此發(fā)光器件具有更寬廣的視角。因此，這種發(fā)光器件可以被用于各種各樣電子裝置的顯示部分。
本發(fā)明的電子裝置有攝象機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、風(fēng)鏡式顯示器(頭戴顯示器)、車輛導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音重放裝置(汽車立體音響或立體音響等)、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、游戲裝置、便攜信息終端(諸如移動(dòng)計(jì)算機(jī)、手機(jī)、便攜游戲機(jī)、或電子記事本)、以及配備有記錄媒質(zhì)的放象設(shè)備(具體地說是諸如數(shù)碼萬能碟盤機(jī)(DVD)之類的配備有重放記錄媒質(zhì)中的圖象并顯示圖象的顯示部分的裝置)。圖9A-9F示出了這些電子設(shè)備的具體例子。
圖9A示出了一種電致發(fā)光顯示器件，它包含殼2001、支座2002、和顯示部分2003。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2003。這種發(fā)光顯示器是自發(fā)光型的，故無需后照光。顯示部分于是能夠制得比液晶顯示器更薄。
圖9B示出了一種錄象機(jī)，包含主體2101、顯示部分2102、聲音輸入部分2103、操作開關(guān)2104、電池2105、和圖象接收部分2106。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2102。
圖9C示出了一種數(shù)碼靜物相機(jī)，包含主體2201、顯示部分2202、取景框2203、和操作開關(guān)2204。本發(fā)明的發(fā)光器件可用于顯示部分2202。
圖9D是一種配備有記錄媒質(zhì)的放象機(jī)(具體地說是DVD放象機(jī))，包含主體2301、記錄媒質(zhì)(諸如DVD等)2302、操作開關(guān)2303、顯示部分(a)2304、和顯示部分(b)2305。顯示部分(a)2304主要用來顯示圖象信息。顯示部分(b)2305主要用來顯示字符信息。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分(a)2304和顯示部分(b)2305。注意，配備有記錄媒質(zhì)的放象機(jī)包括諸如游戲機(jī)之類的裝置。
圖9E示出了一種便攜式(移動(dòng))計(jì)算機(jī)，包含主體2401、顯示部分2402、圖象接收部分2403、和操作開關(guān)2404、以及存儲(chǔ)器插口2405。本發(fā)明的發(fā)光器件可用于顯示器2402。在這種便攜式計(jì)算機(jī)中，信息也能夠被記錄在其中集成了快速存儲(chǔ)器和/或非易失存儲(chǔ)器的記錄媒質(zhì)中和/或被重放。
圖9F是一種個(gè)人計(jì)算機(jī)，包含主體2501、機(jī)殼2502、顯示部分2503、和鍵盤2504。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2503。
而且，上述電子裝置常常顯示通過諸如互連網(wǎng)和CATV(有線電視)之類的電子通信電路傳輸?shù)男畔?，特別是顯示移動(dòng)圖象的情況正在增長。有機(jī)化合物材料的響應(yīng)速度是如此之高，以至于上述電子裝置適合于顯示移動(dòng)圖象。
此外，由于發(fā)光器件節(jié)省發(fā)光部分的功率，故最好顯示信息使發(fā)光部分盡可能小。因此，當(dāng)使用主要用于字符信息的顯示部分，諸如便攜式信息終端，特別是手機(jī)或立體聲響中的發(fā)光器件時(shí)，最好將發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)成由發(fā)光部分形成字符信息，而將不發(fā)光部分設(shè)定為背景。
如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍極為廣闊，可以用于各種領(lǐng)域的電子裝置。而且，可以利用自由組合第1-13實(shí)施方案的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)，來獲得本實(shí)施方案的電子裝置。
借助于實(shí)施本發(fā)明，能夠制造具有呈現(xiàn)優(yōu)異發(fā)光性能的EL元件的發(fā)光器件。結(jié)果，有可能制造具有明亮顯示部分的電子裝置。
權(quán)利要求
1.一種制造發(fā)光器件的方法，包含下列步驟用蒸發(fā)方法制作由有機(jī)材料和摻雜劑構(gòu)成的第一薄膜；以及借助于停止蒸發(fā)摻雜劑，同時(shí)繼續(xù)蒸發(fā)有機(jī)材料，而制作由有機(jī)材料構(gòu)成的第二薄膜。
2.一種制造發(fā)光器件的方法，包含下列步驟用蒸發(fā)方法制作由有機(jī)材料構(gòu)成的第一薄膜；以及借助于蒸發(fā)摻雜劑，同時(shí)繼續(xù)蒸發(fā)有機(jī)材料，而制作由有機(jī)材料和摻雜劑構(gòu)成的第二薄膜。
3.一種制造發(fā)光器件的方法，包含下列步驟用蒸發(fā)方法制作由發(fā)光材料和摻雜劑構(gòu)成的第一發(fā)光層；以及借助于停止蒸發(fā)摻雜劑，同時(shí)繼續(xù)蒸發(fā)發(fā)光材料，而制作由發(fā)光材料構(gòu)成的第二發(fā)光層。
4.一種制造發(fā)光器件的方法，包含下列步驟用蒸發(fā)方法制作由發(fā)光材料構(gòu)成的第一發(fā)光層；以及借助于蒸發(fā)摻雜劑，同時(shí)繼續(xù)蒸發(fā)發(fā)光材料，而制作由發(fā)光材料和摻雜劑構(gòu)成的第二發(fā)光層。
5.一種制造發(fā)光器件的方法，包含下列步驟用蒸發(fā)方法制作由發(fā)光材料和摻雜劑構(gòu)成的紅色發(fā)光層；以及借助于停止蒸發(fā)摻雜劑，同時(shí)繼續(xù)蒸發(fā)發(fā)光材料，而制作由發(fā)光材料構(gòu)成的綠色發(fā)光層。
6.一種制造發(fā)光器件的方法，包含下列步驟用蒸發(fā)方法制作由發(fā)光材料構(gòu)成的綠色發(fā)光層；以及借助于蒸發(fā)摻雜劑，同時(shí)繼續(xù)蒸發(fā)發(fā)光材料，而制作由發(fā)光材料和摻雜劑構(gòu)成的紅色發(fā)光層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任何一個(gè)的制造發(fā)光器件的方法，其特征是，其中在第二發(fā)光層上制作金屬膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任何一個(gè)的制造發(fā)光器件的方法，其特征是，其中的發(fā)光材料是Alq3(三-8-喹啉-鋁絡(luò)合物)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任何一個(gè)的制造發(fā)光器件的方法，其特征是，其中的摻雜劑是呈現(xiàn)熒光的有機(jī)材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任何一個(gè)的制造發(fā)光器件的方法，其特征是，其中的摻雜劑是呈現(xiàn)磷光的有機(jī)材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任何一個(gè)的制造發(fā)光器件的方法，其特征是，其中所述發(fā)光器件被組合到選自攝象機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、風(fēng)鏡式顯示器、車輛導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音重放、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端、和放象機(jī)的電子裝置中。
全文摘要
提供了一種獲得具有包含摻雜劑的發(fā)光層的EL元件的優(yōu)異發(fā)光性能的方法,從而提供了一種制造含有此具有優(yōu)異發(fā)光性能的EL元件的發(fā)光器件的方法,其中用蒸發(fā)方法制作由發(fā)光材料和摻雜劑構(gòu)成的第一發(fā)光層,并借助于繼續(xù)蒸發(fā)發(fā)光材料,同時(shí)停止蒸發(fā)摻雜劑,而制作由發(fā)光材料構(gòu)成的第二發(fā)光層。結(jié)果,提高了各個(gè)發(fā)光層的連續(xù)性,從而能夠得到優(yōu)異的發(fā)光性能。
文檔編號H01L51/40GK1333645SQ01119049
公開日2002年1月30日 申請日期2001年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月12日
發(fā)明者山形裕和, 高橋正弘 申請人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所