技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件包括有源區(qū)域，所述有源區(qū)域在第一方向上延伸；第一晶體管，所述第一晶體管包括布置在所述有源區(qū)域上的第一柵電極和第一源極和漏極區(qū)域，所述第一源極和漏極區(qū)域布置在所述第一柵電極的相對側(cè)處；第二晶體管，所述第二晶體管包括布置在所述有源區(qū)域上的第二柵電極和第二源極和漏極區(qū)域，所述第二源極和漏極區(qū)域布置在所述第二柵電極的相對側(cè)處；以及第三晶體管，所述第三晶體管包括布置在所述有源區(qū)域上的第三柵電極和第三源極和漏極區(qū)域，所述第三源極和漏極區(qū)域布置在所述第三柵電極的相對側(cè)處，并且所述第一柵電極、所述第二柵電極和所述第三柵電極在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述第二晶體管被配置成基于所述半導(dǎo)體器件的操作模式而接通和斷開。

技術(shù)研發(fā)人員：白尚葉;金兌衡;文大英;徐東旭;李仁學(xué);崔賢洙;宋泰中;崔在承;姜貞明;金訓(xùn);柳志秀;張善泳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.25
技術(shù)公布日：2017.08.11